Продукція > SQA

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQA-0180-01-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 01dB LEVEL C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0180-02-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 02 dB LEVEL C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0180-03-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 03 dB LEVEL C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0180-06-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 06 dB LEVEL C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0180-10-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 10 dB LEVEL C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0180-20-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 20 dB LEVEL C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0181-01-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 01 dB LEVEL B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0181-02-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 02 dB LEVEL B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0181-03-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 03 dB LEVEL B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0181-06-SMA-02Cinch Connectivity Solutions Midwest MicrowaveDescription: SPACE QUALIFIED ATTENUATOR, 06 D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0181-06-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 06 dB LEVEL B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0181-10-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 10 dB LEVEL B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0181-20-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 20 dB LEVEL B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-01-SMA-02Cinch Connectivity Solutions Midwest MicrowaveDescription: SPACE QUALIFIED ATTENUATOR, 01 D
Power (Watts): 2W
Packaging: Box
Package / Case: SMA In-Line Module
Attenuation Value: 1dB
Part Status: Active
Frequency Range: 0 Hz ~ 18 GHz
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8661.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-01-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 01 dB LEVEL A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-02-SMA-02Cinch Connectivity Solutions Midwest MicrowaveDescription: SPACE QUALIFIED ATTENUATOR, 02 D
Power (Watts): 2W
Packaging: Box
Package / Case: SMA In-Line Module
Attenuation Value: 2dB
Part Status: Active
Frequency Range: 0 Hz ~ 18 GHz
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8392.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-02-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 02 dB LEVEL A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-03-SMA-02Cinch Connectivity Solutions Midwest MicrowaveDescription: SPACE QUALIFIED ATTENUATOR, 03 D
Packaging: Box
Power (Watts): 2W
Package / Case: SMA In-Line Module
Attenuation Value: 3dB
Frequency Range: 0 Hz ~ 18 GHz
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26360.47 грн
10+21580.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-03-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 03 dB LEVEL A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-04-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATOR 04 dB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-06-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 06 dB LEVEL A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-10-SMA-02Cinch Connectivity Solutions Midwest MicrowaveDescription: SPACE QUALIFIED ATTENUATOR, 10 D
Power (Watts): 2W
Packaging: Box
Package / Case: SMA In-Line Module
Attenuation Value: 10dB
Part Status: Active
Frequency Range: 0 Hz ~ 18 GHz
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26165.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-10-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 10 dB LEVEL A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA-0182-20-SMA-02Midwest Microwave / Cinch Connectivity SolutionsAttenuators - Interconnects SPACE QUAL ATTENUATR 20 dB LEVEL A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA000001Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 100.0000MHZ HCSL SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 100 MHz
Height - Seated (Max): 0.053" (1.35mm)
Current - Supply (Max): 40mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Enable/Disable
Output: HCSL
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+279.68 грн
1000+231.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA000001Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 100.0000MHZ HCSL SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 40mA
Height - Seated (Max): 0.053" (1.35mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.31 грн
10+312.78 грн
50+295.38 грн
100+260.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQA000001Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators 100 MHz, 3.3V 50 ppm, HCSL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA000002PericomDescription: OSC XO 100.000MHZ HCSL SMD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA000002Diodes ZetexOscillator XO 100MHz ±50ppm 2pF HCSL 55% 2.5V 6-Pin SMD T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA0R
на замовлення 14936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA250AA80SanRex250A/800V/SCR/1U
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA300CEJW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 33 mohm a. 10V , 54 mohm a. 4.5V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA310CEJW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA310CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA310CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+25.59 грн
100+17.76 грн
500+13.01 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401CEJW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 29084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA401CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EEJ-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
на замовлення 22848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EEJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.113 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EEJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.113 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.75A SC70-6
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA401EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA401EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA403CEJW-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA403EJ-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA403EJ-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+40.31 грн
100+26.20 грн
500+18.86 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA403EJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA403EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA403EJ-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.68 грн
6000+14.15 грн
9000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA403EJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA403EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJWVishayTrans MOSFET P-CH 40V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70W T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -9A; Idm: -36A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 13.6W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
13+24.91 грн
100+16.91 грн
500+12.43 грн
1000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70W T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA405EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.027 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 16028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA405EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.027 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
10+30.95 грн
100+21.16 грн
500+15.67 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA405EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10 A, 0.027 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA407CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
10+31.63 грн
100+21.95 грн
500+16.08 грн
1000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA407CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA407CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJWVishayTrans MOSFET P-CH 12V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70W EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJWVishayTrans MOSFET P-CH 12V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70W EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA409CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 6 V
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.59 грн
100+21.68 грн
500+15.54 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA410CEJW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20v 7.8amp AEC-Q101
на замовлення 27630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA410CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+29.81 грн
50+21.78 грн
100+17.98 грн
500+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA410CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA410CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 52280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA410CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.59 грн
9000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA410CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA410CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 52280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA410EJ-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+43.40 грн
100+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA410EJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA410EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA410EJ-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 212021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA410EJ-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA410EJ-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA410EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA411CEJW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA411CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.46A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
10+32.76 грн
100+24.46 грн
500+18.03 грн
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA411CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.46A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA413CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQA413CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+25.06 грн
100+17.43 грн
500+12.77 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA413CEJW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 34862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA440CEJWVishayTrans MOSFET N-CH 40V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70W EP Automotive AEC-Q101
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQA440CEJW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70W EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA440CEJW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]