Продукція > TK0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TK0001RKOREA98+
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK010HM00TDK CorporationDescription: ECG SENSOR SILMEE BARTYPE LITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK010HM00TDKBiometric Sensors ECG sensor Bartype Lite
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK010HM11TDK CorporationDescription: GELPAD FOR SILMEE BARTYPE LITE (
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK010HM11TDKBiometric Sensors Gelpad for Bartype Lite (30 sheets)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK011AM00TDK CorporationDescription: ACCELEROMETER BLUETOOTH
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK011AM00TDKBiometric Sensors Wristband activity tracker W11
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01276TOKO
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01298B-F08J10TLQ
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01298B-F08J10TLQ1-3TOKO
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01560
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01563
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01851
на замовлення 8571 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK020TRIDENT04+ DIP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK0205800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 2POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 2
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0205800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK02058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK020AM00/BLTDKBiometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 long band
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK020AM00/BLTDK CorporationDescription: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK020AM00/BSTDK CorporationDescription: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK020AM00/BSTDKBiometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 standard band
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK024N60Z1,S1FToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1257.14 грн
10+958.84 грн
120+720.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK024N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 506W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.84mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 300 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1111.87 грн
50+622.10 грн
100+583.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK024N60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK024N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 506W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1626.81 грн
5+1092.96 грн
10+974.52 грн
50+815.95 грн
100+710.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK0305800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 3POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 3
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0305800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0326/702378T07+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK0405800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK04058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N60Z1,S1FToshibaMOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 40mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS6 TO-247 40MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 21.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N60Z1S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 57A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+971.62 грн
30+569.33 грн
120+490.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+887.60 грн
10+676.73 грн
120+548.09 грн
510+545.76 грн
1020+501.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK040N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+825.60 грн
5+676.68 грн
10+526.88 грн
50+469.03 грн
100+413.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Drain current: 57A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65ZS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040Z65Z,S1FToshibaMOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1027.08 грн
10+850.82 грн
25+686.28 грн
100+616.41 грн
250+586.91 грн
500+544.21 грн
1000+489.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK040Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK040Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK040Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.59 грн
5+856.95 грн
10+806.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5,S1FToshiba 650V DTMOS6 HSD TO-247 42mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1003.54 грн
30+589.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK042N65Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.21 грн
5+972.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5,S1F(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5S1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK050TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Type of cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2
Type of connection cable: Jack - Jack
Version: mono; stereo
Core section: 0.15mm2
Cable length: 1.5m
Number of cores: 2
Insulation colour: black
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.54 грн
5+602.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK050TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Type of cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2
Type of connection cable: Jack - Jack
Version: mono; stereo
Core section: 0.15mm2
Cable length: 1.5m
Number of cores: 2
Insulation colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+877.85 грн
5+750.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK0505800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK05058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK050WV03-001-AKyocera DisplayTFT Displays & Accessories 5.0" TFT Tool Kit w/VGA and DVI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK055TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+493.27 грн
5+422.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK055TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+411.06 грн
5+338.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQToshibaMOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.06 грн
10+400.86 грн
100+265.50 грн
1000+250.75 грн
2000+236.00 грн
4000+231.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.41 грн
10+361.56 грн
100+275.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+638.36 грн
10+436.31 грн
100+332.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+368.32 грн
36+352.50 грн
50+339.07 грн
100+315.86 грн
250+283.60 грн
500+264.84 грн
1000+258.37 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+376.40 грн
50+318.37 грн
200+242.92 грн
500+219.85 грн
1000+179.14 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+436.31 грн
100+332.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK060TASKERTAS-TK060 Audio - Video Cables
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+791.11 грн
2+630.77 грн
5+596.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK0605800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 6POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 6
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0605800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK06058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK063N60Z1,S1FToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.35 грн
10+383.00 грн
120+211.94 грн
510+192.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3
Insulation colour: black
Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug
Type of connection cable: USB - RCA
Core section: 0.08mm2
Cable length: 1.5m
Number of cores: 3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1725.22 грн
5+1422.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3
Insulation colour: black
Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug
Type of connection cable: USB - RCA
Core section: 0.08mm2
Cable length: 1.5m
Number of cores: 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2070.26 грн
5+1772.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65ZToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1FToshibaMOSFETs 270W 1MHz TO-247
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.46 грн
10+429.43 грн
30+373.41 грн
100+360.22 грн
500+340.03 грн
1000+322.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+679.29 грн
5+537.33 грн
10+395.38 грн
50+338.84 грн
100+285.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1F(SToshibaPower MOSFET (N-ch 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65ZS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65ZToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.83 грн
10+466.03 грн
100+333.82 грн
500+321.40 грн
1000+287.24 грн
2000+273.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.73 грн
10+421.24 грн
100+334.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQ(SToshibaTK065U65Z,RQ(S
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+247.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+517.30 грн
100+431.96 грн
500+368.76 грн
1000+306.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.00 грн
10+517.30 грн
100+431.96 грн
500+368.76 грн
1000+306.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK065V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT 6.5" VGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.21 грн
25+438.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65Z,S1FToshibaMOSFET PWR MOSFET TRANSISTR PD=270W F=1MHz
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.51 грн
10+563.34 грн
25+423.88 грн
50+399.03 грн
100+378.85 грн
250+371.86 грн
500+335.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.89 грн
5+499.02 грн
10+498.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65Z,S1F(OToshibaPower MOSFET (N-ch 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65ZS1F(OToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5 S1FToshiba TO247 650V 1.69A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5,S1FToshibaMOSFETs TO247 650V 1.69A N-CH
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+730.01 грн
10+470.49 грн
120+347.80 грн
510+346.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 300 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+747.40 грн
30+427.79 грн
120+363.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5,S1F(SToshiba TO247 650V 1.69A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0705800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 7POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 7
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK07058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK075TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.01 грн
5+456.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK075TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+663.61 грн
5+568.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90A
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90AToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90A (Q)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90A(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin TO-3PW
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK08001N/A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK0805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0805800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 8POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 8
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK08058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0805P34A1BGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK080A60Z1,S4XToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1,S1FToshibaMOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 80mohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.65 грн
10+365.15 грн
120+256.19 грн
510+227.46 грн
1020+194.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK080U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+134.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK080U60Z1,RQToshibaMOSFETs 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.99 грн
10+258.01 грн
100+159.92 грн
500+152.16 грн
2000+128.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.46 грн
10+233.38 грн
100+166.39 грн
500+148.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK084V00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK084V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK084X00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK084X00-001Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK085TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 6m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 6m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.26 грн
5+760.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK0905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.62 грн
10+258.01 грн
100+214.27 грн
500+185.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+425.86 грн
10+238.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.97 грн
10+371.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1XToshibaMOSFETs 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.04 грн
10+333.90 грн
50+242.99 грн
100+218.92 грн
250+207.28 грн
500+197.19 грн
1000+187.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+397.99 грн
10+252.56 грн
100+221.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1FToshibaMOSFETs 230W 1MHz TO-247
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.11 грн
10+489.24 грн
25+261.62 грн
50+260.07 грн
100+221.25 грн
500+214.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1F(SToshibaSilicon N Channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+594.81 грн
10+526.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65ZS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65ZToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+175.10 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.07 грн
2000+244.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+187.61 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.83 грн
10+308.91 грн
100+223.15 грн
500+174.99 грн
1000+174.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+216.85 грн
500+196.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(SToshibaTK090U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+286.07 грн
46+273.78 грн
50+263.34 грн
100+245.33 грн
250+220.26 грн
500+205.69 грн
1000+200.66 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.56 грн
10+221.20 грн
100+216.85 грн
500+196.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(SToshibaTK090U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+414.54 грн
36+351.32 грн
50+267.38 грн
100+256.83 грн
200+223.93 грн
500+189.21 грн
1000+183.88 грн
2000+176.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65ZRQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.08 грн
25+266.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1FToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OToshibaTK090Z65Z,S1F(O
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+836.33 грн
21+609.37 грн
25+578.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OToshibaTK090Z65Z,S1F(O
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+535.31 грн
25+512.31 грн
50+492.80 грн
100+459.07 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+424.12 грн
5+415.41 грн
10+407.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65ZS1F(OToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.13 грн
30+325.84 грн
120+274.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1FToshibaMOSFETs 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.90 грн
10+358.90 грн
120+261.62 грн
510+248.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK095N65Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.095 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+565.20 грн
5+445.02 грн
10+324.84 грн
50+294.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1F(SToshiba TO247 650V N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.07 грн
10+330.43 грн
100+245.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+208.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+545.24 грн
10+363.36 грн
100+235.23 грн
2000+199.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095V65Z5LQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099N60Z1,S1FToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.93 грн
10+277.65 грн
120+161.48 грн
510+138.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.54 грн
30+202.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK099U60Z1,RQToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+342.36 грн
10+224.09 грн
100+137.41 грн
500+126.54 грн
2000+107.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK099U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+318.28 грн
10+202.25 грн
100+143.05 грн
500+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.90 грн
10+322.26 грн
100+260.76 грн
500+217.52 грн
1000+186.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaMOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.41 грн
10+366.93 грн
25+318.30 грн
100+277.93 грн
250+277.15 грн
1000+259.29 грн
2500+236.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+194.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+432.37 грн
32+388.92 грн
100+299.72 грн
250+274.78 грн
500+233.87 грн
1000+195.64 грн
3000+186.26 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+256.66 грн
51+246.88 грн
100+238.50 грн
250+223.00 грн
500+200.87 грн
1000+188.12 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.16 грн
10+212.50 грн
100+170.69 грн
500+149.61 грн
1000+136.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+398.52 грн
37+337.20 грн
50+256.87 грн
100+246.68 грн
200+215.19 грн
500+182.12 грн
1000+177.59 грн
2500+170.34 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.69 грн
500+149.61 грн
1000+136.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90ATOSHIBA
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90AToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90A (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90A(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09N90A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK0DT9PCB-L1
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.