Продукція > TK0
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK0001R | KOREA | 98+ | на замовлення 10010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TK010HM00 | TDK | Biometric Sensors ECG sensor Bartype Lite | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK010HM00 | TDK Corporation | Description: ECG SENSOR SILMEE BARTYPE LITE | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK010HM11 | TDK Corporation | Description: GELPAD FOR SILMEE BARTYPE LITE ( | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK010HM11 | TDK | Biometric Sensors Gelpad for Bartype Lite (30 sheets) | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK011AM00 | TDK | Biometric Sensors Wristband activity tracker W11 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
TK011AM00 | TDK Corporation | Description: ACCELEROMETER BLUETOOTH | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
TK01276 | TOKO | на замовлення 7200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
TK01298B-F08J10TLQ | на замовлення 8750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TK01298B-F08J10TLQ1-3 | TOKO | на замовлення 1550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
TK01560 | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TK01563 | на замовлення 992 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TK01851 | на замовлення 8571 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TK020 | TRIDENT | 04+ DIP | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TK0205800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK0205800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 2POS SIDE ENTRY 5MM PCB Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 12-22 AWG Pitch: 0.197" (5.00mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 2 Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard Current: 15 A Number of Levels: 1 Voltage: 250 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK02058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK020AM00/BL | TDK | Biometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 long band | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK020AM00/BL | TDK Corporation | Description: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK020AM00/BS | TDK | Biometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 standard band | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK020AM00/BS | TDK Corporation | Description: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK0305800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK0305800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 3POS SIDE ENTRY 5MM PCB Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 12-22 AWG Pitch: 0.197" (5.00mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 3 Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard Part Status: Active Current: 15 A Number of Levels: 1 Voltage: 250 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK0326/702378T | 07+ | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
TK0405800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK04058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK040N65Z,S1F | Toshiba | MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V | на замовлення 3397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK040N65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK040N65Z,S1F(S | TOSHIBA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 57A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK040N65Z,S1F(S | TOSHIBA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 57A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK040N65Z,S1F(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK040N65Z,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK040N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK040N65ZS1F(S | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK040Z65Z,S1F | Toshiba | MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK040Z65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA Supplier Device Package: TO-247-4L(T) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK040Z65Z,S1F(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK040Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK042N65Z5,S1F(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK050 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m Insulation colour: black Core section: 0.15mm2 Number of cores: 2 Version: mono; stereo Cable length: 1.5m Type of connection cable: Jack - Jack Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK050 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m Insulation colour: black Core section: 0.15mm2 Number of cores: 2 Version: mono; stereo Cable length: 1.5m Type of connection cable: Jack - Jack Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK0505800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK05058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK050WV03-001-A | Kyocera Display | TFT Displays & Accessories 5.0" TFT Tool Kit w/VGA and DVI | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK055 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2 Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin Cable length: 1.5m Type of connection cable: XLR - JACK Version: stereo Core section: 0.08mm2 Insulation colour: black Number of cores: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK055 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2 Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin Cable length: 1.5m Type of connection cable: XLR - JACK Version: stereo Core section: 0.08mm2 Insulation colour: black Number of cores: 2 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK055U60Z1,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V | на замовлення 3567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK055U60Z1,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK055U60Z1,RQ | Toshiba | MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm | на замовлення 5610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK055U60Z1,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: DTMOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK055U60Z1,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: DTMOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK060 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,RCA plug x2; 1.5m; black; 0.08mm2 Type of connection cable: Jack - RCA Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; RCA plug x2 Version: stereo Cable length: 1.5m Insulation colour: black Core section: 0.08mm2 Number of cores: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK060 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,RCA plug x2; 1.5m; black; 0.08mm2 Type of connection cable: Jack - RCA Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; RCA plug x2 Version: stereo Cable length: 1.5m Insulation colour: black Core section: 0.08mm2 Number of cores: 2 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK0605800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK0605800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 6POS SIDE ENTRY 5MM PCB Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 12-22 AWG Pitch: 0.197" (5.00mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 6 Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard Current: 15 A Number of Levels: 1 Voltage: 250 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK06058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3 Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug Insulation colour: black Number of cores: 3 Cable length: 1.5m Type of connection cable: USB - RCA Core section: 0.08mm2 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3 Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug Insulation colour: black Number of cores: 3 Cable length: 1.5m Type of connection cable: USB - RCA Core section: 0.08mm2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065N65Z | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065N65Z,S1F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065N65Z,S1F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065N65Z,S1F | Toshiba | MOSFET 270W 1MHz TO-247 | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065N65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065N65Z,S1F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065N65Z,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065N65Z,S1F(S | Toshiba | Power MOSFET (N-ch 500V товар відсутній
|
| |||||||||||||||||
TK065N65ZS1F(S | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065U65Z | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065U65Z,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065U65Z,RQ | Toshiba | MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ | на замовлення 3485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065U65Z,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V | на замовлення 2013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065U65Z,RQ(S | Toshiba | TK065U65Z,RQ(S | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065U65Z,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 38 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 270 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 270 Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065U65Z,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 38 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 270 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 270 Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065V01 | Kyocera Industrial Ceramics Corporation | Description: TOOLKIT TFT 6.5" VGA | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065Z65Z,S1F | Toshiba | MOSFET PWR MOSFET TRANSISTR PD=270W F=1MHz | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065Z65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4 | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK065Z65Z,S1F(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK065Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK065Z65Z,S1F(O | Toshiba | Power MOSFET (N-ch 500V товар відсутній
|
| |||||||||||||||||
TK065Z65ZS1F(O | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK0705800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK07058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK075 | TASKER | TAS-TK075 Audio - Video Cables | на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK07H90A | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TK080 | TASKER | TAS-TK080 Audio - Video Cables | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK08001 | N/A | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
TK0805800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK08058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK0805P34A1 | BGA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
TK084V00 | Kyocera Industrial Ceramics Corporation | Description: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK084V01 | Kyocera Industrial Ceramics Corporation | Description: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK084X00 | Kyocera Industrial Ceramics Corporation | Description: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK084X00-001 | Kyocera Industrial Ceramics Corporation | Description: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
TK085 | TASKER | TAS-TK085 Audio - Video Cables | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK0905800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK09058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK090A65Z,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090A65Z,S4X(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
TK090A65Z,S4X(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090E65Z,S1X | Toshiba | MOSFET 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090E65Z,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090N65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090N65Z,S1F | Toshiba | MOSFET 230W 1MHz TO-247 | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090N65Z,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090N65Z,S1F(S | Toshiba | Silicon N Channel MOSFET | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
TK090U65Z | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK090U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090U65Z,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 3951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK090U65Z,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090U65Z,RQ | Toshiba | MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ | на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090U65Z,RQ(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK090U65Z,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090U65Z,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090Z65Z,S1F | Toshiba | MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090Z65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L Packaging: Tube Part Status: Active Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TO-247-4L(T) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK090Z65Z,S1F(O | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
TK090Z65Z,S1F(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK095N65Z5,S1F | Toshiba | MOSFET 650V DTMOS6-High Speed Diode 95mohm TO-247 | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK095N65Z5,S1F(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK095N65Z5,S1F(S | Toshiba | Toshiba N CHAN 650V TO-247 | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ | Toshiba | MOSFET 230W 1MHz 8x8DFN | на замовлення 9982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 14954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ(S | Toshiba | TK099V65Z,LQ(S | на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK099V65Z,LQ(S | Toshiba | TK099V65Z,LQ(S | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TK09H90A | Toshiba | Toshiba | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK09H90A | TOSHIBA | на замовлення 2110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
TK09H90A (Q) | Toshiba | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK09H90A(Q) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm | товар відсутній | |||||||||||||||||
TK09N90A | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
TK0DT9PCB-L1 | на замовлення 46000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |