Продукція > TK0
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK0001R | KOREA | 98+ | на замовлення 10010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK010HM00 | TDK Corporation | Description: ECG SENSOR SILMEE BARTYPE LITE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK010HM00 | TDK | Biometric Sensors ECG sensor Bartype Lite | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK010HM11 | TDK Corporation | Description: GELPAD FOR SILMEE BARTYPE LITE ( | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK010HM11 | TDK | Biometric Sensors Gelpad for Bartype Lite (30 sheets) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK011AM00 | TDK Corporation | Description: ACCELEROMETER BLUETOOTH | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK011AM00 | TDK | Biometric Sensors Wristband activity tracker W11 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK01276 | TOKO | на замовлення 7200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TK01298B-F08J10TLQ | на замовлення 8750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TK01298B-F08J10TLQ1-3 | TOKO | на замовлення 1550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TK01560 | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TK01563 | на замовлення 992 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TK01851 | на замовлення 8571 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TK020 | TRIDENT | 04+ DIP | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK0205800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 2POS SIDE ENTRY 5MM PCB Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 12-22 AWG Pitch: 0.197" (5.00mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 2 Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard Current: 15 A Number of Levels: 1 Voltage: 250 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK0205800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK02058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK020AM00/BL | TDK | Biometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 long band | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK020AM00/BL | TDK Corporation | Description: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK020AM00/BS | TDK Corporation | Description: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK020AM00/BS | TDK | Biometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 standard band | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK024N60Z1,S1F | Toshiba | MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6 | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK024N60Z1,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 506W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.84mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 300 V | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK024N60Z1,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK024N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 506W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DTMOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK0305800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 3POS SIDE ENTRY 5MM PCB Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 12-22 AWG Pitch: 0.197" (5.00mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 3 Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard Part Status: Active Current: 15 A Number of Levels: 1 Voltage: 250 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK0305800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK0326/702378T | 07+ | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TK0405800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK04058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK040N60Z1,S1F | Toshiba | MOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 40mohm | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK040N60Z1,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21.2A, 10V Power Dissipation (Max): 297W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.4mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 300 V | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK040N60Z1S1F(S | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK040N65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V | на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK040N65Z,S1F | Toshiba | MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK040N65Z,S1F(S | TOSHIBA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar On-state resistance: 33mΩ Drain current: 57A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 228A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK040N65Z,S1F(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK040N65Z,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK040N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK040N65ZS1F(S | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK040Z65Z,S1F | Toshiba | MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK040Z65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA Supplier Device Package: TO-247-4L(T) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK040Z65Z,S1F(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK040Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK042N65Z5,S1F | Toshiba | 650V DTMOS6 HSD TO-247 42mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK042N65Z5,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK042N65Z5,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK042N65Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DTMOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK042N65Z5,S1F(S | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TK042N65Z5S1F(S | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK050 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2 Type of connection cable: Jack - Jack Version: mono; stereo Core section: 0.15mm2 Cable length: 1.5m Number of cores: 2 Insulation colour: black кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK050 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2 Type of connection cable: Jack - Jack Version: mono; stereo Core section: 0.15mm2 Cable length: 1.5m Number of cores: 2 Insulation colour: black | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK0505800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK05058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK050WV03-001-A | Kyocera Display | TFT Displays & Accessories 5.0" TFT Tool Kit w/VGA and DVI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK055 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2 Type of connection cable: XLR - JACK Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin Version: stereo Cable length: 1.5m Insulation colour: black Core section: 0.08mm2 Number of cores: 2 | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK055 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2 Type of connection cable: XLR - JACK Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin Version: stereo Cable length: 1.5m Insulation colour: black Core section: 0.08mm2 Number of cores: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 53 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK055U60Z1,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK055U60Z1,RQ | Toshiba | MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK055U60Z1,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK055U60Z1,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK055U60Z1,RQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK055U60Z1,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: DTMOSVI Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK055U60Z1,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: DTMOSVI Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK055U60Z1,RQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 40A 9-Pin(8+Tab) TOLL | на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK060 | TASKER | TAS-TK060 Audio - Video Cables | на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK0605800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 6POS SIDE ENTRY 5MM PCB Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 12-22 AWG Pitch: 0.197" (5.00mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 6 Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard Current: 15 A Number of Levels: 1 Voltage: 250 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK0605800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK06058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK063N60Z1,S1F | Toshiba | MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS? | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065 | TASKER | TAS-TK065 Audio - Video Cables | на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065N65Z | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065N65Z,S1F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065N65Z,S1F | Toshiba | MOSFETs 270W 1MHz TO-247 | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065N65Z,S1F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065N65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065N65Z,S1F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065N65Z,S1F(S | Toshiba | Power MOSFET (N-ch 500V товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| | |||||||||||||||||
| TK065N65Z,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065N65ZS1F(S | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065U65Z | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065U65Z,RQ | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ | на замовлення 2041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065U65Z,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065U65Z,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V | на замовлення 1676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065U65Z,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 270W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065U65Z,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065U65Z,RQ(S | Toshiba | TK065U65Z,RQ(S | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065V01 | Kyocera Industrial Ceramics Corporation | Description: TOOLKIT TFT 6.5" VGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK065Z65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TO-247-4L(T) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065Z65Z,S1F | Toshiba | MOSFET PWR MOSFET TRANSISTR PD=270W F=1MHz | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065Z65Z,S1F(O | Toshiba | Power MOSFET (N-ch 500V товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| | |||||||||||||||||
| TK065Z65Z,S1F(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK065Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK065Z65ZS1F(O | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK068N65Z5 S1F | Toshiba | TO247 650V 1.69A N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK068N65Z5,S1F | Toshiba | MOSFETs TO247 650V 1.69A N-CH | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK068N65Z5,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.69mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 300 V | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK068N65Z5,S1F(S | Toshiba | TO247 650V 1.69A N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK068N65Z5S1F(S | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK0705800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 7POS SIDE ENTRY 5MM PCB Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 12-22 AWG Pitch: 0.197" (5.00mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 7 Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard Current: 15 A Number of Levels: 1 Voltage: 250 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK0705800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK07058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK075 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2 Type of connection cable: XLR - JACK Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin Version: stereo Cable length: 1.5m Insulation colour: black Core section: 0.08mm2 Number of cores: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK075 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2 Type of connection cable: XLR - JACK Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin Version: stereo Cable length: 1.5m Insulation colour: black Core section: 0.08mm2 Number of cores: 2 | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK07H90A | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TK07H90A | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK07H90A (Q) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK07H90A(Q) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin TO-3PW | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK08001 | N/A | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TK0805800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK0805800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 8POS SIDE ENTRY 5MM PCB Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 12-22 AWG Pitch: 0.197" (5.00mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 8 Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard Current: 15 A Number of Levels: 1 Voltage: 250 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK08058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK0805P34A1 | BGA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TK080A60Z1,S4X | Toshiba | MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS? | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK080N60Z1,S1F | Toshiba | MOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 80mohm | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK080N60Z1,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 600V DTMOS6 TO-247 80MOHM Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK080N60Z1S1F(S | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK080U60Z1,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK080U60Z1,RQ | Toshiba | MOSFETs 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK080U60Z1,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK084V00 | Kyocera Industrial Ceramics Corporation | Description: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK084V01 | Kyocera Industrial Ceramics Corporation | Description: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK084X00 | Kyocera Industrial Ceramics Corporation | Description: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK084X00-001 | Kyocera Industrial Ceramics Corporation | Description: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK085 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 6m; black; 0.08mm2 Type of connection cable: XLR - JACK Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin Version: stereo Cable length: 6m Insulation colour: black Core section: 0.08mm2 Number of cores: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK085 | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 6m; black; 0.08mm2 Type of connection cable: XLR - JACK Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin Version: stereo Cable length: 6m Insulation colour: black Core section: 0.08mm2 Number of cores: 2 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK0905800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK09058000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB WIR PRO 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090A65Z,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090A65Z,S4X | Toshiba | MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090A65Z,S4X(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090A65Z,S4X(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090E65Z,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090E65Z,S1X | Toshiba | MOSFETs 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090E65Z,S1X(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090N65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090N65Z,S1F | Toshiba | MOSFETs 230W 1MHz TO-247 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090N65Z,S1F(S | TOSHIBA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 230W Case: TO247 On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090N65Z,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090N65Z,S1F(S | Toshiba | Silicon N Channel MOSFET | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090N65ZS1F(S | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090U65Z | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ | на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ(S | Toshiba | TK090U65Z,RQ(S | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ(S | Toshiba | TK090U65Z,RQ(S | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090U65Z,RQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090U65ZRQ(S | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090Z65Z,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L Packaging: Tube Part Status: Active Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: TO-247-4L(T) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090Z65Z,S1F | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090Z65Z,S1F | Toshiba | MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090Z65Z,S1F(O | Toshiba | TK090Z65Z,S1F(O | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090Z65Z,S1F(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090Z65Z,S1F(O | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK090Z65Z,S1F(O | Toshiba | TK090Z65Z,S1F(O | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK090Z65ZS1F(O | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK095N65Z5,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK095N65Z5,S1F | Toshiba | MOSFETs 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK095N65Z5,S1F(S | Toshiba | TO247 650V N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK095N65Z5,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK095N65Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.095 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DTMOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK095N65Z5S1F(S | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK095U65Z5,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK095U65Z5,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK095U65Z5,RQ | Toshiba | MOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 ohma.10V, TOLL, DTMOS? | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK095V65Z5LQ(S | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK099N60Z1,S1F | Toshiba | MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TO-247, DTMOS? | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099N60Z1,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V, Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099U60Z1,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099U60Z1,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099U60Z1,RQ | Toshiba | MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TOLL, DTMOS? | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ | Toshiba | MOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN | на замовлення 7399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ(S | Toshiba | TK099V65Z,LQ(S | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ(S | Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ(S | Toshiba | TK099V65Z,LQ(S | на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK09H90A | TOSHIBA | на замовлення 2110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TK09H90A | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK09H90A (Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK09H90A(Q) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK09N90A | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TK0DT9PCB-L1 | на замовлення 46000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |