Продукція > TK0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TK0001RKOREA98+
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK010HM00TDKBiometric Sensors ECG sensor Bartype Lite
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK010HM00TDK CorporationDescription: ECG SENSOR SILMEE BARTYPE LITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK010HM11TDK CorporationDescription: GELPAD FOR SILMEE BARTYPE LITE (
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK010HM11TDKBiometric Sensors Gelpad for Bartype Lite (30 sheets)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK011AM00TDK CorporationDescription: ACCELEROMETER BLUETOOTH
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK011AM00TDKBiometric Sensors Wristband activity tracker W11
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01276TOKO
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01298B-F08J10TLQ
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01298B-F08J10TLQ1-3TOKO
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01560
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01563
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK01851
на замовлення 8571 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK020TRIDENT04+ DIP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK0205800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 2POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 2
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0205800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK02058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK020AM00/BLTDKBiometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 long band
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK020AM00/BLTDK CorporationDescription: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK020AM00/BSTDKBiometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 standard band
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK020AM00/BSTDK CorporationDescription: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK024N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 506W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.84mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 300 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1075.04 грн
50+601.61 грн
100+564.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK024N60Z1,S1FToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1221.96 грн
10+932.01 грн
120+700.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK0305800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0305800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 3POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 3
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0326/702378T07+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK0405800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK04058000J0GAMPHENOLTK04058000J0G-AMP Unclassified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK04058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N60Z1,S1FToshibaMOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 40mohm
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.06 грн
10+554.52 грн
120+415.79 грн
510+370.51 грн
1020+330.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS6 TO-247 40MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 21.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.97 грн
30+427.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N60Z1S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 57A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+916.68 грн
30+694.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK040N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+802.49 грн
5+657.74 грн
10+512.14 грн
50+455.91 грн
100+401.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65Z,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N65ZS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK040Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1014.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK040Z65Z,S1FToshibaMOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+998.34 грн
10+827.01 грн
25+667.07 грн
100+599.16 грн
250+570.48 грн
500+528.98 грн
1000+476.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK040Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK040Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+881.22 грн
5+832.97 грн
10+783.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5,S1FToshiba 650V DTMOS6 HSD TO-247 42mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1042.39 грн
30+611.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5,S1F(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK042N65Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.92 грн
5+945.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK042N65Z5S1F(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK050TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2
Type of connection cable: Jack - Jack
Version: mono; stereo
Core section: 0.15mm2
Cable length: 1.5m
Number of cores: 2
Insulation colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+920.33 грн
2+803.22 грн
4+731.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK050TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2
Type of connection cable: Jack - Jack
Version: mono; stereo
Core section: 0.15mm2
Cable length: 1.5m
Number of cores: 2
Insulation colour: black
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+766.94 грн
2+644.56 грн
4+609.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK0505800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK05058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK050WV03-001-AKyocera DisplayTFT Displays & Accessories 5.0" TFT Tool Kit w/VGA and DVI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK055TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.87 грн
3+362.37 грн
5+350.58 грн
7+341.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK055TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+517.05 грн
3+451.57 грн
5+420.69 грн
7+410.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQToshibaMOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.94 грн
10+422.62 грн
100+274.68 грн
500+242.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.63 грн
10+264.98 грн
100+198.23 грн
500+171.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.56 грн
10+413.94 грн
100+308.98 грн
500+253.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK055U60Z1,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+308.98 грн
500+253.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK060TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,RCA plug x2; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: Jack - RCA
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; RCA plug x2
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
Version: stereo
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+957.91 грн
2+637.68 грн
5+580.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK060TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,RCA plug x2; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: Jack - RCA
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; RCA plug x2
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
Version: stereo
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+798.26 грн
2+511.72 грн
5+483.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK0605800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 6POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 6
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0605800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK06058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK063N60Z1,S1FToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.93 грн
10+372.28 грн
120+206.01 грн
510+187.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3
Insulation colour: black
Number of cores: 3
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: USB - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug
Core section: 0.08mm2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1965.60 грн
2+1791.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3
Insulation colour: black
Number of cores: 3
Cable length: 1.5m
Type of connection cable: USB - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug
Core section: 0.08mm2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1638.00 грн
2+1437.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65ZToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1FToshibaMOSFETs 270W 1MHz TO-247
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+588.97 грн
10+444.31 грн
25+375.04 грн
50+320.71 грн
100+282.98 грн
500+261.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+660.28 грн
5+522.30 грн
10+384.32 грн
50+329.35 грн
100+277.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65Z,S1F(SToshibaPower MOSFET (N-ch 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065N65ZS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65ZToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.23 грн
10+430.05 грн
100+358.96 грн
500+312.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.28 грн
10+401.79 грн
25+345.61 грн
50+335.80 грн
100+255.81 грн
250+253.55 грн
500+230.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+282.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.26 грн
10+502.83 грн
100+419.87 грн
500+358.44 грн
1000+297.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQ(SToshibaTK065U65Z,RQ(S
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+240.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK065U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+502.83 грн
100+419.87 грн
500+358.44 грн
1000+297.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK065V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT 6.5" VGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65Z,S1FToshibaMOSFET PWR MOSFET TRANSISTR PD=270W F=1MHz
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.17 грн
10+547.58 грн
25+412.01 грн
50+387.87 грн
100+368.25 грн
250+361.46 грн
500+325.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.25 грн
25+426.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65Z,S1F(OToshibaPower MOSFET (N-ch 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+485.90 грн
5+485.05 грн
10+484.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK065Z65ZS1F(OToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5 S1FToshiba TO247 650V 1.69A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 300 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.11 грн
30+485.10 грн
120+474.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5,S1FToshibaMOSFETs TO247 650V 1.69A N-CH
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.07 грн
10+564.93 грн
120+448.24 грн
510+439.18 грн
1020+430.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5,S1F(SToshiba TO247 650V 1.69A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0705800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 7POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 7
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK07058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK075TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+914.23 грн
2+607.31 грн
6+552.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK075TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.86 грн
2+487.35 грн
6+460.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90A
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90AToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90A (Q)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK07H90A(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin TO-3PW
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK080TASKERTAS-TK080 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK08001N/A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK0805800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 8POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 8
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK08058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0805P34A1BGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK080A60Z1,S4XToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.04 грн
30+290.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1,S1FToshibaMOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 80mohm
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.12 грн
10+354.93 грн
120+249.02 грн
510+221.10 грн
1020+189.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK080N60Z1S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK084V00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK084V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK084X00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK084X00-001Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK085TASKERTAS-TK085 Audio - Video Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK0905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.41 грн
10+269.02 грн
100+213.55 грн
500+189.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+413.94 грн
10+231.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1XToshibaMOSFETs 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.77 грн
10+324.56 грн
50+236.19 грн
100+212.80 грн
250+201.48 грн
500+191.67 грн
1000+181.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.93 грн
10+361.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.86 грн
10+245.49 грн
100+215.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1FToshibaMOSFETs 230W 1MHz TO-247
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.89 грн
10+475.55 грн
25+254.30 грн
50+252.79 грн
100+215.06 грн
500+208.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.17 грн
10+511.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65Z,S1F(SToshibaSilicon N Channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK090N65ZS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65ZToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.46 грн
10+300.27 грн
100+216.91 грн
500+170.10 грн
1000+169.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.94 грн
10+330.63 грн
25+213.55 грн
100+181.11 грн
500+180.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+184.50 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+172.20 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(SToshibaTK090U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+281.33 грн
46+269.25 грн
50+258.98 грн
100+241.27 грн
250+216.62 грн
500+202.29 грн
1000+197.34 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+210.78 грн
500+191.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(SToshibaTK090U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+407.68 грн
36+345.51 грн
50+262.95 грн
100+252.58 грн
200+220.22 грн
500+186.08 грн
1000+180.84 грн
2000+173.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.25 грн
10+215.01 грн
100+210.78 грн
500+191.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65ZRQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1FToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.03 грн
25+258.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OToshibaTK090Z65Z,S1F(O
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+822.49 грн
21+599.29 грн
25+568.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OToshibaTK090Z65Z,S1F(O
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+526.45 грн
25+503.84 грн
50+484.64 грн
100+451.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+412.25 грн
5+403.79 грн
10+396.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK090Z65ZS1F(OToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.84 грн
30+338.26 грн
120+284.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1FToshibaMOSFETs 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.82 грн
10+348.85 грн
120+254.30 грн
510+241.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1F(SToshiba TO247 650V N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK095N65Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.095 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.39 грн
5+432.57 грн
10+315.75 грн
50+286.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK095N65Z5S1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK095U65Z5,RQToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.98 грн
10+353.19 грн
100+228.65 грн
2000+193.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK095V65Z5LQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099N60Z1,S1FToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.16 грн
10+269.88 грн
120+156.96 грн
510+135.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaMOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.74 грн
10+356.66 грн
25+309.39 грн
100+270.15 грн
250+269.39 грн
1000+252.04 грн
2500+229.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.73 грн
10+313.24 грн
100+253.46 грн
500+211.43 грн
1000+181.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+425.21 грн
32+382.49 грн
100+294.76 грн
250+270.23 грн
500+230.00 грн
1000+192.40 грн
3000+183.18 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+188.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+252.41 грн
51+242.79 грн
100+234.55 грн
250+219.31 грн
500+197.55 грн
1000+185.01 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.92 грн
500+145.42 грн
1000+132.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+391.93 грн
37+331.62 грн
50+252.62 грн
100+242.59 грн
200+211.63 грн
500+179.10 грн
1000+174.65 грн
2500+167.52 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.51 грн
10+206.55 грн
100+165.92 грн
500+145.42 грн
1000+132.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90ATOSHIBA
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90AToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90A (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09H90A(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK09N90A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK0DT9PCB-L1
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.