Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (32401) > Сторінка 102 з 541

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 54 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 162 216 270 324 378 432 486 540 541  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK9606-55A,118 BUK9606-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9606-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118 BUK9635-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9635-55A.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.56 грн
10+85.82 грн
100+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9660-100A,118 BUK9660-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK9660-100A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118 BUK9675-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK9675-100A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1704 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.55 грн
10+99.95 грн
50+75.68 грн
100+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB20NQ20T,118 PHB20NQ20T,118 Nexperia USA Inc. PHB20NQ20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PML260SN,118 PML260SN,118 Nexperia USA Inc. PML260SN.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 8.8A DFN3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118 PSMN012-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN012-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.41 грн
10+110.11 грн
50+83.64 грн
100+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN015-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
на замовлення 15551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.17 грн
10+98.58 грн
50+74.45 грн
100+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80BS,118 PSMN017-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN017-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.10 грн
10+103.23 грн
50+78.08 грн
100+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100BS,118 PSMN027-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN027-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN034-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.17 грн
10+98.58 грн
50+74.45 грн
100+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN6R5-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.54 грн
10+144.62 грн
50+110.99 грн
100+94.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118 PSMN7R0-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.81 грн
10+154.47 грн
50+118.86 грн
100+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN7R6-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.96 грн
10+99.34 грн
100+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN8R7-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.92 грн
10+116.44 грн
50+88.66 грн
100+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R8-40YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.16 грн
4500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R6-60E,127 BUK7E2R6-60E,127 Nexperia USA Inc. BUK7E2R6-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118 BUK7613-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK7613-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.76 грн
2400+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E,118 BUK762R9-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK762R9-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK763R1-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.16 грн
5600+113.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118 BUK764R0-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK764R0-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.63 грн
1600+68.53 грн
2400+65.85 грн
4000+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118 BUK764R4-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK764R4-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.73 грн
2400+80.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R1-40E,118 BUK768R1-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK768R1-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.39 грн
2400+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118 BUK768R3-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK768R3-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.49 грн
1600+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9614-60E,118 BUK9614-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK9614-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118 BUK964R1-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK964R1-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118 BUK964R8-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK964R8-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118 BUK965R4-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK965R4-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4483 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK966R5-60E,118 BUK966R5-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK966R5-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.63 грн
2400+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R0-60E,118 BUK969R0-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK969R0-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.67 грн
2400+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K25-40E,115 BUK7K25-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K25-40E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K5R1-30E,115 BUK7K5R1-30E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K5R1-30E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K5R6-30E,115 BUK7K5R6-30E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K5R6-30E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K6R8-40E,115 BUK7K6R8-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K6R8-40E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K18-40E,115 BUK9K18-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K18-40E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 38W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K29-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.52 грн
4500+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115 BUK9K45-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K45-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K52-60E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.36 грн
4500+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K6R2-40E,115 BUK9K6R2-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K6R2-40E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3281pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K89-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118 BUK7613-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK7613-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.34 грн
10+115.45 грн
50+87.66 грн
100+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK763R1-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.55 грн
10+202.11 грн
50+156.76 грн
100+125.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118 BUK768R3-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK768R3-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.78 грн
10+126.45 грн
50+96.42 грн
100+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9614-60E,118 BUK9614-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK9614-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118 BUK964R1-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK964R1-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.81 грн
10+139.20 грн
100+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118 BUK964R8-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK964R8-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.50 грн
10+148.28 грн
100+103.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK966R5-60E,118 BUK966R5-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK966R5-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.54 грн
10+144.77 грн
50+110.98 грн
100+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R0-60E,118 BUK969R0-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK969R0-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.30 грн
10+117.97 грн
50+89.93 грн
100+75.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K5R1-30E,115 BUK7K5R1-30E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K5R1-30E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.96 грн
10+99.11 грн
50+74.98 грн
100+63.07 грн
500+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K29-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.69 грн
10+90.10 грн
50+67.87 грн
100+56.94 грн
500+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115 BUK9K45-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K45-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.84 грн
10+65.74 грн
50+49.07 грн
100+40.99 грн
500+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K52-60E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.16 грн
10+43.45 грн
50+32.04 грн
100+26.58 грн
500+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K89-100E.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC14PW-Q100,118 74AHC14PW-Q100,118 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT14_Q100.pdf Description: IC INV 6-CIR 1-IN 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G08GW-Q100,1 74AHC1G08GW-Q100,1 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT1G08_Q100.pdf Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.87 грн
6000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G14GW-Q100,1 74AHC1G14GW-Q100,1 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT1G14_Q100.pdf Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1IN 5TSSOP
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Supplier Device Package: 5-TSSOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.01 грн
6000+2.80 грн
9000+2.75 грн
15000+2.52 грн
21000+2.49 грн
30000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G32GW-Q100,1 74AHC1G32GW-Q100,1 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT1G32_Q100.pdf Description: IC GATE OR 1CH 2-INP 5TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
6000+2.88 грн
9000+2.83 грн
15000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC244PW-Q100,11 74AHC244PW-Q100,11 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT244_Q100.pdf Description: IC BUFF 2V/5.5V 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.48 грн
5000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC594BQ-Q100,11 74AHC594BQ-Q100,11 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT594_Q100.pdf Description: IC SHIFT REGISTER 8BIT 16DHVQFN
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Shift Register
Function: Serial to Parallel, Serial
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC594D-Q100,118 74AHC594D-Q100,118 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT594_Q100.pdf Description: IC SHIFT REGISTER 8BIT 16SOIC
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Shift Register
Function: Serial to Parallel, Serial
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118 BUK9606-55A.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9635-55A,118 BUK9635-55A.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.56 грн
10+85.82 грн
100+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9660-100A,118 BUK9660-100A.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9675-100A,118 BUK9675-100A.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1704 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.55 грн
10+99.95 грн
50+75.68 грн
100+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB20NQ20T,118 PHB20NQ20T.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PML260SN,118 PML260SN.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 8.8A DFN3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118 PSMN012-80BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.41 грн
10+110.11 грн
50+83.64 грн
100+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 30 V
на замовлення 15551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.17 грн
10+98.58 грн
50+74.45 грн
100+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80BS,118 PSMN017-80BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
на замовлення 10435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.10 грн
10+103.23 грн
50+78.08 грн
100+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN027-100BS,118 PSMN027-100BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100BS,118 PSMN034-100BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.17 грн
10+98.58 грн
50+74.45 грн
100+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.54 грн
10+144.62 грн
50+110.99 грн
100+94.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100BS,118 PSMN7R0-100BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.81 грн
10+154.47 грн
50+118.86 грн
100+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.96 грн
10+99.34 грн
100+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.92 грн
10+116.44 грн
50+88.66 грн
100+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+51.16 грн
4500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7E2R6-60E,127 BUK7E2R6-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118 BUK7613-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+61.76 грн
2400+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK762R9-40E,118 BUK762R9-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+125.16 грн
5600+113.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R0-40E,118 BUK764R0-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+76.63 грн
1600+68.53 грн
2400+65.85 грн
4000+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK764R4-60E,118 BUK764R4-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+92.73 грн
2400+80.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R1-40E,118 BUK768R1-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+56.39 грн
2400+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118 BUK768R3-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+68.49 грн
1600+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9614-60E,118 BUK9614-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118 BUK964R1-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118 BUK964R8-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK965R4-40E,118 BUK965R4-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4483 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK966R5-60E,118 BUK966R5-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+79.63 грн
2400+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R0-60E,118 BUK969R0-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+67.67 грн
2400+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K25-40E,115 BUK7K25-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K5R1-30E,115 BUK7K5R1-30E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K5R6-30E,115 BUK7K5R6-30E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+51.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K6R8-40E,115 BUK7K6R8-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K18-40E,115 BUK9K18-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1061pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 38W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+43.52 грн
4500+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115 BUK9K45-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 32W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+19.36 грн
4500+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K6R2-40E,115 BUK9K6R2-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3281pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118 BUK7613-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.34 грн
10+115.45 грн
50+87.66 грн
100+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK763R1-60E,118 BUK763R1-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.55 грн
10+202.11 грн
50+156.76 грн
100+125.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118 BUK768R3-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.78 грн
10+126.45 грн
50+96.42 грн
100+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9614-60E,118 BUK9614-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R1-40E,118 BUK964R1-40E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.81 грн
10+139.20 грн
100+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK964R8-60E,118 BUK964R8-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.50 грн
10+148.28 грн
100+103.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK966R5-60E,118 BUK966R5-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.54 грн
10+144.77 грн
50+110.98 грн
100+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK969R0-60E,118 BUK969R0-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.30 грн
10+117.97 грн
50+89.93 грн
100+75.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7K5R1-30E,115 BUK7K5R1-30E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2352pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.96 грн
10+99.11 грн
50+74.98 грн
100+63.07 грн
500+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K29-100E,115 BUK9K29-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3491pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.69 грн
10+90.10 грн
50+67.87 грн
100+56.94 грн
500+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K45-100E,115 BUK9K45-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.84 грн
10+65.74 грн
50+49.07 грн
100+40.99 грн
500+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K52-60E,115 BUK9K52-60E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.16 грн
10+43.45 грн
50+32.04 грн
100+26.58 грн
500+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC14PW-Q100,118 74AHC_AHCT14_Q100.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC INV 6-CIR 1-IN 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G08GW-Q100,1 74AHC_AHCT1G08_Q100.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.87 грн
6000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G14GW-Q100,1 74AHC_AHCT1G14_Q100.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1IN 5TSSOP
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Supplier Device Package: 5-TSSOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.01 грн
6000+2.80 грн
9000+2.75 грн
15000+2.52 грн
21000+2.49 грн
30000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G32GW-Q100,1 74AHC_AHCT1G32_Q100.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP 5TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.10 грн
6000+2.88 грн
9000+2.83 грн
15000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC244PW-Q100,11 74AHC_AHCT244_Q100.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC BUFF 2V/5.5V 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.48 грн
5000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC594BQ-Q100,11 74AHC_AHCT594_Q100.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC SHIFT REGISTER 8BIT 16DHVQFN
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Shift Register
Function: Serial to Parallel, Serial
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC594D-Q100,118 74AHC_AHCT594_Q100.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC SHIFT REGISTER 8BIT 16SOIC
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Shift Register
Function: Serial to Parallel, Serial
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 54 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 162 216 270 324 378 432 486 540 541  Наступна Сторінка >> ]