Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUN5314DW1T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5725 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUN5316DW1T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MUN5333DW1T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MUN5335DW1T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 2.2kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR1100ERLG | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 35A Case: CASE59 Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR120RLG | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; DO41; Ufmax: 0.875V; 35ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Case: DO41 Max. forward voltage: 0.875V Reverse recovery time: 35ns Max. load current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2161 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR1520G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15A; tube; Ifsm: 200A; TO220-2; 35ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tube Reverse recovery time: 35ns Max. load current: 30A Heatsink thickness: 1.14...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MUR1540G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 15A; tube; Ifsm: 200A; TO220-2; 60ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Max. load current: 30A Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR1560G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Case: TO220AC Heatsink thickness: 1.14...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MUR160G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; bulk; DO41; Ufmax: 1.25V; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Case: DO41 Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 681 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR160RLG | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel; DO41; Ufmax: 1.25V; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel Case: DO41 Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 473 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR1610CTG | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Max. off-state voltage: 100V Max. load current: 16A Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube Type of diode: rectifying Heatsink thickness: 1.15...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MUR1615CTG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MUR1620CTG | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.15...1.39mm Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR1620CTRG | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common anode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AB Max. load current: 16A Heatsink thickness: 1.15...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR1640CTG | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AB Heatsink thickness: 1.15...1.39mm Max. load current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MUR1660CTG | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AB Heatsink thickness: 1.15...1.39mm Max. load current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 181 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR4100EG | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; bulk; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 70A Case: CASE267-05 Max. forward voltage: 1.85V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 773 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR4100ERLG | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; reel; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel Max. forward impulse current: 70A Case: CASE267-05 Max. forward voltage: 1.85V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 660 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MUR420G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MUR420RLG | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 805 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
mur460rlg | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 4A; reel; Ifsm: 110A; CASE267-05; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel Max. forward impulse current: 110A Case: CASE267-05 Max. forward voltage: 1.28V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MUR8100EG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MUR820G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.975V Max. load current: 16A Reverse recovery time: 35ns Heatsink thickness: max. 1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 716 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR860G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.5V Reverse recovery time: 50ns Max. load current: 16A Heatsink thickness: 1.14...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MUR880EG | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MURA110T3G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3781 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MURA120T3G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1011 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
MURA160T3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MURA220T3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 950mV; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: SMA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. forward voltage: 0.95V Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 895mV Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK Max. forward voltage: 0.895V Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 634 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MURS120T3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMB; Ufmax: 875mV; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMB Max. forward voltage: 0.875V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MURS160T3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 35A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMB Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 35A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MURS260T3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 2A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.45V; Ifsm: 35A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMB Max. forward voltage: 1.45V Max. forward impulse current: 35A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MURS320T3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 0.89V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMC Max. forward voltage: 0.89V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 818 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MURS360T3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 75ns; SMC; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1.28V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MURS480ET3G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 4A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.53V; Ifsm: 70A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 4A Reverse recovery time: 100ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1.53V Max. forward impulse current: 70A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MVGSF1N02LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MVGSF1N03LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MVMBF0201NLT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MVSF2N02ELT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N01S818HAT22I | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N01S830BAT22I | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N01S830BAT22IT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N01S830HAT22I | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N01S830HAT22IT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N24C02UDTG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N24C02UVTG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N24C16UDTG | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.6÷5.5V; 1MHz; US8 Type of integrated circuit: EEPROM memory Kind of memory: EEPROM Memory: 16kb EEPROM Interface: I2C Memory organisation: 2kx8bit Operating voltage: 1.6...5.5V Clock frequency: 1MHz Mounting: SMD Case: US8 Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C Access time: 450ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N24RF16DTPT3G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N24RF64DWPT3G | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C,RF; 8kx8bit/2kx32bit; 1.8÷5.5V Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Clock frequency: 1MHz Kind of package: reel; tape Kind of interface: serial Memory: 64kb EEPROM Case: SOIC8 Operating voltage: 1.8...5.5V Type of integrated circuit: EEPROM memory Interface: I2C; RF Kind of memory: EEPROM Memory organisation: 8kx8bit/2kx32bit Access time: 400ns кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N24RF64EDTPT3G | ONSEMI |
![]() Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C,RF; 8kx8bit/2kx32bit; 1.8÷5.5V Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Clock frequency: 1MHz Kind of package: reel; tape Kind of interface: serial Memory: 64kb EEPROM Case: TSSOP8 Operating voltage: 1.8...5.5V Type of integrated circuit: EEPROM memory Interface: I2C; RF Kind of memory: EEPROM Memory organisation: 8kx8bit/2kx32bit Access time: 400ns кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N24S128C4DYT3G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N24S64BC4DYT3G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N24S64C4DYT3G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N25S818HAS21I | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N25S818HAT21I | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N25S830HAS22I | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N25S830HAT22I | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N64S818HAT21I | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
MUN5314DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.08 грн |
25+ | 11.81 грн |
100+ | 7.13 грн |
312+ | 3.50 грн |
858+ | 3.31 грн |
15000+ | 3.23 грн |
75000+ | 3.18 грн |
MUN5316DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUN5333DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MUN5333DW1T1G Complementary transistors
MUN5333DW1T1G Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUN5335DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.07 грн |
30+ | 9.97 грн |
50+ | 6.49 грн |
100+ | 5.46 грн |
424+ | 2.56 грн |
1166+ | 2.42 грн |
3000+ | 2.33 грн |
MUR1100ERLG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 35A
Case: CASE59
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 35A
Case: CASE59
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.29 грн |
10+ | 49.87 грн |
45+ | 24.80 грн |
122+ | 23.40 грн |
2500+ | 22.47 грн |
MUR120RLG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; DO41; Ufmax: 0.875V; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.875V
Reverse recovery time: 35ns
Max. load current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; bulk; DO41; Ufmax: 0.875V; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.875V
Reverse recovery time: 35ns
Max. load current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 23.10 грн |
19+ | 15.88 грн |
100+ | 11.38 грн |
126+ | 8.67 грн |
345+ | 8.21 грн |
2500+ | 8.02 грн |
MUR1520G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15A; tube; Ifsm: 200A; TO220-2; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Max. load current: 30A
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15A; tube; Ifsm: 200A; TO220-2; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Max. load current: 30A
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUR1540G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 15A; tube; Ifsm: 200A; TO220-2; 60ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 15A; tube; Ifsm: 200A; TO220-2; 60ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 131.54 грн |
10+ | 105.54 грн |
15+ | 72.73 грн |
42+ | 69.00 грн |
500+ | 66.20 грн |
MUR1560G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUR160G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; bulk; DO41; Ufmax: 1.25V; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.25V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; bulk; DO41; Ufmax: 1.25V; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.25V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.08 грн |
20+ | 15.20 грн |
100+ | 11.28 грн |
105+ | 10.54 грн |
250+ | 10.26 грн |
287+ | 9.98 грн |
500+ | 9.60 грн |
MUR160RLG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel; DO41; Ufmax: 1.25V; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.25V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel; DO41; Ufmax: 1.25V; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.25V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.12 грн |
21+ | 14.43 грн |
100+ | 10.91 грн |
122+ | 8.95 грн |
336+ | 8.48 грн |
1000+ | 8.30 грн |
5000+ | 8.21 грн |
MUR1610CTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Max. off-state voltage: 100V
Max. load current: 16A
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Max. off-state voltage: 100V
Max. load current: 16A
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUR1615CTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MUR1615CTG THT universal diodes
MUR1615CTG THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUR1620CTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.67 грн |
10+ | 137.50 грн |
11+ | 99.77 грн |
31+ | 94.17 грн |
250+ | 91.38 грн |
MUR1620CTRG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common anode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common anode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 180.74 грн |
3+ | 161.70 грн |
10+ | 112.82 грн |
27+ | 106.30 грн |
600+ | 105.36 грн |
1200+ | 102.57 грн |
MUR1640CTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Max. load current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Max. load current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUR1660CTG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Max. load current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Max. load current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 170.70 грн |
10+ | 115.22 грн |
28+ | 105.36 грн |
250+ | 101.63 грн |
MUR4100EG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; bulk; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 70A
Case: CASE267-05
Max. forward voltage: 1.85V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; bulk; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 70A
Case: CASE267-05
Max. forward voltage: 1.85V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.29 грн |
10+ | 50.64 грн |
29+ | 39.16 грн |
78+ | 37.02 грн |
250+ | 36.08 грн |
500+ | 35.52 грн |
MUR4100ERLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; reel; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel
Max. forward impulse current: 70A
Case: CASE267-05
Max. forward voltage: 1.85V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; reel; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel
Max. forward impulse current: 70A
Case: CASE267-05
Max. forward voltage: 1.85V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 74.31 грн |
10+ | 50.06 грн |
35+ | 31.98 грн |
95+ | 30.30 грн |
500+ | 29.18 грн |
MUR420G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MUR420G THT universal diodes
MUR420G THT universal diodes
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.24 грн |
50+ | 21.82 грн |
138+ | 20.61 грн |
MUR420RLG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MUR420RLG THT universal diodes
MUR420RLG THT universal diodes
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.68 грн |
56+ | 19.86 грн |
152+ | 18.74 грн |
mur460rlg |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 4A; reel; Ifsm: 110A; CASE267-05; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel
Max. forward impulse current: 110A
Case: CASE267-05
Max. forward voltage: 1.28V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 4A; reel; Ifsm: 110A; CASE267-05; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel
Max. forward impulse current: 110A
Case: CASE267-05
Max. forward voltage: 1.28V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 56.23 грн |
10+ | 40.67 грн |
50+ | 31.33 грн |
51+ | 21.45 грн |
140+ | 20.33 грн |
1000+ | 19.49 грн |
MUR8100EG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MUR8100EG THT universal diodes
MUR8100EG THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUR820G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.975V
Max. load current: 16A
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: max. 1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.975V
Max. load current: 16A
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: max. 1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.38 грн |
10+ | 73.88 грн |
24+ | 46.15 грн |
66+ | 43.64 грн |
1000+ | 41.96 грн |
MUR860G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.5V
Reverse recovery time: 50ns
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.5V
Reverse recovery time: 50ns
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.35 грн |
10+ | 75.62 грн |
20+ | 56.04 грн |
54+ | 52.96 грн |
500+ | 50.91 грн |
MUR880EG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MUR880EG THT universal diodes
MUR880EG THT universal diodes
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 88.36 грн |
17+ | 65.27 грн |
46+ | 61.54 грн |
MURA110T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MURA110T3G SMD universal diodes
MURA110T3G SMD universal diodes
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.97 грн |
84+ | 13.05 грн |
230+ | 12.31 грн |
MURA120T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MURA120T3G SMD universal diodes
MURA120T3G SMD universal diodes
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.25 грн |
107+ | 10.26 грн |
294+ | 9.70 грн |
MURA160T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.14 грн |
13+ | 24.11 грн |
50+ | 18.46 грн |
100+ | 16.50 грн |
103+ | 10.63 грн |
281+ | 10.07 грн |
2500+ | 9.79 грн |
MURA220T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 950mV; Ifsm: 40A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.95V
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 950mV; Ifsm: 40A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.95V
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.10 грн |
18+ | 16.65 грн |
50+ | 13.15 грн |
100+ | 11.93 грн |
178+ | 6.15 грн |
487+ | 5.87 грн |
10000+ | 5.59 грн |
MURB1620CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 895mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.895V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 895mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.895V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 153.63 грн |
10+ | 105.54 грн |
15+ | 77.39 грн |
40+ | 72.73 грн |
500+ | 69.93 грн |
MURS120T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMB; Ufmax: 875mV; Ifsm: 40A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.875V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMB; Ufmax: 875mV; Ifsm: 40A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.875V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.09 грн |
20+ | 14.91 грн |
50+ | 10.91 грн |
100+ | 9.70 грн |
193+ | 5.69 грн |
529+ | 5.31 грн |
10000+ | 5.22 грн |
MURS160T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MURS260T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 2A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.45V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 2A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.45V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.16 грн |
10+ | 29.92 грн |
69+ | 16.04 грн |
188+ | 15.11 грн |
1000+ | 14.55 грн |
MURS320T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 0.89V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.89V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 35ns; SMC; Ufmax: 0.89V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.89V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.22 грн |
10+ | 37.18 грн |
50+ | 28.25 грн |
67+ | 16.41 грн |
183+ | 15.48 грн |
1000+ | 14.92 грн |
MURS360T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 75ns; SMC; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 75ns; SMC; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.22 грн |
10+ | 36.60 грн |
48+ | 23.03 грн |
130+ | 21.82 грн |
1000+ | 20.98 грн |
MURS480ET3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 4A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.53V; Ifsm: 70A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Reverse recovery time: 100ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 4A; 100ns; SMC; Ufmax: 1.53V; Ifsm: 70A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Reverse recovery time: 100ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MVGSF1N02LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MVGSF1N02LT1G SMD N channel transistors
MVGSF1N02LT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MVGSF1N03LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MVGSF1N03LT1G SMD N channel transistors
MVGSF1N03LT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MVMBF0201NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MVMBF0201NLT1G SMD N channel transistors
MVMBF0201NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MVSF2N02ELT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MVSF2N02ELT1G SMD N channel transistors
MVSF2N02ELT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N01S818HAT22I |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N01S818HAT22I Serial SRAM memories - integrated circ.
N01S818HAT22I Serial SRAM memories - integrated circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N01S830BAT22I |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N01S830BAT22I Serial SRAM memories - integrated circ.
N01S830BAT22I Serial SRAM memories - integrated circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N01S830BAT22IT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N01S830BAT22IT Serial SRAM memories - integrated circ.
N01S830BAT22IT Serial SRAM memories - integrated circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N01S830HAT22I |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N01S830HAT22I Serial SRAM memories - integrated circ.
N01S830HAT22I Serial SRAM memories - integrated circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N01S830HAT22IT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N01S830HAT22IT Serial SRAM memories - integrated circ.
N01S830HAT22IT Serial SRAM memories - integrated circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N24C02UDTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N24C02UDTG Serial EEPROM memories - integ. circ.
N24C02UDTG Serial EEPROM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N24C02UVTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N24C02UVTG Serial EEPROM memories - integ. circ.
N24C02UVTG Serial EEPROM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N24C16UDTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.6÷5.5V; 1MHz; US8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Operating voltage: 1.6...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: US8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2kx8bit; 1.6÷5.5V; 1MHz; US8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 16kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Operating voltage: 1.6...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: US8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 450ns
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N24RF16DTPT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N24RF16DTPT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
N24RF16DTPT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N24RF64DWPT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C,RF; 8kx8bit/2kx32bit; 1.8÷5.5V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Clock frequency: 1MHz
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Memory: 64kb EEPROM
Case: SOIC8
Operating voltage: 1.8...5.5V
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Interface: I2C; RF
Kind of memory: EEPROM
Memory organisation: 8kx8bit/2kx32bit
Access time: 400ns
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C,RF; 8kx8bit/2kx32bit; 1.8÷5.5V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Clock frequency: 1MHz
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Memory: 64kb EEPROM
Case: SOIC8
Operating voltage: 1.8...5.5V
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Interface: I2C; RF
Kind of memory: EEPROM
Memory organisation: 8kx8bit/2kx32bit
Access time: 400ns
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N24RF64EDTPT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C,RF; 8kx8bit/2kx32bit; 1.8÷5.5V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Clock frequency: 1MHz
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Memory: 64kb EEPROM
Case: TSSOP8
Operating voltage: 1.8...5.5V
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Interface: I2C; RF
Kind of memory: EEPROM
Memory organisation: 8kx8bit/2kx32bit
Access time: 400ns
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 64kbEEPROM; I2C,RF; 8kx8bit/2kx32bit; 1.8÷5.5V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Clock frequency: 1MHz
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Memory: 64kb EEPROM
Case: TSSOP8
Operating voltage: 1.8...5.5V
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Interface: I2C; RF
Kind of memory: EEPROM
Memory organisation: 8kx8bit/2kx32bit
Access time: 400ns
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N24S128C4DYT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N24S128C4DYT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
N24S128C4DYT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N24S64BC4DYT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N24S64BC4DYT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
N24S64BC4DYT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N24S64C4DYT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N24S64C4DYT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
N24S64C4DYT3G Serial EEPROM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N25S818HAS21I |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N25S818HAS21I Serial SRAM memories - integrated circ.
N25S818HAS21I Serial SRAM memories - integrated circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N25S818HAT21I |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N25S818HAT21I Serial SRAM memories - integrated circ.
N25S818HAT21I Serial SRAM memories - integrated circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N25S830HAS22I |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N25S830HAS22I Serial SRAM memories - integrated circ.
N25S830HAS22I Serial SRAM memories - integrated circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N25S830HAT22I |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N25S830HAT22I Serial SRAM memories - integrated circ.
N25S830HAT22I Serial SRAM memories - integrated circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N64S818HAT21I |
![]() |
Виробник: ONSEMI
N64S818HAT21I Serial SRAM memories - integrated circ.
N64S818HAT21I Serial SRAM memories - integrated circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.