Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140749) > Сторінка 1816 з 2346

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1811 1812 1813 1814 1815 1816 1817 1818 1819 1820 1821 1872 2106 2340 2346  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FOD814A FOD814A ONSEMI 2303998.pdf Description: ONSEMI - FOD814A - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.60 грн
29+31.53 грн
100+23.38 грн
500+17.47 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814AS FOD814AS ONSEMI 2907264.pdf Description: ONSEMI - FOD814AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814A300 FOD814A300 ONSEMI 2907264.pdf Description: ONSEMI - FOD814A300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8143S FOD8143S ONSEMI 2907264.pdf Description: ONSEMI - FOD8143S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814SD FOD814SD ONSEMI 2299543.pdf Description: ONSEMI - FOD814SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.60 грн
25+37.18 грн
100+26.25 грн
500+20.55 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814A3SD FOD814A3SD ONSEMI 2303998.pdf Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814300 FOD814300 ONSEMI 2907264.pdf Description: ONSEMI - FOD814300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814S FOD814S ONSEMI 2907264.pdf Description: ONSEMI - FOD814S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN2222ABU PN2222ABU ONSEMI ONSM-S-A0003589513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+25.89 грн
58+15.50 грн
100+9.41 грн
500+5.71 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
PN2222ATFR PN2222ATFR ONSEMI 2303892.pdf Description: ONSEMI - PN2222ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+23.20 грн
75+12.09 грн
107+8.41 грн
500+6.38 грн
1000+5.23 грн
5000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
PN2222TA PN2222TA ONSEMI PN2222-D.PDF Description: ONSEMI - PN2222TA - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G BC856BWT1G ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+12.27 грн
124+7.27 грн
197+4.55 грн
500+3.00 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
NLSX5014DR2G NLSX5014DR2G ONSEMI 2907180.pdf Description: ONSEMI - NLSX5014DR2G - BIDIR. SPANNUNGSPEGELUMSETZER, 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 40ns
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.03 грн
250+68.03 грн
500+65.50 грн
1000+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FOD817A3S FOD817A3S ONSEMI 2907264.pdf Description: ONSEMI - FOD817A3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 80
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E ONSEMI ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+88.33 грн
17+55.36 грн
100+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+46.22 грн
22+40.76 грн
100+27.41 грн
500+20.80 грн
1000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E ONSEMI ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.97 грн
18+50.79 грн
100+32.97 грн
500+23.46 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.50 грн
22+40.85 грн
100+27.68 грн
500+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-E 2SC3647T-TD-E ONSEMI ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.68 грн
500+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-E ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.46 грн
500+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-E 2SC3648S-TD-E ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-E ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-E 2SC3648S-TD-E ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
DC-Kollektorstrom: 700
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-H 2SC3649T-TD-H ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-E 2SC3648T-TD-E ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3648T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-H 2SC3649S-TD-H ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-E 2SD1805F-TL-E ONSEMI ONSMS36409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.25 грн
12+75.79 грн
100+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E ONSEMI ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+30.46 грн
48+18.99 грн
100+11.91 грн
500+8.28 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E 2SD1802T-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.75 грн
11+88.87 грн
100+59.30 грн
500+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-E ONSEMI en2112-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-E ONSEMI en2112-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130P FGH30S130P ONSEMI 2859363.pdf Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06 FQPF65N06 ONSEMI 2304452.pdf Description: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.06 грн
10+159.46 грн
100+142.44 грн
500+118.12 грн
1000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5342BG 1N5342BG ONSEMI ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5342BG - Zener-Diode, 6.8 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+19.26 грн
54+16.75 грн
100+14.60 грн
500+12.89 грн
1000+11.75 грн
5000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
FQA30N40 FQA30N40 ONSEMI ONSM-S-A0003590957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQS4901TF FQS4901TF ONSEMI 1725581.pdf Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 450
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+145.12 грн
10+129.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 ONSEMI ntbg020n090sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2304.98 грн
10+1858.85 грн
50+1849.90 грн
100+1708.61 грн
250+1545.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGL40N120ANDTU ONSEMI 2303862.pdf Description: ONSEMI - FGL40N120ANDTU - IGBT,N-KANAL,SCHNELL,1200V,64A,TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241CG BD241CG ONSEMI 1916278.pdf Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+108.40 грн
18+51.06 грн
100+45.15 грн
500+30.28 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5927BRLG 1N5927BRLG ONSEMI ONSMS11851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5927BRLG - Zener-Diode, 12 V, 3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N59xxB
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+31.71 грн
45+20.25 грн
100+13.62 грн
500+11.15 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NCT75DR2G NCT75DR2G ONSEMI 1916692.pdf Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 1°C, -55 °C, 125 °C, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: 12 Bit
Gemessene Temperatur, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: NSOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.88 грн
50+37.80 грн
100+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC549CTA BC549CTA ONSEMI ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC549CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+25.44 грн
58+15.50 грн
100+9.68 грн
500+6.68 грн
1000+5.41 грн
5000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDH055N15A FDH055N15A ONSEMI 4189470.pdf Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 4800 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+504.35 грн
5+438.06 грн
10+370.88 грн
50+337.73 грн
100+304.84 грн
250+298.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB251GEVB FUSB251GEVB ONSEMI EVBUM2637-D.PDF Description: ONSEMI - FUSB251GEVB - EVAL.BOARD USB-C ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ
Prozessorkern: FUSB251UCX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB251UCX
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9332.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN180T1G NCP603SN180T1G ONSEMI 2907206.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+106.60 грн
14+65.04 грн
100+41.84 грн
500+29.86 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN180T1G NCP603SN180T1G ONSEMI 2907206.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.84 грн
500+29.86 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN500T1G NCP603SN500T1G ONSEMI 1842054.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN500T1G NCP603SN500T1G ONSEMI 1842054.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN330T1G NCP603SN330T1G ONSEMI 1842054.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V-6Vin, 375mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.70 грн
18+50.26 грн
100+33.95 грн
500+26.87 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SNADJT1G NCP603SNADJT1G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP603SNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.75V bis 6V, 375mV Dropout, 1.25V bis 5V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+71.76 грн
16+57.42 грн
100+32.16 грн
500+29.70 грн
1000+20.89 грн
2500+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN300T1G NCP603SN300T1G ONSEMI NCP603-D.PDF Description: ONSEMI - NCP603SN300T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN130T1G NCP603SN130T1G ONSEMI NCP603-D.PDF Description: ONSEMI - NCP603SN130T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.04 грн
50+122.73 грн
100+102.12 грн
500+89.84 грн
1000+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A FDS9431A ONSEMI fds9431a-d.pdf Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+98.54 грн
50+61.90 грн
100+41.30 грн
500+30.61 грн
1000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1SV251-TB-E 1SV251-TB-E ONSEMI ONSMS36284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1SV251-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 4.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 920mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LT1G BAS40LT1G ONSEMI 2353772.pdf Description: ONSEMI - BAS40LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.58 грн
148+6.09 грн
181+4.97 грн
500+3.34 грн
1500+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NCP730ASNADJT1G NCP730ASNADJT1G ONSEMI 2912887.pdf Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.35 грн
12+78.65 грн
100+51.60 грн
500+38.43 грн
1000+28.95 грн
2500+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3G NSVF5501SKT3G ONSEMI nsvf5501sk-d.pdf Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+27.95 грн
52+17.29 грн
100+13.80 грн
500+11.15 грн
1000+9.91 грн
5000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814A 2303998.pdf
FOD814A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.60 грн
29+31.53 грн
100+23.38 грн
500+17.47 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814AS 2907264.pdf
FOD814AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814A300 2907264.pdf
FOD814A300
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8143S 2907264.pdf
FOD8143S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8143S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814SD 2299543.pdf
FOD814SD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+51.60 грн
25+37.18 грн
100+26.25 грн
500+20.55 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814A3SD 2303998.pdf
FOD814A3SD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814300 2907264.pdf
FOD814300
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD814S 2907264.pdf
FOD814S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PN2222ABU ONSM-S-A0003589513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PN2222ABU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+25.89 грн
58+15.50 грн
100+9.41 грн
500+5.71 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
PN2222ATFR 2303892.pdf
PN2222ATFR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+23.20 грн
75+12.09 грн
107+8.41 грн
500+6.38 грн
1000+5.23 грн
5000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
PN2222TA PN2222-D.PDF
PN2222TA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222TA - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BWT1G 2028689.pdf
BC856BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+12.27 грн
124+7.27 грн
197+4.55 грн
500+3.00 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
NLSX5014DR2G 2907180.pdf
NLSX5014DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLSX5014DR2G - BIDIR. SPANNUNGSPEGELUMSETZER, 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 40ns
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.03 грн
250+68.03 грн
500+65.50 грн
1000+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FOD817A3S 2907264.pdf
FOD817A3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817A3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 80
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-E ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3647T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+88.33 грн
17+55.36 грн
100+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3649T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.22 грн
22+40.76 грн
100+27.41 грн
500+20.80 грн
1000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3647S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.97 грн
18+50.79 грн
100+32.97 грн
500+23.46 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.50 грн
22+40.85 грн
100+27.68 грн
500+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647T-TD-E ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3647T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
2SC3646S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.68 грн
500+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-E ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3649T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.46 грн
500+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-E ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3648S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3649S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-E ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3649S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648S-TD-E ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3648S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
DC-Kollektorstrom: 700
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-H ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3649T-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3648T-TD-E ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3648T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3648T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649S-TD-H ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3649S-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805F-TL-E ONSMS36409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1805F-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.25 грн
12+75.79 грн
100+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1048-6-TB-E ONSMS36980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1048-6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+30.46 грн
48+18.99 грн
100+11.91 грн
500+8.28 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SD1802T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+139.75 грн
11+88.87 грн
100+59.30 грн
500+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-E en2112-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-E en2112-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130P 2859363.pdf
FGH30S130P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06 2304452.pdf
FQPF65N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.06 грн
10+159.46 грн
100+142.44 грн
500+118.12 грн
1000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5342BG ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5342BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5342BG - Zener-Diode, 6.8 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+19.26 грн
54+16.75 грн
100+14.60 грн
500+12.89 грн
1000+11.75 грн
5000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
FQA30N40 ONSM-S-A0003590957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA30N40
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQS4901TF 1725581.pdf
FQS4901TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 450
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+145.12 грн
10+129.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
NTBG020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2304.98 грн
10+1858.85 грн
50+1849.90 грн
100+1708.61 грн
250+1545.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGL40N120ANDTU 2303862.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL40N120ANDTU - IGBT,N-KANAL,SCHNELL,1200V,64A,TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241CG 1916278.pdf
BD241CG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+108.40 грн
18+51.06 грн
100+45.15 грн
500+30.28 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N5927BRLG ONSMS11851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5927BRLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5927BRLG - Zener-Diode, 12 V, 3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N59xxB
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+31.71 грн
45+20.25 грн
100+13.62 грн
500+11.15 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NCT75DR2G 1916692.pdf
NCT75DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 1°C, -55 °C, 125 °C, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: 12 Bit
Gemessene Temperatur, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: NSOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.88 грн
50+37.80 грн
100+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC549CTA ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC549CTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC549CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+25.44 грн
58+15.50 грн
100+9.68 грн
500+6.68 грн
1000+5.41 грн
5000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDH055N15A 4189470.pdf
FDH055N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 4800 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+504.35 грн
5+438.06 грн
10+370.88 грн
50+337.73 грн
100+304.84 грн
250+298.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB251GEVB EVBUM2637-D.PDF
FUSB251GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB251GEVB - EVAL.BOARD USB-C ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ
Prozessorkern: FUSB251UCX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB251UCX
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9332.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN180T1G 2907206.pdf
NCP603SN180T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+106.60 грн
14+65.04 грн
100+41.84 грн
500+29.86 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN180T1G 2907206.pdf
NCP603SN180T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.84 грн
500+29.86 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN500T1G 1842054.pdf
NCP603SN500T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN500T1G 1842054.pdf
NCP603SN500T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN330T1G 1842054.pdf
NCP603SN330T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V-6Vin, 375mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.70 грн
18+50.26 грн
100+33.95 грн
500+26.87 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SNADJT1G 2160773.pdf
NCP603SNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.75V bis 6V, 375mV Dropout, 1.25V bis 5V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+71.76 грн
16+57.42 грн
100+32.16 грн
500+29.70 грн
1000+20.89 грн
2500+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN300T1G NCP603-D.PDF
NCP603SN300T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN300T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN130T1G NCP603-D.PDF
NCP603SN130T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN130T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6681Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+206.04 грн
50+122.73 грн
100+102.12 грн
500+89.84 грн
1000+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A fds9431a-d.pdf
FDS9431A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+98.54 грн
50+61.90 грн
100+41.30 грн
500+30.61 грн
1000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1SV251-TB-E ONSMS36284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1SV251-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SV251-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 4.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 920mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LT1G 2353772.pdf
BAS40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS40LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.58 грн
148+6.09 грн
181+4.97 грн
500+3.34 грн
1500+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NCP730ASNADJT1G 2912887.pdf
NCP730ASNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.35 грн
12+78.65 грн
100+51.60 грн
500+38.43 грн
1000+28.95 грн
2500+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3G nsvf5501sk-d.pdf
NSVF5501SKT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+27.95 грн
52+17.29 грн
100+13.80 грн
500+11.15 грн
1000+9.91 грн
5000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1811 1812 1813 1814 1815 1816 1817 1818 1819 1820 1821 1872 2106 2340 2346  [ Наступна Сторінка >> ]