Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142389) > Сторінка 2310 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2305 2306 2307 2308 2309 2310 2311 2312 2313 2314 2315 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCP511SN18T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94B7F919B15C40CE&compId=NCP511_NCV511.PDF?ci_sign=8e1fc2dd67991141707d604bc8defde448a8aa65 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; TSOP5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.16V
Output voltage: 1.8V
Output current: 0.15A
Case: TSOP5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP511
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2.8...6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN28T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94B7F919B15C40CE&compId=NCP511_NCV511.PDF?ci_sign=8e1fc2dd67991141707d604bc8defde448a8aa65 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 0.15A; TSOP5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.1V
Output voltage: 2.8V
Output current: 0.15A
Case: TSOP5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP511
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.8...6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 ONSEMI fdms8090-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114HMR6T1G NUP4114HMR6T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9C8BAB0A75BF00C7&compId=NUP4114.PDF?ci_sign=5d35c610d832eaa422109862e6a524956e4aaed1 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; TSOP6; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UPXV6T2G ONSEMI nup4114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT563; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UPXV6T1G ONSEMI nup4114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT563; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP4114HMR6T1G ONSEMI nup4114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; TSOP6; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP4114UCLW1T2G ONSEMI nup4114-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; SC88; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM FQD10N20CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197461A92B30259&compId=FQD10N20C.pdf?ci_sign=c62d5bc9c879fb19f5c2d4ab2f91ba800650fb68 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DG MC74AC125DG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE598B9E657DE48611C&compId=MC74AC125DG.PDF?ci_sign=50271f4ef84070ad23ca2d385b7dcc6365ca0714 Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; SMD; SO14; AC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: tube
Quiescent current: 80µA
Kind of output: 3-state
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.17 грн
15+26.59 грн
25+24.28 грн
55+22.46 грн
58+16.35 грн
157+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DTR2G MC74AC125DTR2G ONSEMI mc74ac125-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; SMD; TSSOP14; AC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of output: 3-state
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.75 грн
15+26.67 грн
25+23.49 грн
49+19.05 грн
135+18.09 грн
250+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC245DTG MC74AC245DTG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E6286E54C560D3&compId=MC74AC245-D.pdf?ci_sign=267d55e22d868668c229e33385eebf43ec7b025c Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,bidirectional,octal,transceiver; Ch: 8; CMOS
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; octal; transceiver
Number of channels: 8
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Family: AC
Kind of output: 3-state
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.32 грн
10+49.04 грн
25+40.39 грн
26+35.87 грн
72+33.97 грн
75+32.78 грн
150+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54T1G BAT54T1G ONSEMI bat54t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 0.4W
Max. forward impulse current: 0.6A
на замовлення 15691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
84+5.13 грн
125+3.17 грн
191+2.09 грн
250+1.80 грн
500+1.62 грн
1000+1.47 грн
3000+1.29 грн
6000+1.19 грн
9000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD5B5.0ST1G ONSEMI esd5b5.0st1-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.8÷7.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.8...7.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMBA14 FMBA14 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD04ABBD1798469&compId=FMBA14.pdf?ci_sign=80d8a07fb7315c6395d47373401cde7e8c4ffdff Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.7W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 1.25MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3626HV4-GT2 ONSEMI cat3626-d.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; I2C; TQFN16; 32mA; 4.2V; Ch: 6; 3÷5.5VDC; 1MHz
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Frequency: 1MHz
Interface: I2C
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TQFN16
Output current: 32mA
Supply voltage: 3...5.5V DC
Output voltage: 4.2V
Number of channels: 6
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT125DR2G MC74ACT125DR2G ONSEMI mc74ac125-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; SMD; SO14; ACT; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO14
Manufacturer series: ACT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4V7T1G MMSZ4V7T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689C3A070C08745&compId=MMSZxxxT1G.PDF?ci_sign=42b6745fc512dc937e890dd622bc6bb53746917f Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZxxT1G
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
61+7.03 грн
90+4.44 грн
123+3.24 грн
143+2.79 грн
500+1.95 грн
629+1.48 грн
1727+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI ntr2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.35 грн
24+16.82 грн
50+11.82 грн
100+10.32 грн
137+6.82 грн
375+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.91 грн
21+19.76 грн
50+14.84 грн
95+9.92 грн
261+9.36 грн
1000+9.21 грн
3000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS130LT3G MBRS130LT3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C051B1320146F1A6F5005056AB5A8F&compId=mbrs130.pdf?ci_sign=e106ae61b4d5e0b8cbf67c3e23576b76b862c00e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Load current: 1A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.395V
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.08 грн
28+14.60 грн
50+11.51 грн
100+10.32 грн
127+7.38 грн
349+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 28696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.82 грн
48+8.41 грн
68+5.92 грн
100+5.09 грн
500+3.78 грн
1000+3.40 грн
1500+3.24 грн
3000+3.00 грн
6000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
US1GFA ONSEMI us1mfa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; SOD123F; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVUS1GFA NRVUS1GFA ONSEMI us1mfa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N139SM 6N139SM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786BE0174CDD1C745&compId=6N139SM-FAI.pdf?ci_sign=83ef5d15ae68fb1641376e339d06481a818855fb Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 5kV; Gull wing 8; 10kV/μs
CTR@If: 400-2000%@0.5mA
Slew rate: 10kV/μs
Insulation voltage: 5kV
Manufacturer series: 6N139M
Kind of output: Darlington
Case: Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.94 грн
10+47.46 грн
50+41.90 грн
100+40.47 грн
500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DWG MC74ACT244DWG ONSEMI mc74ac244-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; SMD; SO20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Case: SO20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: ACT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DWR2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E62A04BA7BE0D3&compId=MC74AC244-D.pdf?ci_sign=df8b97a5fea29bbc10e26bdb03186da2c2ad1b87 Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,octal,line driver; Ch: 8; TTL; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver; octal
Number of channels: 8
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SOIC20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: ACT
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: ACT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5241BLT1G MMBZ5241BLT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4CAA5C0BD20A0D8&compId=MMBZ52xxBLT1G.PDF?ci_sign=e66b6ae8d428f13192cf8029f8987439859092fc Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 11V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 2uA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: Zener
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 11V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.40 грн
57+6.98 грн
71+5.63 грн
175+2.27 грн
500+1.44 грн
1000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS ONSEMI fcd7n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 ONSEMI fci7n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.84 грн
10+648.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.33 грн
15+27.93 грн
50+23.17 грн
100+21.03 грн
250+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25256XI-T2 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE80A79C7FB610C0D5&compId=CAT25256-D.pdf?ci_sign=1e17818f9e22c5bfe7ff8e0e9edeffa2ceb4c1b2 Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 20MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25256YI-GT3 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE80A79C7FB61200D5&compId=CAT25256-D.pdf?ci_sign=b5de27d053465c00870ea708b3f135c1cf623e7f Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 20MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 ONSEMI fdbl0240n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVD1R2G ONSEMI ncv3843bv-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVDR2G ONSEMI ncv3843bv-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3582F9A20745&compId=NTR4003N.PDF?ci_sign=b3216589411edabf78a677fe51c768f1946900ff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Power dissipation: 0.69W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
84+5.11 грн
427+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444 ONSEMI fdd8444-d.pdf FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007L ONSEMI fdb0260n1007l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 ONSEMI fcmt199n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF ONSEMI fcd620n60zf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 1.44kA
Gate charge: 249nC
Case: D2PAK-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.3mΩ
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+358.10 грн
4+286.49 грн
9+270.62 грн
10+265.86 грн
25+263.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ONSEMI ndb5060l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Case: D2PAK-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 50mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14025BDG MC14025BDG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B497DD6AB820&compId=MC14001B-D.pdf?ci_sign=d22667ce4c99a05204a5589c1c1a2d691ef8755e description Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOR
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Number of channels: triple; 3
Family: HEF4000B
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.62 грн
16+25.79 грн
25+23.17 грн
42+22.38 грн
55+21.67 грн
110+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 ONSEMI fca20n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 75nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 ONSEMI fcmt360n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN4
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 83W
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM ONSEMI fdd5n50nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2575D2T-ADJG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED68AAB2A8FFD09BE21&compId=LM2575-ON-DTE.PDF?ci_sign=91792adb27eab164ca8ff9fb230c949c2520fd88 Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 1.23÷37VDC; 1A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 1.23...37V DC
Output current: 1A
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Frequency: 42...63kHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J176-D74Z J176-D74Z ONSEMI j175-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 50mA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.19 грн
17+23.81 грн
20+19.84 грн
26+15.32 грн
75+12.46 грн
100+11.35 грн
206+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42AG TIP42AG ONSEMI tip41a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Current gain: 15...75
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 65W
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.28 грн
10+74.84 грн
50+49.20 грн
100+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS ONSEMI fcu5n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.71 грн
79+5.08 грн
114+3.51 грн
134+2.97 грн
500+2.04 грн
694+1.35 грн
1909+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT3G BC858BLT3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 ONSEMI fdbl0210n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S ONSEMI NTBG040N120M3S-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJF122G MJF122G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD12C3D86D24469&compId=MJF122G.PDF?ci_sign=eeb27cb58bb5a19c4bd0b9ba8dbdb7391c3bb937 Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 2W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.27 грн
10+69.28 грн
25+38.25 грн
50+38.17 грн
68+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN18T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94B7F919B15C40CE&compId=NCP511_NCV511.PDF?ci_sign=8e1fc2dd67991141707d604bc8defde448a8aa65
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; TSOP5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.16V
Output voltage: 1.8V
Output current: 0.15A
Case: TSOP5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP511
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2.8...6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN28T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94B7F919B15C40CE&compId=NCP511_NCV511.PDF?ci_sign=8e1fc2dd67991141707d604bc8defde448a8aa65
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.8V; 0.15A; TSOP5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.1V
Output voltage: 2.8V
Output current: 0.15A
Case: TSOP5
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP511
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.8...6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 fdms8090-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114HMR6T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9C8BAB0A75BF00C7&compId=NUP4114.PDF?ci_sign=5d35c610d832eaa422109862e6a524956e4aaed1
NUP4114HMR6T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; TSOP6; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UPXV6T2G nup4114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT563; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UPXV6T1G nup4114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT563; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP4114HMR6T1G nup4114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; TSOP6; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUP4114UCLW1T2G nup4114-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; SC88; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD10N20CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197461A92B30259&compId=FQD10N20C.pdf?ci_sign=c62d5bc9c879fb19f5c2d4ab2f91ba800650fb68
FQD10N20CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE598B9E657DE48611C&compId=MC74AC125DG.PDF?ci_sign=50271f4ef84070ad23ca2d385b7dcc6365ca0714
MC74AC125DG
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; SMD; SO14; AC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: tube
Quiescent current: 80µA
Kind of output: 3-state
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.17 грн
15+26.59 грн
25+24.28 грн
55+22.46 грн
58+16.35 грн
157+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DTR2G mc74ac125-d.pdf
MC74AC125DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; SMD; TSSOP14; AC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of output: 3-state
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.75 грн
15+26.67 грн
25+23.49 грн
49+19.05 грн
135+18.09 грн
250+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC245DTG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E6286E54C560D3&compId=MC74AC245-D.pdf?ci_sign=267d55e22d868668c229e33385eebf43ec7b025c
MC74AC245DTG
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,bidirectional,octal,transceiver; Ch: 8; CMOS
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; octal; transceiver
Number of channels: 8
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Family: AC
Kind of output: 3-state
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.32 грн
10+49.04 грн
25+40.39 грн
26+35.87 грн
72+33.97 грн
75+32.78 грн
150+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54T1G bat54t1-d.pdf
BAT54T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 0.4W
Max. forward impulse current: 0.6A
на замовлення 15691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.13 грн
125+3.17 грн
191+2.09 грн
250+1.80 грн
500+1.62 грн
1000+1.47 грн
3000+1.29 грн
6000+1.19 грн
9000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD5B5.0ST1G esd5b5.0st1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.8÷7.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.8...7.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMBA14 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD04ABBD1798469&compId=FMBA14.pdf?ci_sign=80d8a07fb7315c6395d47373401cde7e8c4ffdff
FMBA14
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.7W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 1.25MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
CAT3626HV4-GT2 cat3626-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; I2C; TQFN16; 32mA; 4.2V; Ch: 6; 3÷5.5VDC; 1MHz
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Frequency: 1MHz
Interface: I2C
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TQFN16
Output current: 32mA
Supply voltage: 3...5.5V DC
Output voltage: 4.2V
Number of channels: 6
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT125DR2G mc74ac125-d.pdf
MC74ACT125DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; SMD; SO14; ACT; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO14
Manufacturer series: ACT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4V7T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689C3A070C08745&compId=MMSZxxxT1G.PDF?ci_sign=42b6745fc512dc937e890dd622bc6bb53746917f
MMSZ4V7T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZxxT1G
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
61+7.03 грн
90+4.44 грн
123+3.24 грн
143+2.79 грн
500+1.95 грн
629+1.48 грн
1727+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.35 грн
24+16.82 грн
50+11.82 грн
100+10.32 грн
137+6.82 грн
375+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.91 грн
21+19.76 грн
50+14.84 грн
95+9.92 грн
261+9.36 грн
1000+9.21 грн
3000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS130LT3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C051B1320146F1A6F5005056AB5A8F&compId=mbrs130.pdf?ci_sign=e106ae61b4d5e0b8cbf67c3e23576b76b862c00e
MBRS130LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Load current: 1A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.395V
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.08 грн
28+14.60 грн
50+11.51 грн
100+10.32 грн
127+7.38 грн
349+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 28696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.82 грн
48+8.41 грн
68+5.92 грн
100+5.09 грн
500+3.78 грн
1000+3.40 грн
1500+3.24 грн
3000+3.00 грн
6000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
US1GFA us1mfa-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; SOD123F; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVUS1GFA us1mfa-d.pdf
NRVUS1GFA
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N139SM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786BE0174CDD1C745&compId=6N139SM-FAI.pdf?ci_sign=83ef5d15ae68fb1641376e339d06481a818855fb
6N139SM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 5kV; Gull wing 8; 10kV/μs
CTR@If: 400-2000%@0.5mA
Slew rate: 10kV/μs
Insulation voltage: 5kV
Manufacturer series: 6N139M
Kind of output: Darlington
Case: Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.94 грн
10+47.46 грн
50+41.90 грн
100+40.47 грн
500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DWG mc74ac244-d.pdf
MC74ACT244DWG
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; SMD; SO20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Case: SO20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: ACT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DWR2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E62A04BA7BE0D3&compId=MC74AC244-D.pdf?ci_sign=df8b97a5fea29bbc10e26bdb03186da2c2ad1b87
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,octal,line driver; Ch: 8; TTL; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver; octal
Number of channels: 8
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SOIC20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: ACT
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: ACT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5241BLT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4CAA5C0BD20A0D8&compId=MMBZ52xxBLT1G.PDF?ci_sign=e66b6ae8d428f13192cf8029f8987439859092fc
MMBZ5241BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 11V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 2uA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: Zener
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 11V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.40 грн
57+6.98 грн
71+5.63 грн
175+2.27 грн
500+1.44 грн
1000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS fcd7n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 fci7n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+788.84 грн
10+648.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f
FDC3612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.33 грн
15+27.93 грн
50+23.17 грн
100+21.03 грн
250+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25256XI-T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE80A79C7FB610C0D5&compId=CAT25256-D.pdf?ci_sign=1e17818f9e22c5bfe7ff8e0e9edeffa2ceb4c1b2
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 20MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25256YI-GT3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE80A79C7FB61200D5&compId=CAT25256-D.pdf?ci_sign=b5de27d053465c00870ea708b3f135c1cf623e7f
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 20MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVD1R2G ncv3843bv-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVDR2G ncv3843bv-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3582F9A20745&compId=NTR4003N.PDF?ci_sign=b3216589411edabf78a677fe51c768f1946900ff
NTR4003NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Power dissipation: 0.69W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.11 грн
427+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8444 fdd8444-d.pdf FAIR-S-A0002365728-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 153W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 fcmt199n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
FDB0190N807L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
Power dissipation: 250W
Pulsed drain current: 1.44kA
Gate charge: 249nC
Case: D2PAK-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.3mΩ
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+358.10 грн
4+286.49 грн
9+270.62 грн
10+265.86 грн
25+263.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ndb5060l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Case: D2PAK-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 50mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14025BDG description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B497DD6AB820&compId=MC14001B-D.pdf?ci_sign=d22667ce4c99a05204a5589c1c1a2d691ef8755e
MC14025BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOR
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Number of channels: triple; 3
Family: HEF4000B
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.62 грн
16+25.79 грн
25+23.17 грн
42+22.38 грн
55+21.67 грн
110+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 75nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 fcmt360n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN4
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 83W
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2575D2T-ADJG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED68AAB2A8FFD09BE21&compId=LM2575-ON-DTE.PDF?ci_sign=91792adb27eab164ca8ff9fb230c949c2520fd88
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 1.23÷37VDC; 1A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 1.23...37V DC
Output current: 1A
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Frequency: 42...63kHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J176-D74Z j175-d.pdf
J176-D74Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 50mA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.19 грн
17+23.81 грн
20+19.84 грн
26+15.32 грн
75+12.46 грн
100+11.35 грн
206+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42AG tip41a-d.pdf
TIP42AG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Current gain: 15...75
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 65W
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.28 грн
10+74.84 грн
50+49.20 грн
100+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d
BC858CLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.71 грн
79+5.08 грн
114+3.51 грн
134+2.97 грн
500+2.04 грн
694+1.35 грн
1909+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d
BC858BLT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJF122G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD12C3D86D24469&compId=MJF122G.PDF?ci_sign=eeb27cb58bb5a19c4bd0b9ba8dbdb7391c3bb937
MJF122G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 2W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.27 грн
10+69.28 грн
25+38.25 грн
50+38.17 грн
68+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2305 2306 2307 2308 2309 2310 2311 2312 2313 2314 2315 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]