| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FDY102PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 830mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 625mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MC74HC14ADG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HC Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 5.2mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74HC14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 6416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDS8880 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 65 шт В кошику од. на суму грн. |
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LM258DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM258DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -25°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: -45nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
на замовлення 23605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCN26010XMNTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCN26010XMNTBG - Ethernet-Controller, MAC- & PHY-Ethernet-Controller, IEEE 802.3cg, 2.97 V, 3.63 V, QFN-EPtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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MC74HCT273ADWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HCT273ADWR2G - Flipflop, 74HCT273A, D, 25 ns, 30 MHz, 4 mA, SOICtariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74273 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HCT Bauform - Logikbaustein: SOIC IC-Ausgang: Nicht invertiert hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 4mA Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Frequenz: 30MHz Betriebstemperatur, min.: -55°C Flip-Flop-Typ: D Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT273A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausbreitungsverzögerung: 25ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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BCP53T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP53T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMBT4401LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMSZ5267BT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ5267BT1G - Zener-Diode, 75 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 75V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
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MM3Z75VC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z75VC - Zener-Diode, 75 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323FL euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3Z-C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 75V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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MJ15004G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ15004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 140 V, 20 A, 250 W, TO-3, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ISL9V5036P3-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V5036P3-F085 - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-220AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V MSL: - Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 46A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCP711ASN300T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP711ASN300T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3 V/100mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 5Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgang: Fest hazardous: false Eingangsspannung, max.: 18V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Produktpalette: 3V 100mA LDO Voltage Regulators usEccn: EAR99 Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: TSOP rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Ausgangsspannung, max.: - Nominelle feste Ausgangsspannung: 3V Ausgangsspannung, min.: - Dropout-Spannung Vdo: 215mV Nennausgangsspannung: 3V Ausgangsspannung, nom.: 3V Ausgangsstrom, max.: 100mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV euEccn: NLR |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP711ASN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 125°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 5Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausgang: Fest hazardous: false Eingangsspannung, max.: 18V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators usEccn: EAR99 Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: TSOP rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Ausgangsspannung, max.: - Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, min.: - Dropout-Spannung Vdo: 215mV Nennausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, nom.: 3.3V Ausgangsstrom, max.: 100mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV euEccn: NLR |
на замовлення 5555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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MDB10S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MDB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1 A, Micro DIP, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Micro DIP Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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MC78LC33NTRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC78LC33NTRG - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 30mV Dropout, 3.3Vout, 80mAout, SOT-23-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.3V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 30mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 30mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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MM74HCT245WM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM74HCT245WM - Bus-Transceiver, 74HCT245, 4.5V bis 5.5V, SOIC-20tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HCT Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT245 Logikbaustein: Bidirektional SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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74ACT245SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT245SCX - Transceiver, 74ACT245, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: WSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT245 Logikbaustein: Transceiver, bidirektional SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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74ACT245SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT245SCX - Transceiver, 74ACT245, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: WSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT245 Logikbaustein: Transceiver, bidirektional SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MC74AC245DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74AC245DWR2G - Transceiver, nicht invertierend, 74AC245, 2V bis 6V, SOIC-20tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AC Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245 Logikbaustein: Transceiver, nicht invertierend SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 20Pin(s) Anzahl der Eingänge / Bits: 8 Eingänge Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NC7WZ17P6X. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ17P6X. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7W Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 69955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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FIN1002M5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FIN1002M5X - LVDS-Empfänger, 1 Bit, 400MB/s, SOT-23-5tariffCode: 85423990 Bausteintyp: Differenzempfänger euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangspegel: LVTTL Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Anzahl der Bits: 1bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) LVDS-IC: Differenzempfänger Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 125°C Eingangspegel: LVDS |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FIN1001M5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FIN1001M5X - LVDS-Treiber, Differenztreiber, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOT-23tariffCode: 85423990 Bausteintyp: Differenztreiber euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangspegel: LVDS Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Anzahl der Bits: 1bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) LVDS-IC: Differenztreiber Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C Eingangspegel: LVTTL |
на замовлення 10816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FIN1028MX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FIN1028MX - LVDS-Treiber, Differenzempfänger, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOICtariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangspegel: LVTTL Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Anzahl der Bits: 2bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) LVDS-IC: Differenzempfänger Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C Eingangspegel: LVDS |
на замовлення 6154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FIN1027AMX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FIN1027AMX - LVDS-Treiber, Differenz, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOICtariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangspegel: LVDS Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Anzahl der Bits: 2bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) LVDS-IC: Differenz Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C Eingangspegel: LVTTL |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NB6L11SMNG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NB6L11SMNG - Fanout-Puffer-IC, Umsetzer, 2GHz, CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, 2 Ausgänge, 2.5V, QFN-16tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Ausgang: LVDS hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Takt-IC: QFN Frequenz: 2GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.375V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Takt-IC: Fanout-Puffer, Umsetzer Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Taktpuffer: Fanout-Puffer, Umsetzer usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 2.625V Betriebstemperatur, max.: 85°C IC-Eingang: CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FIN1028MX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FIN1028MX - LVDS-Treiber, Differenzempfänger, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOICtariffCode: 85423990 Bausteintyp: Differenzempfänger euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangspegel: LVTTL Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Anzahl der Bits: 2bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) LVDS-IC: Differenzempfänger Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C Eingangspegel: LVDS |
на замовлення 6154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMBT3906LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTE4153NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX84C2V7LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V |
на замовлення 27053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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ES1JFL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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LM2902VDTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: -90nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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LM2902VDTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: -90nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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MBRB1545CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRB1545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 150A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 840mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRB1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817B3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 130% isCanonical: N Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: FOD817 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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MC33063AP1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33063AP1G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, DIP-8tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 85°C Wirkungsgrad: 87.7% Schaltfrequenz: 100kHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 8Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgang: Einstellbar Ausgangsstrom: 1.5A MSL: - hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Durchsteckmontage Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 33kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Eingangsspannung, min.: 3V IC-Gehäuse / Bauform: DIP Ausgangsspannung, max.: 40V Ausgangsspannung, min.: 1.25V Bauform - DC/DC-Wandler-IC: DIP Qualifikation: - Ausgangsspannung, nom.: - Topologie: Buck, Boost, invertierend Ausgangsstrom, max.: 1.5A Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BAV99LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV99 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 39546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BAV99LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV99 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 39546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVMFS5C404NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 700 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 378A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700ohm |
на замовлення 4074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVMFS5113PLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 8251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NVMFS5C604NLWFAFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NVMFS5C604NLWFAFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 71 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVMFD6H840NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD6H840NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 74 A, 74 A, 0.0069 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 74A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 90W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: NVMFD6H840NL Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0069ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 90W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NTMFS5C604NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm |
на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVMFS5113PLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 8251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVMFD5C668NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NVMFS6H801NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NVMFS5C680NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 24W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NTMFS5H600NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 160W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP81253MNTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81253MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 15ns In/18ns Out, DFN-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 15ns Ausgabeverzögerung: 18ns Betriebstemperatur, max.: 100°C |
на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVMFS5C680NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 24W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVMFS6H801NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2N5551BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 21247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5551TA. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5551TA. - TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,600MA I(C),TO-92 83C3404 tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |
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MURF860G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURF860G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 60 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 60ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 147223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 149223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDV301N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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BD682G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SS13FP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS13FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDY102PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74HC14ADG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LM258DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM258DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - LM258DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
на замовлення 23605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCN26010XMNTBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN26010XMNTBG - Ethernet-Controller, MAC- & PHY-Ethernet-Controller, IEEE 802.3cg, 2.97 V, 3.63 V, QFN-EP
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NCN26010XMNTBG - Ethernet-Controller, MAC- & PHY-Ethernet-Controller, IEEE 802.3cg, 2.97 V, 3.63 V, QFN-EP
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74HCT273ADWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HCT273ADWR2G - Flipflop, 74HCT273A, D, 25 ns, 30 MHz, 4 mA, SOIC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74273
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 4mA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT273A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausbreitungsverzögerung: 25ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HCT273ADWR2G - Flipflop, 74HCT273A, D, 25 ns, 30 MHz, 4 mA, SOIC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74273
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 4mA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT273A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausbreitungsverzögerung: 25ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCP53T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCP53T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT4401LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMSZ5267BT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5267BT1G - Zener-Diode, 75 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 75V
Description: ONSEMI - MMSZ5267BT1G - Zener-Diode, 75 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 75V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MM3Z75VC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z75VC - Zener-Diode, 75 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z-C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 75V
Description: ONSEMI - MM3Z75VC - Zener-Diode, 75 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z-C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 75V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJ15004G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ15004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 140 V, 20 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: ONSEMI - MJ15004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 140 V, 20 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISL9V5036P3-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ISL9V5036P3-F085 - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 46A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - ISL9V5036P3-F085 - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 46A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP711ASN300T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP711ASN300T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3V 100mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Nennausgangsspannung: 3V
Ausgangsspannung, nom.: 3V
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCP711ASN300T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3V 100mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Nennausgangsspannung: 3V
Ausgangsspannung, nom.: 3V
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
euEccn: NLR
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP711ASN330T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCP711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
euEccn: NLR
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MDB10S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MDB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1 A, Micro DIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Micro DIP
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MDB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1 A, Micro DIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Micro DIP
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC78LC33NTRG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78LC33NTRG - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 30mV Dropout, 3.3Vout, 80mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 30mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 30mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - MC78LC33NTRG - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 30mV Dropout, 3.3Vout, 80mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 30mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 30mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MM74HCT245WM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HCT245WM - Bus-Transceiver, 74HCT245, 4.5V bis 5.5V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT245
Logikbaustein: Bidirektional
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - MM74HCT245WM - Bus-Transceiver, 74HCT245, 4.5V bis 5.5V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT245
Logikbaustein: Bidirektional
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 74ACT245SCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT245SCX - Transceiver, 74ACT245, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT245
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - 74ACT245SCX - Transceiver, 74ACT245, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT245
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 74ACT245SCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT245SCX - Transceiver, 74ACT245, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT245
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - 74ACT245SCX - Transceiver, 74ACT245, 4.5V bis 5.5V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT245
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74AC245DWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC245DWR2G - Transceiver, nicht invertierend, 74AC245, 2V bis 6V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245
Logikbaustein: Transceiver, nicht invertierend
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Anzahl der Eingänge / Bits: 8 Eingänge
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - MC74AC245DWR2G - Transceiver, nicht invertierend, 74AC245, 2V bis 6V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245
Logikbaustein: Transceiver, nicht invertierend
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Anzahl der Eingänge / Bits: 8 Eingänge
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NC7WZ17P6X. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17P6X. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NC7WZ17P6X. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 69955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FIN1002M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FIN1002M5X - LVDS-Empfänger, 1 Bit, 400MB/s, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: Differenzempfänger
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVTTL
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 1bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
LVDS-IC: Differenzempfänger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Eingangspegel: LVDS
Description: ONSEMI - FIN1002M5X - LVDS-Empfänger, 1 Bit, 400MB/s, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: Differenzempfänger
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVTTL
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 1bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
LVDS-IC: Differenzempfänger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Eingangspegel: LVDS
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FIN1001M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FIN1001M5X - LVDS-Treiber, Differenztreiber, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOT-23
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: Differenztreiber
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVDS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 1bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
LVDS-IC: Differenztreiber
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVTTL
Description: ONSEMI - FIN1001M5X - LVDS-Treiber, Differenztreiber, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOT-23
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: Differenztreiber
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVDS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 1bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
LVDS-IC: Differenztreiber
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVTTL
на замовлення 10816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FIN1028MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FIN1028MX - LVDS-Treiber, Differenzempfänger, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOIC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVTTL
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 2bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
LVDS-IC: Differenzempfänger
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVDS
Description: ONSEMI - FIN1028MX - LVDS-Treiber, Differenzempfänger, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOIC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVTTL
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 2bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
LVDS-IC: Differenzempfänger
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVDS
на замовлення 6154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FIN1027AMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FIN1027AMX - LVDS-Treiber, Differenz, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOIC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVDS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 2bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
LVDS-IC: Differenz
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVTTL
Description: ONSEMI - FIN1027AMX - LVDS-Treiber, Differenz, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOIC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVDS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 2bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
LVDS-IC: Differenz
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVTTL
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NB6L11SMNG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB6L11SMNG - Fanout-Puffer-IC, Umsetzer, 2GHz, CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, 2 Ausgänge, 2.5V, QFN-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Ausgang: LVDS
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.375V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Takt-IC: Fanout-Puffer, Umsetzer
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Taktpuffer: Fanout-Puffer, Umsetzer
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2.625V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
IC-Eingang: CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
Description: ONSEMI - NB6L11SMNG - Fanout-Puffer-IC, Umsetzer, 2GHz, CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, 2 Ausgänge, 2.5V, QFN-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Ausgang: LVDS
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.375V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Takt-IC: Fanout-Puffer, Umsetzer
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Taktpuffer: Fanout-Puffer, Umsetzer
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2.625V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
IC-Eingang: CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FIN1028MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FIN1028MX - LVDS-Treiber, Differenzempfänger, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOIC
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: Differenzempfänger
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVTTL
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 2bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
LVDS-IC: Differenzempfänger
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVDS
Description: ONSEMI - FIN1028MX - LVDS-Treiber, Differenzempfänger, -40 °C, 85 °C, 3 V, 3.6 V, SOIC
tariffCode: 85423990
Bausteintyp: Differenzempfänger
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: LVTTL
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Bits: 2bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
LVDS-IC: Differenzempfänger
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Eingangspegel: LVDS
на замовлення 6154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT3906LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTE4153NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84C2V7LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
на замовлення 27053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ES1JFL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LM2902VDTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LM2902VDTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - LM2902VDTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MBRB1545CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRB1545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 840mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MBRB1545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 840mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817B3SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC33063AP1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33063AP1G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, DIP-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Wirkungsgrad: 87.7%
Schaltfrequenz: 100kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Durchsteckmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 33kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: DIP
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - MC33063AP1G - DC/DC-Schaltregler, Buck-Boost, invertierend, einstellbar, 3V-40Vin, 1.25V-40Vout, 1.5Aout, DIP-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Wirkungsgrad: 87.7%
Schaltfrequenz: 100kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 1.5A
MSL: -
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Durchsteckmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 33kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Ausgangsspannung, max.: 40V
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: DIP
Qualifikation: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAV99LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 39546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAV99LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAV99LT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 39546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS5C404NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 700 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 700 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700ohm
на замовлення 4074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS5113PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS5C604NLWFAFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS5C604NLWFAFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFD6H840NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD6H840NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 74 A, 74 A, 0.0069 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 74A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 90W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NVMFD6H840NL Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0069ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 90W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NVMFD6H840NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 74 A, 74 A, 0.0069 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 74A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 90W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NVMFD6H840NL Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0069ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 90W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS5C604NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS5113PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5113PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 64 A, 0.014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFD5C668NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS6H801NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS5C680NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS5H600NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP81253MNTBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81253MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 15ns In/18ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 15ns
Ausgabeverzögerung: 18ns
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Description: ONSEMI - NCP81253MNTBG - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, Verzögerung 15ns In/18ns Out, DFN-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 15ns
Ausgabeverzögerung: 18ns
Betriebstemperatur, max.: 100°C
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS5C680NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFS6H801NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N5551BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N5551TA. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551TA. - TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,600MA I(C),TO-92 83C3404
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - 2N5551TA. - TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,600MA I(C),TO-92 83C3404
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MURF860G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURF860G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 60 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MURF860G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 60 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 147223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 149223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BD682G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SS13FP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS13FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - SS13FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






































