Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142627) > Сторінка 2305 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2300 2301 2302 2303 2304 2305 2306 2307 2308 2309 2310 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSD1616AGTA KSD1616AGTA ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE45AC2926140D6&compId=KSD1616A.pdf?ci_sign=bc1e1f60b45e68295cb0d253d06c58ea30ae2025 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Power dissipation: 0.75W
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Current gain: 200...400
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 160MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AYTA KSD1616AYTA ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE45AC2926140D6&compId=KSD1616A.pdf?ci_sign=bc1e1f60b45e68295cb0d253d06c58ea30ae2025 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.75W
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Current gain: 135...270
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 160MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD880YTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE48620638940D6&compId=KSD880.pdf?ci_sign=f673fa2a8126b65570c4afc7736b98d650074192 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 30W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 100...200
Polarisation: bipolar
Frequency: 3MHz
Type of transistor: NPN
Collector current: 3A
Power dissipation: 30W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA928AYTA KSA928AYTA ONSEMI KSA928A.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 160...320
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2383OTA KSC2383OTA ONSEMI KSC2383.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.35 грн
18+22.72 грн
100+14.88 грн
250+12.62 грн
500+11.24 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008CYTA KSC1008CYTA ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE360DAA2D640D6&compId=KSC1008.pdf?ci_sign=d42da730da82ea460afe32655f9505a1c9c6eae6 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Frequency: 50MHz
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.64 грн
29+14.31 грн
36+11.24 грн
100+7.60 грн
500+5.26 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008YBU KSC1008YBU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE360DAA2D640D6&compId=KSC1008.pdf?ci_sign=d42da730da82ea460afe32655f9505a1c9c6eae6 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Frequency: 50MHz
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008YTA KSC1008YTA ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE360DAA2D640D6&compId=KSC1008.pdf?ci_sign=d42da730da82ea460afe32655f9505a1c9c6eae6 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Frequency: 50MHz
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 71208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.74 грн
22+18.92 грн
26+16.01 грн
50+11.40 грн
100+10.11 грн
500+8.25 грн
1000+7.76 грн
1500+7.52 грн
3000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBDAE9828496F60D6&compId=NTHL075N065SC1.PDF?ci_sign=430aea5e6198bb2ffbb8f61c66a0b836c3d03f91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 68mΩ
Technology: SiC
Power dissipation: 74W
Pulsed drain current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G09DTT1G
+1
 		MC74VHC1G09DTT1G ONSEMI mc74vhc1g09-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP5; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Case: TSSOP5
Supply voltage: 2...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: open drain
Technology: CMOS
Number of inputs: 2
Kind of gate: AND
Family: VHC
Quiescent current: 40µA
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.71 грн
60+6.79 грн
100+6.47 грн
250+5.98 грн
500+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NLSV1T34DFT2G NLSV1T34DFT2G ONSEMI NLSV1T34DFT2G.PDF Category: Level translators
Description: IC: digital; non-inverting,logic level voltage translator; Ch: 1
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 1
Case: SOT353
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 2µA
Supply voltage: 0.9...4.5V DC
Number of outputs: 1
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.48 грн
10+43.02 грн
25+37.36 грн
100+32.27 грн
500+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448 1N4448 ONSEMI 1n4448-f.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.97 грн
143+2.83 грн
197+2.06 грн
250+1.77 грн
500+1.56 грн
1000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401G 1N5401G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB8749461F840D6&compId=1N540x.PDF?ci_sign=edfd626bae2e7653ac1fbc632df6258f6bde519c Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.64 грн
28+14.64 грн
100+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
4N25M 4N25M ONSEMI 4N25M-ONS.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 0.85kV; Uce: 30V
Mounting: THT
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 30V
CTR@If: 20%@10mA
Insulation voltage: 0.85kV
Case: DIP6
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2µs
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.96 грн
17+24.99 грн
50+19.89 грн
100+17.87 грн
500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004G 1N4004G ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.84 грн
68+5.98 грн
81+5.01 грн
135+3.00 грн
500+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
6N136VM ONSEMI hcpl2530m-d.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; Urmax: 5V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Max. off-state voltage: 5V
Number of pins: 8
Manufacturer series: 6N136M
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+176.79 грн
200+143.14 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006G 1N4006G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787B9E30552596745&compId=1N4001-D.PDF?ci_sign=79133378f6429bee6ecfe94d7aad987cabef7b90 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.45 грн
62+6.55 грн
100+4.35 грн
500+3.32 грн
1000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT139DG MC74ACT139DG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E62926CB2040D3&compId=MC74AC139-D.pdf?ci_sign=3fb527dd912605fd65cd58b0df3e1b7a3bc2b55d Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 2; IN: 3; TTL; SMD; SOIC16
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Number of channels: 2
Technology: TTL
Manufacturer series: ACT
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: ACT
Number of inputs: 3
Kind of package: tube
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+85.35 грн
11+39.63 грн
48+32.19 грн
96+29.44 грн
144+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
6N137SM 6N137SM ONSEMI 4N35SM.pdf 6N137SM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: logic; 5kV; 10Mbps; Gull wing 8; 6N137M
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: logic
Insulation voltage: 5kV
Transfer rate: 10Mbps
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 30ns
Manufacturer series: 6N137M
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.38 грн
10+53.13 грн
25+48.52 грн
50+45.12 грн
100+41.81 грн
500+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.02 грн
8+53.37 грн
10+46.58 грн
50+34.05 грн
100+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ONSEMI dta115e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.32 грн
61+6.71 грн
100+4.07 грн
500+2.94 грн
1000+2.57 грн
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
6N136SM ONSEMI DD93217-6N135_136-ICPL4502_4503-240717.pdf hcpl2530m-d.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; 5kV
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1298YMTF KSA1298YMTF ONSEMI KSA1298.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.8A; 0.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...320
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.06 грн
48+8.49 грн
100+4.80 грн
500+3.30 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FXMA2104UMX FXMA2104UMX ONSEMI FXMA2104UMX.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP12; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 4
Case: MLP12
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
Frequency: 26MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005G 1N4005G ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: bulk
Case: CASE59
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.71 грн
60+6.79 грн
67+6.07 грн
81+5.05 грн
105+3.86 грн
500+2.90 грн
1000+2.59 грн
2000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB242GEVB ONSEMI Category: Unclassified
Description: FSUSB242GEVB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9583.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4007 UF4007 ONSEMI UF4001.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 75uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Power dissipation: 2.08W
Leakage current: 75µA
Capacitance: 17pF
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
26+15.69 грн
30+13.75 грн
100+8.98 грн
250+7.68 грн
500+6.87 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085 ONSEMI fgh40n60smd_f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMD ONSEMI fgaf40n60smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU ONSEMI fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 ONSEMI fgb20n60s_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Version: ESD
Application: ignition systems
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 63nC
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155 ONSEMI fgh60t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 ONSEMI fgh60t65sqd-f155-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD ONSEMI fga40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+364.03 грн
5+295.17 грн
10+266.05 грн
25+225.62 грн
100+215.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155 ONSEMI fgh40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 72.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155 ONSEMI fgh40t65shdf-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD ONSEMI fghl40t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; tube; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: tube
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPG TL431ACLPG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPRAG TL431ACLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36 SS36 ONSEMI SS32_SS39.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; reel,tape; 2.27W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+33.09 грн
15+28.06 грн
50+23.13 грн
100+21.03 грн
250+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCLPRAG TL431BCLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BILPRAG TL431BILPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.25 грн
10+59.44 грн
25+51.35 грн
100+40.51 грн
250+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI fgh40t120sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 221nC
Power dissipation: 227W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD ONSEMI fghl40t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.84 грн
3+249.07 грн
10+219.96 грн
30+198.13 грн
120+186.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRAG TL431CLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRPG TL431CLPRPG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ILPRAG TL431ILPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937RLG 1N4937RLG ONSEMI 1N4933_7.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; Ufmax: 1.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.45 грн
50+8.09 грн
55+7.36 грн
70+5.82 грн
100+5.22 грн
250+4.46 грн
500+3.94 грн
1000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE45AC2926140D6&compId=KSD1616A.pdf?ci_sign=bc1e1f60b45e68295cb0d253d06c58ea30ae2025
KSD1616AGTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Power dissipation: 0.75W
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Current gain: 200...400
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 160MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AYTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE45AC2926140D6&compId=KSD1616A.pdf?ci_sign=bc1e1f60b45e68295cb0d253d06c58ea30ae2025
KSD1616AYTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Case: TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.75W
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Current gain: 135...270
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 160MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD880YTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE48620638940D6&compId=KSD880.pdf?ci_sign=f673fa2a8126b65570c4afc7736b98d650074192
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 30W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 100...200
Polarisation: bipolar
Frequency: 3MHz
Type of transistor: NPN
Collector current: 3A
Power dissipation: 30W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA928AYTA KSA928A.PDF
KSA928AYTA
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 160...320
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2383OTA KSC2383.pdf
KSC2383OTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.35 грн
18+22.72 грн
100+14.88 грн
250+12.62 грн
500+11.24 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008CYTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE360DAA2D640D6&compId=KSC1008.pdf?ci_sign=d42da730da82ea460afe32655f9505a1c9c6eae6
KSC1008CYTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Frequency: 50MHz
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.64 грн
29+14.31 грн
36+11.24 грн
100+7.60 грн
500+5.26 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008YBU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE360DAA2D640D6&compId=KSC1008.pdf?ci_sign=d42da730da82ea460afe32655f9505a1c9c6eae6
KSC1008YBU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Frequency: 50MHz
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1008YTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE360DAA2D640D6&compId=KSC1008.pdf?ci_sign=d42da730da82ea460afe32655f9505a1c9c6eae6
KSC1008YTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Formed
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Frequency: 50MHz
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 71208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.74 грн
22+18.92 грн
26+16.01 грн
50+11.40 грн
100+10.11 грн
500+8.25 грн
1000+7.76 грн
1500+7.52 грн
3000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBDAE9828496F60D6&compId=NTHL075N065SC1.PDF?ci_sign=430aea5e6198bb2ffbb8f61c66a0b836c3d03f91
NTHL075N065SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 68mΩ
Technology: SiC
Power dissipation: 74W
Pulsed drain current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G09DTT1G mc74vhc1g09-d.pdf
MC74VHC1G09DTT1G
+1
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP5; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Case: TSSOP5
Supply voltage: 2...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: open drain
Technology: CMOS
Number of inputs: 2
Kind of gate: AND
Family: VHC
Quiescent current: 40µA
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.71 грн
60+6.79 грн
100+6.47 грн
250+5.98 грн
500+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NLSV1T34DFT2G NLSV1T34DFT2G.PDF
NLSV1T34DFT2G
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; non-inverting,logic level voltage translator; Ch: 1
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 1
Case: SOT353
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 2µA
Supply voltage: 0.9...4.5V DC
Number of outputs: 1
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.48 грн
10+43.02 грн
25+37.36 грн
100+32.27 грн
500+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N4448 1n4448-f.pdf
1N4448
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Capacitance: 2pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.97 грн
143+2.83 грн
197+2.06 грн
250+1.77 грн
500+1.56 грн
1000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB8749461F840D6&compId=1N540x.PDF?ci_sign=edfd626bae2e7653ac1fbc632df6258f6bde519c
1N5401G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.64 грн
28+14.64 грн
100+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
4N25M 4N25M-ONS.pdf
4N25M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 0.85kV; Uce: 30V
Mounting: THT
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 30V
CTR@If: 20%@10mA
Insulation voltage: 0.85kV
Case: DIP6
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: transistor
Turn-off time: 2µs
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.96 грн
17+24.99 грн
50+19.89 грн
100+17.87 грн
500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004G 1N4001-D.PDF
1N4004G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.84 грн
68+5.98 грн
81+5.01 грн
135+3.00 грн
500+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
6N136VM hcpl2530m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; Urmax: 5V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Max. off-state voltage: 5V
Number of pins: 8
Manufacturer series: 6N136M
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
38+176.79 грн
200+143.14 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787B9E30552596745&compId=1N4001-D.PDF?ci_sign=79133378f6429bee6ecfe94d7aad987cabef7b90
1N4006G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
62+6.55 грн
100+4.35 грн
500+3.32 грн
1000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT139DG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E62926CB2040D3&compId=MC74AC139-D.pdf?ci_sign=3fb527dd912605fd65cd58b0df3e1b7a3bc2b55d
MC74ACT139DG
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 2; IN: 3; TTL; SMD; SOIC16
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Number of channels: 2
Technology: TTL
Manufacturer series: ACT
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: ACT
Number of inputs: 3
Kind of package: tube
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.35 грн
11+39.63 грн
48+32.19 грн
96+29.44 грн
144+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
6N137SM 4N35SM.pdf 6N137SM.pdf
6N137SM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: logic; 5kV; 10Mbps; Gull wing 8; 6N137M
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: logic
Insulation voltage: 5kV
Transfer rate: 10Mbps
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 30ns
Manufacturer series: 6N137M
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.38 грн
10+53.13 грн
25+48.52 грн
50+45.12 грн
100+41.81 грн
500+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.02 грн
8+53.37 грн
10+46.58 грн
50+34.05 грн
100+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta115e-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.32 грн
61+6.71 грн
100+4.07 грн
500+2.94 грн
1000+2.57 грн
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
6N136SM DD93217-6N135_136-ICPL4502_4503-240717.pdf hcpl2530m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; 5kV
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1298YMTF KSA1298.PDF
KSA1298YMTF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.8A; 0.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...320
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.06 грн
48+8.49 грн
100+4.80 грн
500+3.30 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FXMA2104UMX FXMA2104UMX.pdf
FXMA2104UMX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP12; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 4
Case: MLP12
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
Frequency: 26MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005G 1N4001-D.PDF
1N4005G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: bulk
Case: CASE59
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.71 грн
60+6.79 грн
67+6.07 грн
81+5.05 грн
105+3.86 грн
500+2.90 грн
1000+2.59 грн
2000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB242GEVB
Виробник: ONSEMI
Category: Unclassified
Description: FSUSB242GEVB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9583.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4007 UF4001.pdf
UF4007
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 75uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Power dissipation: 2.08W
Leakage current: 75µA
Capacitance: 17pF
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
26+15.69 грн
30+13.75 грн
100+8.98 грн
250+7.68 грн
500+6.87 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMD fgaf40n60smd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Version: ESD
Application: ignition systems
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 63nC
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155 fgh60t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 fgh60t65sqd-f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD fga40t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 fgb40t65spd-f085-d.pdf
FGB40T65SPD-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+364.03 грн
5+295.17 грн
10+266.05 грн
25+225.62 грн
100+215.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 72.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD fghl40t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT fghl40t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; tube; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: tube
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPG tl431-d.pdf
TL431ACLPG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPRAG tl431-d.pdf
TL431ACLPRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36 SS32_SS39.pdf
SS36
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; reel,tape; 2.27W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.09 грн
15+28.06 грн
50+23.13 грн
100+21.03 грн
250+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCLPRAG tl431-d.pdf
TL431BCLPRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BILPRAG tl431-d.pdf
TL431BILPRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.25 грн
10+59.44 грн
25+51.35 грн
100+40.51 грн
250+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 221nC
Power dissipation: 227W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD fghl40t120rwd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD fghl40t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.84 грн
3+249.07 грн
10+219.96 грн
30+198.13 грн
120+186.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRAG tl431-d.pdf
TL431CLPRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRPG tl431-d.pdf
TL431CLPRPG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ILPRAG tl431-d.pdf
TL431ILPRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937RLG 1N4933_7.PDF
1N4937RLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; Ufmax: 1.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
50+8.09 грн
55+7.36 грн
70+5.82 грн
100+5.22 грн
250+4.46 грн
500+3.94 грн
1000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2300 2301 2302 2303 2304 2305 2306 2307 2308 2309 2310 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]