Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140589) > Сторінка 2314 з 2344

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1872 2106 2309 2310 2311 2312 2313 2314 2315 2316 2317 2318 2319 2340 2344  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MC74AC574DWG ONSEMI MC74AC574-D.pdf description Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; 3-state,octal,D flip-flop; Ch: 8; CMOS; AC; SMD; SOIC20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; D flip-flop; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC20
Operating temperature: -40...85°C
Family: AC
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: tube
Manufacturer series: AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC574DWR2G ONSEMI MC74ACT574DWR2G.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20-W
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO20-W
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Trigger: positive-edge-triggered
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBSS24NT3G ONSEMI ss24-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30T1G RB521S30T1G ONSEMI RB521S30T1G.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
53+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30T5G ONSEMI rb521s30t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB521S30T1G ONSEMI rb521s30t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB521S30T5G ONSEMI rb521s30t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016S ONSEMI fdpc8016s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 60/100A; 21/42W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25/67nC
On-state resistance: 3.8/1.4mΩ
Power dissipation: 21/42W
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 60/100A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015L ONSEMI fdmc8015l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Kind of channel: enhancement
Case: WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 24W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 ONSEMI fdmc8010-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33
Kind of channel: enhancement
Case: Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 54W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DC ONSEMI fdmc8010dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 1.89mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 99A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 788A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011S ONSEMI fdpc8011s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 20/60A; 1.6/2W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19/64nC
On-state resistance: 6/1.8mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Drain current: 20/60A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S ONSEMI fdpc8012s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 35/88A; 1.6/2W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8/25nC
On-state resistance: 7/2.2mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Drain current: 35/88A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013S ONSEMI fdpc8013s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 20/55A; 1.6/2W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13/44nC
On-state resistance: 6.4/1.9mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 20/55A
Drain-source voltage: 30V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP121G TIP121G ONSEMI TIP12xG.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 5A; 2W; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NFVA25012NP2T ONSEMI nfva25012np2t-d.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; DIP; 50A
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
Output current: 50A
Application: automotive industry
Case: DIP
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4275ADS50R4G NCV4275ADS50R4G ONSEMI NCV4275A.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,fixed; 5V; 0.45A; D2PAK-5; SMD; NCV4275A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.45A
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 5.5...42V
Manufacturer series: NCV4275A
Integrated circuit features: RESET output
Application: automotive industry
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.40 грн
10+88.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MRA4007T3G MRA4007T3G ONSEMI MRA4006T3G-DTE.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; SMA; Ufmax: 1.18V; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.18V
Max. load current: 30A
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.36 грн
50+8.48 грн
66+6.43 грн
100+5.76 грн
250+5.00 грн
500+4.52 грн
1000+4.10 грн
2500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NRVA4007T3G NRVA4007T3G ONSEMI mra4003t3-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1000V; 1A; SMA; Ufmax: 1.18V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.18V
Application: automotive industry
Max. load current: 2A
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.94 грн
73+5.79 грн
100+4.86 грн
500+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ36A SMBJ36A ONSEMI SMBJ5V0A.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 42.1V; 100A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 42.1V
Max. forward impulse current: 100A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSL10-002GEVB ONSEMI rsl10-d.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: RSL10
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kit contents: prototype board
Components: RSL10
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Connection: pin strips; pin strips; Pmod socket; USB micro
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSL10-SIP-001GEVB ONSEMI Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: RSL10
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kit contents: prototype board
Components: RSL10
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Connection: pin strips; pin strips; USB micro
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2574DW-ADJR2G LM2574DW-ADJR2G ONSEMI LM2574.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 1.23÷37VDC; 500mA
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 1.23...37V DC
Output current: 0.5A
Case: SO16-W
Mounting: SMD
Topology: buck
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.48 грн
5+107.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LM2575T-3.3G LM2575T-3.3G ONSEMI LM2575-ON-DTE.PDF Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 3.3VDC; 1A; TO220-5
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 1A
Case: TO220-5
Mounting: THT
Frequency: 42...63kHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.80 грн
10+121.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 MMBFJ111 ONSEMI J111.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.25 грн
20+21.82 грн
50+15.11 грн
100+12.92 грн
500+9.32 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
J111 J111 ONSEMI J111.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: bulk
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.83 грн
36+11.75 грн
41+10.32 грн
52+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4S UJ4C075060K4S ONSEMI UJ4C075060K4S-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 20.6A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -25...25V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+789.94 грн
10+566.50 грн
30+558.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G ONSEMI MMBFJ309LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.27 грн
35+12.09 грн
40+10.57 грн
48+8.90 грн
53+7.97 грн
100+7.22 грн
250+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
J109 J109 ONSEMI j109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 40mA; 0.625W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Gate current: 10mA
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.50 грн
23+18.63 грн
25+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416A MMBF4416A ONSEMI MMBF4416A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.85 грн
55+7.72 грн
100+6.80 грн
500+6.46 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
2SK932-24-TB-E 2SK932-24-TB-E ONSEMI 2SK932.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 14.5mA; 0.2W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 14.5mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.44 грн
17+24.76 грн
25+21.74 грн
100+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4393LT1G MMBF4393LT1G ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.88 грн
30+14.27 грн
50+11.08 грн
100+9.82 грн
250+8.14 грн
500+6.97 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ202 MMBFJ202 ONSEMI MMBFJ201_MMBFJ202.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 900µA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.92 грн
21+20.31 грн
25+16.95 грн
100+9.06 грн
500+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4392LT1G MMBF4392LT1G ONSEMI MMBF439xLT1.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.83 грн
21+20.31 грн
50+13.85 грн
100+11.75 грн
500+8.31 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.63 грн
17+26.19 грн
18+23.42 грн
50+15.11 грн
100+12.00 грн
500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3910-TL-E CPH3910-TL-E ONSEMI ENA1965-D.html Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 20mA; 0.4W; CPH3; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.4W
Case: CPH3
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.19 грн
14+30.63 грн
50+21.32 грн
100+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ110 MMBFJ110 ONSEMI mmbfj110-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.19 грн
12+35.08 грн
14+30.63 грн
100+18.21 грн
500+13.01 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416 MMBF4416 ONSEMI MMBF4416.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.65 грн
44+9.74 грн
100+8.31 грн
500+7.64 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ108 MMBFJ108 ONSEMI j109-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.10 грн
17+25.77 грн
50+18.80 грн
100+16.62 грн
250+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBF4393LT1G SMMBF4393LT1G ONSEMI mmbf4391lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.23 грн
14+31.64 грн
100+20.23 грн
500+15.44 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF5103 MMBF5103 ONSEMI mmbf5103-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.92 грн
23+18.80 грн
28+15.11 грн
50+12.84 грн
100+10.99 грн
500+8.22 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSR57 BSR57 ONSEMI bsr57-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR58 BSR58 ONSEMI bsr58-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK932-23-TB-E 2SK932-23-TB-E ONSEMI 2SK932.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C ONSEMI FDC6333C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.94 грн
12+36.17 грн
50+26.10 грн
100+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N5931BRLG 1N5931BRLG ONSEMI 1N59xxB.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 18V; reel,tape; CASE59; single diode; 1N59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 18V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE59
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N59xxB
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.79 грн
34+12.42 грн
50+9.57 грн
100+8.64 грн
500+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903M LM2903M ONSEMI LM2903.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; 2÷36V; SMT; SO8; tube; 200nA
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 2
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 15mV
Kind of package: tube
Input offset current: 200nA
Operating voltage: 2...36V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP45525IMNTWG-H ONSEMI ncp45524-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN8
Case: DFN8
Active logical level: high
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 31.7mΩ
Output current: 6A
Control voltage: 0.5...13.5V DC
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...5.5V DC
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BDW1T1G SBC847BDW1T1G ONSEMI BC84xXDW1Tx.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.17 грн
38+11.33 грн
44+9.65 грн
75+7.89 грн
100+7.55 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC4053ADR2G MC74HC4053ADR2G ONSEMI mc74hc4051a-d.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; demultiplexer,multiplexer; Ch: 3; IN: 6; CMOS; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 3
Number of inputs: 6
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO16
Manufacturer series: HC
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of output: SP8T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40L60CTG ONSEMI mbr40l60ct-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.74V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.74V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.24kA
Kind of package: tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.69 грн
5+110.78 грн
10+88.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
sm05t1g sm05t1g ONSEMI SMxxT1G.PDF description Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.7V; 17A; 300W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 17A
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.08 грн
35+12.09 грн
43+9.90 грн
55+7.65 грн
100+5.45 грн
250+4.62 грн
500+4.19 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SZSM05T1G ONSEMI sm05t1-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.2÷7.3V; 300W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.2...7.3V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.54 грн
18+24.34 грн
21+20.90 грн
50+13.85 грн
100+11.67 грн
500+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1034DR2G NCP1034DR2G ONSEMI ncp1034-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SO16; buck; 10÷18VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 2A
Frequency: 170...430kHz
Mounting: SMD
Case: SO16
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 10...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33179DTBR2G ONSEMI mc33178-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 5MHz; Ch: 4; ±2÷18VDC,4÷36VDC; TSSOP14
Case: TSSOP14
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Input offset current: 60nA
Input bias current: 600nA
Input offset voltage: 4mV
Voltage supply range: ± 2...18V DC; 4...36V DC
Slew rate: 2V/μs
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: low noise
Bandwidth: 5MHz
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152VDR2G ONSEMI mc34152-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14094BDR2G MC14094BDR2G ONSEMI mc14094b-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; 8bit,shift and store; Ch: 1; CMOS; SMD; SO16; HEF4000B
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; shift and store
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO16
Family: HEF4000B
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14094BDTR2G ONSEMI mc14094b-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; 3-state,shift and store,register; Ch: 1; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; register; shift and store
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Family: HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI FDS6675BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 21.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.06 грн
7+62.44 грн
10+54.38 грн
50+38.52 грн
100+33.57 грн
500+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC574DWG description MC74AC574-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; 3-state,octal,D flip-flop; Ch: 8; CMOS; AC; SMD; SOIC20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; D flip-flop; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOIC20
Operating temperature: -40...85°C
Family: AC
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: tube
Manufacturer series: AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC574DWR2G MC74ACT574DWR2G.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 8; CMOS; SMD; SO20-W
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO20-W
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Trigger: positive-edge-triggered
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBSS24NT3G ss24-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30T1G RB521S30T1G.PDF
RB521S30T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
53+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30T5G rb521s30t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB521S30T1G rb521s30t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB521S30T5G rb521s30t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8016S fdpc8016s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 60/100A; 21/42W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25/67nC
On-state resistance: 3.8/1.4mΩ
Power dissipation: 21/42W
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 60/100A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015L fdmc8015l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Kind of channel: enhancement
Case: WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 24W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33
Kind of channel: enhancement
Case: Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 54W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DC fdmc8010dc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 1.89mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 99A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 788A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8011S fdpc8011s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 20/60A; 1.6/2W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19/64nC
On-state resistance: 6/1.8mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Drain current: 20/60A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8012S fdpc8012s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 35/88A; 1.6/2W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8/25nC
On-state resistance: 7/2.2mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Drain current: 35/88A
Drain-source voltage: 25V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC8013S fdpc8013s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 20/55A; 1.6/2W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13/44nC
On-state resistance: 6.4/1.9mΩ
Power dissipation: 1.6/2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 20/55A
Drain-source voltage: 30V
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP121G TIP12xG.PDF
TIP121G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 5A; 2W; TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NFVA25012NP2T nfva25012np2t-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; DIP; 50A
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
Output current: 50A
Application: automotive industry
Case: DIP
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4275ADS50R4G NCV4275A.PDF
NCV4275ADS50R4G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,fixed; 5V; 0.45A; D2PAK-5; SMD; NCV4275A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.45A
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 5.5...42V
Manufacturer series: NCV4275A
Integrated circuit features: RESET output
Application: automotive industry
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.40 грн
10+88.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MRA4007T3G MRA4006T3G-DTE.PDF
MRA4007T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; SMA; Ufmax: 1.18V; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.18V
Max. load current: 30A
на замовлення 4833 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.36 грн
50+8.48 грн
66+6.43 грн
100+5.76 грн
250+5.00 грн
500+4.52 грн
1000+4.10 грн
2500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NRVA4007T3G mra4003t3-d.pdf
NRVA4007T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1000V; 1A; SMA; Ufmax: 1.18V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.18V
Application: automotive industry
Max. load current: 2A
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.94 грн
73+5.79 грн
100+4.86 грн
500+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ36A SMBJ5V0A.pdf
SMBJ36A
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 42.1V; 100A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 42.1V
Max. forward impulse current: 100A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSL10-002GEVB rsl10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: RSL10
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kit contents: prototype board
Components: RSL10
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Connection: pin strips; pin strips; Pmod socket; USB micro
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSL10-SIP-001GEVB
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: RSL10
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kit contents: prototype board
Components: RSL10
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Connection: pin strips; pin strips; USB micro
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2574DW-ADJR2G LM2574.pdf
LM2574DW-ADJR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 1.23÷37VDC; 500mA
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 1.23...37V DC
Output current: 0.5A
Case: SO16-W
Mounting: SMD
Topology: buck
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.48 грн
5+107.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LM2575T-3.3G LM2575-ON-DTE.PDF
LM2575T-3.3G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷40VDC; Uout: 3.3VDC; 1A; TO220-5
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...40V DC
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 1A
Case: TO220-5
Mounting: THT
Frequency: 42...63kHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+142.80 грн
10+121.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ111 J111.pdf
MMBFJ111
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.25 грн
20+21.82 грн
50+15.11 грн
100+12.92 грн
500+9.32 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
J111 J111.pdf
J111
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: bulk
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.83 грн
36+11.75 грн
41+10.32 грн
52+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4S UJ4C075060K4S-D.PDF
UJ4C075060K4S
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 20.6A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -25...25V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+789.94 грн
10+566.50 грн
30+558.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ309LT1G MMBFJ309LT1G.PDF
MMBFJ309LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.27 грн
35+12.09 грн
40+10.57 грн
48+8.90 грн
53+7.97 грн
100+7.22 грн
250+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
J109 j109-d.pdf
J109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 40mA; 0.625W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Gate current: 10mA
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.50 грн
23+18.63 грн
25+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416A MMBF4416A.pdf
MMBF4416A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.85 грн
55+7.72 грн
100+6.80 грн
500+6.46 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
2SK932-24-TB-E 2SK932.PDF
2SK932-24-TB-E
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 14.5mA; 0.2W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 14.5mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.44 грн
17+24.76 грн
25+21.74 грн
100+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4393LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4393LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.88 грн
30+14.27 грн
50+11.08 грн
100+9.82 грн
250+8.14 грн
500+6.97 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ202 MMBFJ201_MMBFJ202.pdf
MMBFJ202
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 900uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 900µA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.92 грн
21+20.31 грн
25+16.95 грн
100+9.06 грн
500+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4392LT1G MMBF439xLT1.PDF
MMBF4392LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.83 грн
21+20.31 грн
50+13.85 грн
100+11.75 грн
500+8.31 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4391LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4391LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 50mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.63 грн
17+26.19 грн
18+23.42 грн
50+15.11 грн
100+12.00 грн
500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3910-TL-E ENA1965-D.html
CPH3910-TL-E
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 20mA; 0.4W; CPH3; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.4W
Case: CPH3
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.19 грн
14+30.63 грн
50+21.32 грн
100+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ110 mmbfj110-d.pdf
MMBFJ110
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.46W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.19 грн
12+35.08 грн
14+30.63 грн
100+18.21 грн
500+13.01 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416 MMBF4416.pdf
MMBF4416
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.65 грн
44+9.74 грн
100+8.31 грн
500+7.64 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ108 j109-d.pdf
MMBFJ108
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.10 грн
17+25.77 грн
50+18.80 грн
100+16.62 грн
250+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBF4393LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
SMMBF4393LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.23 грн
14+31.64 грн
100+20.23 грн
500+15.44 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF5103 mmbf5103-d.pdf
MMBF5103
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 10mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.92 грн
23+18.80 грн
28+15.11 грн
50+12.84 грн
100+10.99 грн
500+8.22 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSR57 bsr57-d.pdf
BSR57
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR58 bsr58-d.pdf
BSR58
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK932-23-TB-E 2SK932.PDF
2SK932-23-TB-E
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.2W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C.pdf
FDC6333C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.94 грн
12+36.17 грн
50+26.10 грн
100+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N5931BRLG 1N59xxB.pdf
1N5931BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 18V; reel,tape; CASE59; single diode; 1N59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 18V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE59
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N59xxB
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.79 грн
34+12.42 грн
50+9.57 грн
100+8.64 грн
500+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903M LM2903.pdf
LM2903M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; 2÷36V; SMT; SO8; tube; 200nA
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 2
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 15mV
Kind of package: tube
Input offset current: 200nA
Operating voltage: 2...36V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP45525IMNTWG-H ncp45524-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN8
Case: DFN8
Active logical level: high
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 31.7mΩ
Output current: 6A
Control voltage: 0.5...13.5V DC
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...5.5V DC
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BDW1T1G BC84xXDW1Tx.PDF
SBC847BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.17 грн
38+11.33 грн
44+9.65 грн
75+7.89 грн
100+7.55 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC4053ADR2G mc74hc4051a-d.pdf
MC74HC4053ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; demultiplexer,multiplexer; Ch: 3; IN: 6; CMOS; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 3
Number of inputs: 6
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO16
Manufacturer series: HC
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of output: SP8T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR40L60CTG mbr40l60ct-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.74V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.74V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.24kA
Kind of package: tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.69 грн
5+110.78 грн
10+88.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
sm05t1g description SMxxT1G.PDF
sm05t1g
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.7V; 17A; 300W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 17A
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.08 грн
35+12.09 грн
43+9.90 грн
55+7.65 грн
100+5.45 грн
250+4.62 грн
500+4.19 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SZSM05T1G sm05t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.2÷7.3V; 300W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.2...7.3V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.54 грн
18+24.34 грн
21+20.90 грн
50+13.85 грн
100+11.67 грн
500+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1034DR2G ncp1034-d.pdf
NCP1034DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SO16; buck; 10÷18VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 2A
Frequency: 170...430kHz
Mounting: SMD
Case: SO16
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 10...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33179DTBR2G mc33178-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 5MHz; Ch: 4; ±2÷18VDC,4÷36VDC; TSSOP14
Case: TSSOP14
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Input offset current: 60nA
Input bias current: 600nA
Input offset voltage: 4mV
Voltage supply range: ± 2...18V DC; 4...36V DC
Slew rate: 2V/μs
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: low noise
Bandwidth: 5MHz
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152VDR2G mc34152-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14094BDR2G mc14094b-d.pdf
MC14094BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; 8bit,shift and store; Ch: 1; CMOS; SMD; SO16; HEF4000B
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; shift and store
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO16
Family: HEF4000B
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14094BDTR2G mc14094b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; 3-state,shift and store,register; Ch: 1; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; register; shift and store
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Family: HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 21.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.06 грн
7+62.44 грн
10+54.38 грн
50+38.52 грн
100+33.57 грн
500+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1872 2106 2309 2310 2311 2312 2313 2314 2315 2316 2317 2318 2319 2340 2344  [ Наступна Сторінка >> ]