Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147492) > Сторінка 2311 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2306 2307 2308 2309 2310 2311 2312 2313 2314 2315 2316 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NC7SZ38M5 NC7SZ38M5 ONSEMI FAIRS03132-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NC7SZ38M5 - GATES / INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G02DFT2G MC74VHC1G02DFT2G ONSEMI ONSM-S-A0006651144-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MC74VHC1G02DFT2G - GATES & INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC11N MC74AC11N ONSEMI ONSMS12880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74AC11N - IC GATE AND 3CH 3-INP 14-DIP
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SBAV99LT3G SBAV99LT3G ONSEMI bav99lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBAV99LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.85 грн
1000+1.53 грн
5000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SS24T3G SS24T3G ONSEMI 2354012.pdf description Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.23 грн
50+20.24 грн
100+16.32 грн
500+11.52 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SS24T3G SS24T3G ONSEMI 2354012.pdf description Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.32 грн
500+11.52 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004C NTMFS08N004C ONSEMI ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0034 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.25 грн
10+242.33 грн
100+175.71 грн
500+137.64 грн
1000+122.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004C NTMFS08N004C ONSEMI ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0034 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+175.71 грн
500+137.64 грн
1000+122.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.72 грн
10+128.24 грн
50+110.76 грн
100+86.61 грн
250+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.61 грн
250+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV68261MTWAITBG NCV68261MTWAITBG ONSEMI 3708138.pdf Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV68261MTWAITBG NCV68261MTWAITBG ONSEMI 3708138.pdf Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.87 грн
19+44.47 грн
100+35.06 грн
500+29.00 грн
1000+24.63 грн
2500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1100EG MUR1100EG ONSEMI ONSM-S-A0013299297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MUR1100EG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.71 грн
18+48.05 грн
100+40.64 грн
500+28.92 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21HT1G BAS21HT1G ONSEMI 2236787.pdf Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.31 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21AHT1G BAS21AHT1G ONSEMI 1912202.pdf Description: ONSEMI - BAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.71 грн
1500+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z33VT1G MM3Z33VT1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+8.74 грн
142+5.88 грн
291+2.86 грн
500+2.58 грн
1500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z33VT1G MM3Z33VT1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.58 грн
1500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5257BLT1G MMBZ5257BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.95 грн
169+4.93 грн
350+2.38 грн
500+2.06 грн
1500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5257BLT1G MMBZ5257BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.06 грн
1500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC33275DT-3.3RKG MC33275DT-3.3RKG ONSEMI 1904484.pdf Description: ONSEMI - MC33275DT-3.3RKG - LDO-Festspannungsregler, 13Vin, 260mV Dropout-Spannung, 3.3V/300mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 13V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.38 грн
500+34.80 грн
1000+23.34 грн
2500+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP130BMX210TCG NCP130BMX210TCG ONSEMI ONSM-S-A0004903744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NCP130BMX210TCG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP136AFCT080T2G NCP136AFCT080T2G ONSEMI NCP136-D.PDF Description: ONSEMI - NCP136AFCT080T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.38 грн
500+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81174MNTXG NCP81174MNTXG ONSEMI NCP81174-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81174MNTXG - Synchroner DC/DC-Abwärtsregler (Buck), 4 Ausgänge, 1MHz, 7V bis 20V, 0°C bis 100°C, QFN-EP-32
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anzahl der Ausgänge: 4Outputs
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 377494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G NJT4030PT1G ONSEMI 1796570.pdf Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.21 грн
25+34.64 грн
50+28.81 грн
200+21.34 грн
500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ONSEMI njt4030p-d.pdf Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.32 грн
500+17.63 грн
1000+13.63 грн
5000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G NJT4030PT1G ONSEMI 1796570.pdf Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.81 грн
200+21.34 грн
500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.48 грн
200+22.73 грн
500+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2H200SFT1G MBR2H200SFT1G ONSEMI 2354500.pdf Description: ONSEMI - MBR2H200SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 940mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR2H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.98 грн
500+19.49 грн
1500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MURA220T3G MURA220T3G ONSEMI ONSM-S-A0013576891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.81 грн
50+21.24 грн
250+15.99 грн
1000+9.05 грн
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MURS220T3G MURS220T3G ONSEMI 1840575.pdf Description: ONSEMI - MURS220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.64 грн
50+23.90 грн
100+16.99 грн
500+12.14 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1501A MMBD1501A ONSEMI mmbd1501-d.pdf Description: ONSEMI - MMBD1501A - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.15 V, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+13.82 грн
91+9.16 грн
182+4.58 грн
500+3.56 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
NHP220SFT3G NHP220SFT3G ONSEMI nhp220sf-d.pdf Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.23 грн
41+20.57 грн
100+13.82 грн
500+9.98 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUR220G MUR220G ONSEMI mur220-d.pdf Description: ONSEMI - MUR220G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.89 грн
39+21.57 грн
100+14.66 грн
500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403 MMBD1403 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Description: ONSEMI - MMBD1403 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+14.82 грн
82+10.16 грн
159+5.25 грн
500+3.87 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404 MMBD1404 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Description: ONSEMI - MMBD1404 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+16.32 грн
75+11.24 грн
145+5.75 грн
500+4.56 грн
1000+3.43 грн
5000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
MUR220RLG MUR220RLG ONSEMI mur220-d.pdf Description: ONSEMI - MUR220RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.48 грн
34+25.07 грн
100+16.99 грн
500+12.37 грн
1000+9.35 грн
5000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP220SFT3G NRVHP220SFT3G ONSEMI ONSM-S-A0000181435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NRVHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 22820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.30 грн
27+31.56 грн
100+21.82 грн
500+16.01 грн
1000+11.85 грн
5000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NHP220SFT3G NHP220SFT3G ONSEMI nhp220sf-d.pdf Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.82 грн
500+9.98 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP420MFDWFT1G NRVHP420MFDWFT1G ONSEMI 2620045.pdf Description: ONSEMI - NRVHP420MFDWFT1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Zweifach, isoliert, 30 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: -V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 8 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+26.91 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BMT500TBG NCP718BMT500TBG ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.43 грн
15+59.13 грн
100+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6323BMTAATBG NCV6323BMTAATBG ONSEMI 2354516.pdf Description: ONSEMI - NCV6323BMTAATBG - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.5V-5.5Vin, 600mV-5.5Vout, 2Aout, WDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.38 грн
10+106.59 грн
50+89.94 грн
100+65.57 грн
250+52.46 грн
500+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L ONSEMI 2572523.pdf Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.00 грн
10+191.53 грн
100+139.90 грн
500+102.85 грн
1000+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAG NVTFS5C466NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013749940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0061 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.76 грн
11+81.11 грн
100+65.54 грн
500+52.97 грн
1000+44.75 грн
5000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BMT500TBG NCP718BMT500TBG ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAG NVTFS6H888NTAG ONSEMI 2711447.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.53 грн
19+46.13 грн
100+29.90 грн
500+19.80 грн
1000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAG NVTFS5C670NLTAG ONSEMI 2729232.pdf Description: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.76 грн
10+83.28 грн
100+61.62 грн
500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MC NTTFS022N15MC ONSEMI 3191527.pdf Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.0171 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.34 грн
10+156.56 грн
100+113.26 грн
500+88.15 грн
1000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAG NVTFS6H854NTAG ONSEMI 2711446.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.47 грн
500+35.57 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZ FDG1024NZ ONSEMI fdg1024nz-d.pdf Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 360mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.95 грн
18+48.55 грн
100+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703CDR2G NCV5703CDR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.54 грн
10+124.91 грн
50+108.26 грн
100+85.83 грн
250+69.17 грн
500+63.74 грн
1000+57.10 грн
2500+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.72 грн
50+27.65 грн
100+17.74 грн
500+12.37 грн
1500+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703CDR2G NCV5703CDR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.52 грн
250+49.89 грн
500+49.47 грн
1000+48.97 грн
2500+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5702DR2G NCV5702DR2G ONSEMI ncv5702-d.pdf Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.35 грн
10+195.70 грн
25+179.88 грн
50+142.28 грн
100+110.64 грн
250+99.22 грн
500+95.65 грн
1000+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5702DR2G NCV5702DR2G ONSEMI ncv5702-d.pdf Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.64 грн
250+99.22 грн
500+95.65 грн
1000+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.74 грн
500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LEN14 FMS7401LEN14 ONSEMI FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7401LEN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LVN14 FMS7401LVN14 ONSEMI FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7401LVN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LEN FMS7401LEN ONSEMI FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7401LEN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+238.17 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7G20US60S ONSEMI FAIRS23554-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7G20US60S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+1441.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ38M5 FAIRS03132-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NC7SZ38M5
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ38M5 - GATES / INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1250+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G02DFT2G ONSM-S-A0006651144-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MC74VHC1G02DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74VHC1G02DFT2G - GATES & INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC11N ONSMS12880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74AC11N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC11N - IC GATE AND 3CH 3-INP 14-DIP
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SBAV99LT3G bav99lt1-d.pdf
SBAV99LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAV99LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.85 грн
1000+1.53 грн
5000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SS24T3G description 2354012.pdf
SS24T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.23 грн
50+20.24 грн
100+16.32 грн
500+11.52 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SS24T3G description 2354012.pdf
SS24T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.32 грн
500+11.52 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004C ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS08N004C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0034 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.25 грн
10+242.33 грн
100+175.71 грн
500+137.64 грн
1000+122.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004C ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS08N004C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0034 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+175.71 грн
500+137.64 грн
1000+122.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.72 грн
10+128.24 грн
50+110.76 грн
100+86.61 грн
250+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.61 грн
250+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV68261MTWAITBG 3708138.pdf
NCV68261MTWAITBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV68261MTWAITBG 3708138.pdf
NCV68261MTWAITBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.87 грн
19+44.47 грн
100+35.06 грн
500+29.00 грн
1000+24.63 грн
2500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1100EG description ONSM-S-A0013299297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUR1100EG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR1100EG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.71 грн
18+48.05 грн
100+40.64 грн
500+28.92 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21HT1G 2236787.pdf
BAS21HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.31 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21AHT1G 1912202.pdf
BAS21AHT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.71 грн
1500+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z33VT1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z33VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+8.74 грн
142+5.88 грн
291+2.86 грн
500+2.58 грн
1500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z33VT1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z33VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.58 грн
1500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5257BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5257BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.95 грн
169+4.93 грн
350+2.38 грн
500+2.06 грн
1500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5257BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5257BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.06 грн
1500+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC33275DT-3.3RKG 1904484.pdf
MC33275DT-3.3RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33275DT-3.3RKG - LDO-Festspannungsregler, 13Vin, 260mV Dropout-Spannung, 3.3V/300mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 13V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.38 грн
500+34.80 грн
1000+23.34 грн
2500+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP130BMX210TCG ONSM-S-A0004903744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NCP130BMX210TCG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP130BMX210TCG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP136AFCT080T2G NCP136-D.PDF
NCP136AFCT080T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP136AFCT080T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H 2371197.pdf
ECH8690-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.38 грн
500+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81174MNTXG NCP81174-D.PDF
NCP81174MNTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81174MNTXG - Synchroner DC/DC-Abwärtsregler (Buck), 4 Ausgänge, 1MHz, 7V bis 20V, 0°C bis 100°C, QFN-EP-32
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anzahl der Ausgänge: 4Outputs
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 377494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G 1796570.pdf
NJT4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.21 грн
25+34.64 грн
50+28.81 грн
200+21.34 грн
500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJV4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.32 грн
500+17.63 грн
1000+13.63 грн
5000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G 1796570.pdf
NJT4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.81 грн
200+21.34 грн
500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1G ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSS40300MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.48 грн
200+22.73 грн
500+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2H200SFT1G 2354500.pdf
MBR2H200SFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 940mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR2H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.98 грн
500+19.49 грн
1500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MURA220T3G ONSM-S-A0013576891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MURA220T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.81 грн
50+21.24 грн
250+15.99 грн
1000+9.05 грн
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MURS220T3G 1840575.pdf
MURS220T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.64 грн
50+23.90 грн
100+16.99 грн
500+12.14 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1501A mmbd1501-d.pdf
MMBD1501A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBD1501A - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.15 V, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+13.82 грн
91+9.16 грн
182+4.58 грн
500+3.56 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
NHP220SFT3G nhp220sf-d.pdf
NHP220SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.23 грн
41+20.57 грн
100+13.82 грн
500+9.98 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MUR220G mur220-d.pdf
MUR220G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR220G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.89 грн
39+21.57 грн
100+14.66 грн
500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403 mmbd1405-d.pdf
MMBD1403
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBD1403 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+14.82 грн
82+10.16 грн
159+5.25 грн
500+3.87 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404 mmbd1405-d.pdf
MMBD1404
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBD1404 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+16.32 грн
75+11.24 грн
145+5.75 грн
500+4.56 грн
1000+3.43 грн
5000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
MUR220RLG mur220-d.pdf
MUR220RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR220RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.48 грн
34+25.07 грн
100+16.99 грн
500+12.37 грн
1000+9.35 грн
5000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP220SFT3G ONSM-S-A0000181435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NRVHP220SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 22820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.30 грн
27+31.56 грн
100+21.82 грн
500+16.01 грн
1000+11.85 грн
5000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NHP220SFT3G nhp220sf-d.pdf
NHP220SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.82 грн
500+9.98 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP420MFDWFT1G 2620045.pdf
NRVHP420MFDWFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVHP420MFDWFT1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Zweifach, isoliert, 30 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: -V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 8 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+26.91 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BMT500TBG 2711392.pdf
NCP718BMT500TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.43 грн
15+59.13 грн
100+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6323BMTAATBG 2354516.pdf
NCV6323BMTAATBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV6323BMTAATBG - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.5V-5.5Vin, 600mV-5.5Vout, 2Aout, WDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.38 грн
10+106.59 грн
50+89.94 грн
100+65.57 грн
250+52.46 грн
500+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L 2572523.pdf
FDMQ86530L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.00 грн
10+191.53 грн
100+139.90 грн
500+102.85 грн
1000+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAG ONSM-S-A0013749940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS5C466NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0061 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.76 грн
11+81.11 грн
100+65.54 грн
500+52.97 грн
1000+44.75 грн
5000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BMT500TBG 2711392.pdf
NCP718BMT500TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAG 2711447.pdf
NVTFS6H888NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.53 грн
19+46.13 грн
100+29.90 грн
500+19.80 грн
1000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAG 2729232.pdf
NVTFS5C670NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.76 грн
10+83.28 грн
100+61.62 грн
500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MC 3191527.pdf
NTTFS022N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.0171 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.34 грн
10+156.56 грн
100+113.26 грн
500+88.15 грн
1000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAG 2711446.pdf
NVTFS6H854NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.47 грн
500+35.57 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZ fdg1024nz-d.pdf
FDG1024NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 360mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.95 грн
18+48.55 грн
100+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703CDR2G
NCV5703CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.54 грн
10+124.91 грн
50+108.26 грн
100+85.83 грн
250+69.17 грн
500+63.74 грн
1000+57.10 грн
2500+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.72 грн
50+27.65 грн
100+17.74 грн
500+12.37 грн
1500+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703CDR2G
NCV5703CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.52 грн
250+49.89 грн
500+49.47 грн
1000+48.97 грн
2500+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5702DR2G ncv5702-d.pdf
NCV5702DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+217.35 грн
10+195.70 грн
25+179.88 грн
50+142.28 грн
100+110.64 грн
250+99.22 грн
500+95.65 грн
1000+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5702DR2G ncv5702-d.pdf
NCV5702DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.64 грн
250+99.22 грн
500+95.65 грн
1000+77.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.74 грн
500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LEN14 FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FMS7401LEN14
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7401LEN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LVN14 FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FMS7401LVN14
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7401LVN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+226.51 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LEN FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FMS7401LEN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7401LEN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+238.17 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7G20US60S FAIRS23554-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7G20US60S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+1441.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2306 2307 2308 2309 2310 2311 2312 2313 2314 2315 2316 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]