Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144934) > Сторінка 2307 з 2416

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1205 1446 1687 1928 2169 2302 2303 2304 2305 2306 2307 2308 2309 2310 2311 2312 2410 2416  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.82 грн
21+19.93 грн
100+11.86 грн
500+8.65 грн
1000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BU 2N7000BU ONSEMI 2N7000TA.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA ONSEMI 2N7000TA.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.48 грн
17+25.20 грн
20+21.50 грн
100+12.44 грн
500+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.27 грн
19+22.40 грн
22+19.19 грн
100+10.62 грн
250+8.73 грн
500+7.66 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.85 грн
31+13.59 грн
100+10.46 грн
500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.48 грн
18+23.14 грн
25+19.11 грн
50+16.55 грн
100+14.25 грн
500+10.21 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.04 грн
22+19.02 грн
29+14.50 грн
50+11.86 грн
100+9.88 грн
250+8.07 грн
500+7.17 грн
1000+6.51 грн
2000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G BC807-40LT1G ONSEMI BC807-xxL.pdf description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT3G BC807-40LT3G ONSEMI BC807-16LT1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD140G BD140G ONSEMI BD136G_BD140G.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Kind of package: bulk
Case: TO225
Collector current: 1.5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 40...250
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.90 грн
10+56.99 грн
50+43.81 грн
100+39.37 грн
250+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1401 MMBD1401 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.35W
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+7.98 грн
73+5.68 грн
78+5.32 грн
100+5.18 грн
250+4.97 грн
500+4.55 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403 MMBD1403 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double series
Leakage current: 0.1µA
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.35W
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404 MMBD1404 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 0.1µA
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.35W
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+15.96 грн
36+11.53 грн
41+10.05 грн
100+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404A MMBD1404A ONSEMI mmbd1405a-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 175V; 0.6A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 0.1µA
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1405 MMBD1405 ONSEMI mmbd1405-d.pdf FAIR-S-A0002364113-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 0.1µA
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.35W
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.63 грн
30+13.84 грн
35+12.11 грн
50+8.76 грн
100+7.72 грн
500+5.86 грн
1000+5.10 грн
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904BU 2N3904BU ONSEMI 2N3904BU-DTE.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 8702 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.74 грн
34+12.35 грн
40+10.54 грн
100+6.13 грн
500+4.34 грн
1000+3.80 грн
2000+3.38 грн
5000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904TFR 2N3904TFR ONSEMI 2N3904-D.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.10 грн
74+5.60 грн
80+5.19 грн
95+4.36 грн
102+4.06 грн
200+3.91 грн
500+3.62 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138L BSS138L ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.53 грн
54+7.74 грн
70+5.95 грн
100+5.24 грн
250+4.39 грн
500+3.81 грн
1000+3.27 грн
3000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1G BSS138LT1G ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 64088 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.51 грн
33+12.85 грн
41+10.28 грн
50+8.63 грн
100+7.24 грн
500+4.97 грн
1000+4.32 грн
3000+3.55 грн
6000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3G BSS138LT3G ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138W BSS138W ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.29 грн
26+15.98 грн
30+13.92 грн
50+9.80 грн
100+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2904DR2G LM2904DR2G ONSEMI lm358-d.pdf description Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Slew rate: 0.3V/μs
Input offset voltage: 10mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 50nA
Input offset current: 45...200nA
на замовлення 7216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.30 грн
40+10.38 грн
46+9.14 грн
49+8.57 грн
53+7.82 грн
100+6.34 грн
250+5.85 грн
500+5.52 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 321 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+328.16 грн
3+271.78 грн
10+220.72 грн
30+184.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI FGH40N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+338.81 грн
3+267.66 грн
10+225.66 грн
30+197.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.31 грн
10+159.77 грн
30+137.54 грн
120+136.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTU ONSEMI FGAF40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-10T1G BCP53-10T1G ONSEMI BCP53_ser.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.46 грн
16+25.78 грн
50+19.68 грн
100+17.38 грн
200+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-16T1G BCP53-16T1G ONSEMI BCP53_ser.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI BC856BDW1T1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.76 грн
59+7.00 грн
87+4.76 грн
104+3.99 грн
500+2.79 грн
1000+2.45 грн
1500+2.31 грн
3000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT1G BC856BLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BM3T5G BC856BM3T5G ONSEMI BC856BM3-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.64 грн
48+8.73 грн
54+7.66 грн
100+4.46 грн
500+3.06 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222ALT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 82893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.76 грн
69+6.01 грн
101+4.10 грн
119+3.48 грн
500+2.39 грн
1000+2.04 грн
3000+1.61 грн
6000+1.39 грн
9000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G ONSEMI MMBT2222ATT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.10 грн
87+4.78 грн
111+3.74 грн
121+3.41 грн
500+2.74 грн
1000+2.36 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 6563 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.87 грн
73+5.68 грн
104+3.99 грн
122+3.39 грн
250+2.75 грн
500+2.33 грн
1000+1.98 грн
1500+1.80 грн
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT3G MMBT2222AWT3G ONSEMI MMBT2222AWT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408RLG 1N5408RLG ONSEMI 1N540x.PDF description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; reel,tape; Ifsm: 200A; DO27; Ir: 50uA
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.29 грн
32+13.18 грн
50+10.29 грн
100+9.31 грн
200+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120SD FOD3120SD ONSEMI FOD3120SD.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Slew rate: 35kV/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120SDV FOD3120SDV ONSEMI FOD3120SD.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Slew rate: 35kV/μs
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 60ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC132DG MC74AC132DG ONSEMI MC74AC132DG.PDF Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -40÷85°C; tube
Case: SO14
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: quad; 4
Kind of input: with Schmitt trigger
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 2
Supply voltage: 2...6V DC
Family: AC
Technology: CMOS
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.27 грн
21+20.26 грн
25+18.94 грн
55+17.79 грн
110+16.64 грн
275+15.40 грн
550+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16T1G BCP56-16T1G ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.69 грн
17+24.46 грн
50+19.27 грн
100+17.30 грн
200+15.48 грн
500+13.01 грн
1000+10.95 грн
2000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16T3G BCP56-16T3G ONSEMI BCP56T1-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-16T1G SBCP56-16T1G ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 1A
Current gain: 100...250
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2N7002K-FSC-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.29 грн
28+15.15 грн
33+12.52 грн
57+7.30 грн
100+5.89 грн
500+4.18 грн
1000+3.83 грн
1500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KT1G 2N7002KT1G ONSEMI 2N7002K.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4742A 1N4742A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 12V; DO41; single diode; bulk; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 12V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.21 грн
136+3.05 грн
160+2.58 грн
250+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4742ATR 1N4742ATR ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 12V; DO41; single diode; reel,tape; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 12V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 664 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.53 грн
54+7.74 грн
61+6.75 грн
91+4.53 грн
109+3.79 грн
500+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM317TG LM317TG ONSEMI LM317.pdf Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 1.5A; TO220-3
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 1.5A
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Heatsink thickness: 0.51...0.61mm
Input voltage: 3...40V
Manufacturer series: LM317
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.12 грн
14+31.38 грн
25+28.99 грн
50+27.59 грн
100+26.27 грн
250+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C16HU4I-GT3 ONSEMI CAT24C01-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2048x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Case: uDFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400kHz
Memory: 16kb EEPROM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 2048x8bit
Interface: I2C
Operating voltage: 1.7...5.5V
Kind of memory: EEPROM
Access time: 900ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDW1T1G BC847CDW1T1G ONSEMI BC846BDW1T1-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ONSEMI BC847CDXV6T1-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.08 грн
44+9.39 грн
62+6.65 грн
100+5.79 грн
250+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CLT1G BC847CLT1G ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CLT3G BC847CLT3G ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G ONSEMI BC856BDW1T1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G BC857CLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT1G BC817-25LT1G ONSEMI BC817-xxL.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT3G BC817-25LT3G ONSEMI BC817-16LT1-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10000+1.24 грн
20000+1.12 грн
30000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-25LT1G SBC817-25LT1G ONSEMI BC817-xxL.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.08 грн
38+10.87 грн
44+9.39 грн
64+6.49 грн
100+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D74Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D74Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000-D75Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.82 грн
21+19.93 грн
100+11.86 грн
500+8.65 грн
1000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000BU 2N7000TA.pdf
2N7000BU
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000TA 2N7000TA.pdf
2N7000TA
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.48 грн
17+25.20 грн
20+21.50 грн
100+12.44 грн
500+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170,MMBF170.PDF
BS170
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.27 грн
19+22.40 грн
22+19.19 грн
100+10.62 грн
250+8.73 грн
500+7.66 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.85 грн
31+13.59 грн
100+10.46 грн
500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.48 грн
18+23.14 грн
25+19.11 грн
50+16.55 грн
100+14.25 грн
500+10.21 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.04 грн
22+19.02 грн
29+14.50 грн
50+11.86 грн
100+9.88 грн
250+8.07 грн
500+7.17 грн
1000+6.51 грн
2000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description BC807-xxL.pdf
BC807-40LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT3G BC807-16LT1-D.PDF
BC807-40LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD140G BD136G_BD140G.PDF
BD140G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Kind of package: bulk
Case: TO225
Collector current: 1.5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 40...250
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.90 грн
10+56.99 грн
50+43.81 грн
100+39.37 грн
250+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1401 mmbd1405-d.pdf
MMBD1401
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.35W
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+7.98 грн
73+5.68 грн
78+5.32 грн
100+5.18 грн
250+4.97 грн
500+4.55 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403 mmbd1405-d.pdf
MMBD1403
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double series
Leakage current: 0.1µA
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.35W
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404 mmbd1405-d.pdf
MMBD1404
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 0.1µA
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.35W
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+15.96 грн
36+11.53 грн
41+10.05 грн
100+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404A mmbd1405a-d.pdf
MMBD1404A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 175V; 0.6A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 0.1µA
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1405 mmbd1405-d.pdf FAIR-S-A0002364113-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBD1405
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 0.1µA
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 50ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.35W
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.63 грн
30+13.84 грн
35+12.11 грн
50+8.76 грн
100+7.72 грн
500+5.86 грн
1000+5.10 грн
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904BU 2N3904BU-DTE.pdf
2N3904BU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 8702 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.74 грн
34+12.35 грн
40+10.54 грн
100+6.13 грн
500+4.34 грн
1000+3.80 грн
2000+3.38 грн
5000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3904TFR 2N3904-D.pdf
2N3904TFR
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.10 грн
74+5.60 грн
80+5.19 грн
95+4.36 грн
102+4.06 грн
200+3.91 грн
500+3.62 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138L BSS138L.PDF
BSS138L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.53 грн
54+7.74 грн
70+5.95 грн
100+5.24 грн
250+4.39 грн
500+3.81 грн
1000+3.27 грн
3000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1G BSS138L.PDF
BSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 64088 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.51 грн
33+12.85 грн
41+10.28 грн
50+8.63 грн
100+7.24 грн
500+4.97 грн
1000+4.32 грн
3000+3.55 грн
6000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3G BSS138L.PDF
BSS138LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138W
BSS138W
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.29 грн
26+15.98 грн
30+13.92 грн
50+9.80 грн
100+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2904DR2G description lm358-d.pdf
LM2904DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Slew rate: 0.3V/μs
Input offset voltage: 10mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 50nA
Input offset current: 45...200nA
на замовлення 7216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.30 грн
40+10.38 грн
46+9.14 грн
49+8.57 грн
53+7.82 грн
100+6.34 грн
250+5.85 грн
500+5.52 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFD.pdf
FGH40N60SFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 321 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+328.16 грн
3+271.78 грн
10+220.72 грн
30+184.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD FGH40N60SMD.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+338.81 грн
3+267.66 грн
10+225.66 грн
30+197.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.31 грн
10+159.77 грн
30+137.54 грн
120+136.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFDTU FGAF40N60UFD.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-10T1G BCP53_ser.pdf
BCP53-10T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.46 грн
16+25.78 грн
50+19.68 грн
100+17.38 грн
200+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-16T1G BCP53_ser.pdf
BCP53-16T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.76 грн
59+7.00 грн
87+4.76 грн
104+3.99 грн
500+2.79 грн
1000+2.45 грн
1500+2.31 грн
3000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT1G BC856_7_8.PDF
BC856BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856_7_8.PDF
BC856BLT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BM3T5G BC856BM3-D.PDF
BC856BM3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT723
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.64 грн
48+8.73 грн
54+7.66 грн
100+4.46 грн
500+3.06 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT1G MMBT2222.PDF
MMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 82893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.76 грн
69+6.01 грн
101+4.10 грн
119+3.48 грн
500+2.39 грн
1000+2.04 грн
3000+1.61 грн
6000+1.39 грн
9000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ALT3G MMBT2222.PDF
MMBT2222ALT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G.PDF
MMBT2222ATT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.10 грн
87+4.78 грн
111+3.74 грн
121+3.41 грн
500+2.74 грн
1000+2.36 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT1G description MMBT2222AWT1G.pdf
MMBT2222AWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 6563 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+8.87 грн
73+5.68 грн
104+3.99 грн
122+3.39 грн
250+2.75 грн
500+2.33 грн
1000+1.98 грн
1500+1.80 грн
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2222AWT3G MMBT2222AWT1G.pdf
MMBT2222AWT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408RLG description 1N540x.PDF
1N5408RLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; reel,tape; Ifsm: 200A; DO27; Ir: 50uA
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.29 грн
32+13.18 грн
50+10.29 грн
100+9.31 грн
200+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120SD FOD3120SD.pdf
FOD3120SD
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Slew rate: 35kV/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD3120SDV FOD3120SD.pdf
FOD3120SDV
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Slew rate: 35kV/μs
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 60ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC132DG MC74AC132DG.PDF
MC74AC132DG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -40÷85°C; tube
Case: SO14
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: quad; 4
Kind of input: with Schmitt trigger
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 2
Supply voltage: 2...6V DC
Family: AC
Technology: CMOS
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.27 грн
21+20.26 грн
25+18.94 грн
55+17.79 грн
110+16.64 грн
275+15.40 грн
550+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16T1G BCP56_ser.pdf
BCP56-16T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.69 грн
17+24.46 грн
50+19.27 грн
100+17.30 грн
200+15.48 грн
500+13.01 грн
1000+10.95 грн
2000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56-16T3G BCP56T1-D.PDF
BCP56-16T3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-16T1G BCP56_ser.pdf
SBCP56-16T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 1A
Current gain: 100...250
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K-FSC-D.PDF
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.29 грн
28+15.15 грн
33+12.52 грн
57+7.30 грн
100+5.89 грн
500+4.18 грн
1000+3.83 грн
1500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KT1G 2N7002K.PDF
2N7002KT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4742A 1N47xxA.PDF
1N4742A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 12V; DO41; single diode; bulk; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 12V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.21 грн
136+3.05 грн
160+2.58 грн
250+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4742ATR 1N47xxA.PDF
1N4742ATR
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 12V; DO41; single diode; reel,tape; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 12V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 664 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.53 грн
54+7.74 грн
61+6.75 грн
91+4.53 грн
109+3.79 грн
500+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM317TG LM317.pdf
LM317TG
Виробник: ONSEMI
Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 1.5A; TO220-3
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 1.5A
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Number of channels: 1
Heatsink thickness: 0.51...0.61mm
Input voltage: 3...40V
Manufacturer series: LM317
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.12 грн
14+31.38 грн
25+28.99 грн
50+27.59 грн
100+26.27 грн
250+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C16HU4I-GT3 CAT24C01-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 16kbEEPROM; I2C; 2048x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Case: uDFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400kHz
Memory: 16kb EEPROM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 2048x8bit
Interface: I2C
Operating voltage: 1.7...5.5V
Kind of memory: EEPROM
Access time: 900ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDW1T1G BC846BDW1T1-D.PDF
BC847CDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1-D.PDF
BC847CDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.08 грн
44+9.39 грн
62+6.65 грн
100+5.79 грн
250+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CLT1G BC846ALT1G.PDF
BC847CLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CLT3G BC846ALT1G.PDF
BC847CLT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC857CDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CLT1G description BC856_7_8.PDF
BC857CLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT1G BC817-xxL.pdf
BC817-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT3G BC817-16LT1-D.PDF
BC817-25LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Manufacturer standard package: 10000pcs.
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.24 грн
20000+1.12 грн
30000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-25LT1G BC817-xxL.pdf
SBC817-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.08 грн
38+10.87 грн
44+9.39 грн
64+6.49 грн
100+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1205 1446 1687 1928 2169 2302 2303 2304 2305 2306 2307 2308 2309 2310 2311 2312 2410 2416  [ Наступна Сторінка >> ]