Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142647) > Сторінка 2306 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2301 2302 2303 2304 2305 2306 2307 2308 2309 2310 2311 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.02 грн
8+53.37 грн
10+46.58 грн
50+34.05 грн
100+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G DTA115EET1G ONSEMI dta115e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.32 грн
61+6.71 грн
100+4.07 грн
500+2.94 грн
1000+2.57 грн
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
6N136SM ONSEMI DD93217-6N135_136-ICPL4502_4503-240717.pdf hcpl2530m-d.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; 5kV
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1298YMTF KSA1298YMTF ONSEMI KSA1298.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.8A; 0.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...320
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.06 грн
48+8.49 грн
100+4.80 грн
500+3.30 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FXMA2104UMX FXMA2104UMX ONSEMI FXMA2104UMX.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP12; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 4
Case: MLP12
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
Frequency: 26MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005G 1N4005G ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: bulk
Case: CASE59
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.71 грн
60+6.79 грн
67+6.07 грн
81+5.05 грн
105+3.86 грн
500+2.90 грн
1000+2.59 грн
2000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB242GEVB ONSEMI Category: Unclassified
Description: FSUSB242GEVB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9583.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4007 UF4007 ONSEMI UF4001.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 75uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Power dissipation: 2.08W
Leakage current: 75µA
Capacitance: 17pF
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
26+15.69 грн
30+13.75 грн
100+8.98 грн
250+7.68 грн
500+6.87 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085 ONSEMI fgh40n60smd_f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMD ONSEMI fgaf40n60smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU ONSEMI fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 ONSEMI fgb20n60s_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Version: ESD
Application: ignition systems
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 63nC
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155 ONSEMI fgh60t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 ONSEMI fgh60t65sqd-f155-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD ONSEMI fga40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+364.03 грн
5+295.17 грн
10+266.05 грн
25+225.62 грн
100+215.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155 ONSEMI fgh40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 72.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155 ONSEMI fgh40t65shdf-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI fgh40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD ONSEMI fghl40t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT ONSEMI fghl40t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; tube; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: tube
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPG TL431ACLPG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPRAG TL431ACLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36 SS36 ONSEMI SS32_SS39.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; reel,tape; 2.27W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+33.09 грн
15+28.06 грн
50+23.13 грн
100+21.03 грн
250+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCLPRAG TL431BCLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BILPRAG TL431BILPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.25 грн
10+59.44 грн
25+51.35 грн
100+40.51 грн
250+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 ONSEMI fgh40t120sqdnl4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 221nC
Power dissipation: 227W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD ONSEMI fghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD ONSEMI fghl40t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.84 грн
3+249.07 грн
10+219.96 грн
30+198.13 грн
120+186.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRAG TL431CLPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRPG TL431CLPRPG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ILPRAG TL431ILPRAG ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937RLG 1N4937RLG ONSEMI 1N4933_7.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; Ufmax: 1.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.45 грн
50+8.09 грн
55+7.36 грн
70+5.82 грн
100+5.22 грн
250+4.46 грн
500+3.94 грн
1000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA42 MPSA42 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD16ACED0932469&compId=MMBTA42.pdf?ci_sign=d0f278944933b99d2d9c5920cc335dd65965ed04 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Kind of package: bulk
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
33+12.62 грн
100+7.36 грн
250+6.23 грн
500+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWD ONSEMI fgy140t120swd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQD ONSEMI fgh4l40t120lqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431IDR2G ONSEMI tl431-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4733A 1N4733A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 5.1V; bulk; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.68 грн
45+9.06 грн
56+7.28 грн
100+4.42 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1N4749A 1N4749A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 24V; bulk; DO41; single diode; 5uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 24V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.32 грн
50+8.25 грн
57+7.12 грн
84+4.85 грн
100+4.12 грн
250+3.38 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
1N4933G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB87CB914A100D6&compId=1N4933_7.PDF?ci_sign=3be4f95dd660378c4c9ca5195cf5fa6d26cfbd92 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41
Case: CASE59-10; DO41
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 200ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+53.99 грн
12+33.88 грн
50+26.36 грн
100+23.45 грн
250+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16WT1G BAS16WT1G ONSEMI BAS16WT1G.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SC70; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SC70
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.97 грн
99+4.12 грн
178+2.28 грн
500+1.57 грн
1000+1.37 грн
3000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T1G BAS16XV2T1G ONSEMI BAS16XV2.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 8837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.35 грн
136+2.99 грн
179+2.26 грн
204+1.99 грн
500+1.46 грн
1000+1.29 грн
1500+1.20 грн
3000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T5G BAS16XV2T5G ONSEMI bas16xv2t1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.97 грн
88+4.61 грн
147+2.76 грн
500+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5181DR2G NCP5181DR2G ONSEMI ncp5181-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.2...1.4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.34 грн
5+96.23 грн
25+92.19 грн
100+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G04DTT1G
+1
 		MC74VHC1G04DTT1G ONSEMI mc74vhc1g04-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; TSOP5; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Case: TSOP5
Supply voltage: 2...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 1
Kind of gate: NOT
Family: VHC
Quiescent current: 40µA
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.71 грн
66+6.15 грн
75+5.42 грн
100+5.01 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54LT1G BAT54LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890AF7BE50B39B3D3&compId=BAT54L.pdf?ci_sign=064d94560ec27286bce7f7c2c3cba8c176530655 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 7.6pF
Reverse recovery time: 5ns
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.52V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.10 грн
105+3.88 грн
145+2.80 грн
168+2.41 грн
500+1.72 грн
1000+1.50 грн
3000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MC1413BDG MC1413BDG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58F8427E3C0F4C469&compId=MC1413BDG.PDF?ci_sign=e737d51d4eaf8f18d72f80713685830a5df7b71c Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 50V
Number of channels: 7
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Application: for inductive load
Input voltage: 30V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ07DTT1G NL27WZ07DTT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAAE0491F7A9AC0C7&compId=NL27WZ07DTT1G.pdf?ci_sign=6cada46b653a0bff601492ead9202806f539754b Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Technology: CMOS
Number of channels: 2
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FXL5T244BQX FXL5T244BQX ONSEMI FXL5T244BQX.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Case: DQFN14
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 5
Number of inputs: 5
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.45 грн
10+54.18 грн
25+52.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L45CTG MBR20L45CTG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B7A11F5AAB89A143&compId=MBR20L45CTG.pdf?ci_sign=76a44709c3eabd10282116ab097fb12237ace48c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 10Ax2; TO220-3; Ufmax: 0.47V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220-3
Max. forward voltage: 0.47V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 ONSEMI fdms86520-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51460SN33T1G NCP51460SN33T1G ONSEMI ncp51460-d.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 3.3V; ±1%; SOT23; reel,tape; 20mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 3.3V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: 0...100°C
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 20mA
Operating voltage: 4.2...28V
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.22 грн
11+38.57 грн
25+33.16 грн
100+26.52 грн
250+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.02 грн
8+53.37 грн
10+46.58 грн
50+34.05 грн
100+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DTA115EET1G dta115e-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.32 грн
61+6.71 грн
100+4.07 грн
500+2.94 грн
1000+2.57 грн
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
6N136SM DD93217-6N135_136-ICPL4502_4503-240717.pdf hcpl2530m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; 5kV
Type of optocoupler: optocoupler
Insulation voltage: 5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1298YMTF KSA1298.PDF
KSA1298YMTF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.8A; 0.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...320
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.06 грн
48+8.49 грн
100+4.80 грн
500+3.30 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FXMA2104UMX FXMA2104UMX.pdf
FXMA2104UMX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP12; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 4
Case: MLP12
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
Frequency: 26MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005G 1N4001-D.PDF
1N4005G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: bulk
Case: CASE59
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.71 грн
60+6.79 грн
67+6.07 грн
81+5.05 грн
105+3.86 грн
500+2.90 грн
1000+2.59 грн
2000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB242GEVB
Виробник: ONSEMI
Category: Unclassified
Description: FSUSB242GEVB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9583.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF4007 UF4001.pdf
UF4007
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; Ir: 75uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Power dissipation: 2.08W
Leakage current: 75µA
Capacitance: 17pF
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
26+15.69 грн
30+13.75 грн
100+8.98 грн
250+7.68 грн
500+6.87 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60SMD fgaf40n60smd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 58W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Version: ESD
Application: ignition systems
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 63nC
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155 fgh60t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155 fgh60t65sqd-f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD fga40t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 fgb40t65spd-f085-d.pdf
FGB40T65SPD-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+364.03 грн
5+295.17 грн
10+266.05 грн
25+225.62 грн
100+215.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 72.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQD fghl40t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDT fghl40t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDG tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; tube; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: tube
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SO8; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPG tl431-d.pdf
TL431ACLPG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ACLPRAG tl431-d.pdf
TL431ACLPRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36 SS32_SS39.pdf
SS36
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; reel,tape; 2.27W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.27W
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.09 грн
15+28.06 грн
50+23.13 грн
100+21.03 грн
250+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BCLPRAG tl431-d.pdf
TL431BCLPRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BILPRAG tl431-d.pdf
TL431BILPRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.4%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.4%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.25 грн
10+59.44 грн
25+51.35 грн
100+40.51 грн
250+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 221nC
Power dissipation: 227W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWD fghl40t120rwd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWD fghl40t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.84 грн
3+249.07 грн
10+219.96 грн
30+198.13 грн
120+186.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRAG tl431-d.pdf
TL431CLPRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431CLPRPG tl431-d.pdf
TL431CLPRPG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: 0...70°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ILPRAG tl431-d.pdf
TL431ILPRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; TO92; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937RLG 1N4933_7.PDF
1N4937RLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; Ufmax: 1.2V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
50+8.09 грн
55+7.36 грн
70+5.82 грн
100+5.22 грн
250+4.46 грн
500+3.94 грн
1000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA42 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD16ACED0932469&compId=MMBTA42.pdf?ci_sign=d0f278944933b99d2d9c5920cc335dd65965ed04
MPSA42
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Kind of package: bulk
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
33+12.62 грн
100+7.36 грн
250+6.23 грн
500+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FGY140T120SWD fgy140t120swd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 576W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 140A
Power dissipation: 576W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 560A
Mounting: THT
Gate charge: 415.4nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL431IDR2G tl431-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±2.2%; SO8; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±2.2%
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4733A 1N47xxA.PDF
1N4733A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 5.1V; bulk; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.68 грн
45+9.06 грн
56+7.28 грн
100+4.42 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
1N4749A 1N47xxA.PDF
1N4749A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 24V; bulk; DO41; single diode; 5uA; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 24V
Kind of package: bulk
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.32 грн
50+8.25 грн
57+7.12 грн
84+4.85 грн
100+4.12 грн
250+3.38 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
1N4933G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FB87CB914A100D6&compId=1N4933_7.PDF?ci_sign=3be4f95dd660378c4c9ca5195cf5fa6d26cfbd92
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41
Case: CASE59-10; DO41
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 200ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06
FDG6335N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.99 грн
12+33.88 грн
50+26.36 грн
100+23.45 грн
250+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16WT1G BAS16WT1G.pdf
BAS16WT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SC70; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SC70
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.97 грн
99+4.12 грн
178+2.28 грн
500+1.57 грн
1000+1.37 грн
3000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T1G BAS16XV2.PDF
BAS16XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 8837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.35 грн
136+2.99 грн
179+2.26 грн
204+1.99 грн
500+1.46 грн
1000+1.29 грн
1500+1.20 грн
3000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T5G bas16xv2t1-d.pdf
BAS16XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.715V; 200mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.715V
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.97 грн
88+4.61 грн
147+2.76 грн
500+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5181DR2G ncp5181-d.pdf
NCP5181DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.2...1.4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.34 грн
5+96.23 грн
25+92.19 грн
100+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G04DTT1G mc74vhc1g04-d.pdf
MC74VHC1G04DTT1G
+1
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; TSOP5; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Case: TSOP5
Supply voltage: 2...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 1
Kind of gate: NOT
Family: VHC
Quiescent current: 40µA
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.71 грн
66+6.15 грн
75+5.42 грн
100+5.01 грн
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890AF7BE50B39B3D3&compId=BAT54L.pdf?ci_sign=064d94560ec27286bce7f7c2c3cba8c176530655
BAT54LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 7.6pF
Reverse recovery time: 5ns
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.52V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.10 грн
105+3.88 грн
145+2.80 грн
168+2.41 грн
500+1.72 грн
1000+1.50 грн
3000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MC1413BDG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58F8427E3C0F4C469&compId=MC1413BDG.PDF?ci_sign=e737d51d4eaf8f18d72f80713685830a5df7b71c
MC1413BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Case: SO16
Output current: 0.5A
Output voltage: 50V
Number of channels: 7
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Application: for inductive load
Input voltage: 30V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ07DTT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAAE0491F7A9AC0C7&compId=NL27WZ07DTT1G.pdf?ci_sign=6cada46b653a0bff601492ead9202806f539754b
NL27WZ07DTT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Technology: CMOS
Number of channels: 2
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FXL5T244BQX FXL5T244BQX.pdf
FXL5T244BQX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Case: DQFN14
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 5
Number of inputs: 5
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.45 грн
10+54.18 грн
25+52.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20L45CTG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B7A11F5AAB89A143&compId=MBR20L45CTG.pdf?ci_sign=76a44709c3eabd10282116ab097fb12237ace48c
MBR20L45CTG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 10Ax2; TO220-3; Ufmax: 0.47V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220-3
Max. forward voltage: 0.47V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520 fdms86520-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51460SN33T1G ncp51460-d.pdf
NCP51460SN33T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 3.3V; ±1%; SOT23; reel,tape; 20mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 3.3V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: 0...100°C
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 20mA
Operating voltage: 4.2...28V
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.22 грн
11+38.57 грн
25+33.16 грн
100+26.52 грн
250+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2301 2302 2303 2304 2305 2306 2307 2308 2309 2310 2311 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]