| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSM4002MR6T1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500µW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MMBTA42LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 14672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MMBT100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MMUN2112LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BZX84C2V7LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V |
на замовлення 26308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MOC3021SR2VM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MOC3021SR2VM - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5.3 kV, Momentwert, 400 V tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Triac-Betriebsart: Momentwert isCanonical: N Isolationsspannung: 5.3kV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SS32 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MC33269DR2-3.3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33269DR2-3.3G - LDO-Festspannungsregler, 20Vin, 1.1V Dropout-Spannung, 3.3V/800mAout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 800mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3.3V 800mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 800mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BC547BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC547BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 23083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
S1M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 86282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
S1M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1M productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MBRM140T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-216AA Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 850mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRM1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MC14012BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC14012BDR2G - NAND-Gatter, MC14012, 4 Eingänge, 3V bis 18V, NSOIC-14 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 4000B Anzahl der Elemente: Zwei Bauform - Logikbaustein: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 4012 productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Anzahl der Eingänge: 4Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NC7SZ125L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ125L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: MLP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: MLP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 4470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FFSM1265A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 12A, QFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: QFN Kapazitive Gesamtladung: 40nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4 Pin Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MM3Z12VT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z12VT1G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3ZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V |
на замовлення 2419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MC74HC157ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC157ADR2G - Datenselektor / Multiplexer, Baureihe HC, 4 Kanäle, 2:1, 2V bis 6V, SOIC-16 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74157 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC157 Logiktyp: Datenselektor / Multiplexer Leitungskonfiguration: 2:1 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 9216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MC74HC157ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC157ADR2G - Datenselektor / Multiplexer, Baureihe HC, 4 Kanäle, 2:1, 2V bis 6V, SOIC-16 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74157 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC157 Logiktyp: Datenselektor / Multiplexer Leitungskonfiguration: 2:1 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 9216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MC74HC573ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC573ADTR2G - Latch, Baureihe HC, 74HC573, Transparent, Tri-State, nicht invertiert, 30 ns, TSSOP tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74573 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: TSSOP IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: Y Anzahl der Bits: 8bit IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC573 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Ausbreitungsverzögerung: 30ns Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Latchtyp: Transparent Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MC74HC573ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC573ADTR2G - Latch, Baureihe HC, 74HC573, Transparent, Tri-State, nicht invertiert, 30 ns, TSSOP tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74573 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: TSSOP IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: N Anzahl der Bits: 8bit IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC573 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Ausbreitungsverzögerung: 30ns Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Latchtyp: Transparent Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MDB10S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MDB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1 A, Micro DIP, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Micro DIP Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
S1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 20100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
S1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 28616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FUSB15201DVMNWTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FUSB15201DVMNWTWG - USB-C- und PD-Controller, OCP, Sink/Source, 3.3V bis 5.5V, WQFN-EP-24 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES USB-Version: USB PD 2.1, 3.1 IC-Montage: Oberflächenmontage Stromversorgungsrolle: Sink, Source hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Datenrolle: OCP Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WQFN-EP Strom, lq: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.3V Anzahl der Ports: 2 Ports SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) USB-IC: USB-C- und PD-Controller Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MC14015BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC14015BDR2G - Schieberegister, MC14015B, Seriell zu parallel, 2 Elemente, 4 bit, SOIC, 16 Pin(s) tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 4015 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 4000 Bauform - Logikbaustein: SOIC IC-Ausgang: - Anzahl der Elemente: 2 Elemente Schieberegisterfunktion: Seriell zu parallel hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 3V Logikfamilie / Sockelnummer: MC14015B SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Bits pro Element: 4bit |
на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BAT54LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 63878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NVH4L022N120M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 352W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NTHL022N120M3S. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL022N120M3S. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247 tariffCode: 0 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 352W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NVMFWS1D1N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 233A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NVMFWS1D1N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
1N5375BRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5375BRLG - ZENER DIODE, 5W, 82V, 017AA tariffCode: 0 Bauform - Diode: 017AA euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Through Hole hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 82V directShipCharge: 25 |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
1N4007RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4007 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTR2101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 960mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
на замовлення 24272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTR2101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 960mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
на замовлення 24272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDS3572 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
FDS6912A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FDS4672A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDS4897C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FDS4897C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDT86102LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 2.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
ADT7461ARMZ-R7 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ADT7461ARMZ-R7 - 1C TDM SRC EXT TMP RGE IC tariffCode: 0 euEccn: NLR Genauigkeit: ± 1°C rohsCompliant: YES Auflösung: - Gemessene Temperatur, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Gemessene Temperatur, min.: -55°C Qualifikation: - isCanonical: Y Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Sensorgehäuse/-bauform: MSOP SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Sensorausgang: Digital Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 120°C Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus directShipCharge: 25 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FDC3512 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.077 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MC74HCT04ADG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HCT04ADG - Inverter, 74HCT04, 1 Eingang, 4mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HCT Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: NSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 4mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74HCT04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
LM2904VDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: -45nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
LM2904VDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 0.6V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: -45nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BC32725TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC32725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignaltransistor, PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
LM293DR2G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - LM293DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.3 µs, ± 1V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Ansprechzeit: 1.3µs euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage IC-Ausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL Komparatorausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL Versorgungsspannung: ± 1V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -25°C Komparatortyp: Präzisionskomparator SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs Anzahl der Komparatoren: 2 Komparatoren Betriebstemperatur, max.: 85°C Bauform - Komparator: SOIC |
на замовлення 17159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BC557BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MM3Z6V2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z6V2T1G - Zener-Diode, Universal, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MM3ZxxxT1G productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.2V |
на замовлення 13003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
GBPC3506W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC3506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 400A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FQD3P50TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD3P50TM - QF -500V 4.9OHM DPAK 08AK6016 tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
NSR0320MW2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 5A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR03 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 23V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
NSR0320MW2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 5A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR03 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 23V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BC846BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NTMFS005P03P8ZT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 2700 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NTBG1000N170M1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: 51W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTBG1000N170M1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: 51W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
1SMB5917BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5917BT3G - Zener-Diode, 4.7 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
1SMB5913BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5913BT3G - Zener-Diode, 3.3 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MBR2H200SFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 940mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR2H productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NSM4002MR6T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500µW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500µW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBTA42LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBT100 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMUN2112LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84C2V7LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
Description: ONSEMI - BZX84C2V7LT1G - Zener-Diode, 2.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
на замовлення 26308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MOC3021SR2VM |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MOC3021SR2VM - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5.3 kV, Momentwert, 400 V
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Triac-Betriebsart: Momentwert
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5.3kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - MOC3021SR2VM - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5.3 kV, Momentwert, 400 V
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Triac-Betriebsart: Momentwert
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5.3kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SS32 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC33269DR2-3.3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33269DR2-3.3G - LDO-Festspannungsregler, 20Vin, 1.1V Dropout-Spannung, 3.3V/800mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 800mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 800mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - MC33269DR2-3.3G - LDO-Festspannungsregler, 20Vin, 1.1V Dropout-Spannung, 3.3V/800mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 800mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 800mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 800mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC547BTA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC547BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC547BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S1M |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 86282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S1M |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MBRM140T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 850mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 850mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC14012BDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14012BDR2G - NAND-Gatter, MC14012, 4 Eingänge, 3V bis 18V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4012
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC14012BDR2G - NAND-Gatter, MC14012, 4 Eingänge, 3V bis 18V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4012
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NC7SZ125L6X |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ125L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NC7SZ125L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSM1265A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 12A, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 12A, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MM3Z12VT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z12VT1G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
Description: ONSEMI - MM3Z12VT1G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74HC157ADR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC157ADR2G - Datenselektor / Multiplexer, Baureihe HC, 4 Kanäle, 2:1, 2V bis 6V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC157
Logiktyp: Datenselektor / Multiplexer
Leitungskonfiguration: 2:1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HC157ADR2G - Datenselektor / Multiplexer, Baureihe HC, 4 Kanäle, 2:1, 2V bis 6V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC157
Logiktyp: Datenselektor / Multiplexer
Leitungskonfiguration: 2:1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74HC157ADR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC157ADR2G - Datenselektor / Multiplexer, Baureihe HC, 4 Kanäle, 2:1, 2V bis 6V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC157
Logiktyp: Datenselektor / Multiplexer
Leitungskonfiguration: 2:1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HC157ADR2G - Datenselektor / Multiplexer, Baureihe HC, 4 Kanäle, 2:1, 2V bis 6V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC157
Logiktyp: Datenselektor / Multiplexer
Leitungskonfiguration: 2:1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74HC573ADTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC573ADTR2G - Latch, Baureihe HC, 74HC573, Transparent, Tri-State, nicht invertiert, 30 ns, TSSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74573
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC573
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausbreitungsverzögerung: 30ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Latchtyp: Transparent
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HC573ADTR2G - Latch, Baureihe HC, 74HC573, Transparent, Tri-State, nicht invertiert, 30 ns, TSSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74573
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC573
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausbreitungsverzögerung: 30ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Latchtyp: Transparent
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74HC573ADTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC573ADTR2G - Latch, Baureihe HC, 74HC573, Transparent, Tri-State, nicht invertiert, 30 ns, TSSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74573
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
Anzahl der Bits: 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC573
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausbreitungsverzögerung: 30ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Latchtyp: Transparent
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HC573ADTR2G - Latch, Baureihe HC, 74HC573, Transparent, Tri-State, nicht invertiert, 30 ns, TSSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74573
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Tri-State, nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
Anzahl der Bits: 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC573
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausbreitungsverzögerung: 30ns
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Latchtyp: Transparent
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MDB10S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MDB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1 A, Micro DIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Micro DIP
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MDB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 1 A, Micro DIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Micro DIP
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - S1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 28616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FUSB15201DVMNWTWG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB15201DVMNWTWG - USB-C- und PD-Controller, OCP, Sink/Source, 3.3V bis 5.5V, WQFN-EP-24
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 2.1, 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Sink, Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: OCP
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WQFN-EP
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
Anzahl der Ports: 2 Ports
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: ONSEMI - FUSB15201DVMNWTWG - USB-C- und PD-Controller, OCP, Sink/Source, 3.3V bis 5.5V, WQFN-EP-24
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 2.1, 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Sink, Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: OCP
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WQFN-EP
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
Anzahl der Ports: 2 Ports
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC14015BDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14015BDR2G - Schieberegister, MC14015B, Seriell zu parallel, 2 Elemente, 4 bit, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 4015
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 4000
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: -
Anzahl der Elemente: 2 Elemente
Schieberegisterfunktion: Seriell zu parallel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logikfamilie / Sockelnummer: MC14015B
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Bits pro Element: 4bit
Description: ONSEMI - MC14015BDR2G - Schieberegister, MC14015B, Seriell zu parallel, 2 Elemente, 4 bit, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 4015
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 4000
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: -
Anzahl der Elemente: 2 Elemente
Schieberegisterfunktion: Seriell zu parallel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logikfamilie / Sockelnummer: MC14015B
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Bits pro Element: 4bit
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAT54LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - BAT54LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 63878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVH4L022N120M3S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTHL022N120M3S. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL022N120M3S. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTHL022N120M3S. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFWS1D1N04XMT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFWS1D1N04XMT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N5375BRLG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5375BRLG - ZENER DIODE, 5W, 82V, 017AA
tariffCode: 0
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 82V
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - 1N5375BRLG - ZENER DIODE, 5W, 82V, 017AA
tariffCode: 0
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 82V
directShipCharge: 25
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N4007RLG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4007
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4007
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR2101PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 24272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR2101PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 24272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS3572 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS6912A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS4672A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS4897C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS4897C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDT86102LZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ADT7461ARMZ-R7 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADT7461ARMZ-R7 - 1C TDM SRC EXT TMP RGE IC
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Auflösung: -
Gemessene Temperatur, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: MSOP
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 120°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - ADT7461ARMZ-R7 - 1C TDM SRC EXT TMP RGE IC
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Auflösung: -
Gemessene Temperatur, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: MSOP
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 120°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
directShipCharge: 25
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC3512 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.077 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.077 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74HCT04ADG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HCT04ADG - Inverter, 74HCT04, 1 Eingang, 4mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HCT
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 4mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HCT04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HCT04ADG - Inverter, 74HCT04, 1 Eingang, 4mA, 4.5V bis 5.5V, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HCT
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 4mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HCT04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LM2904VDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LM2904VDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - LM2904VDR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC32725TA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC32725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignaltransistor, PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC32725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Kleinsignaltransistor, PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LM293DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM293DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.3 µs, ± 1V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Ansprechzeit: 1.3µs
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
IC-Ausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL
Komparatorausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL
Versorgungsspannung: ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Komparatortyp: Präzisionskomparator
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Anzahl der Komparatoren: 2 Komparatoren
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Bauform - Komparator: SOIC
Description: ONSEMI - LM293DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.3 µs, ± 1V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Ansprechzeit: 1.3µs
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
IC-Ausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL
Komparatorausgang: CMOS, MOS, Open-Collector / Open-Drain, TTL
Versorgungsspannung: ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Komparatortyp: Präzisionskomparator
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.3µs
Anzahl der Komparatoren: 2 Komparatoren
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Bauform - Komparator: SOIC
на замовлення 17159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC557BTA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC557BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MM3Z6V2T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z6V2T1G - Zener-Diode, Universal, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
Description: ONSEMI - MM3Z6V2T1G - Zener-Diode, Universal, 6.2 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
на замовлення 13003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GBPC3506W |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC3506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - GBPC3506W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQD3P50TM |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD3P50TM - QF -500V 4.9OHM DPAK 08AK6016
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FQD3P50TM - QF -500V 4.9OHM DPAK 08AK6016
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSR0320MW2T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 23V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 23V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NSR0320MW2T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 23V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NSR0320MW2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 23 V, 900 mA, 500 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR03
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 23V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC846BDW1T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS005P03P8ZT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 2700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
Description: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 2700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBG1000N170M1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBG1000N170M1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
Description: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1SMB5917BT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5917BT3G - Zener-Diode, 4.7 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
Description: ONSEMI - 1SMB5917BT3G - Zener-Diode, 4.7 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1SMB5913BT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5913BT3G - Zener-Diode, 3.3 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
Description: ONSEMI - 1SMB5913BT3G - Zener-Diode, 3.3 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MBR2H200SFT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 940mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR2H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MBR2H200SFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 2 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 940 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 940mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR2H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)