Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145318) > Сторінка 2323 з 2422

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2318 2319 2320 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2327 2328 2420 2422  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCB110N65F FCB110N65F ONSEMI FCB110N65F-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 0.29W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
24+18.03 грн
28+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148-T26A 1N4148-T26A ONSEMI 1N914-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; Ammo Pack; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.26 грн
117+3.57 грн
264+1.58 грн
500+0.94 грн
1000+0.78 грн
2000+0.67 грн
2500+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736A-T50A 1N4736A-T50A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; DO41; single diode; Ammo Pack; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 6.8V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736ATR 1N4736ATR ONSEMI 1N47xxA.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; DO41; single diode; reel,tape; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 6.8V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DG MC74AC125DG ONSEMI MC74AC125DG.PDF Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; CMOS; SMD; SO14; AC; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Technology: CMOS
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: tube
Kind of output: 3-state
Quiescent current: 80µA
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.27 грн
14+30.66 грн
25+27.75 грн
55+25.26 грн
110+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54T1G BAT54T1G ONSEMI BAT54T1-D.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.3A
Capacitance: 10pF
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.05 грн
68+6.15 грн
80+5.24 грн
101+4.12 грн
144+2.89 грн
250+2.43 грн
500+2.13 грн
1000+1.84 грн
3000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS130LT3G MBRS130LT3G ONSEMI mbrs130.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.395V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
25+17.28 грн
28+14.96 грн
50+11.13 грн
100+9.97 грн
250+8.73 грн
500+7.81 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 ONSEMI FDBL0150N60-D.pdf fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS ONSEMI FCD7N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 ONSEMI FCI7N60-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
 FCH47N60F-F133 ONSEMI FCH47N60F-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.21µC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+825.98 грн
10+678.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVD1R2G NCV3843BVD1R2G ONSEMI ncv3843bv-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVDR2G NCV3843BVDR2G ONSEMI ncv3843bv-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF ONSEMI FCD620N60ZF-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21.9A
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 ONSEMI FCA20N60-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 75nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 ONSEMI FCMT360N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42AG TIP42AG ONSEMI tip41a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 65W
Kind of package: tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.23 грн
10+49.53 грн
50+43.54 грн
100+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS ONSEMI FCU5N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 ONSEMI FDBL0110N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY ONSEMI SI4435DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
7+60.99 грн
50+46.62 грн
100+42.96 грн
500+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF ONSEMI ntb110n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP36CG TIP36CG ONSEMI tip35a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 25A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.98 грн
10+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248BT1G MMSZ5248BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Semiconductor structure: single diode
Zener voltage: 18V
Type of diode: Zener
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.84 грн
61+6.81 грн
73+5.69 грн
94+4.42 грн
114+3.66 грн
200+3.06 грн
250+2.89 грн
500+2.47 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ONSEMI ntbg060n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 74nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H NTP067N65S3H ONSEMI ntp067n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+543.20 грн
2+473.65 грн
5+416.31 грн
10+369.78 грн
20+357.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 ONSEMI ntbg025n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP110N65S3HF NTP110N65S3HF ONSEMI ntp110n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HF ONSEMI ntmt110n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF110N65S3HF NTPF110N65S3HF ONSEMI ntpf110n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXG ONSEMI NTBLS1D5N10MC-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 312A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 2055A
Gate charge: 131nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXG ONSEMI NTBLS1D7N10MC-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 272A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Pulsed drain current: 2137A
Gate charge: 115nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZ FDG1024NZ ONSEMI FDG1024NZ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 389mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI FCB260N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.94 грн
10+170.35 грн
25+149.57 грн
100+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 FCD260N65S3 ONSEMI FCD260N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF360N65S3H NTPF360N65S3H ONSEMI ntpf360n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 28A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 26W
Gate charge: 17.5nC
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 28A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.48 грн
14+29.75 грн
16+26.26 грн
100+15.62 грн
200+13.46 грн
500+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H NTP165N65S3H ONSEMI ntp165n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Gate charge: 35nC
Drain current: 19A
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.67 грн
10+209.40 грн
50+197.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MC ONSEMI ntbls4d0n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 316W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90.4nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.4mΩ
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 2255A
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5388BRLG 1N5388BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 200V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
18+23.10 грн
20+21.02 грн
100+14.21 грн
500+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1G ONSEMI nxh450n65l4q2f2s1g-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 450A; PIM40; SiC
Collector current: 450A
Case: PIM40
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15CDTG MC78M15CDTG ONSEMI mc78m_ser.pdf description Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; DPAK; SMD; MC78M00
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: MC78M00
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 17.5...30V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.69 грн
27+15.87 грн
31+13.71 грн
75+11.47 грн
300+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15CTG MC78M15CTG ONSEMI mc78m_ser.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; TO220AB; THT; tube
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Manufacturer series: MC78M00
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Input voltage: 17.5...30V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.27 грн
15+27.75 грн
25+24.60 грн
50+22.69 грн
100+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2596DSADJR4G ONSEMI lm2596-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; D2PAK-5; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-5
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2596TVADJG LM2596TVADJG ONSEMI lm2596-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; TO220-5; THT; tube
Kind of package: tube
Case: TO220-5
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Mounting: THT
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS8550CTA SS8550CTA ONSEMI ss8550-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 1.5A; 1W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358DMR2G ONSEMI lm358-d.pdf description Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.1MHz; Ch: 2; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; 9mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: Micro8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 9mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 150nA
Bandwidth: 1.1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G ONSEMI mmbt3906tt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1G ONSEMI mmbt3906tt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM339DTBR2G LM339DTBR2G ONSEMI lm339-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 4; 3÷36V; SMT; TSSOP14; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 4
Operating voltage: 3...36V
Mounting: SMT
Case: TSSOP14
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM339EDR2G ONSEMI lm339-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 4; 3÷36V; SMT; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 4
Operating voltage: 3...36V
Mounting: SMT
Case: SO14
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG ONSEMI ngtb15n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+465.34 грн
10+280.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1G NSVBC817-40WT1G ONSEMI bc817-40w-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902DTBR2G LM2902DTBR2G ONSEMI lm324-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; 10mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: TSSOP14
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Input offset voltage: 10mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Input offset current: 200nA
Number of channels: quad; 4
Bandwidth: 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902EDR2G ONSEMI lm324-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 10mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902VDR2G ONSEMI lm324-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 13mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902VDTBR2G LM2902VDTBR2G ONSEMI lm324-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; 13mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 13mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M12ACDTRKG MC78M12ACDTRKG ONSEMI mc78m00-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 12V; 0.5A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 12V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV78M12BDTRKG NCV78M12BDTRKG ONSEMI mc78m00-d.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 12V; 0.5A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 12V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J112-D26Z J112-D26Z ONSEMI MMBFJ113-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -35V
Kind of package: tape
Case: TO92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F-D.pdf
FCB110N65F
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 0.29W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.74 грн
24+18.03 грн
28+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148-T26A 1N914-D.PDF
1N4148-T26A
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; Ammo Pack; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.26 грн
117+3.57 грн
264+1.58 грн
500+0.94 грн
1000+0.78 грн
2000+0.67 грн
2500+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736A-T50A 1N47xxA.PDF
1N4736A-T50A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; DO41; single diode; Ammo Pack; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 6.8V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736ATR description 1N47xxA.PDF
1N4736ATR
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; DO41; single diode; reel,tape; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 6.8V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DG MC74AC125DG.PDF
MC74AC125DG
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; CMOS; SMD; SO14; AC; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Technology: CMOS
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of package: tube
Kind of output: 3-state
Quiescent current: 80µA
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.27 грн
14+30.66 грн
25+27.75 грн
55+25.26 грн
110+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54T1G BAT54T1-D.PDF
BAT54T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.3A
Capacitance: 10pF
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.05 грн
68+6.15 грн
80+5.24 грн
101+4.12 грн
144+2.89 грн
250+2.43 грн
500+2.13 грн
1000+1.84 грн
3000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS130LT3G mbrs130.pdf
MBRS130LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.395V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.06 грн
25+17.28 грн
28+14.96 грн
50+11.13 грн
100+9.97 грн
250+8.73 грн
500+7.81 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60-D.pdf fdbl0150n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 FCI7N60-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-D.PDF
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.21µC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+825.98 грн
10+678.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVD1R2G ncv3843bv-d.pdf
NCV3843BVD1R2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVDR2G ncv3843bv-d.pdf
NCV3843BVDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF-D.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21.9A
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 75nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 FCMT360N65S3-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42AG tip41a-d.pdf
TIP42AG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 65W
Kind of package: tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.23 грн
10+49.53 грн
50+43.54 грн
100+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCU5N60-D.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 FDBL0110N60-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY.pdf
SI4435DY
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+98.44 грн
7+60.99 грн
50+46.62 грн
100+42.96 грн
500+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ntb110n65s3hf-d.pdf
NTB110N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP36CG tip35a-d.pdf
TIP36CG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 25A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.98 грн
10+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5248BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Semiconductor structure: single diode
Zener voltage: 18V
Type of diode: Zener
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.84 грн
61+6.81 грн
73+5.69 грн
94+4.42 грн
114+3.66 грн
200+3.06 грн
250+2.89 грн
500+2.47 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 74nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+543.20 грн
2+473.65 грн
5+416.31 грн
10+369.78 грн
20+357.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 ntbg025n065sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP110N65S3HF ntp110n65s3hf-d.pdf
NTP110N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HF ntmt110n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF110N65S3HF ntpf110n65s3hf-d.pdf
NTPF110N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MC-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 312A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 2055A
Gate charge: 131nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXG NTBLS1D7N10MC-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 272A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Pulsed drain current: 2137A
Gate charge: 115nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZ FDG1024NZ.pdf
FDG1024NZ
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 389mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3-D.PDF
FCB260N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.94 грн
10+170.35 грн
25+149.57 грн
100+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 FCD260N65S3-D.PDF
FCD260N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF360N65S3H ntpf360n65s3h-d.pdf
NTPF360N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 28A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 26W
Gate charge: 17.5nC
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 28A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.48 грн
14+29.75 грн
16+26.26 грн
100+15.62 грн
200+13.46 грн
500+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H ntp165n65s3h-d.pdf
NTP165N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Gate charge: 35nC
Drain current: 19A
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.67 грн
10+209.40 грн
50+197.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MC ntbls4d0n15mc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 316W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90.4nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.4mΩ
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 2255A
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5388BRLG 1N53xx.PDF
1N5388BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 200V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.74 грн
18+23.10 грн
20+21.02 грн
100+14.21 грн
500+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1G nxh450n65l4q2f2s1g-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 450A; PIM40; SiC
Collector current: 450A
Case: PIM40
Gate-emitter voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: SiC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15CDTG description mc78m_ser.pdf
MC78M15CDTG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; DPAK; SMD; MC78M00
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: MC78M00
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 17.5...30V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.69 грн
27+15.87 грн
31+13.71 грн
75+11.47 грн
300+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15CTG mc78m_ser.pdf
MC78M15CTG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; TO220AB; THT; tube
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Manufacturer series: MC78M00
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Input voltage: 17.5...30V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.27 грн
15+27.75 грн
25+24.60 грн
50+22.69 грн
100+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2596DSADJR4G lm2596-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; D2PAK-5; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-5
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2596TVADJG lm2596-d.pdf
LM2596TVADJG
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; TO220-5; THT; tube
Kind of package: tube
Case: TO220-5
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Mounting: THT
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS8550CTA ss8550-d.pdf
SS8550CTA
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 1.5A; 1W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358DMR2G description lm358-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.1MHz; Ch: 2; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; 9mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: Micro8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 9mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 150nA
Bandwidth: 1.1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G mmbt3906tt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1G mmbt3906tt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM339DTBR2G lm339-d.pdf
LM339DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 4; 3÷36V; SMT; TSSOP14; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 4
Operating voltage: 3...36V
Mounting: SMT
Case: TSSOP14
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM339EDR2G lm339-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 4; 3÷36V; SMT; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 4
Operating voltage: 3...36V
Mounting: SMT
Case: SO14
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.34 грн
10+280.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1G bc817-40w-d.pdf
NSVBC817-40WT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902DTBR2G lm324-d.pdf
LM2902DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; 10mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: TSSOP14
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Input offset voltage: 10mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Input offset current: 200nA
Number of channels: quad; 4
Bandwidth: 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902EDR2G lm324-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 10mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902VDR2G lm324-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 13mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902VDTBR2G lm324-d.pdf
LM2902VDTBR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; 13mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 13mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M12ACDTRKG mc78m00-d.pdf
MC78M12ACDTRKG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 12V; 0.5A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 12V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV78M12BDTRKG mc78m00-d.pdf
NCV78M12BDTRKG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 12V; 0.5A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Output voltage: 12V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J112-D26Z MMBFJ113-D.PDF
J112-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -35V
Kind of package: tape
Case: TO92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2318 2319 2320 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2327 2328 2420 2422  [ Наступна Сторінка >> ]