Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141983) > Сторінка 2323 з 2367

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2318 2319 2320 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2327 2328 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+21.20 грн
26+16.24 грн
28+14.68 грн
50+13.37 грн
100+12.05 грн
500+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ONSEMI ntzd3155c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.38 грн
25+16.40 грн
33+12.63 грн
100+8.69 грн
500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G MBT3904DW1T3G ONSEMI mbt3904dw1t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.60 грн
91+4.51 грн
130+3.16 грн
250+2.76 грн
500+2.49 грн
1000+2.26 грн
2000+2.05 грн
5000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1202 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB7E2E75E228460DC&compId=GBPCxx.PDF?ci_sign=1d07e69de404d3d7c708d9cee3e72581c36322d1 Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; Ufmax: 1.1V; If: 12A
Type of bridge rectifier: single-phase
Version: square
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: bulk
Leads: connectors FASTON
Case: GBPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148-T26A 1N4148-T26A ONSEMI 1n914-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 27142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.07 грн
100+4.10 грн
302+1.36 грн
500+0.89 грн
1000+0.77 грн
2500+0.67 грн
5000+0.63 грн
10000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
ES1G ES1G ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.1mA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14518BDWG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E627B9CA5800D3&compId=MC14518B-D.pdf?ci_sign=70038b5271aa293efe3a9cf24f730cf816f1f2c6 Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; BCD,up counter; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO16WB; HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Case: SO16WB
Number of channels: 2
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: BCD; up counter
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14518BDWR2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E6286EBB30A0D3&compId=MC14518B-D.pdf?ci_sign=553ea2062b9f5b8f698b26266b441aaa9ac056cb Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; BCD,up counter; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO16WB; HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO16WB
Number of channels: 2
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: BCD; up counter
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS1100T3G MBRS1100T3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58699B75518C84469&compId=MBRS1100T3G.PDF?ci_sign=25ae38c58ba5d7f9276949c6b332c91542ccd773 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 10087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.38 грн
20+20.50 грн
22+18.78 грн
50+15.09 грн
100+13.61 грн
250+11.64 грн
500+10.17 грн
1000+8.69 грн
2500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736A-T50A 1N4736A-T50A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; Ammo Pack; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Zener
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 1W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 6.8V
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736ATR 1N4736ATR ONSEMI 1N47xxA.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; reel,tape; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Zener
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 1W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 6.8V
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5931BRLG 1N5931BRLG ONSEMI 1N59xxB.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 18V; reel,tape; CASE59; single diode; 1uA; 1N59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 18V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE59
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N59xxB
Leakage current: 1µA
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+20.31 грн
34+12.14 грн
50+9.35 грн
100+8.45 грн
500+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
1N5344BRLG 1N5344BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 8.2V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 10uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
Leakage current: 10µA
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+29.14 грн
19+22.47 грн
50+16.98 грн
100+14.84 грн
500+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1N5344BG 1N5344BG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 8.2V; bulk; CASE017AA; single diode; 10uA; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
Leakage current: 10µA
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.90 грн
31+13.28 грн
34+12.38 грн
50+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NCP45525IMNTWG-H ONSEMI ncp45524-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 31.7mΩ
Control voltage: 0.5...13.5V DC
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...5.5V DC
Output current: 6A
Type of integrated circuit: power switch
Case: DFN8
Active logical level: high
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP45525IMNTWG-L ONSEMI ncp45524-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 31.7mΩ
Control voltage: 0.5...13.5V DC
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...5.5V DC
Output current: 6A
Type of integrated circuit: power switch
Case: DFN8
Active logical level: low
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1337DR2G ONSEMI ncp1337-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SO7; 9÷18.6VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.5A
Frequency: 130kHz
Mounting: SMD
Case: SO7
Number of channels: 1
Operating temperature: 0...125°C
Operating voltage: 9...18.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ONSEMI bc847bm3-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.66 грн
35+11.81 грн
53+7.84 грн
100+6.50 грн
250+5.15 грн
500+4.39 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB0540T1G NRVB0540T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CD00AD4538C469&compId=mbr0540.pdf?ci_sign=dcea4e3b73408d0a485fa55752de7ef298874441 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Application: automotive industry
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.61V
Load current: 0.5A
Max. load current: 1A
Max. forward impulse current: 5.5A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 6595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.08 грн
26+16.07 грн
31+13.45 грн
39+10.66 грн
100+7.71 грн
250+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.44 грн
10+207.47 грн
25+159.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0ST1G ONSEMI ESD5B5.0-DTE.PDF description Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 50W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 50W
Case: SOD523
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.60 грн
50+8.36 грн
55+7.46 грн
100+4.72 грн
500+3.35 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UCLW1T2G NUP4114UCLW1T2G ONSEMI NUP4114.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Case: SC88
Version: ESD
Application: universal
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.61 грн
22+19.19 грн
24+17.14 грн
50+12.87 грн
100+11.40 грн
250+9.51 грн
500+8.28 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UCW1T2G NUP4114UCW1T2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BEB0519E7C80CE&compId=NUP4114.PDF?ci_sign=d0c181f9c7d3243caf15d2f88151f666fe79324f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: universal
Version: ESD
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.73 грн
25+16.73 грн
50+12.55 грн
100+11.07 грн
500+8.28 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN18T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94B7F919B15C40CE&compId=NCP511_NCV511.PDF?ci_sign=8e1fc2dd67991141707d604bc8defde448a8aa65 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; TSOP5; SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...85°C
Output current: 0.15A
Voltage drop: 0.16V
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
Input voltage: 2.8...6V
Output voltage: 1.8V
Manufacturer series: NCP511
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 ONSEMI fdms8090-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DG MC74AC125DG ONSEMI MC74AC125DG.PDF Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; CMOS; SMD; SO14; AC; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Manufacturer series: AC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
Quiescent current: 80µA
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.86 грн
17+25.50 грн
25+23.21 грн
55+21.49 грн
110+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DTR2G MC74AC125DTR2G ONSEMI mc74ac125-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; CMOS; SMD; TSSOP14; AC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Technology: CMOS
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of output: 3-state
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+35.33 грн
17+25.59 грн
25+22.47 грн
100+18.37 грн
250+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC245DTG MC74AC245DTG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E6286E54C560D3&compId=MC74AC245-D.pdf?ci_sign=267d55e22d868668c229e33385eebf43ec7b025c Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,bidirectional,octal,transceiver; Ch: 8; CMOS
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; octal; transceiver
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Family: AC
Kind of package: tube
Kind of output: 3-state
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.13 грн
10+46.99 грн
25+38.71 грн
75+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54T1G BAT54T1G ONSEMI bat54t1-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 0.4W
Max. forward impulse current: 0.6A
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
84+5.30 грн
125+3.28 грн
191+2.16 грн
250+1.86 грн
500+1.67 грн
1000+1.52 грн
3000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD5B5.0ST1G ONSEMI esd5b5.0st1-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.8÷7.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.8...7.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT125DR2G MC74ACT125DR2G ONSEMI mc74ac125-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; SMD; SO14; ACT; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO14
Manufacturer series: ACT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4V7T1G MMSZ4V7T1G ONSEMI MMSZxxxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZxxTxG
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.18 грн
100+4.10 грн
137+3.00 грн
159+2.58 грн
500+1.80 грн
1000+1.54 грн
1500+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI FDN306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.61 грн
25+16.98 грн
50+12.71 грн
100+11.15 грн
250+9.35 грн
500+8.53 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS130LT3G MBRS130LT3G ONSEMI mbrs130.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.395V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+21.20 грн
31+13.53 грн
50+10.66 грн
100+9.51 грн
250+8.20 грн
500+7.38 грн
1000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 14176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.25 грн
48+8.69 грн
68+6.12 грн
100+5.26 грн
500+3.90 грн
1000+3.52 грн
1500+3.35 грн
3000+3.10 грн
6000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
US1GFA ONSEMI us1mfa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVUS1GFA NRVUS1GFA ONSEMI us1mfa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N139SM 6N139SM ONSEMI 6N139SM-FAI.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 5kV; Gull wing 8; 10kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 400-2000%@0.5mA
Case: Gull wing 8
Slew rate: 10kV/μs
Manufacturer series: 6N139M
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+73.30 грн
10+49.04 грн
50+43.30 грн
100+41.82 грн
500+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS ONSEMI fcd7n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 ONSEMI fci7n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+815.14 грн
10+669.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.44 грн
15+28.87 грн
50+23.95 грн
100+21.73 грн
250+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25256XI-T2 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE80A79C7FB610C0D5&compId=CAT25256-D.pdf?ci_sign=1e17818f9e22c5bfe7ff8e0e9edeffa2ceb4c1b2 Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 20MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25256YI-GT3 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE80A79C7FB61200D5&compId=CAT25256-D.pdf?ci_sign=b5de27d053465c00870ea708b3f135c1cf623e7f Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 20MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 ONSEMI fdbl0240n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVD1R2G ONSEMI ncv3843bv-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVDR2G ONSEMI ncv3843bv-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 ONSEMI fcmt199n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF ONSEMI fcd620n60zf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ONSEMI ndb5060l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Case: D2PAK-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 50mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14025BDG MC14025BDG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B497DD6AB820&compId=MC14001B-D.pdf?ci_sign=d22667ce4c99a05204a5589c1c1a2d691ef8755e description Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: triple; 3
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Family: HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: tube
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Kind of gate: NOR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.03 грн
17+24.68 грн
25+22.22 грн
55+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 ONSEMI fca20n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 75nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 ONSEMI fcmt360n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM ONSEMI fdd5n50nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J176-D74Z J176-D74Z ONSEMI j175-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 50mA
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.61 грн
24+17.71 грн
100+14.84 грн
250+11.40 грн
500+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42AG TIP42AG ONSEMI tip41a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 65W
Kind of package: tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.56 грн
10+77.33 грн
50+50.84 грн
100+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS ONSEMI fcu5n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.07 грн
85+4.84 грн
122+3.36 грн
145+2.85 грн
500+1.95 грн
1000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.20 грн
26+16.24 грн
28+14.68 грн
50+13.37 грн
100+12.05 грн
500+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.38 грн
25+16.40 грн
33+12.63 грн
100+8.69 грн
500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G mbt3904dw1t1-d.pdf
MBT3904DW1T3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.60 грн
91+4.51 грн
130+3.16 грн
250+2.76 грн
500+2.49 грн
1000+2.26 грн
2000+2.05 грн
5000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1202 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB7E2E75E228460DC&compId=GBPCxx.PDF?ci_sign=1d07e69de404d3d7c708d9cee3e72581c36322d1
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; Ufmax: 1.1V; If: 12A
Type of bridge rectifier: single-phase
Version: square
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: bulk
Leads: connectors FASTON
Case: GBPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148-T26A 1n914-d.pdf
1N4148-T26A
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 27142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.07 грн
100+4.10 грн
302+1.36 грн
500+0.89 грн
1000+0.77 грн
2500+0.67 грн
5000+0.63 грн
10000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
ES1G ES1x.PDF
ES1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.1mA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14518BDWG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E627B9CA5800D3&compId=MC14518B-D.pdf?ci_sign=70038b5271aa293efe3a9cf24f730cf816f1f2c6
Виробник: ONSEMI
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; BCD,up counter; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO16WB; HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Case: SO16WB
Number of channels: 2
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: BCD; up counter
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14518BDWR2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E6286EBB30A0D3&compId=MC14518B-D.pdf?ci_sign=553ea2062b9f5b8f698b26266b441aaa9ac056cb
Виробник: ONSEMI
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; BCD,up counter; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO16WB; HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO16WB
Number of channels: 2
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: BCD; up counter
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS1100T3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58699B75518C84469&compId=MBRS1100T3G.PDF?ci_sign=25ae38c58ba5d7f9276949c6b332c91542ccd773
MBRS1100T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 10087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.38 грн
20+20.50 грн
22+18.78 грн
50+15.09 грн
100+13.61 грн
250+11.64 грн
500+10.17 грн
1000+8.69 грн
2500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736A-T50A 1N47xxA.PDF
1N4736A-T50A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; Ammo Pack; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Zener
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 1W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 6.8V
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736ATR description 1N47xxA.PDF
1N4736ATR
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; reel,tape; DO41; single diode; 10uA; 1N47xxA
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Type of diode: Zener
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 1W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 6.8V
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5931BRLG 1N59xxB.pdf
1N5931BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 18V; reel,tape; CASE59; single diode; 1uA; 1N59xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 18V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE59
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N59xxB
Leakage current: 1µA
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.31 грн
34+12.14 грн
50+9.35 грн
100+8.45 грн
500+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
1N5344BRLG description 1N53xx.PDF
1N5344BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 8.2V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 10uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
Leakage current: 10µA
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.14 грн
19+22.47 грн
50+16.98 грн
100+14.84 грн
500+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
1N5344BG 1N53xx.PDF
1N5344BG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 8.2V; bulk; CASE017AA; single diode; 10uA; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
Leakage current: 10µA
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.90 грн
31+13.28 грн
34+12.38 грн
50+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NCP45525IMNTWG-H ncp45524-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 31.7mΩ
Control voltage: 0.5...13.5V DC
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...5.5V DC
Output current: 6A
Type of integrated circuit: power switch
Case: DFN8
Active logical level: high
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP45525IMNTWG-L ncp45524-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 31.7mΩ
Control voltage: 0.5...13.5V DC
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...5.5V DC
Output current: 6A
Type of integrated circuit: power switch
Case: DFN8
Active logical level: low
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1337DR2G ncp1337-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SO7; 9÷18.6VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.5A
Frequency: 130kHz
Mounting: SMD
Case: SO7
Number of channels: 1
Operating temperature: 0...125°C
Operating voltage: 9...18.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G bc847bm3-d.pdf
BC847BM3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.66 грн
35+11.81 грн
53+7.84 грн
100+6.50 грн
250+5.15 грн
500+4.39 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB0540T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CD00AD4538C469&compId=mbr0540.pdf?ci_sign=dcea4e3b73408d0a485fa55752de7ef298874441
NRVB0540T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 40V; 0.5A; reel,tape
Application: automotive industry
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.61V
Load current: 0.5A
Max. load current: 1A
Max. forward impulse current: 5.5A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 6595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.08 грн
26+16.07 грн
31+13.45 грн
39+10.66 грн
100+7.71 грн
250+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDP3632
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.44 грн
10+207.47 грн
25+159.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5B5.0ST1G description ESD5B5.0-DTE.PDF
ESD5B5.0ST1G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 50W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 50W
Case: SOD523
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.60 грн
50+8.36 грн
55+7.46 грн
100+4.72 грн
500+3.35 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UCLW1T2G NUP4114.PDF
NUP4114UCLW1T2G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Case: SC88
Version: ESD
Application: universal
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.61 грн
22+19.19 грн
24+17.14 грн
50+12.87 грн
100+11.40 грн
250+9.51 грн
500+8.28 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4114UCW1T2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BEB0519E7C80CE&compId=NUP4114.PDF?ci_sign=d0c181f9c7d3243caf15d2f88151f666fe79324f
NUP4114UCW1T2G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: universal
Version: ESD
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
25+16.73 грн
50+12.55 грн
100+11.07 грн
500+8.28 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN18T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC94B7F919B15C40CE&compId=NCP511_NCV511.PDF?ci_sign=8e1fc2dd67991141707d604bc8defde448a8aa65
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.15A; TSOP5; SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP5
Operating temperature: -40...85°C
Output current: 0.15A
Voltage drop: 0.16V
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
Input voltage: 2.8...6V
Output voltage: 1.8V
Manufacturer series: NCP511
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 fdms8090-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DG MC74AC125DG.PDF
MC74AC125DG
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; CMOS; SMD; SO14; AC; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Manufacturer series: AC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
Quiescent current: 80µA
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.86 грн
17+25.50 грн
25+23.21 грн
55+21.49 грн
110+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DTR2G mc74ac125-d.pdf
MC74AC125DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; CMOS; SMD; TSSOP14; AC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Technology: CMOS
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of output: 3-state
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.33 грн
17+25.59 грн
25+22.47 грн
100+18.37 грн
250+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC245DTG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E6286E54C560D3&compId=MC74AC245-D.pdf?ci_sign=267d55e22d868668c229e33385eebf43ec7b025c
MC74AC245DTG
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,bidirectional,octal,transceiver; Ch: 8; CMOS
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; octal; transceiver
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Manufacturer series: AC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Family: AC
Kind of package: tube
Kind of output: 3-state
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.13 грн
10+46.99 грн
25+38.71 грн
75+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54T1G bat54t1-d.pdf
BAT54T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 0.4W
Max. forward impulse current: 0.6A
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.30 грн
125+3.28 грн
191+2.16 грн
250+1.86 грн
500+1.67 грн
1000+1.52 грн
3000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD5B5.0ST1G esd5b5.0st1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.8÷7.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.8...7.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT125DR2G mc74ac125-d.pdf
MC74ACT125DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; SMD; SO14; ACT; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO14
Manufacturer series: ACT
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4V7T1G MMSZxxxT1G.PDF
MMSZ4V7T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZxxTxG
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.18 грн
100+4.10 грн
137+3.00 грн
159+2.58 грн
500+1.80 грн
1000+1.54 грн
1500+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.61 грн
25+16.98 грн
50+12.71 грн
100+11.15 грн
250+9.35 грн
500+8.53 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS130LT3G mbrs130.pdf
MBRS130LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.395V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.20 грн
31+13.53 грн
50+10.66 грн
100+9.51 грн
250+8.20 грн
500+7.38 грн
1000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 14176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.25 грн
48+8.69 грн
68+6.12 грн
100+5.26 грн
500+3.90 грн
1000+3.52 грн
1500+3.35 грн
3000+3.10 грн
6000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
US1GFA us1mfa-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVUS1GFA us1mfa-d.pdf
NRVUS1GFA
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N139SM 6N139SM-FAI.pdf
6N139SM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 5kV; Gull wing 8; 10kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 400-2000%@0.5mA
Case: Gull wing 8
Slew rate: 10kV/μs
Manufacturer series: 6N139M
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+73.30 грн
10+49.04 грн
50+43.30 грн
100+41.82 грн
500+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS fcd7n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 fci7n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+815.14 грн
10+669.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f
FDC3612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.44 грн
15+28.87 грн
50+23.95 грн
100+21.73 грн
250+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25256XI-T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE80A79C7FB610C0D5&compId=CAT25256-D.pdf?ci_sign=1e17818f9e22c5bfe7ff8e0e9edeffa2ceb4c1b2
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 20MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25256YI-GT3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE80A79C7FB61200D5&compId=CAT25256-D.pdf?ci_sign=b5de27d053465c00870ea708b3f135c1cf623e7f
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; SPI; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 20MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVD1R2G ncv3843bv-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVDR2G ncv3843bv-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 fcmt199n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ndb5060l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Case: D2PAK-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 50mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14025BDG description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B497DD6AB820&compId=MC14001B-D.pdf?ci_sign=d22667ce4c99a05204a5589c1c1a2d691ef8755e
MC14025BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: triple; 3
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Family: HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: tube
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Kind of gate: NOR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.03 грн
17+24.68 грн
25+22.22 грн
55+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 75nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 fcmt360n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J176-D74Z j175-d.pdf
J176-D74Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 50mA
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.61 грн
24+17.71 грн
100+14.84 грн
250+11.40 грн
500+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42AG tip41a-d.pdf
TIP42AG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 65W
Kind of package: tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.56 грн
10+77.33 грн
50+50.84 грн
100+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d
BC858CLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.07 грн
85+4.84 грн
122+3.36 грн
145+2.85 грн
500+1.95 грн
1000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2318 2319 2320 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2327 2328 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]