Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146207) > Сторінка 2326 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ONSEMI MMBTA05L_06L.pdf description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
50+8.55 грн
74+5.69 грн
100+4.73 грн
500+3.20 грн
1000+2.78 грн
1500+2.57 грн
3000+2.28 грн
6000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4403BU 2N4403BU ONSEMI 2N4403.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.35W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4740A-T50A 1N4740A-T50A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 10V; DO41; single diode; Ammo Pack; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 10V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: 1N47xxA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16T3G SS16T3G ONSEMI ss16-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; reel,tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.72V
на замовлення 9722 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.55 грн
45+9.48 грн
50+8.97 грн
100+8.70 грн
500+8.19 грн
1000+6.99 грн
2000+5.92 грн
2500+5.56 грн
5000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+335.07 грн
5+253.27 грн
10+220.56 грн
30+183.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085 ONSEMI fgy120t65spd-f085-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 378A
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPD ONSEMI AFGY120T65SPD-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29AG TIP29AG ONSEMI TIP29A-C_TIP30A-C.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG ONSEMI TIP29A-C_TIP30A-C.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Current gain: 15...75
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
10+62.81 грн
50+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG TIP29BG ONSEMI TIP29A-C_TIP30A-C.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-16T3G SBCP56-16T3G ONSEMI bcp56t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G ONSEMI mmbta56wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
49+8.72 грн
57+7.46 грн
101+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
26+16.61 грн
33+12.95 грн
50+10.42 грн
100+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA56LT3G SMMBTA56LT3G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA56WT1G SMMBTA56WT1G ONSEMI mmbta56wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA56WT3G SMMBTA56WT3G ONSEMI mmbta56wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56 MMBTA56 ONSEMI MMBTA56-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD243C BD243C ONSEMI BD243-FAI-DTE.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 65W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJL3281AG MJL3281AG ONSEMI MJL3281AG.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+370.30 грн
10+213.02 грн
25+197.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJL1302AG MJL1302AG ONSEMI MJL3281A_MJL1302A.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264
Power dissipation: 200W
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Case: TO264
Frequency: 30MHz
Collector current: 15A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 260V
Polarisation: bipolar
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+370.30 грн
10+232.31 грн
25+222.24 грн
100+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD682G BD682G ONSEMI BD682G.PDF Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BLT3G BC848BLT3G ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPZT2222AT1G ONSEMI pzt2222at1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC10ADR2G MC74HC10ADR2G ONSEMI MC74HC10A-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: triple; 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Family: HC
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S DF06S ONSEMI DF04S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.74 грн
15+29.18 грн
50+25.33 грн
100+23.65 грн
250+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5341BG 1N5341BG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 6.2V; CASE017AA; single diode; bulk; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 6.2V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N53xxB
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
15+28.18 грн
18+23.48 грн
50+15.93 грн
100+13.75 грн
250+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11AA1M H11AA1M ONSEMI H11AA1M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 7.5kV; Uce: 100V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 7.5kV
CTR@If: 20%@10mA
Collector-emitter voltage: 100V
Case: DIP6
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
25+25.75 грн
50+24.57 грн
100+23.15 грн
250+21.22 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BLT3G BC857BLT3G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53CG BDX53CG ONSEMI BDX53B-D.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.83 грн
10+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3023M MOC3023M ONSEMI MOC3020M-ONS.PDF Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 400V; DIP6; MOC302XM
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 400V
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 5mA
Mounting: THT
Manufacturer series: MOC302XM
на замовлення 773 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
17+25.58 грн
30+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L FDD8447L ONSEMI FDD8447L.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
7+60.89 грн
10+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5346BRLG 1N5346BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 9.1V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 9.1V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.45 грн
18+23.48 грн
21+20.21 грн
100+14.09 грн
500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+50.15 грн
20+43.53 грн
50+35.98 грн
100+31.11 грн
200+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G MJD45H11G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.54 грн
10+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLG MJD45H11RLG ONSEMI mjd44h11-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G MJD45H11-1G ONSEMI MJD45H11-001G.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.67 грн
10+51.33 грн
75+41.43 грн
150+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11G NJVMJD45H11G ONSEMI mjd44h11-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLG NJVMJD45H11RLG ONSEMI mjd44h11-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G NJVMJD45H11T4G ONSEMI mjd44h11-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS024N06CT1G ONSEMI NTMFS024N06C-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 158A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.7nC
Pulsed drain current: 158A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1G NVMFD024N06CT1G ONSEMI nvmfd024n06c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1G ONSEMI nvmfs024n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 158A; 14W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAG ONSEMI nvtfs024n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 112A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC573DWG MC74AC573DWG ONSEMI mc74ac573-d.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; latch transparent; Ch: 8; 2÷6VDC; SMD; SO20-W; AC; AC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: latch transparent
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: SO20-W
Family: AC
Kind of output: 3-state
Manufacturer series: AC
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.74 грн
10+48.47 грн
25+41.43 грн
38+38.91 грн
76+35.89 грн
114+34.64 грн
532+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1692YS KSD1692YS ONSEMI KSD1692YS.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 3A; 15W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: TO126ISO
Current gain: 4000...12000
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006FFG 1N4006FFG ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
321+1.41 грн
417+1.01 грн
432+0.97 грн
455+0.92 грн
500+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20100CTT4G MBRB20100CTT4G ONSEMI mbrb20100ct-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 150A
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.12 грн
5+103.15 грн
10+87.22 грн
20+80.51 грн
50+72.96 грн
100+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14014BDG MC14014BDG ONSEMI MC14014B-D.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; 8bit,shift register; Ch: 1; CMOS; SMD; SOIC16; HEF4000B
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: 8bit; shift register
Number of channels: 1
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.51 грн
20+21.22 грн
25+19.79 грн
48+18.79 грн
96+17.95 грн
144+17.53 грн
288+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5356BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 19V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Mounting: THT
Manufacturer series: 1N53xxB
Power dissipation: 5W
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE017AA
Zener voltage: 19V
Type of diode: Zener
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401RLG 1N5401RLG ONSEMI 1N540x.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; reel,tape
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Case: DO27
Type of diode: rectifying
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
24+17.78 грн
26+16.19 грн
50+15.10 грн
100+14.01 грн
200+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401G 1N5401G ONSEMI 1N540x.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; bulk; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Case: DO27
Type of diode: rectifying
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
28+15.18 грн
100+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3T5G ONSEMI BC847BM3-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
29+14.76 грн
50+9.88 грн
100+8.29 грн
250+6.68 грн
500+5.75 грн
1000+5.02 грн
2500+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM833DR2G LM833DR2G ONSEMI LM833DR2G.PDF Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 15MHz; Ch: 2; ±5÷18VDC,10÷36VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 15MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 5...18V DC; 10...36V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 7V/μs
Integrated circuit features: low noise
Input offset voltage: 0.3mV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14584BDG MC14584BDG ONSEMI MC14584BDG.PDF Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: hex; 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: tube
Kind of input: with Schmitt trigger
Delay time: 100ns
Family: HEF4000B
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
17+25.16 грн
25+21.80 грн
55+19.21 грн
110+17.11 грн
275+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14584BDTR2G MC14584BDTR2G ONSEMI MC14584B-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: hex; 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Delay time: 100ns
Family: HEF4000B
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.51 грн
20+21.72 грн
25+19.79 грн
100+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SB3157P6X NC7SB3157P6X ONSEMI NC7SB3157P6X.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; Ch: 1; SC70-6; 10uA
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 1
Case: SC70-6
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 10µA
Kind of output: SPDT
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
34+12.58 грн
37+11.41 грн
43+9.98 грн
50+8.97 грн
100+8.13 грн
250+7.13 грн
500+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM FQB4N80TM ONSEMI fqi4n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N80TU ONSEMI FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G ONSEMI MMBFJ175LT1G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.22 грн
18+24.32 грн
21+20.04 грн
28+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA05LT1G description MMBTA05L_06L.pdf
MMBTA05LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.64 грн
50+8.55 грн
74+5.69 грн
100+4.73 грн
500+3.20 грн
1000+2.78 грн
1500+2.57 грн
3000+2.28 грн
6000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4403BU 2N4403.pdf
2N4403BU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.35W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4740A-T50A 1N47xxA.PDF
1N4740A-T50A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 10V; DO41; single diode; Ammo Pack; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 10V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: 1N47xxA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16T3G ss16-d.pdf
SS16T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; reel,tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.72V
на замовлення 9722 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.55 грн
45+9.48 грн
50+8.97 грн
100+8.70 грн
500+8.19 грн
1000+6.99 грн
2000+5.92 грн
2500+5.56 грн
5000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+335.07 грн
5+253.27 грн
10+220.56 грн
30+183.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085 fgy120t65spd-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 378A
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPD AFGY120T65SPD-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29AG TIP29A-C_TIP30A-C.pdf
TIP29AG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29A-C_TIP30A-C.pdf
TIP29CG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Current gain: 15...75
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.09 грн
10+62.81 грн
50+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29BG TIP29A-C_TIP30A-C.pdf
TIP29BG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-16T3G bcp56t1-d.pdf
SBCP56-16T3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56WT1G mmbta56wt1-d.pdf
MMBTA56WT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
49+8.72 грн
57+7.46 грн
101+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
SMMBTA56LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.48 грн
26+16.61 грн
33+12.95 грн
50+10.42 грн
100+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
SMMBTA56LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA56WT1G mmbta56wt1-d.pdf
SMMBTA56WT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA56WT3G mmbta56wt1-d.pdf
SMMBTA56WT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56 MMBTA56-DTE.pdf
MMBTA56
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD243C BD243-FAI-DTE.pdf
BD243C
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 65W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJL3281AG MJL3281AG.PDF
MJL3281AG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+370.30 грн
10+213.02 грн
25+197.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJL1302AG MJL3281A_MJL1302A.PDF
MJL1302AG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264
Power dissipation: 200W
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Case: TO264
Frequency: 30MHz
Collector current: 15A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 260V
Polarisation: bipolar
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+370.30 грн
10+232.31 грн
25+222.24 грн
100+210.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD682G BD682G.PDF
BD682G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BLT3G BC846ALT1G.PDF
BC848BLT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPZT2222AT1G pzt2222at1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC10ADR2G MC74HC10A-D.pdf
MC74HC10ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: triple; 3
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Family: HC
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF06S DF04S.pdf
DF06S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.74 грн
15+29.18 грн
50+25.33 грн
100+23.65 грн
250+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5341BG 1N53xx.PDF
1N5341BG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 6.2V; CASE017AA; single diode; bulk; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 6.2V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N53xxB
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.35 грн
15+28.18 грн
18+23.48 грн
50+15.93 грн
100+13.75 грн
250+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11AA1M H11AA1M.pdf
H11AA1M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 7.5kV; Uce: 100V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 7.5kV
CTR@If: 20%@10mA
Collector-emitter voltage: 100V
Case: DIP6
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.80 грн
25+25.75 грн
50+24.57 грн
100+23.15 грн
250+21.22 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BLT3G BC856_7_8.PDF
BC857BLT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53CG BDX53B-D.pdf
BDX53CG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.83 грн
10+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3023M MOC3020M-ONS.PDF
MOC3023M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 400V; DIP6; MOC302XM
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Output voltage: 400V
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 5mA
Mounting: THT
Manufacturer series: MOC302XM
на замовлення 773 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.35 грн
17+25.58 грн
30+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L description FDD8447L.pdf
FDD8447L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.09 грн
7+60.89 грн
10+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5346BRLG description 1N53xx.PDF
1N5346BRLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 9.1V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 9.1V
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1N53xxB
Tolerance: ±5%
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.45 грн
18+23.48 грн
21+20.21 грн
100+14.09 грн
500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G description MJD44H11_MJD45H11.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD45H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.48 грн
10+50.15 грн
20+43.53 грн
50+35.98 грн
100+31.11 грн
200+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G description MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD45H11G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+97.54 грн
10+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLG mjd44h11-d.pdf
MJD45H11RLG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1G description MJD45H11-001G.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD45H11-1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+105.67 грн
10+51.33 грн
75+41.43 грн
150+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11G mjd44h11-d.pdf
NJVMJD45H11G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLG mjd44h11-d.pdf
NJVMJD45H11RLG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G mjd44h11-d.pdf
NJVMJD45H11T4G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS024N06CT1G NTMFS024N06C-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 158A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.7nC
Pulsed drain current: 158A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD024N06CT1G nvmfd024n06c-d.pdf
NVMFD024N06CT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 14W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS024N06CT1G nvmfs024n06c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 158A; 14W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS024N06CTAG nvtfs024n06c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 112A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC573DWG mc74ac573-d.pdf
MC74AC573DWG
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; latch transparent; Ch: 8; 2÷6VDC; SMD; SO20-W; AC; AC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: latch transparent
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: SO20-W
Family: AC
Kind of output: 3-state
Manufacturer series: AC
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.74 грн
10+48.47 грн
25+41.43 грн
38+38.91 грн
76+35.89 грн
114+34.64 грн
532+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401LT3G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1692YS KSD1692YS.pdf
KSD1692YS
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 3A; 15W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: TO126ISO
Current gain: 4000...12000
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006FFG 1N4001-D.PDF
1N4006FFG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
321+1.41 грн
417+1.01 грн
432+0.97 грн
455+0.92 грн
500+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20100CTT4G mbrb20100ct-d.pdf
MBRB20100CTT4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 150A
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.12 грн
5+103.15 грн
10+87.22 грн
20+80.51 грн
50+72.96 грн
100+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14014BDG MC14014B-D.pdf
MC14014BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; 8bit,shift register; Ch: 1; CMOS; SMD; SOIC16; HEF4000B
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: 8bit; shift register
Number of channels: 1
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.51 грн
20+21.22 грн
25+19.79 грн
48+18.79 грн
96+17.95 грн
144+17.53 грн
288+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5356BRLG 1N53xx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 19V; CASE017AA; single diode; reel,tape; 1N53xxB
Mounting: THT
Manufacturer series: 1N53xxB
Power dissipation: 5W
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE017AA
Zener voltage: 19V
Type of diode: Zener
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401RLG 1N540x.PDF
1N5401RLG
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; reel,tape
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Case: DO27
Type of diode: rectifying
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.61 грн
24+17.78 грн
26+16.19 грн
50+15.10 грн
100+14.01 грн
200+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401G 1N540x.PDF
1N5401G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; bulk; Ufmax: 1V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 3A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Case: DO27
Type of diode: rectifying
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.48 грн
28+15.18 грн
100+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BM3T5G BC847BM3-D.PDF
BC847BM3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.26W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.48 грн
29+14.76 грн
50+9.88 грн
100+8.29 грн
250+6.68 грн
500+5.75 грн
1000+5.02 грн
2500+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM833DR2G LM833DR2G.PDF
LM833DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 15MHz; Ch: 2; ±5÷18VDC,10÷36VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 15MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 5...18V DC; 10...36V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 7V/μs
Integrated circuit features: low noise
Input offset voltage: 0.3mV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14584BDG MC14584BDG.PDF
MC14584BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: hex; 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: tube
Kind of input: with Schmitt trigger
Delay time: 100ns
Family: HEF4000B
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.03 грн
17+25.16 грн
25+21.80 грн
55+19.21 грн
110+17.11 грн
275+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14584BDTR2G MC14584B-D.pdf
MC14584BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: hex; 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 3...18V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Delay time: 100ns
Family: HEF4000B
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.51 грн
20+21.72 грн
25+19.79 грн
100+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SB3157P6X NC7SB3157P6X.pdf
NC7SB3157P6X
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; Ch: 1; SC70-6; 10uA
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 1
Case: SC70-6
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 10µA
Kind of output: SPDT
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.26 грн
34+12.58 грн
37+11.41 грн
43+9.98 грн
50+8.97 грн
100+8.13 грн
250+7.13 грн
500+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N80TU FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ175LT1G MMBFJ175LT1G.pdf
MMBFJ175LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.22 грн
18+24.32 грн
21+20.04 грн
28+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]