Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142746) > Сторінка 2326 з 2380

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 238 476 714 952 1190 1428 1666 1904 2142 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2380  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CAT24C02TDI-GT3A CAT24C02TDI-GT3A ONSEMI cat24c01-d.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 2kbEEPROM; I2C; 256x8bit; 1.7÷5.5V; SOT23-5
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 2kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 256x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C02WE-GT3 ONSEMI CAV24C02-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 2kbEEPROM; I2C; 256x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 2kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 256x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C02YE-GT3 ONSEMI CAV24C02-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 2kbEEPROM; I2C; 256x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 2kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 256x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3063BDR2G NCP3063BDR2G ONSEMI NCP3063.pdf description Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 3÷40VDC; Uout: 1.25÷40VDC; 1.5A; SO8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 3...40V DC
Output voltage: 1.25...40V DC
Output current: 1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Frequency: 110...190kHz
Topology: boost; buck; buck-boost
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 5...40V DC
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.25 грн
7+60.97 грн
10+55.12 грн
25+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3063 FODM3063 ONSEMI FODM3063.pdf Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 3.75kV; Uout: 600V; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 3.75kV
Output voltage: 600V
Kind of output: triac
Case: Mini-flat 4pin
Trigger current: 5mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: FODM306x
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB2545CTT4G MBRB2545CTT4G ONSEMI MBRB2545CTG.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.65V
Max. load current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.80 грн
4+134.46 грн
10+104.40 грн
20+91.03 грн
50+76.84 грн
100+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1540G MUR1540G ONSEMI MUR15xx.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 15A; tube; Ifsm: 200A; TO220-2; 60ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO220-2
Max. load current: 30A
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS1540T3G MBRS1540T3G ONSEMI MBRS1540T3G-DTE.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 1.5A; reel,tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.54V
Load current: 1.5A
Max. load current: 3A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.48 грн
20+21.80 грн
25+19.46 грн
50+17.79 грн
100+16.37 грн
250+14.62 грн
500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06 FQPF27P06 ONSEMI FQPF27P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.99 грн
10+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM ONSEMI FQB27P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3772G 2N3772G ONSEMI 1578.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 20A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 200kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15001G
+1
 		MJ15001G ONSEMI mj15001-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 15A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Current gain: 25...150
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 140V
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LMV324DR2G ONSEMI lmv321-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; 2.7÷5VDC; SO14; 9mV; IB: 1nA
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 1V/μs
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail output; voltage feedback
Input offset voltage: 9mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 1nA
Voltage supply range: 2.7...5V DC
Input offset current: 1nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LMV324DTBR2G ONSEMI lmv321-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; 2.7÷5VDC; TSSOP14; 9mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 1V/μs
Integrated circuit features: voltage feedback
Input offset voltage: 9mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 1nA
Voltage supply range: 2.7...5V DC
Input offset current: 1nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14512BDR2G MC14512BDR2G ONSEMI mc14512b-d.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; data selector; Ch: 8; IN: 8; TTL; SMD; SO16; HEF4000B
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 8
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: data selector
Technology: TTL
Number of channels: 8
Family: HEF4000B
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.88 грн
18+24.22 грн
25+21.71 грн
100+18.96 грн
250+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC14512BDG MC14512BDG ONSEMI mc14512b-d.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; data selector; Ch: 8; IN: 8; TTL; SMD; SO16; HEF4000B
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: data selector
Number of channels: 8
Number of inputs: 8
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SO16
Family: HEF4000B
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60 FCPF16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C256YI-GT3 CAT24C256YI-GT3 ONSEMI cat24c256-d.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; I2C; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C256MUW3VTBG ONSEMI NV24C256MUW-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; I2C; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C256WE-GT3 ONSEMI CAV24C256-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; I2C; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C256YE-GT3 ONSEMI CAV24C256-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; I2C; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1246BLD065R2G ONSEMI ncp1246-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SO7; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 500...800mA
Frequency: 58...72kHz
Mounting: SMD
Case: SO7
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 8.9...26.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC165ADR2G-Q ONSEMI mc74hc165a-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC16; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: complementary; push-pull
Case: SOIC16
Family: HC
Trigger: positive-edge-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 225ns
Number of channels: 1
Number of outputs: 1
Supply voltage: 2...6V
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Number of inputs: 9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC165ADTR2G-Q ONSEMI mc74hc165a-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; TSSOP16; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: complementary; push-pull
Case: TSSOP16
Family: HC
Trigger: positive-edge-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 225ns
Number of channels: 1
Number of outputs: 1
Supply voltage: 2...6V
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Number of inputs: 9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC165AMN2TWG ONSEMI MC74HC165A-D.PDF Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; QFN16; HC; IN: 9
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: complementary; push-pull
Case: QFN16
Family: HC
Trigger: positive-edge-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Number of channels: 1
Number of outputs: 1
Supply voltage: 2...6V
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Number of inputs: 9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC165AMN2TWG-Q ONSEMI mc74hc165a-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; SMD; QFN16; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: complementary
Case: QFN16
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 225ns
Supply voltage: 4.5...5.5V
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Number of inputs: 9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 FDS3590 ONSEMI fds3590-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.74 грн
10+59.13 грн
25+48.19 грн
100+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+349.87 грн
5+288.14 грн
10+274.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G ONSEMI nvmfs6h800nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+354.37 грн
10+258.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2383YTA KSC2383YTA ONSEMI KSC2383.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.88 грн
20+21.97 грн
50+16.04 грн
100+14.03 грн
500+10.69 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2383OTA KSC2383OTA ONSEMI KSC2383.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.28 грн
17+25.72 грн
19+22.05 грн
50+14.70 грн
100+12.53 грн
500+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 ONSEMI FDMS86101.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Polarisation: unipolar
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 104W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A ONSEMI fdms86101a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Polarisation: unipolar
Case: Power56
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 58nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 180A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC ONSEMI fdms86101dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Polarisation: unipolar
Case: DFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDUL03N150CG ONSEMI ena2218-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 50W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
On-state resistance: 10.5Ω
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+377.76 грн
5+260.57 грн
10+231.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP7D3N15MC ONSEMI ntp7d3n15mc-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 101A; Idm: 574A; 166W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 7.3mΩ
Drain current: 101A
Pulsed drain current: 574A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14021BDR2G MC14021BDR2G ONSEMI mc14014b-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; Ch: 1; CMOS; SMD; SO16; HEF4000B; -55÷125°C; 3÷18VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; asynchronous; static shift register; synchronous
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
Technology: CMOS
Family: HEF4000B
Quiescent current: 600µA
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.98 грн
18+23.64 грн
25+19.38 грн
100+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC14049BDG MC14049BDG ONSEMI mc14049b-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,inverting; Ch: 6; CMOS; SMD; SO16; -55÷125°C
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Case: SO16
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: buffer; inverting
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Number of channels: 6
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.98 грн
15+28.73 грн
17+24.64 грн
25+18.71 грн
48+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC14082BDG MC14082BDG ONSEMI MC14082BDG.PDF Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 2; IN: 4; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMD
Family: HEF4000B
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 4
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of gate: AND
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.59 грн
30+14.20 грн
55+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MC14025BDG MC14025BDG ONSEMI MC14001B-D.pdf description Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOR
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Number of channels: triple; 3
Family: HEF4000B
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.98 грн
19+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MC14013BDTR2G ONSEMI MC14013B-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; CMOS; SMD; TSSOP14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Number of inputs: 4
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT74DG MC74ACT74DG ONSEMI mc74ac74-d.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; ACT; SMD; SO14
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: ACT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.98 грн
19+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT74DTR2G ONSEMI MC74AC74-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; TTL; ACT; SMD; TSSOP14; ACT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Number of inputs: 4
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Family: ACT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: ACT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D ES2D ONSEMI ES2(A-J)%20N0160%20REV.D.pdf es2d-d.pdf ES2_1.pdf es2a.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf 5399_ES2D%20SMB.PDF FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SMA_ES2A_THRU_ES2J-202604.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Leakage current: 0.35mA
Capacitance: 18pF
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.28 грн
29+14.87 грн
50+12.03 грн
100+11.02 грн
250+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAF ONSEMI ES2DAF-D.PDF es2daf-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA flat; Ufmax: 950mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA flat
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAG ONSEMI ntljs17d0p03p8z-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -47A; 2.4W; WDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -47A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS012P03P8ZTAG ONSEMI Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -47A; 2.4W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -47A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS012P03P8ZTAG ONSEMI nvtfs012p03p8z-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -47A; 2.4W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -47A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8187AMT330TAG ONSEMI ncv8187-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1.2A; WDFN6; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 1.2A
Case: WDFN6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADR2G-Q ONSEMI mc74hc164a-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC; -55÷125°C; IN: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Delay time: 250ns
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADTR2G-Q ONSEMI mc74hc164a-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; TSSOP14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Number of outputs: 8
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of output: push-pull
Delay time: 250ns
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164BDR2G ONSEMI mc74hc164b-d.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Number of outputs: 8
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of output: push-pull
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N93C66BT3ETAG ONSEMI N93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 4MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 4MHz
Mounting: SMD
Case: TDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT93C66VI-GT3 ONSEMI CAT93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66VE-GT3 ONSEMI CAV93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66YE-GT3 ONSEMI CAV93C66-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI FQP9N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+319.29 грн
10+194.60 грн
50+182.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+330.99 грн
5+219.65 грн
10+183.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYW29-200G BYW29-200G ONSEMI BYW29-200G.PDF description Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.34 грн
7+69.32 грн
10+49.28 грн
50+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C02TDI-GT3A cat24c01-d.pdf
CAT24C02TDI-GT3A
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 2kbEEPROM; I2C; 256x8bit; 1.7÷5.5V; SOT23-5
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 2kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 256x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C02WE-GT3 CAV24C02-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 2kbEEPROM; I2C; 256x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 2kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 256x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C02YE-GT3 CAV24C02-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 2kbEEPROM; I2C; 256x8bit; 2.5÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 2kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 256x8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 900ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3063BDR2G description NCP3063.pdf
NCP3063BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 3÷40VDC; Uout: 1.25÷40VDC; 1.5A; SO8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 3...40V DC
Output voltage: 1.25...40V DC
Output current: 1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Frequency: 110...190kHz
Topology: boost; buck; buck-boost
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 5...40V DC
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.25 грн
7+60.97 грн
10+55.12 грн
25+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3063 FODM3063.pdf
FODM3063
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 3.75kV; Uout: 600V; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 3.75kV
Output voltage: 600V
Kind of output: triac
Case: Mini-flat 4pin
Trigger current: 5mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Manufacturer series: FODM306x
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB2545CTT4G MBRB2545CTG.PDF
MBRB2545CTT4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.65V
Max. load current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.80 грн
4+134.46 грн
10+104.40 грн
20+91.03 грн
50+76.84 грн
100+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1540G MUR15xx.PDF
MUR1540G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 15A; tube; Ifsm: 200A; TO220-2; 60ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO220-2
Max. load current: 30A
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS1540T3G MBRS1540T3G-DTE.PDF
MBRS1540T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 1.5A; reel,tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.54V
Load current: 1.5A
Max. load current: 3A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.48 грн
20+21.80 грн
25+19.46 грн
50+17.79 грн
100+16.37 грн
250+14.62 грн
500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06 FQPF27P06.pdf
FQPF27P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.99 грн
10+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06.pdf
FQB27P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3772G 1578.pdf
2N3772G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 20A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 200kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ15001G mj15001-d.pdf
MJ15001G
+1
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 15A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Current gain: 25...150
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 140V
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LMV324DR2G lmv321-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; 2.7÷5VDC; SO14; 9mV; IB: 1nA
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 1V/μs
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail output; voltage feedback
Input offset voltage: 9mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 1nA
Voltage supply range: 2.7...5V DC
Input offset current: 1nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LMV324DTBR2G lmv321-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; 2.7÷5VDC; TSSOP14; 9mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: quad; 4
Mounting: SMT
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 1V/μs
Integrated circuit features: voltage feedback
Input offset voltage: 9mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 1nA
Voltage supply range: 2.7...5V DC
Input offset current: 1nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14512BDR2G mc14512b-d.pdf
MC14512BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; data selector; Ch: 8; IN: 8; TTL; SMD; SO16; HEF4000B
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 8
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: data selector
Technology: TTL
Number of channels: 8
Family: HEF4000B
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.88 грн
18+24.22 грн
25+21.71 грн
100+18.96 грн
250+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC14512BDG mc14512b-d.pdf
MC14512BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; data selector; Ch: 8; IN: 8; TTL; SMD; SO16; HEF4000B
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: data selector
Number of channels: 8
Number of inputs: 8
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SO16
Family: HEF4000B
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60 fcp16n60-d.pdf
FCPF16N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C256YI-GT3 cat24c256-d.pdf
CAT24C256YI-GT3
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; I2C; 32kx8bit; 1.8÷5.5V; TSSOP8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NV24C256MUW3VTBG NV24C256MUW-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; I2C; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: uDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 40ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C256WE-GT3 CAV24C256-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; I2C; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV24C256YE-GT3 CAV24C256-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 256kbEEPROM; I2C; 32kx8bit; 2.5÷5.5V; 1MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 256kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 400ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1246BLD065R2G ncp1246-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; SO7; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 500...800mA
Frequency: 58...72kHz
Mounting: SMD
Case: SO7
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 8.9...26.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC165ADR2G-Q mc74hc165a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC16; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: complementary; push-pull
Case: SOIC16
Family: HC
Trigger: positive-edge-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 225ns
Number of channels: 1
Number of outputs: 1
Supply voltage: 2...6V
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Number of inputs: 9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC165ADTR2G-Q mc74hc165a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; TSSOP16; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: complementary; push-pull
Case: TSSOP16
Family: HC
Trigger: positive-edge-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 225ns
Number of channels: 1
Number of outputs: 1
Supply voltage: 2...6V
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Number of inputs: 9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC165AMN2TWG MC74HC165A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; QFN16; HC; IN: 9
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: complementary; push-pull
Case: QFN16
Family: HC
Trigger: positive-edge-triggered
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Number of channels: 1
Number of outputs: 1
Supply voltage: 2...6V
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Number of inputs: 9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC165AMN2TWG-Q mc74hc165a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; SMD; QFN16; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: complementary
Case: QFN16
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 225ns
Supply voltage: 4.5...5.5V
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Number of inputs: 9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 fds3590-d.pdf
FDS3590
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.74 грн
10+59.13 грн
25+48.19 грн
100+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
FDB0190N807L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.87 грн
5+288.14 грн
10+274.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+354.37 грн
10+258.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2383YTA KSC2383.pdf
KSC2383YTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.88 грн
20+21.97 грн
50+16.04 грн
100+14.03 грн
500+10.69 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2383OTA KSC2383.pdf
KSC2383OTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.28 грн
17+25.72 грн
19+22.05 грн
50+14.70 грн
100+12.53 грн
500+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101.pdf
FDMS86101
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Polarisation: unipolar
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 104W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A fdms86101a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Polarisation: unipolar
Case: Power56
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 58nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 180A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC fdms86101dc-d.pdf
FDMS86101DC
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Polarisation: unipolar
Case: DFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDUL03N150CG ena2218-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 50W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
On-state resistance: 10.5Ω
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+377.76 грн
5+260.57 грн
10+231.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTP7D3N15MC ntp7d3n15mc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 101A; Idm: 574A; 166W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 7.3mΩ
Drain current: 101A
Pulsed drain current: 574A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14021BDR2G mc14014b-d.pdf
MC14021BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; Ch: 1; CMOS; SMD; SO16; HEF4000B; -55÷125°C; 3÷18VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; asynchronous; static shift register; synchronous
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
Technology: CMOS
Family: HEF4000B
Quiescent current: 600µA
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.98 грн
18+23.64 грн
25+19.38 грн
100+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC14049BDG mc14049b-d.pdf
MC14049BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,inverting; Ch: 6; CMOS; SMD; SO16; -55÷125°C
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Case: SO16
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: buffer; inverting
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Number of channels: 6
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.98 грн
15+28.73 грн
17+24.64 грн
25+18.71 грн
48+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC14082BDG MC14082BDG.PDF
MC14082BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 2; IN: 4; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMD
Family: HEF4000B
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 4
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of gate: AND
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.59 грн
30+14.20 грн
55+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MC14025BDG description MC14001B-D.pdf
MC14025BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOR
Kind of package: tube
Technology: CMOS
Number of channels: triple; 3
Family: HEF4000B
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.98 грн
19+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MC14013BDTR2G MC14013B-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; CMOS; SMD; TSSOP14; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Number of inputs: 4
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT74DG mc74ac74-d.pdf
MC74ACT74DG
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; CMOS; ACT; SMD; SO14
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Trigger: positive-edge-triggered
Manufacturer series: ACT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.98 грн
19+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT74DTR2G MC74AC74-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 2; IN: 4; TTL; ACT; SMD; TSSOP14; ACT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 2
Number of inputs: 4
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...85°C
Family: ACT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: ACT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D ES2(A-J)%20N0160%20REV.D.pdf es2d-d.pdf ES2_1.pdf es2a.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf 5399_ES2D%20SMB.PDF FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SMA_ES2A_THRU_ES2J-202604.pdf
ES2D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Leakage current: 0.35mA
Capacitance: 18pF
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.28 грн
29+14.87 грн
50+12.03 грн
100+11.02 грн
250+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAF ES2DAF-D.PDF es2daf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA flat; Ufmax: 950mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA flat
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAG ntljs17d0p03p8z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -47A; 2.4W; WDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -47A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS012P03P8ZTAG
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -47A; 2.4W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -47A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS012P03P8ZTAG nvtfs012p03p8z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -47A; 2.4W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -47A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8187AMT330TAG ncv8187-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1.2A; WDFN6; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 1.2A
Case: WDFN6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADR2G-Q mc74hc164a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC; -55÷125°C; IN: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Kind of output: push-pull
Delay time: 250ns
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164ADTR2G-Q mc74hc164a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; TSSOP14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Number of outputs: 8
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of output: push-pull
Delay time: 250ns
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC164BDR2G mc74hc164b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; shift register,parallel in; Ch: 1; SMD; SOIC14; HC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: parallel in; shift register
Mounting: SMD
Case: SOIC14
Family: HC
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V
Number of outputs: 8
Trigger: positive-edge-triggered
Kind of output: push-pull
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N93C66BT3ETAG N93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 4MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 4MHz
Mounting: SMD
Case: TDFN8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT93C66VI-GT3 CAT93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66VE-GT3 CAV93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV93C66YE-GT3 CAV93C66-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 4kbEEPROM; Microwire; 512x8/256x16bit; 2MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 4kb EEPROM
Interface: Microwire
Memory organisation: 512x8/256x16bit
Operating voltage: 2.5...5.5V
Clock frequency: 2MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 250ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C.pdf
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.29 грн
10+194.60 грн
50+182.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.99 грн
5+219.65 грн
10+183.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYW29-200G description BYW29-200G.PDF
BYW29-200G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.34 грн
7+69.32 грн
10+49.28 грн
50+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 238 476 714 952 1190 1428 1666 1904 2142 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2327 2328 2329 2330 2331 2380  [ Наступна Сторінка >> ]