Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142639) > Сторінка 2321 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2316 2317 2318 2319 2320 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MOC3031M MOC3031M ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2F9130F6C0C7&compId=MOC3031M.pdf?ci_sign=c4dfb174bd32cf24f73a19250a5bf067f419300b Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 250V; DIP6; Ch: 1; MOC303XM
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 250V
Kind of output: triac; zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 15mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Manufacturer series: MOC303XM
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.15 грн
10+40.76 грн
50+35.02 грн
100+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G132DFT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE598B95104BB25411C&compId=M74VHC1G132DFT1G.PDF?ci_sign=05a06211c845a9acfcb6d2e31a7aa07dd9ca4e04 Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Case: SC88A
Supply voltage: 2...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 2
Kind of gate: NAND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51820AMNTWG ONSEMI ncp51820-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-side,low-side,gate driver; GaN; QFN15
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side
Technology: GaN
Case: QFN15
Output current: -2...1A
Supply voltage: 9...17V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 ONSEMI HUF75339P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.53 грн
10+80.06 грн
50+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MC33161DR2G MC33161DR2G ONSEMI mc34161-d.pdf Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); 2÷40VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Kind of RESET output: open collector
Active logical level: low
Supply voltage: 2...40V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Mounting: SMD
DC supply current: 560µA
Maximum output current: 20mA
Threshold on-voltage: 1.27V
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.67 грн
10+46.90 грн
25+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MC33172DR2G MC33172DR2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F6A56FC0C3411C&compId=MC33172DG-DTE.PDF?ci_sign=75d33d92f5492c18acf8af66fca3207b27f497d2 Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.8MHz; Ch: 2; SO8; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.8MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Slew rate: 2.1V/μs
Operating temperature: -40...85°C
Input offset voltage: 2mV
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Integrated circuit features: low power
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.87 грн
19+22.00 грн
21+19.57 грн
25+16.90 грн
50+15.28 грн
100+14.07 грн
250+12.94 грн
500+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MC33164P-5G MC33164P-5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998CDAF8C5FEC1820&compId=MC34164_MC43164_NCV33164.pdf?ci_sign=825f193a3a1fb7df49601f56b76ef00fd67272ab description Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); 1÷10VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Kind of RESET output: open collector
Active logical level: low
Supply voltage: 1...10V DC
Case: TO92
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: THT
DC supply current: 32µA
Maximum output current: 50mA
Threshold on-voltage: 4.33V
Kind of package: bulk
Number of channels: 1
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.06 грн
15+27.50 грн
25+26.85 грн
100+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MC33161DG MC33161DG ONSEMI mc34161-d.pdf Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); 2÷40VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Kind of RESET output: open collector
Active logical level: low
Supply voltage: 2...40V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Mounting: SMD
DC supply current: 560µA
Maximum output current: 20mA
Threshold on-voltage: 1.27V
Kind of package: tube
Number of channels: 2
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+86.22 грн
10+54.18 грн
25+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.50 грн
10+97.85 грн
27+92.19 грн
250+90.57 грн
500+88.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STU BD13810STU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6F24EF38EAE40CE&compId=BD136_138_140.pdf?ci_sign=110b6f88cafbe0e2a7fcb0c0b1b608b4bf5ae0b0 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 63...160
Polarisation: bipolar
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+29.00 грн
25+24.34 грн
120+21.51 грн
480+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN FDC6561AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.96 грн
10+40.60 грн
50+27.98 грн
100+23.94 грн
250+19.81 грн
500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P NDC7003P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DE739DB2174745&compId=NDC7003P.pdf?ci_sign=5c421510fe44da4ad1d95dee73eb77a06ed2bf63 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.34A
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.96W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
23+18.36 грн
50+14.56 грн
100+12.53 грн
500+8.65 грн
1000+7.52 грн
3000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Gate charge: 2.3/1.5nC
On-state resistance: 720/1220mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.80 грн
12+33.80 грн
25+29.92 грн
100+23.45 грн
250+19.73 грн
500+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C ONSEMI FDC6333C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+53.12 грн
10+45.29 грн
50+35.42 грн
100+29.44 грн
500+18.11 грн
750+16.25 грн
1000+15.12 грн
1500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 8.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.77 грн
12+33.80 грн
50+25.15 грн
100+22.08 грн
250+18.68 грн
500+16.66 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4685T1G MMSZ4685T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4CFEB7388A7C0D8&compId=MMSZ4xxxT1G.PDF?ci_sign=a85907a4b31579eb401f684e4c002657dc7dfe7a Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Case: SOD123
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 7.5µA
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 3.6V
Manufacturer series: MMSZ4xxT1G
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
59+7.45 грн
81+5.01 грн
110+3.69 грн
126+3.23 грн
500+2.38 грн
588+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5252BT1G MMSZ5252BT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4D04381F20DC0D8&compId=MMSZ52xxT1G.PDF?ci_sign=fdb8f3e427e766b88a37e5251c191ddf82ded01f Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.10 грн
99+4.12 грн
137+2.96 грн
160+2.54 грн
200+2.18 грн
500+1.76 грн
1000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1G ONSEMI nxh450n65l4q2f2s1g-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 450A; PIM40; SiC
Collector current: 450A
Case: PIM40
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15CDTG MC78M15CDTG ONSEMI mc78m_ser.pdf description Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; DPAK; SMD; MC78M00
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: MC78M00
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 17.5...30V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.16 грн
27+15.28 грн
30+13.59 грн
75+11.81 грн
150+11.00 грн
300+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15CTG MC78M15CTG ONSEMI mc78m_ser.pdf Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; TO220AB; THT; tube
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Manufacturer series: MC78M00
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Input voltage: 17.5...30V
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.06 грн
16+26.61 грн
25+24.26 грн
50+22.72 грн
100+21.35 грн
250+19.81 грн
500+18.68 грн
1000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
US1DFA ONSEMI us1mfa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SOD123F; Ufmax: 950mV
Type of diode: rectifying
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVUS1DFA NRVUS1DFA ONSEMI US1MFA-D.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SOD123F; Ufmax: 0.95V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUF2101MT1G NUF2101MT1G ONSEMI nuf2101m-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Application: USB
Semiconductor structure: bidirectional
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+32.22 грн
17+24.75 грн
25+22.48 грн
50+20.86 грн
100+19.41 грн
250+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C4V7 BZX79C4V7 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 3µA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.71 грн
69+5.90 грн
105+3.88 грн
126+3.23 грн
250+2.60 грн
500+2.26 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KA1H0165RTU ONSEMI ONSM-S-A0003590352-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw KA1H0165R%28N%29.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 700mA; 650V; 100kHz; Ch: 1; TO220F-4; 10Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.7A
Output voltage: 650V
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 10Ω
Duty cycle factor: 64...70%
Kind of package: tube
Power: 40W
Operating voltage: 10...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358M LM358M ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0F46CB108DF1A303005056AB0C4F&compId=LM358A.pdf?ci_sign=98367459edae4eac47e374c413445e189e6ad7b3 Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 2; SO8; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4K GBU4K ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD809DA2D0D663A0D2&compId=GBU4x.PDF?ci_sign=c484993c04cddfef427267792371b43350125246 Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 150A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 150A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2596DSADJR4G ONSEMI lm2596-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; D2PAK-5; SMD; reel,tape
Case: D2PAK-5
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2596TVADJG ONSEMI lm2596-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; TO220-5; THT; tube
Case: TO220-5
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2904ADMR2G ONSEMI lm358-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; Micro8; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: dual; 2
Case: Micro8
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 10mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ2955G ONSEMI 2n3055-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3
Kind of package: in-tray
Case: TO3; TO204
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 115W
Current gain: 20...70
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2.5MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G ONSEMI mjd2955-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TG ONSEMI mje2955t-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SVD2955T4G ONSEMI ntd2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS8550CTA SS8550CTA ONSEMI ss8550-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 1.5A; 1W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG ONSEMI ngtb40n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.18 грн
10+410.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S ONSEMI nthl040n120m3s-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; Idm: 134A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S ONSEMI NVBG040N120M3S-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 ONSEMI nvbg040n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 ONSEMI nvhl040n120sc1-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358EDR2G ONSEMI lm358-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.1MHz; Ch: 2; SO8; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 9mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 150nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358DMR2G ONSEMI lm358-d.pdf description Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.1MHz; Ch: 2; Micro8; reel,tape; 150nA
Type of integrated circuit: operational amplifier
Mounting: SMT
Number of channels: dual; 2
Case: Micro8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 9mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Input offset current: 150nA
Kind of package: reel; tape
Bandwidth: 1.1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G ONSEMI mmbt3906tt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1G ONSEMI mmbt3906tt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM339DTBR2G ONSEMI lm339-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 4; 3÷36V; SMT; TSSOP14; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 4
Operating voltage: 3...36V
Mounting: SMT
Case: TSSOP14
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM339EDR2G ONSEMI lm339-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 4; 3÷36V; SMT; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 4
Operating voltage: 3...36V
Mounting: SMT
Case: SO14
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60 ONSEMI fcpf380n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 106W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60E ONSEMI FAIR-S-A0002365473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 106W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60 ONSEMI fcpf380n60-d.pdf ONSM-S-A0003584318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E ONSEMI FCPF380N60E-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG ONSEMI ngtb15n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 109nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 147W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.57 грн
10+385.74 грн
30+340.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WG ONSEMI ngtb25n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 136nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 174W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1G ONSEMI bc817-40w-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33202DMR2G ONSEMI mc33201-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 2.2MHz; Micro8; ±1.8÷12VDC; reel,tape
Case: Micro8
Operating temperature: -40...105°C
Input bias current: 0.25µA
Input offset voltage: 11mV
Voltage supply range: ± 1.8...12V DC
Slew rate: 1V/μs
Bandwidth: 2.2MHz
Number of channels: dual
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Type of integrated circuit: operational amplifier
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Input offset current: 100nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33202VDR2G ONSEMI mc33201-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 2.2MHz; SO8; ±1.8÷12VDC; reel,tape
Case: SO8
Operating temperature: -55...125°C
Input bias current: 0.5µA
Input offset voltage: 14mV
Voltage supply range: ± 1.8...12V DC
Slew rate: 1V/μs
Bandwidth: 2.2MHz
Number of channels: dual
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Type of integrated circuit: operational amplifier
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902DTBR2G ONSEMI lm324-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; TSSOP14; reel,tape; 200nA
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: quad; 4
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 10mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902EDR2G ONSEMI lm324-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; SO14; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: quad; 4
Case: SO14
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 10mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902VDR2G ONSEMI lm324-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; SO14; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: quad; 4
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 13mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902VDTBR2G ONSEMI lm324-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; TSSOP14; reel,tape; 200nA
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: quad; 4
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 13mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3031M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2F9130F6C0C7&compId=MOC3031M.pdf?ci_sign=c4dfb174bd32cf24f73a19250a5bf067f419300b
MOC3031M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 4.17kV; Uout: 250V; DIP6; Ch: 1; MOC303XM
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 4.17kV
Output voltage: 250V
Kind of output: triac; zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 15mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Manufacturer series: MOC303XM
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.15 грн
10+40.76 грн
50+35.02 грн
100+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G132DFT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE598B95104BB25411C&compId=M74VHC1G132DFT1G.PDF?ci_sign=05a06211c845a9acfcb6d2e31a7aa07dd9ca4e04
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Case: SC88A
Supply voltage: 2...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 2
Kind of gate: NAND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51820AMNTWG ncp51820-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-side,low-side,gate driver; GaN; QFN15
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side
Technology: GaN
Case: QFN15
Output current: -2...1A
Supply voltage: 9...17V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3.pdf
HUF75339P3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.53 грн
10+80.06 грн
50+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MC33161DR2G mc34161-d.pdf
MC33161DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); 2÷40VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Kind of RESET output: open collector
Active logical level: low
Supply voltage: 2...40V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Mounting: SMD
DC supply current: 560µA
Maximum output current: 20mA
Threshold on-voltage: 1.27V
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.67 грн
10+46.90 грн
25+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MC33172DR2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F6A56FC0C3411C&compId=MC33172DG-DTE.PDF?ci_sign=75d33d92f5492c18acf8af66fca3207b27f497d2
MC33172DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.8MHz; Ch: 2; SO8; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.8MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Slew rate: 2.1V/μs
Operating temperature: -40...85°C
Input offset voltage: 2mV
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Integrated circuit features: low power
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.87 грн
19+22.00 грн
21+19.57 грн
25+16.90 грн
50+15.28 грн
100+14.07 грн
250+12.94 грн
500+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MC33164P-5G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998CDAF8C5FEC1820&compId=MC34164_MC43164_NCV33164.pdf?ci_sign=825f193a3a1fb7df49601f56b76ef00fd67272ab
MC33164P-5G
Виробник: ONSEMI
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); 1÷10VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Kind of RESET output: open collector
Active logical level: low
Supply voltage: 1...10V DC
Case: TO92
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: THT
DC supply current: 32µA
Maximum output current: 50mA
Threshold on-voltage: 4.33V
Kind of package: bulk
Number of channels: 1
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.06 грн
15+27.50 грн
25+26.85 грн
100+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MC33161DG mc34161-d.pdf
MC33161DG
Виробник: ONSEMI
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); 2÷40VDC
Type of integrated circuit: supervisor circuit
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Kind of RESET output: open collector
Active logical level: low
Supply voltage: 2...40V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Mounting: SMD
DC supply current: 560µA
Maximum output current: 20mA
Threshold on-voltage: 1.27V
Kind of package: tube
Number of channels: 2
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.22 грн
10+54.18 грн
25+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.50 грн
10+97.85 грн
27+92.19 грн
250+90.57 грн
500+88.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD13810STU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6F24EF38EAE40CE&compId=BD136_138_140.pdf?ci_sign=110b6f88cafbe0e2a7fcb0c0b1b608b4bf5ae0b0
BD13810STU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 63...160
Polarisation: bipolar
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.00 грн
25+24.34 грн
120+21.51 грн
480+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493
FDC6561AN
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.96 грн
10+40.60 грн
50+27.98 грн
100+23.94 грн
250+19.81 грн
500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NDC7003P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DE739DB2174745&compId=NDC7003P.pdf?ci_sign=5c421510fe44da4ad1d95dee73eb77a06ed2bf63
NDC7003P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.34A
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.96W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
23+18.36 грн
50+14.56 грн
100+12.53 грн
500+8.65 грн
1000+7.52 грн
3000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b
FDC6321C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Gate charge: 2.3/1.5nC
On-state resistance: 720/1220mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.80 грн
12+33.80 грн
25+29.92 грн
100+23.45 грн
250+19.73 грн
500+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C.pdf
FDC6333C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.12 грн
10+45.29 грн
50+35.42 грн
100+29.44 грн
500+18.11 грн
750+16.25 грн
1000+15.12 грн
1500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0
FDC658AP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 8.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.77 грн
12+33.80 грн
50+25.15 грн
100+22.08 грн
250+18.68 грн
500+16.66 грн
1000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4685T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4CFEB7388A7C0D8&compId=MMSZ4xxxT1G.PDF?ci_sign=a85907a4b31579eb401f684e4c002657dc7dfe7a
MMSZ4685T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Case: SOD123
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 7.5µA
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 3.6V
Manufacturer series: MMSZ4xxT1G
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
59+7.45 грн
81+5.01 грн
110+3.69 грн
126+3.23 грн
500+2.38 грн
588+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5252BT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4D04381F20DC0D8&compId=MMSZ52xxT1G.PDF?ci_sign=fdb8f3e427e766b88a37e5251c191ddf82ded01f
MMSZ5252BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.10 грн
99+4.12 грн
137+2.96 грн
160+2.54 грн
200+2.18 грн
500+1.76 грн
1000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1G nxh450n65l4q2f2s1g-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 450A; PIM40; SiC
Collector current: 450A
Case: PIM40
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Application: for UPS; Inverter
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15CDTG description mc78m_ser.pdf
MC78M15CDTG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; DPAK; SMD; MC78M00
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: MC78M00
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 17.5...30V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.16 грн
27+15.28 грн
30+13.59 грн
75+11.81 грн
150+11.00 грн
300+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M15CTG mc78m_ser.pdf
MC78M15CTG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 15V; 0.5A; TO220AB; THT; tube
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 15V
Output current: 0.5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Manufacturer series: MC78M00
Kind of package: tube
Operating temperature: 0...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Input voltage: 17.5...30V
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.06 грн
16+26.61 грн
25+24.26 грн
50+22.72 грн
100+21.35 грн
250+19.81 грн
500+18.68 грн
1000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
US1DFA us1mfa-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SOD123F; Ufmax: 950mV
Type of diode: rectifying
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVUS1DFA US1MFA-D.PDF
NRVUS1DFA
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SOD123F; Ufmax: 0.95V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUF2101MT1G nuf2101m-d.pdf
NUF2101MT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Application: USB
Semiconductor structure: bidirectional
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.22 грн
17+24.75 грн
25+22.48 грн
50+20.86 грн
100+19.41 грн
250+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C4V7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C4V7
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 3µA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.71 грн
69+5.90 грн
105+3.88 грн
126+3.23 грн
250+2.60 грн
500+2.26 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KA1H0165RTU ONSM-S-A0003590352-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw KA1H0165R%28N%29.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 700mA; 650V; 100kHz; Ch: 1; TO220F-4; 10Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.7A
Output voltage: 650V
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 10Ω
Duty cycle factor: 64...70%
Kind of package: tube
Power: 40W
Operating voltage: 10...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0F46CB108DF1A303005056AB0C4F&compId=LM358A.pdf?ci_sign=98367459edae4eac47e374c413445e189e6ad7b3
LM358M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; Ch: 2; SO8; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD809DA2D0D663A0D2&compId=GBU4x.PDF?ci_sign=c484993c04cddfef427267792371b43350125246
GBU4K
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 150A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 150A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2596DSADJR4G lm2596-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; D2PAK-5; SMD; reel,tape
Case: D2PAK-5
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2596TVADJG lm2596-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; TO220-5; THT; tube
Case: TO220-5
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2904ADMR2G lm358-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; Micro8; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: dual; 2
Case: Micro8
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 10mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJ2955G 2n3055-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3
Kind of package: in-tray
Case: TO3; TO204
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 115W
Current gain: 20...70
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2.5MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4G mjd2955-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TG mje2955t-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SVD2955T4G ntd2955-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS8550CTA ss8550-d.pdf
SS8550CTA
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 1.5A; 1W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
NGTB40N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.18 грн
10+410.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; Idm: 134A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 134A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358EDR2G lm358-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.1MHz; Ch: 2; SO8; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 9mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 150nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358DMR2G description lm358-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.1MHz; Ch: 2; Micro8; reel,tape; 150nA
Type of integrated circuit: operational amplifier
Mounting: SMT
Number of channels: dual; 2
Case: Micro8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 9mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Input offset current: 150nA
Kind of package: reel; tape
Bandwidth: 1.1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906TT1G mmbt3906tt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1G mmbt3906tt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM339DTBR2G lm339-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 4; 3÷36V; SMT; TSSOP14; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 4
Operating voltage: 3...36V
Mounting: SMT
Case: TSSOP14
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM339EDR2G lm339-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 4; 3÷36V; SMT; SO14; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 4
Operating voltage: 3...36V
Mounting: SMT
Case: SO14
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 25nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60 fcpf380n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 106W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60E FAIR-S-A0002365473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 106W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60 fcpf380n60-d.pdf ONSM-S-A0003584318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E FCPF380N60E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 109nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 147W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.57 грн
10+385.74 грн
30+340.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WG ngtb25n120fl3w-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 136nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 174W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC817-40WT1G bc817-40w-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33202DMR2G mc33201-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 2.2MHz; Micro8; ±1.8÷12VDC; reel,tape
Case: Micro8
Operating temperature: -40...105°C
Input bias current: 0.25µA
Input offset voltage: 11mV
Voltage supply range: ± 1.8...12V DC
Slew rate: 1V/μs
Bandwidth: 2.2MHz
Number of channels: dual
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Type of integrated circuit: operational amplifier
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Input offset current: 100nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33202VDR2G mc33201-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 2.2MHz; SO8; ±1.8÷12VDC; reel,tape
Case: SO8
Operating temperature: -55...125°C
Input bias current: 0.5µA
Input offset voltage: 14mV
Voltage supply range: ± 1.8...12V DC
Slew rate: 1V/μs
Bandwidth: 2.2MHz
Number of channels: dual
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Type of integrated circuit: operational amplifier
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902DTBR2G lm324-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; TSSOP14; reel,tape; 200nA
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: quad; 4
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 10mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902EDR2G lm324-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; SO14; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: quad; 4
Case: SO14
Operating temperature: -40...105°C
Input offset voltage: 10mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902VDR2G lm324-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; SO14; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: quad; 4
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 13mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2902VDTBR2G lm324-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 4; TSSOP14; reel,tape; 200nA
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Mounting: SMT
Number of channels: quad; 4
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 13mV
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2316 2317 2318 2319 2320 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]