Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142697) > Сторінка 2320 з 2379

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2315 2316 2317 2318 2319 2320 2321 2322 2323 2324 2325 2370 2379  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 ONSEMI fcmt199n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF ONSEMI fcd620n60zf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ONSEMI ndb5060l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Case: D2PAK-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 50mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14025BDG MC14025BDG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B497DD6AB820&compId=MC14001B-D.pdf?ci_sign=d22667ce4c99a05204a5589c1c1a2d691ef8755e description Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: triple; 3
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Family: HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: tube
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Kind of gate: NOR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.61 грн
17+24.34 грн
25+21.92 грн
55+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 ONSEMI fca20n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 75nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 ONSEMI fcmt360n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM ONSEMI fdd5n50nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J176-D74Z J176-D74Z ONSEMI j175-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 50mA
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.26 грн
24+17.47 грн
100+14.64 грн
250+11.24 грн
500+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42AG TIP42AG ONSEMI tip41a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 65W
Kind of package: tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.15 грн
10+76.26 грн
50+50.14 грн
100+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS ONSEMI fcu5n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.97 грн
85+4.77 грн
122+3.32 грн
145+2.81 грн
500+1.92 грн
1000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT3G BC858BLT3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 ONSEMI fdbl0210n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S ONSEMI NTBG040N120M3S-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33035DWR2G ONSEMI mc33035-d.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brushless motor controller; SO24; 75mA; Ch: 3
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brushless motor controller
Case: SO24
Output current: 75mA
Supply voltage: 0...40V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 3
Operating voltage: 10...30V DC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ ONSEMI fdd18n20lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3
Case: DPAK3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 89W
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05F20NXT5G ONSEMI nsr05f20-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; 0402; SMD; 20V; 0.5A; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.43V
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 20V
Case: 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AC245MTC 74AC245MTC ONSEMI 74ACT245-D.pdf description Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bidirectional,transceiver; Ch: 8; CMOS; SMD; TSSOP20
Type of integrated circuit: digital
Manufacturer series: AC
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AC245MTCX 74AC245MTCX ONSEMI 74ACT245-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bidirectional,transceiver; Ch: 8; CMOS; SMD; TSSOP20
Type of integrated circuit: digital
Manufacturer series: AC
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AC245SCX 74AC245SCX ONSEMI 74ACT245-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bidirectional,transceiver; Ch: 8; CMOS,TTL; SMD; SO20
Type of integrated circuit: digital
Manufacturer series: AC
Technology: CMOS; TTL
Case: SO20
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC245DTR2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E6286E54C6A0D3&compId=MC74AC245-D.pdf?ci_sign=c7ddd3b6a12d60351565f9ffe180d90e92f3fd47 Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,bidirectional,octal,transceiver; Ch: 8; CMOS
Type of integrated circuit: digital
Manufacturer series: AC
Family: AC
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; octal; transceiver
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784EFDF97877B8745&compId=SI4435DY.pdf?ci_sign=2dd861dc7908fb1b7a5ceb72263e5d2fccba210c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.44 грн
8+56.28 грн
50+43.02 грн
100+39.63 грн
500+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G ONSEMI ntd2955-d.pdf 546ddeaeab93c794f84a448873c3157d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+86.22 грн
10+54.75 грн
25+48.60 грн
100+40.92 грн
250+36.71 грн
500+33.80 грн
1000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF5484 MMBF5484 ONSEMI mmbf5486-d.pdf FAIRS30486-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.58 грн
51+8.01 грн
100+7.44 грн
250+7.12 грн
500+6.39 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MCH3914-7-TL-H ONSEMI ena1511-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 16mA; 0.3W; MCPH3; Igt: 5mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: MCPH3
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 5mA
Drain current: 16mA
Power dissipation: 0.3W
Drain-source voltage: 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCH3914-8-TL-H ONSEMI ena1511-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 25mA; 0.3W; MCPH3; Igt: 5mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: MCPH3
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 5mA
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.3W
Drain-source voltage: 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF ONSEMI irfm120a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 2.4W
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ONSEMI ntb110n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33275ST-3.3T3G MC33275ST-3.3T3G ONSEMI mc33275-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 0...20V
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.1V
Manufacturer series: MC33275
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.35 грн
17+24.75 грн
25+22.56 грн
100+19.73 грн
250+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTB150N65S3HF ONSEMI ntb150n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3H ONSEMI ntd250n65s3h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085 ONSEMI fdd86367_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
On-state resistance: 4.2mΩ
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ONSEMI ntbg040n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP36CG TIP36CG ONSEMI tip35a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 25A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.39 грн
10+207.02 грн
20+189.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TIP36AG TIP36AG ONSEMI tip35a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 25A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.43 грн
10+173.87 грн
30+149.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD280N60S5Z ONSEMI ntd280n60s5z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029M3T5G ONSEMI 2sa2029m3-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
Polarisation: bipolar
Case: SOT723
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z9V1T1G MM3Z9V1T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4CEB0970F3FE0D8&compId=MM3ZxxT1G.PDF?ci_sign=a647654c8258f6da9539eeb91ed2ccfef9c2983d Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 9.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM3ZxxT1G
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.10 грн
105+3.88 грн
160+2.54 грн
193+2.10 грн
500+1.38 грн
1000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MC14014BDG MC14014BDG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E6278D7592C0D3&compId=MC14014B-D.pdf?ci_sign=ed9ec2fb77e360863287d3d74a3ad3ba7ef56d77 Category: Shift registers
Description: IC: digital; 8bit,shift register; Ch: 1; CMOS; SMD; SOIC16; HEF4000B
Kind of package: tube
Operating temperature: -55...125°C
Family: HEF4000B
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOIC16
Kind of integrated circuit: 8bit; shift register
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.48 грн
21+20.06 грн
25+18.20 грн
48+17.14 грн
96+16.25 грн
144+15.77 грн
288+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5C ONSEMI ntmfs08n2d5c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; Idm: 823A; 138W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Power dissipation: 138W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
Pulsed drain current: 823A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-E
+1
 		2SA1416S-TD-E ONSEMI 2sa1416-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-E ONSEMI 2sa1416-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS024N06CT1G ONSEMI NTMFS024N06C-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 158A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G ONSEMI ntmfs015n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 54A; Idm: 423A; 79W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 423A
Power dissipation: 79W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7002 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRA4004T3G MRA4004T3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A7EC99F014E1DE27&compId=MRA4006T3G-DTE.PDF?ci_sign=07e05b91c4facf205775ca0b12034b0218906c4f Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; SMA; Ufmax: 1.18V; reel,tape
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.18V
Max. load current: 30A
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.06 грн
46+8.90 грн
56+7.23 грн
100+6.53 грн
250+5.65 грн
500+5.00 грн
1000+4.36 грн
2500+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NCP308MT300TBG ONSEMI ncp308-d.pdf Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); WDFN6
Supply voltage: 1.6...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Case: WDFN6
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: supervisor circuit
DC supply current: 6µA
Maximum output current: 5mA
Number of channels: 1
Threshold on-voltage: 2.79V
Active logical level: low
Kind of RESET output: open drain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3023M MOC3023M ONSEMI MOC3020M-ONS.PDF Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 400V; DIP6; MOC302XM
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 5mA
Mounting: THT
Output voltage: 400V
Manufacturer series: MOC302XM
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.29 грн
15+28.79 грн
50+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 ONSEMI fdh45n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.18 грн
5+342.07 грн
10+305.68 грн
30+303.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5923BT3G 1SMB5923BT3G ONSEMI 1SMB59xxBT3G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 8.2V; SMD; reel,tape; SMB; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMB59xxBT3G
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.80 грн
36+11.48 грн
40+10.35 грн
46+8.90 грн
52+7.93 грн
100+7.04 грн
500+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5942BT3G 1SMB5942BT3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4B7A954D517C0D8&compId=1SMB59xxBT3G.PDF?ci_sign=00940bc774a386c4b9a2e8d5fc8fd6a9c14db188 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 51V; SMD; reel,tape; SMB; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 51V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMB59xxBT3G
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.29 грн
33+12.62 грн
38+10.92 грн
50+9.87 грн
100+8.81 грн
500+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-E ONSEMI en2262-d.pdf ONSM-S-A0000136312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 1W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-H ONSEMI en2262-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 1W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 140...280
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1593S-TL-E ONSEMI en2511-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI ntr5105p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.19 грн
55+7.44 грн
79+5.18 грн
100+4.46 грн
500+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G ONSEMI BSP52.PDF description Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.58 грн
18+23.45 грн
100+15.12 грн
250+12.86 грн
500+11.48 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T3G BSP52T3G ONSEMI bsp52t1-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 fcmt199n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ndb5060l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Case: D2PAK-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 50mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14025BDG description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B497DD6AB820&compId=MC14001B-D.pdf?ci_sign=d22667ce4c99a05204a5589c1c1a2d691ef8755e
MC14025BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: triple; 3
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Family: HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: tube
Delay time: 130ns
Number of inputs: 3
Kind of gate: NOR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.61 грн
17+24.34 грн
25+21.92 грн
55+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 75nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 fcmt360n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; Idm: 16A; 62W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J176-D74Z j175-d.pdf
J176-D74Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 50mA
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.26 грн
24+17.47 грн
100+14.64 грн
250+11.24 грн
500+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42AG tip41a-d.pdf
TIP42AG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 65W
Kind of package: tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.15 грн
10+76.26 грн
50+50.14 грн
100+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Power dissipation: 429W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d
BC858CLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.97 грн
85+4.77 грн
122+3.32 грн
145+2.81 грн
500+1.92 грн
1000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d
BC858BLT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33035DWR2G mc33035-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; brushless motor controller; SO24; 75mA; Ch: 3
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: brushless motor controller
Case: SO24
Output current: 75mA
Supply voltage: 0...40V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 3
Operating voltage: 10...30V DC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD18N20LZ fdd18n20lz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3
Case: DPAK3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 89W
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05F20NXT5G nsr05f20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; 0402; SMD; 20V; 0.5A; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.43V
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 20V
Case: 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AC245MTC description 74ACT245-D.pdf
74AC245MTC
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bidirectional,transceiver; Ch: 8; CMOS; SMD; TSSOP20
Type of integrated circuit: digital
Manufacturer series: AC
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AC245MTCX 74ACT245-D.pdf
74AC245MTCX
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bidirectional,transceiver; Ch: 8; CMOS; SMD; TSSOP20
Type of integrated circuit: digital
Manufacturer series: AC
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AC245SCX 74ACT245-D.pdf
74AC245SCX
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bidirectional,transceiver; Ch: 8; CMOS,TTL; SMD; SO20
Type of integrated circuit: digital
Manufacturer series: AC
Technology: CMOS; TTL
Case: SO20
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC245DTR2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E6286E54C6A0D3&compId=MC74AC245-D.pdf?ci_sign=c7ddd3b6a12d60351565f9ffe180d90e92f3fd47
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,bidirectional,octal,transceiver; Ch: 8; CMOS
Type of integrated circuit: digital
Manufacturer series: AC
Family: AC
Technology: CMOS
Case: TSSOP20
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; octal; transceiver
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784EFDF97877B8745&compId=SI4435DY.pdf?ci_sign=2dd861dc7908fb1b7a5ceb72263e5d2fccba210c
SI4435DY
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.44 грн
8+56.28 грн
50+43.02 грн
100+39.63 грн
500+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955-d.pdf 546ddeaeab93c794f84a448873c3157d.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.22 грн
10+54.75 грн
25+48.60 грн
100+40.92 грн
250+36.71 грн
500+33.80 грн
1000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF5484 mmbf5486-d.pdf FAIRS30486-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBF5484
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
51+8.01 грн
100+7.44 грн
250+7.12 грн
500+6.39 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MCH3914-7-TL-H ena1511-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 16mA; 0.3W; MCPH3; Igt: 5mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: MCPH3
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 5mA
Drain current: 16mA
Power dissipation: 0.3W
Drain-source voltage: 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCH3914-8-TL-H ena1511-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 25mA; 0.3W; MCPH3; Igt: 5mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: MCPH3
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -15V
Gate current: 5mA
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.3W
Drain-source voltage: 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF irfm120a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 2.4W
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB110N65S3HF ntb110n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33275ST-3.3T3G mc33275-d.pdf
MC33275ST-3.3T3G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.8A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.8A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Input voltage: 0...20V
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Voltage drop: 1.1V
Manufacturer series: MC33275
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.35 грн
17+24.75 грн
25+22.56 грн
100+19.73 грн
250+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTB150N65S3HF ntb150n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD250N65S3H ntd250n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367-F085 fdd86367_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK3
On-state resistance: 4.2mΩ
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP36CG tip35a-d.pdf
TIP36CG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 25A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.39 грн
10+207.02 грн
20+189.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TIP36AG tip35a-d.pdf
TIP36AG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 25A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.43 грн
10+173.87 грн
30+149.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD280N60S5Z ntd280n60s5z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2029M3T5G 2sa2029m3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.265W; SOT723
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
Polarisation: bipolar
Case: SOT723
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z9V1T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4CEB0970F3FE0D8&compId=MM3ZxxT1G.PDF?ci_sign=a647654c8258f6da9539eeb91ed2ccfef9c2983d
MM3Z9V1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 9.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 9.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM3ZxxT1G
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.10 грн
105+3.88 грн
160+2.54 грн
193+2.10 грн
500+1.38 грн
1000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MC14014BDG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E6278D7592C0D3&compId=MC14014B-D.pdf?ci_sign=ed9ec2fb77e360863287d3d74a3ad3ba7ef56d77
MC14014BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Shift registers
Description: IC: digital; 8bit,shift register; Ch: 1; CMOS; SMD; SOIC16; HEF4000B
Kind of package: tube
Operating temperature: -55...125°C
Family: HEF4000B
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SOIC16
Kind of integrated circuit: 8bit; shift register
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.48 грн
21+20.06 грн
25+18.20 грн
48+17.14 грн
96+16.25 грн
144+15.77 грн
288+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5C ntmfs08n2d5c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; Idm: 823A; 138W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Power dissipation: 138W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
Pulsed drain current: 823A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SA1416S-TD-E
+1
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1416T-TD-E 2sa1416-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC858BWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS024N06CT1G NTMFS024N06C-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 158A; 14W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 158A
Power dissipation: 14W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G ntmfs015n10mcl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 54A; Idm: 423A; 79W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 423A
Power dissipation: 79W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRA4004T3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A7EC99F014E1DE27&compId=MRA4006T3G-DTE.PDF?ci_sign=07e05b91c4facf205775ca0b12034b0218906c4f
MRA4004T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; SMA; Ufmax: 1.18V; reel,tape
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.18V
Max. load current: 30A
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.06 грн
46+8.90 грн
56+7.23 грн
100+6.53 грн
250+5.65 грн
500+5.00 грн
1000+4.36 грн
2500+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NCP308MT300TBG ncp308-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Watchdog and reset circuits
Description: IC: supervisor circuit; power on reset monitor (PoR); WDFN6
Supply voltage: 1.6...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Case: WDFN6
Kind of integrated circuit: power on reset monitor (PoR)
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: supervisor circuit
DC supply current: 6µA
Maximum output current: 5mA
Number of channels: 1
Threshold on-voltage: 2.79V
Active logical level: low
Kind of RESET output: open drain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3023M MOC3020M-ONS.PDF
MOC3023M
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 400V; DIP6; MOC302XM
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 5mA
Mounting: THT
Output voltage: 400V
Manufacturer series: MOC302XM
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.29 грн
15+28.79 грн
50+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDH45N50F-F133 fdh45n50f-d.pdf
FDH45N50F-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.18 грн
5+342.07 грн
10+305.68 грн
30+303.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5923BT3G 1SMB59xxBT3G.PDF
1SMB5923BT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 8.2V; SMD; reel,tape; SMB; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMB59xxBT3G
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.80 грн
36+11.48 грн
40+10.35 грн
46+8.90 грн
52+7.93 грн
100+7.04 грн
500+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5942BT3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4B7A954D517C0D8&compId=1SMB59xxBT3G.PDF?ci_sign=00940bc774a386c4b9a2e8d5fc8fd6a9c14db188
1SMB5942BT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 51V; SMD; reel,tape; SMB; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 51V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1SMB59xxBT3G
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.29 грн
33+12.62 грн
38+10.92 грн
50+9.87 грн
100+8.81 грн
500+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-E en2262-d.pdf ONSM-S-A0000136312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 1W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-H en2262-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 1W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 140...280
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1593S-TL-E en2511-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.19 грн
55+7.44 грн
79+5.18 грн
100+4.46 грн
500+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description BSP52.PDF
BSP52T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.58 грн
18+23.45 грн
100+15.12 грн
250+12.86 грн
500+11.48 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T3G bsp52t1-d.pdf
BSP52T3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2315 2316 2317 2318 2319 2320 2321 2322 2323 2324 2325 2370 2379  [ Наступна Сторінка >> ]