Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146207) > Сторінка 2322 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2317 2318 2319 2320 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2327 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RS1MFP RS1MFP ONSEMI rs1mfp-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.2A; 300ns; SOD123HE; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.2A
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123HE
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1DAF ONSEMI ES1JAF-D.PDF FAIR-S-A0002364433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMA flat; Ufmax: 950mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA flat
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N914B ONSEMI 1N914-D.PDF ONSM-S-A0003539415-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; bulk; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO35
Kind of package: bulk
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N914BTR ONSEMI 1N914-D.PDF FAIR-S-A0001232564-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N914-T50A ONSEMI 1N914-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; Ammo Pack; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO35
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N914ATR ONSEMI 1N914-D.PDF ONSM-S-A0003539415-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC549CTA BC549CTA ONSEMI BC550-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 420...800
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 300MHz
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
25+17.11 грн
29+14.68 грн
100+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4750A 1N4750A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 27V; DO41; single diode; bulk; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 27V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.84 грн
66+6.37 грн
79+5.33 грн
103+4.09 грн
500+3.02 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27 BCV27 ONSEMI BCV27.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Current gain: 10k
Collector current: 1.2A
на замовлення 12223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
41+10.32 грн
56+7.60 грн
100+6.61 грн
250+5.45 грн
500+4.69 грн
1000+3.99 грн
3000+3.04 грн
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US2MA US2MA ONSEMI us2aa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT43XV2 BAT43XV2 ONSEMI BAT43XV2-D.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 15422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
38+11.24 грн
46+9.14 грн
68+6.17 грн
94+4.48 грн
126+3.33 грн
250+2.50 грн
500+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14044BDG MC14044BDG ONSEMI mc14043b-d.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; RS latch; Ch: 4; 3÷18VDC; SMD; SO16; -40÷85°C; HEF4000B
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Trigger: level-triggered
Kind of package: tube
Case: SO16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: RS latch
Number of channels: 4
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC4066DR2G MC74VHC4066DR2G ONSEMI mc74vhc4066-d.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; Ch: 4; SO14; 2÷12VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...12V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 40µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC4066DTR2G MC74VHC4066DTR2G ONSEMI mc74vhc4066-d.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; Ch: 4; TSSOP14; 40uA
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...12V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 40µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G MMBTA56LT3G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
56+7.55 грн
80+5.25 грн
100+4.47 грн
500+3.09 грн
1000+2.63 грн
2500+2.15 грн
5000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 32011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
62+6.79 грн
97+4.34 грн
118+3.56 грн
250+2.79 грн
500+2.37 грн
1000+2.06 грн
1500+1.92 грн
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1250BP65G NCP1250BP65G ONSEMI ncp1250-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; DIP8; flyback; 8.8÷28VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: -500...300mA
Frequency: 61...71kHz
Mounting: SMD
Case: DIP8
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 8.8...28V DC
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.25 грн
10+49.48 грн
30+42.10 грн
40+41.35 грн
50+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56M3T5G ONSEMI BAW56M3-D.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.2A; 6ns; SOT723; Ufmax: 1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOT723
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317MABDTG LM317MABDTG ONSEMI LM317M_NCV317M.PDF Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.5A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.2...40V
Manufacturer series: LM317M
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.71 грн
22+19.96 грн
28+15.01 грн
75+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SRV05-4MR6T1G ONSEMI SRV05-4MR6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; TSOP6; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007G 1N4007G ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; CASE59; bulk; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.1V
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
62+6.79 грн
81+5.18 грн
86+4.91 грн
100+4.60 грн
500+3.44 грн
1000+3.01 грн
2000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC100EPT22DG MC100EPT22DG ONSEMI MC100EPT22DG.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 2; 3÷3.6VDC; SMD; SO8; -40÷85°C; tube; IN: 4; OUT: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: logic level voltage translator; LVTTL to LVPECL translator
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Manufacturer series: 100EPT
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 4
Kind of package: tube
Case: SO8
Number of outputs: 2
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+671.95 грн
10+562.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT138DR2G MC74ACT138DR2G ONSEMI mc74ac138-d.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 1; IN: 1; TTL; SMD; SO16; ACT
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 1
Family: ACT
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Manufacturer series: ACT
Technology: TTL
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.22 грн
18+24.32 грн
25+22.64 грн
100+20.71 грн
250+19.54 грн
500+18.11 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951ACDM-3.3RG LP2951ACDM-3.3RG ONSEMI lp2950-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.1A; Micro8; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.1A
Case: Micro8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.64 грн
14+30.61 грн
25+28.35 грн
100+24.91 грн
250+22.56 грн
500+20.88 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-G BSS138-G ONSEMI BSS138-G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.19 грн
37+11.57 грн
100+8.64 грн
500+7.04 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KT7G 2N7002KT7G ONSEMI 2N7002K-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Gate charge: 0.7nC
Version: ESD
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
37+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI FDS4435BZ.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM393EDR2G ONSEMI lm393-d.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; 2÷36V; SMT; SO8; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 2
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 20nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K BSS138K ONSEMI BSS138K.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.4nC
на замовлення 3782 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.87 грн
41+10.23 грн
59+7.23 грн
100+6.28 грн
500+4.67 грн
3000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138 BSS138 ONSEMI BSS138-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F ONSEMI FCB110N65F-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 105A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
On-state resistance: 0.1Ω
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148-T26A 1N4148-T26A ONSEMI 1N914-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; Ammo Pack; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: DO35
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736A-T50A 1N4736A-T50A ONSEMI 1N47xxA.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; DO41; single diode; Ammo Pack; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 6.8V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736ATR 1N4736ATR ONSEMI 1N47xxA.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; DO41; single diode; reel,tape; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 6.8V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DG MC74AC125DG ONSEMI MC74AC125DG.PDF Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; CMOS; SMD; SO14; AC; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Manufacturer series: AC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
Quiescent current: 80µA
Kind of package: tube
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.74 грн
17+26.00 грн
25+23.57 грн
55+21.89 грн
110+20.63 грн
275+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54T1G BAT54T1G ONSEMI BAT54T1-D.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Max. forward impulse current: 0.6A
Leakage current: 2µA
на замовлення 16487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.13 грн
68+6.21 грн
82+5.12 грн
108+3.89 грн
161+2.62 грн
250+2.16 грн
500+1.96 грн
1000+1.83 грн
3000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS130LT3G MBRS130LT3G ONSEMI mbrs130.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.395V
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
25+17.44 грн
28+15.10 грн
50+11.24 грн
100+10.06 грн
250+8.81 грн
500+7.88 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 ONSEMI FDBL0150N60-D.pdf fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS ONSEMI FCD7N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVD1R2G NCV3843BVD1R2G ONSEMI ncv3843bv-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVDR2G NCV3843BVDR2G ONSEMI ncv3843bv-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF FCD620N60ZF ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21.9A
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 ONSEMI FCA20N60-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 75nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 ONSEMI FCMT360N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42AG TIP42AG ONSEMI tip41a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.15 грн
10+63.57 грн
50+44.62 грн
100+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS ONSEMI FCU5N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 0.95Ω
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY ONSEMI SI4435DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.35 грн
7+61.56 грн
50+47.05 грн
100+43.36 грн
500+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP36CG TIP36CG ONSEMI tip35a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 25A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Current gain: 15...75
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248BT1G MMSZ5248BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
57+7.38 грн
68+6.21 грн
86+4.90 грн
102+4.12 грн
200+3.49 грн
250+3.32 грн
500+2.83 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ONSEMI ntbg060n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
Gate charge: 74nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H NTP067N65S3H ONSEMI ntp067n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
Kind of package: tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+572.60 грн
2+446.16 грн
5+368.17 грн
10+360.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 ONSEMI ntbg025n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXG ONSEMI NTBLS1D5N10MC-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 312A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 2055A
Gate charge: 131nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXG ONSEMI NTBLS1D7N10MC-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 272A
Pulsed drain current: 2137A
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZ FDG1024NZ ONSEMI FDG1024NZ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 389mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI FCB260N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.85 грн
10+157.67 грн
50+139.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 FCD260N65S3 ONSEMI FCD260N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF360N65S3H NTPF360N65S3H ONSEMI ntpf360n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 28A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 26W
Gate charge: 17.5nC
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 28A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H NTP165N65S3H ONSEMI ntp165n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 53A
Polarisation: unipolar
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.59 грн
10+197.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1MFP rs1mfp-d.pdf
RS1MFP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.2A; 300ns; SOD123HE; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.2A
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123HE
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1DAF ES1JAF-D.PDF FAIR-S-A0002364433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMA flat; Ufmax: 950mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA flat
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N914B 1N914-D.PDF ONSM-S-A0003539415-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; bulk; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO35
Kind of package: bulk
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N914BTR 1N914-D.PDF FAIR-S-A0001232564-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N914-T50A 1N914-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; Ammo Pack; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO35
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N914ATR 1N914-D.PDF ONSM-S-A0003539415-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4A
Features of semiconductor devices: small signal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC549CTA BC550-D.PDF
BC549CTA
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 420...800
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 300MHz
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.58 грн
25+17.11 грн
29+14.68 грн
100+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4750A 1N47xxA.PDF
1N4750A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 27V; DO41; single diode; bulk; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 27V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Manufacturer series: 1N47xxA
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.84 грн
66+6.37 грн
79+5.33 грн
103+4.09 грн
500+3.02 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27 BCV27.pdf
BCV27
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Current gain: 10k
Collector current: 1.2A
на замовлення 12223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.16 грн
41+10.32 грн
56+7.60 грн
100+6.61 грн
250+5.45 грн
500+4.69 грн
1000+3.99 грн
3000+3.04 грн
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US2MA us2aa-d.pdf
US2MA
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT43XV2 BAT43XV2-D.PDF
BAT43XV2
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 15422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.35 грн
38+11.24 грн
46+9.14 грн
68+6.17 грн
94+4.48 грн
126+3.33 грн
250+2.50 грн
500+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14044BDG mc14043b-d.pdf
MC14044BDG
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; RS latch; Ch: 4; 3÷18VDC; SMD; SO16; -40÷85°C; HEF4000B
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Trigger: level-triggered
Kind of package: tube
Case: SO16
Family: HEF4000B
Kind of integrated circuit: RS latch
Number of channels: 4
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC4066DR2G mc74vhc4066-d.pdf
MC74VHC4066DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; Ch: 4; SO14; 2÷12VDC
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...12V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 40µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC4066DTR2G mc74vhc4066-d.pdf
MC74VHC4066DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; Ch: 4; TSSOP14; 40uA
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...12V DC
Manufacturer series: VHC
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 40µA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT3G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA56LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
56+7.55 грн
80+5.25 грн
100+4.47 грн
500+3.09 грн
1000+2.63 грн
2500+2.15 грн
5000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56LT1G MMBTA55_56.pdf
MMBTA56LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
на замовлення 32011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
62+6.79 грн
97+4.34 грн
118+3.56 грн
250+2.79 грн
500+2.37 грн
1000+2.06 грн
1500+1.92 грн
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1250BP65G ncp1250-d.pdf
NCP1250BP65G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; DIP8; flyback; 8.8÷28VDC
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: -500...300mA
Frequency: 61...71kHz
Mounting: SMD
Case: DIP8
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 8.8...28V DC
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.25 грн
10+49.48 грн
30+42.10 грн
40+41.35 грн
50+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56M3T5G BAW56M3-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.2A; 6ns; SOT723; Ufmax: 1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOT723
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317MABDTG LM317M_NCV317M.PDF
LM317MABDTG
Виробник: ONSEMI
Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.5A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.2...40V
Manufacturer series: LM317M
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.71 грн
22+19.96 грн
28+15.01 грн
75+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SRV05-4MR6T1G SRV05-4MR6.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; TSOP6; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007G 1N4001-D.PDF
1N4007G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; CASE59; bulk; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.1V
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
62+6.79 грн
81+5.18 грн
86+4.91 грн
100+4.60 грн
500+3.44 грн
1000+3.01 грн
2000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC100EPT22DG MC100EPT22DG.pdf
MC100EPT22DG
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 2; 3÷3.6VDC; SMD; SO8; -40÷85°C; tube; IN: 4; OUT: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: logic level voltage translator; LVTTL to LVPECL translator
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Manufacturer series: 100EPT
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 4
Kind of package: tube
Case: SO8
Number of outputs: 2
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+671.95 грн
10+562.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT138DR2G mc74ac138-d.pdf
MC74ACT138DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 1; IN: 1; TTL; SMD; SO16; ACT
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 1
Family: ACT
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Manufacturer series: ACT
Technology: TTL
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.22 грн
18+24.32 грн
25+22.64 грн
100+20.71 грн
250+19.54 грн
500+18.11 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LP2951ACDM-3.3RG lp2950-d.pdf
LP2951ACDM-3.3RG
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.1A; Micro8; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.1A
Case: Micro8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.64 грн
14+30.61 грн
25+28.35 грн
100+24.91 грн
250+22.56 грн
500+20.88 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-G BSS138-G.PDF
BSS138-G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.19 грн
37+11.57 грн
100+8.64 грн
500+7.04 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KT7G 2N7002K-D.PDF
2N7002KT7G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Gate charge: 0.7nC
Version: ESD
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.16 грн
37+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description FDS4435BZ.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM393EDR2G lm393-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; 2÷36V; SMT; SO8; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 2
Operating voltage: 2...36V
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Input bias current: 20nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K BSS138K.PDF
BSS138K
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.4nC
на замовлення 3782 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.87 грн
41+10.23 грн
59+7.23 грн
100+6.28 грн
500+4.67 грн
3000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138 BSS138-D.PDF
BSS138
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F-D.pdf
FCB110N65F
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 105A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
On-state resistance: 0.1Ω
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148-T26A 1N914-D.PDF
1N4148-T26A
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.3A; Ifsm: 4A; DO35; Ammo Pack; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: DO35
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736A-T50A 1N47xxA.PDF
1N4736A-T50A
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; DO41; single diode; Ammo Pack; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 6.8V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4736ATR description 1N47xxA.PDF
1N4736ATR
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; DO41; single diode; reel,tape; 1N47xxA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 6.8V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N47xxA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC125DG MC74AC125DG.PDF
MC74AC125DG
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; CMOS; SMD; SO14; AC; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 4
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Manufacturer series: AC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
Quiescent current: 80µA
Kind of package: tube
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.74 грн
17+26.00 грн
25+23.57 грн
55+21.89 грн
110+20.63 грн
275+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54T1G BAT54T1-D.PDF
BAT54T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Max. forward impulse current: 0.6A
Leakage current: 2µA
на замовлення 16487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.13 грн
68+6.21 грн
82+5.12 грн
108+3.89 грн
161+2.62 грн
250+2.16 грн
500+1.96 грн
1000+1.83 грн
3000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS130LT3G mbrs130.pdf
MBRS130LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.395V
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.29 грн
25+17.44 грн
28+15.10 грн
50+11.24 грн
100+10.06 грн
250+8.81 грн
500+7.88 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60-D.pdf fdbl0150n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS FCD7N60-D.pdf
FCD7N60TM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVD1R2G ncv3843bv-d.pdf
NCV3843BVD1R2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV3843BVDR2G ncv3843bv-d.pdf
NCV3843BVDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF
FCD620N60ZF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21.9A
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 FCA20N60-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 208W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 75nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 FCMT360N65S3-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42AG tip41a-d.pdf
TIP42AG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.15 грн
10+63.57 грн
50+44.62 грн
100+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCU5N60-D.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 0.95Ω
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.6A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY.pdf
SI4435DY
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.35 грн
7+61.56 грн
50+47.05 грн
100+43.36 грн
500+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP36CG tip35a-d.pdf
TIP36CG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 25A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Current gain: 15...75
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5248BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
57+7.38 грн
68+6.21 грн
86+4.90 грн
102+4.12 грн
200+3.49 грн
250+3.32 грн
500+2.83 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
Gate charge: 74nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Power dissipation: 266W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
Kind of package: tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+572.60 грн
2+446.16 грн
5+368.17 грн
10+360.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1 ntbg025n065sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXG NTBLS1D5N10MC-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 312A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 2055A
Gate charge: 131nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXG NTBLS1D7N10MC-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 272A
Pulsed drain current: 2137A
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZ FDG1024NZ.pdf
FDG1024NZ
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 389mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3-D.PDF
FCB260N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.85 грн
10+157.67 грн
50+139.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 FCD260N65S3-D.PDF
FCD260N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF360N65S3H ntpf360n65s3h-d.pdf
NTPF360N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 28A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 26W
Gate charge: 17.5nC
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 28A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP165N65S3H ntp165n65s3h-d.pdf
NTP165N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 53A
Polarisation: unipolar
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.59 грн
10+197.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2317 2318 2319 2320 2321 2322 2323 2324 2325 2326 2327 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]