Результат пошуку "1N65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPA11N65C3 SPA11N65C3
Код товару: 60017 		Infineon spp-infineon-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/5.5
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
1+81.5 грн
10+ 74.4 грн
1N6508 1N6508 Microchip Technology MSC1019-1594049.pdf Inverters Arrays
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5252.55 грн
100+ 4808.25 грн
1N65G 1N65G UMW 1N65.PDF Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.24 грн
10+ 34.78 грн
25+ 32.48 грн
100+ 24.39 грн
250+ 22.65 грн
500+ 19.17 грн
1000+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
1N65L 1N65L UMW 1N65.PDF Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.59 грн
10+ 32.89 грн
25+ 30.88 грн
100+ 23.65 грн
250+ 21.96 грн
500+ 18.69 грн
1000+ 14.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N65C3 INFINEON 0804+ TO-220F
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 onsemi / Fairchild FCH041N65EF_D-2311859.pdf MOSFET 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+998.99 грн
10+ 865.5 грн
25+ 576.24 грн
450+ 527.77 грн
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 onsemi fch041n65ef-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+937.91 грн
10+ 796.1 грн
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF-F155 onsemi fch041n65ef-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1062.43 грн
10+ 940.06 грн
FCH041N65EFL4 FCH041N65EFL4 onsemi fch041n65efl4-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+715.09 грн
30+ 577.29 грн
FCH041N65EFL4 FCH041N65EFL4 onsemi / Fairchild FCH041N65EFL4_D-2311708.pdf MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+766.52 грн
25+ 658.03 грн
FCH041N65F FCH041N65F Fairchild Semiconductor FCH041N65F-D.PDF Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+568.62 грн
Мінімальне замовлення: 36
FCH041N65F-F085 FCH041N65F-F085 onsemi / Fairchild FCH041N65F_F085_D-2311546.pdf MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+718.61 грн
25+ 617.77 грн
FCH041N65F-F085 FCH041N65F-F085 onsemi fch041n65f_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13566 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+670.67 грн
30+ 541.58 грн
FCP11N65 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+101.59 грн
Мінімальне замовлення: 202
FCPF11N65 FCPF11N65 Fairchild Semiconductor Description: TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN(
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+108.41 грн
Мінімальне замовлення: 189
GC11N65D5 GC11N65D5 Goford Semiconductor GOFORD-GC11N65D5.pdf Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GC11N65F GC11N65F Goford Semiconductor GOFORD-GC11N65F.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.14 грн
10+ 89.34 грн
100+ 71.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
GC11N65K GC11N65K Goford Semiconductor GOFORD-GC11N65K.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.14 грн
10+ 89.34 грн
100+ 71.12 грн
500+ 56.48 грн
1000+ 47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GOFORD-GC11N65M.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.97 грн
10+ 94.24 грн
100+ 75 грн
Мінімальне замовлення: 3
KSN1----N6--5-- KSN1----N6--5-- Essentra Components Plastic_Knobs.pdf Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: #10
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.93 грн
5+ 68.86 грн
10+ 61.92 грн
25+ 51.62 грн
50+ 46.46 грн
100+ 45.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
MSJP11N65-BP MSJP11N65-BP Micro Commercial Co MSJP11N65(TO-220ABH)-V1.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.35 грн
50+ 156.75 грн
100+ 134.35 грн
500+ 112.08 грн
1000+ 95.97 грн
2000+ 90.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP11N65A-BP Micro Commercial Co MSJP11N65A(TO-220).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.35 грн
50+ 100.68 грн
100+ 82.84 грн
500+ 65.78 грн
1000+ 55.81 грн
2000+ 53.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJPF11N65-BP MSJPF11N65-BP Micro Commercial Co MSJPF11N65(TO-220F).pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 9941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.9 грн
50+ 161.67 грн
100+ 138.58 грн
500+ 115.6 грн
1000+ 98.98 грн
2000+ 93.2 грн
5000+ 87.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N65A-BP Micro Commercial Co MSJPF11N65A(TO-220F).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.01 грн
50+ 116.15 грн
100+ 95.56 грн
500+ 75.88 грн
1000+ 64.38 грн
2000+ 61.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJU11N65A-TP MSJU11N65A-TP Micro Commercial Co Description: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.78 грн
10+ 92.56 грн
100+ 73.71 грн
500+ 58.53 грн
1000+ 49.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA21N65EF-GE3 SIHA21N65EF-GE3 Vishay Siliconix siha21n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA21N65EF-GE3 SIHA21N65EF-GE3 Vishay Siliconix siha21n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.48 грн
10+ 250.41 грн
100+ 202.56 грн
500+ 168.97 грн
SIHB21N65EF-GE3 SIHB21N65EF-GE3 Vishay Siliconix sihb21n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.51 грн
50+ 254.28 грн
100+ 217.95 грн
SIHB21N65EF-GE3 SIHB21N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb21n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.34 грн
10+ 295.73 грн
50+ 242.34 грн
100+ 207.34 грн
250+ 195.89 грн
500+ 184.45 грн
1000+ 161.56 грн
SIHG21N65EF-GE3 SIHG21N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg21n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.76 грн
10+ 312.76 грн
25+ 255.81 грн
100+ 219.45 грн
250+ 207.34 грн
500+ 185.12 грн
1000+ 172.33 грн
SiHH21N65E-T1-GE3 SiHH21N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh21n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.15 грн
10+ 384.75 грн
25+ 315.72 грн
100+ 270.62 грн
250+ 255.13 грн
500+ 240.32 грн
1000+ 205.99 грн
SIHH21N65EF-T1-GE3 SIHH21N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh21n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2396 pF @ 100 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.38 грн
10+ 361.06 грн
100+ 292.07 грн
500+ 243.65 грн
SIHW61N65EF-GE3 SIHW61N65EF-GE3 Vishay Semiconductors sihw61n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+944.8 грн
10+ 844.6 грн
SPA11N65C3XKSA1 SPA11N65C3XKSA1 Infineon Technologies SP(P,A,I)11N65C3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.03 грн
50+ 183.69 грн
100+ 157.45 грн
500+ 131.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQW61N65EF-GE3 SQW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix sqw61n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 344 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7379 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+807.57 грн
30+ 629.3 грн
120+ 592.3 грн
SQW61N65EF-GE3 SQW61N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sqw61n65ef.pdf MOSFET E SERIES POWER MOSFET W/FAST B
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+864.69 грн
10+ 751.7 грн
25+ 600.47 грн
100+ 565.47 грн
250+ 523.06 грн
480+ 484.01 грн
960+ 462.47 грн
STB11N65M5 STB11N65M5 STMicroelectronics stb11n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.03 грн
5+ 93.26 грн
11+ 81.34 грн
28+ 77.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB11N65M5 STB11N65M5 STMicroelectronics stb11n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 989 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+136.84 грн
5+ 116.22 грн
11+ 97.61 грн
28+ 92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11N65M5 STB11N65M5 STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.66 грн
2000+ 68.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB11N65M5 STB11N65M5 STMicroelectronics stb11n65m5-1850020.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.85 грн
10+ 138.57 грн
100+ 95.59 грн
250+ 91.55 грн
500+ 80.11 грн
1000+ 67.99 грн
2000+ 65.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11N65M5 STB11N65M5 STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.29 грн
10+ 125.8 грн
100+ 100.13 грн
500+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB21N65M5 STB21N65M5 STMicroelectronics stb21n65m5-1850043.pdf MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.91 грн
10+ 305.79 грн
25+ 251.09 грн
100+ 215.42 грн
250+ 203.3 грн
500+ 191.85 грн
1000+ 163.58 грн
STB21N65M5 STB21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.31 грн
2000+ 161.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB21N65M5 STB21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 6717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.16 грн
10+ 278.88 грн
100+ 225.6 грн
500+ 188.2 грн
STB31N65M5 STB31N65M5 STMicroelectronics stb31n65m5-1850310.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
на замовлення 950 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+320.43 грн
10+ 291.08 грн
25+ 207.34 грн
100+ 196.57 грн
250+ 176.37 грн
500+ 142.04 грн
1000+ 130.6 грн
STD11N65M2 STD11N65M2 STMicroelectronics std11n65m2-1850260.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.88 грн
10+ 93.67 грн
100+ 65.1 грн
250+ 59.64 грн
500+ 54.12 грн
1000+ 46.45 грн
2500+ 44.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N65M5 STD11N65M5 STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.71 грн
10+ 101.47 грн
100+ 80.75 грн
500+ 64.11 грн
1000+ 54.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N65M5 STD11N65M5 STMicroelectronics stb11n65m5-1850020.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.87 грн
10+ 111.48 грн
100+ 76.74 грн
250+ 76.07 грн
500+ 65.1 грн
1000+ 55.2 грн
2500+ 52.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N65M5 STD11N65M5 STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.19 грн
5000+ 53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STF11N65M2 STF11N65M2 STMicroelectronics stf11n65m2-1850539.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.73 грн
10+ 106.06 грн
100+ 76.07 грн
250+ 70.01 грн
500+ 63.88 грн
1000+ 49.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N65M5 STF11N65M5 STMicroelectronics stb11n65m5-1850020.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.59 грн
10+ 76.33 грн
100+ 63.88 грн
1000+ 63.21 грн
2000+ 60.52 грн
5000+ 57.02 грн
10000+ 54.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF21N65M5 STF21N65M5 STMicroelectronics STF21N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.41 грн
3+ 264.36 грн
5+ 204.06 грн
12+ 193.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF21N65M5 STF21N65M5 STMicroelectronics STF21N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+379.7 грн
3+ 329.43 грн
5+ 244.87 грн
12+ 232.24 грн
STF21N65M5 STF21N65M5 STMicroelectronics stb21n65m5-1850043.pdf MOSFET N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.99 грн
10+ 338.3 грн
25+ 233.59 грн
100+ 201.28 грн
250+ 200.61 грн
500+ 177.72 грн
1000+ 150.79 грн
STF21N65M5 STF21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.13 грн
50+ 245.18 грн
100+ 210.15 грн
500+ 175.3 грн
STF31N65M5 STF31N65M5 STMicroelectronics stb31n65m5-1850310.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.36 грн
10+ 260.11 грн
25+ 166.27 грн
100+ 152.81 грн
500+ 144.06 грн
1000+ 132.62 грн
2000+ 130.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF31N65M5 STF31N65M5 STMicroelectronics en.DM00049148.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+292.73 грн
50+ 223.28 грн
100+ 191.38 грн
500+ 159.65 грн
1000+ 136.7 грн
STL21N65M5 STL21N65M5 STMicroelectronics stl21n65m5-1851042.pdf MOSFET Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.69 грн
10+ 327.47 грн
25+ 277.35 грн
100+ 241 грн
250+ 235.61 грн
500+ 220.8 грн
1000+ 214.07 грн
STL21N65M5 STL21N65M5 STMicroelectronics en.CD00272115.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 179mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+173.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL21N65M5 STL21N65M5 STMicroelectronics en.CD00272115.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 179mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 5512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.69 грн
10+ 210.79 грн
100+ 170.54 грн
500+ 156.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N65C3
Код товару: 60017		 spp-infineon-datasheet.pdf
SPA11N65C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/5.5
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+81.5 грн
10+ 74.4 грн
1N6508 MSC1019-1594049.pdf
1N6508
Виробник: Microchip Technology
Inverters Arrays
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5252.55 грн
100+ 4808.25 грн
1N65G 1N65.PDF
1N65G
Виробник: UMW
Description: SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.24 грн
10+ 34.78 грн
25+ 32.48 грн
100+ 24.39 грн
250+ 22.65 грн
500+ 19.17 грн
1000+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
1N65L 1N65.PDF
1N65L
Виробник: UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.59 грн
10+ 32.89 грн
25+ 30.88 грн
100+ 23.65 грн
250+ 21.96 грн
500+ 18.69 грн
1000+ 14.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N65C3
INFINEON 0804+ TO-220F
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH041N65EF-F155 FCH041N65EF_D-2311859.pdf
FCH041N65EF-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+998.99 грн
10+ 865.5 грн
25+ 576.24 грн
450+ 527.77 грн
FCH041N65EF-F155 fch041n65ef-d.pdf
FCH041N65EF-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+937.91 грн
10+ 796.1 грн
FCH041N65EF-F155 fch041n65ef-d.pdf
FCH041N65EF-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1062.43 грн
10+ 940.06 грн
FCH041N65EFL4 fch041n65efl4-d.pdf
FCH041N65EFL4
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+715.09 грн
30+ 577.29 грн
FCH041N65EFL4 FCH041N65EFL4_D-2311708.pdf
FCH041N65EFL4
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+766.52 грн
25+ 658.03 грн
FCH041N65F FCH041N65F-D.PDF
FCH041N65F
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+568.62 грн
Мінімальне замовлення: 36
FCH041N65F-F085 FCH041N65F_F085_D-2311546.pdf
FCH041N65F-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+718.61 грн
25+ 617.77 грн
FCH041N65F-F085 fch041n65f_f085-d.pdf
FCH041N65F-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13566 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+670.67 грн
30+ 541.58 грн
FCP11N65
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
202+101.59 грн
Мінімальне замовлення: 202
FCPF11N65
FCPF11N65
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN(
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
189+108.41 грн
Мінімальне замовлення: 189
GC11N65D5 GOFORD-GC11N65D5.pdf
GC11N65D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GC11N65F GOFORD-GC11N65F.pdf
GC11N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.14 грн
10+ 89.34 грн
100+ 71.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
GC11N65K GOFORD-GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.14 грн
10+ 89.34 грн
100+ 71.12 грн
500+ 56.48 грн
1000+ 47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
GC11N65M GOFORD-GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.97 грн
10+ 94.24 грн
100+ 75 грн
Мінімальне замовлення: 3
KSN1----N6--5-- Plastic_Knobs.pdf
KSN1----N6--5--
Виробник: Essentra Components
Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: #10
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.93 грн
5+ 68.86 грн
10+ 61.92 грн
25+ 51.62 грн
50+ 46.46 грн
100+ 45.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
MSJP11N65-BP MSJP11N65(TO-220ABH)-V1.pdf
MSJP11N65-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.35 грн
50+ 156.75 грн
100+ 134.35 грн
500+ 112.08 грн
1000+ 95.97 грн
2000+ 90.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP11N65A-BP MSJP11N65A(TO-220).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.35 грн
50+ 100.68 грн
100+ 82.84 грн
500+ 65.78 грн
1000+ 55.81 грн
2000+ 53.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJPF11N65-BP MSJPF11N65(TO-220F).pdf
MSJPF11N65-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 9941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.9 грн
50+ 161.67 грн
100+ 138.58 грн
500+ 115.6 грн
1000+ 98.98 грн
2000+ 93.2 грн
5000+ 87.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N65A-BP MSJPF11N65A(TO-220F).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150.01 грн
50+ 116.15 грн
100+ 95.56 грн
500+ 75.88 грн
1000+ 64.38 грн
2000+ 61.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJU11N65A-TP
MSJU11N65A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.78 грн
10+ 92.56 грн
100+ 73.71 грн
500+ 58.53 грн
1000+ 49.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA21N65EF-GE3 siha21n65ef.pdf
SIHA21N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+144.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA21N65EF-GE3 siha21n65ef.pdf
SIHA21N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+309.48 грн
10+ 250.41 грн
100+ 202.56 грн
500+ 168.97 грн
SIHB21N65EF-GE3 sihb21n65ef.pdf
SIHB21N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.51 грн
50+ 254.28 грн
100+ 217.95 грн
SIHB21N65EF-GE3 sihb21n65ef.pdf
SIHB21N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+357.34 грн
10+ 295.73 грн
50+ 242.34 грн
100+ 207.34 грн
250+ 195.89 грн
500+ 184.45 грн
1000+ 161.56 грн
SIHG21N65EF-GE3 sihg21n65ef.pdf
SIHG21N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+377.76 грн
10+ 312.76 грн
25+ 255.81 грн
100+ 219.45 грн
250+ 207.34 грн
500+ 185.12 грн
1000+ 172.33 грн
SiHH21N65E-T1-GE3 sihh21n65e.pdf
SiHH21N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+464.15 грн
10+ 384.75 грн
25+ 315.72 грн
100+ 270.62 грн
250+ 255.13 грн
500+ 240.32 грн
1000+ 205.99 грн
SIHH21N65EF-T1-GE3 sihh21n65ef.pdf
SIHH21N65EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2396 pF @ 100 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.38 грн
10+ 361.06 грн
100+ 292.07 грн
500+ 243.65 грн
SIHW61N65EF-GE3 sihw61n65ef.pdf
SIHW61N65EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+944.8 грн
10+ 844.6 грн
SPA11N65C3XKSA1 SP(P,A,I)11N65C3.pdf
SPA11N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.03 грн
50+ 183.69 грн
100+ 157.45 грн
500+ 131.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQW61N65EF-GE3 sqw61n65ef.pdf
SQW61N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 344 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7379 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+807.57 грн
30+ 629.3 грн
120+ 592.3 грн
SQW61N65EF-GE3 sqw61n65ef.pdf
SQW61N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E SERIES POWER MOSFET W/FAST B
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+864.69 грн
10+ 751.7 грн
25+ 600.47 грн
100+ 565.47 грн
250+ 523.06 грн
480+ 484.01 грн
960+ 462.47 грн
STB11N65M5 stb11n65m5.pdf
STB11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+114.03 грн
5+ 93.26 грн
11+ 81.34 грн
28+ 77.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
STB11N65M5 stb11n65m5.pdf
STB11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 989 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+136.84 грн
5+ 116.22 грн
11+ 97.61 грн
28+ 92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11N65M5 en.DM00049307.pdf
STB11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+74.66 грн
2000+ 68.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB11N65M5 stb11n65m5-1850020.pdf
STB11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.85 грн
10+ 138.57 грн
100+ 95.59 грн
250+ 91.55 грн
500+ 80.11 грн
1000+ 67.99 грн
2000+ 65.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB11N65M5 en.DM00049307.pdf
STB11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.29 грн
10+ 125.8 грн
100+ 100.13 грн
500+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB21N65M5 stb21n65m5-1850043.pdf
STB21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+369.91 грн
10+ 305.79 грн
25+ 251.09 грн
100+ 215.42 грн
250+ 203.3 грн
500+ 191.85 грн
1000+ 163.58 грн
STB21N65M5 stp21n65m5.pdf
STB21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+178.31 грн
2000+ 161.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB21N65M5 stp21n65m5.pdf
STB21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 6717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+345.16 грн
10+ 278.88 грн
100+ 225.6 грн
500+ 188.2 грн
STB31N65M5 stb31n65m5-1850310.pdf
STB31N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
на замовлення 950 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+320.43 грн
10+ 291.08 грн
25+ 207.34 грн
100+ 196.57 грн
250+ 176.37 грн
500+ 142.04 грн
1000+ 130.6 грн
STD11N65M2 std11n65m2-1850260.pdf
STD11N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.88 грн
10+ 93.67 грн
100+ 65.1 грн
250+ 59.64 грн
500+ 54.12 грн
1000+ 46.45 грн
2500+ 44.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N65M5 en.DM00049307.pdf
STD11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.71 грн
10+ 101.47 грн
100+ 80.75 грн
500+ 64.11 грн
1000+ 54.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N65M5 stb11n65m5-1850020.pdf
STD11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.87 грн
10+ 111.48 грн
100+ 76.74 грн
250+ 76.07 грн
500+ 65.1 грн
1000+ 55.2 грн
2500+ 52.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N65M5 en.DM00049307.pdf
STD11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+57.19 грн
5000+ 53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STF11N65M2 stf11n65m2-1850539.pdf
STF11N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.73 грн
10+ 106.06 грн
100+ 76.07 грн
250+ 70.01 грн
500+ 63.88 грн
1000+ 49.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF11N65M5 stb11n65m5-1850020.pdf
STF11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.59 грн
10+ 76.33 грн
100+ 63.88 грн
1000+ 63.21 грн
2000+ 60.52 грн
5000+ 57.02 грн
10000+ 54.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF21N65M5 STF21N65M5.pdf
STF21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+316.41 грн
3+ 264.36 грн
5+ 204.06 грн
12+ 193.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF21N65M5 STF21N65M5.pdf
STF21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 10.7A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+379.7 грн
3+ 329.43 грн
5+ 244.87 грн
12+ 232.24 грн
STF21N65M5 stb21n65m5-1850043.pdf
STF21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.99 грн
10+ 338.3 грн
25+ 233.59 грн
100+ 201.28 грн
250+ 200.61 грн
500+ 177.72 грн
1000+ 150.79 грн
STF21N65M5 stp21n65m5.pdf
STF21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+321.13 грн
50+ 245.18 грн
100+ 210.15 грн
500+ 175.3 грн
STF31N65M5 stb31n65m5-1850310.pdf
STF31N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+313.36 грн
10+ 260.11 грн
25+ 166.27 грн
100+ 152.81 грн
500+ 144.06 грн
1000+ 132.62 грн
2000+ 130.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF31N65M5 en.DM00049148.pdf
STF31N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+292.73 грн
50+ 223.28 грн
100+ 191.38 грн
500+ 159.65 грн
1000+ 136.7 грн
STL21N65M5 stl21n65m5-1851042.pdf
STL21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+381.69 грн
10+ 327.47 грн
25+ 277.35 грн
100+ 241 грн
250+ 235.61 грн
500+ 220.8 грн
1000+ 214.07 грн
STL21N65M5 en.CD00272115.pdf
STL21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 179mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+173.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL21N65M5 en.CD00272115.pdf
STL21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 179mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 5512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.69 грн
10+ 210.79 грн
100+ 170.54 грн
500+ 156.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]