Результат пошуку "5n50" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
CHV0805N500331JCT CHV0805N500331JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 COG 330PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 330 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500332KXT CHV0805N500332KXT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 X7R 3300PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 3300 pF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CHV0805N500391JCT CHV0805N500391JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 COG 390PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 390 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500471JCT CHV0805N500471JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 COG 470PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 470 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500471KXT CHV0805N500471KXT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 X7R 470PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 470 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500560JCT CHV0805N500560JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 COG 56PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 56 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500680JCT CHV0805N500680JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 COG 68PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 68 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500681KXT CHV0805N500681KXT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 X7R 680PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 680 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
E125N50X4 TTM Technologies, Inc. E125N50X4.pdf Description: RES SMD 50 OHM 2% 125W
Power (Watts): 125W
Tolerance: ±2%
Features: RF, High Frequency
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.250" L x 0.250" W (6.35mm x 6.35mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Number of Terminations: 1
Height - Seated (Max): 0.068" (1.73mm)
Part Status: Active
Resistance: 50 Ohms
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.93 грн
10+ 414.54 грн
25+ 376.86 грн
80+ 318.31 грн
230+ 291.78 грн
440+ 265.26 грн
E125N50X4 E125N50X4 Anaren E125N50X4-3365156.pdf High Frequency/RF Resistors
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.28 грн
10+ 456.81 грн
25+ 360.69 грн
50+ 324.82 грн
100+ 291.61 грн
250+ 264.37 грн
500+ 246.44 грн
E152N5N5004P MOLEX Category: Unclassified
Description: E152N5N5004P
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+1165.43 грн
48+ 954.18 грн
96+ 935.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM ON Semiconductor fdd5n50nzf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM onsemi fdd5n50nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.27 грн
5000+ 25.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM ON Semiconductor fdd5n50nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM onsemi / Fairchild FDD5N50NZ_D-2312190.pdf MOSFET UNIFET2 500V
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.37 грн
10+ 57.75 грн
100+ 39.12 грн
500+ 33.08 грн
1000+ 26.97 грн
2500+ 25.37 грн
5000+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM onsemi fdd5n50nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.39 грн
10+ 51.96 грн
100+ 40.4 грн
500+ 32.13 грн
1000+ 26.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 onsemi / Fairchild FDH45N50F_D-2312294.pdf MOSFET 500V N Channel MOSFET FRFET
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.86 грн
10+ 397.99 грн
25+ 269.69 грн
100+ 257.73 грн
250+ 242.45 грн
450+ 225.18 грн
900+ 223.19 грн
FSW25N50A; 25A; 500V; 230W; 0,18R; N-Channel; TO-247 (TO-3PN); IPS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+128.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
IXTA15N50L2 IXTA15N50L2 IXYS media-3323447.pdf MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+974.13 грн
10+ 846.4 грн
25+ 716.07 грн
50+ 674.89 грн
100+ 635.69 грн
250+ 635.03 грн
IXTA15N50L2 IXTA15N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_15n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.75 грн
50+ 699.09 грн
100+ 657.98 грн
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.06 грн
2+ 468.44 грн
5+ 442.84 грн
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+820.87 грн
2+ 583.75 грн
5+ 531.41 грн
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS media-3323447.pdf MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+825.34 грн
10+ 696.67 грн
30+ 550.01 грн
120+ 504.84 грн
270+ 490.89 грн
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_15n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.51 грн
30+ 584.18 грн
120+ 522.69 грн
510+ 432.81 грн
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS media-3323447.pdf MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+718.4 грн
10+ 637.85 грн
50+ 491.55 грн
100+ 439.74 грн
250+ 430.44 грн
500+ 388.59 грн
1000+ 353.39 грн
R5F61655N50FPV Renesas Electronics REN_rej09b0499_h8sx1655hm_MAH_20091020-2931461.pdf 32-bit Microcontrollers - MCU MCU 3V 512K PB-Free 120-LQFP
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1982.37 грн
10+ 1802.03 грн
25+ 1496.57 грн
90+ 1276.7 грн
540+ 1252.79 грн
1080+ 1232.2 грн
2520+ 1221.57 грн
SIHA15N50E-E3 SIHA15N50E-E3 Vishay / Siliconix siha15n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.67 грн
10+ 116.88 грн
100+ 83.7 грн
250+ 81.7 грн
500+ 73.73 грн
1000+ 68.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-E3 SIHA15N50E-E3 Vishay Siliconix siha15n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.84 грн
10+ 112.23 грн
100+ 89.34 грн
500+ 70.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-GE3 SIHA15N50E-GE3 Vishay Siliconix siha15n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA15N50E-GE3 SIHA15N50E-GE3 Vishay Siliconix siha15n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.55 грн
10+ 112.92 грн
100+ 89.85 грн
500+ 71.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-GE3 SIHA15N50E-GE3 Vishay / Siliconix siha15n50e.pdf MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.52 грн
10+ 115.35 грн
100+ 85.69 грн
250+ 81.7 грн
500+ 79.71 грн
1000+ 67.09 грн
5000+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SiHA25N50E-E3 SiHA25N50E-E3 Vishay Siliconix siha25n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.07 грн
50+ 155.85 грн
100+ 133.59 грн
500+ 111.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHA25N50E-E3 SiHA25N50E-E3 Vishay / Siliconix siha25n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.64 грн
10+ 184.1 грн
50+ 150.12 грн
100+ 128.87 грн
250+ 121.56 грн
500+ 114.25 грн
1000+ 92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA25N50E-GE3 SIHA25N50E-GE3 Vishay Siliconix siha25n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA25N50E-GE3 SIHA25N50E-GE3 Vishay Siliconix siha25n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.07 грн
10+ 165.1 грн
100+ 133.59 грн
500+ 111.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB25N50E-GE3 SIHB25N50E-GE3 Vishay Siliconix sihb25n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.09 грн
10+ 187.79 грн
100+ 151.94 грн
500+ 126.74 грн
1000+ 108.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB25N50E-GE3 SIHB25N50E-GE3 Vishay / Siliconix sihb25n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.86 грн
10+ 207.78 грн
25+ 171.38 грн
100+ 146.14 грн
250+ 138.17 грн
500+ 130.19 грн
1000+ 115.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD5N50D-E3 SIHD5N50D-E3 Vishay / Siliconix sihd5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.57 грн
10+ 70.81 грн
100+ 47.89 грн
500+ 40.59 грн
1000+ 30.49 грн
3000+ 29.69 грн
6000+ 29.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-GE3 Vishay / Siliconix sihd5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
5+72.77 грн
10+ 57.6 грн
100+ 39.72 грн
500+ 33.68 грн
1000+ 30.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHF5N50D-E3 SIHF5N50D-E3 Vishay / Siliconix sihf5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 995 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
4+95.32 грн
10+ 75.32 грн
100+ 51.75 грн
500+ 43.91 грн
1000+ 35.74 грн
2000+ 33.61 грн
5000+ 32.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHG25N50E-GE3 SIHG25N50E-GE3 Vishay / Siliconix sihg25n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.36 грн
10+ 239.86 грн
25+ 181.34 грн
100+ 155.44 грн
250+ 151.45 грн
500+ 137.5 грн
1000+ 122.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP15N50E-BE3 SIHP15N50E-BE3 Vishay / Siliconix sihp15n50e.pdf MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.67 грн
10+ 110 грн
100+ 89.67 грн
1000+ 75.73 грн
2000+ 75.06 грн
5000+ 73.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-BE3 SIHP15N50E-BE3 Vishay Siliconix sihp15n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.84 грн
50+ 108.59 грн
100+ 89.34 грн
500+ 70.95 грн
1000+ 60.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Vishay Semiconductors sihp15n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.67 грн
10+ 120.7 грн
100+ 86.35 грн
250+ 80.38 грн
500+ 73.07 грн
1000+ 60.85 грн
2000+ 57.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Vishay Siliconix sihp15n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 11552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.44 грн
50+ 76.33 грн
100+ 62.81 грн
500+ 53.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP25N50E-BE3 SIHP25N50E-BE3 Vishay Siliconix sihp25n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.79 грн
50+ 156.25 грн
100+ 133.93 грн
500+ 111.72 грн
1000+ 95.66 грн
2000+ 90.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-BE3 SIHP25N50E-BE3 Vishay / Siliconix sihp25n50e.pdf MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.42 грн
10+ 187.92 грн
50+ 138.17 грн
100+ 127.54 грн
250+ 125.54 грн
500+ 122.22 грн
1000+ 118.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Vishay Siliconix sihp25n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.79 грн
50+ 156.25 грн
100+ 133.93 грн
500+ 111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Vishay Semiconductors sihp25n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.42 грн
10+ 184.86 грн
50+ 124.22 грн
100+ 111.6 грн
250+ 110.93 грн
500+ 104.29 грн
1000+ 93 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 Vishay / Siliconix sihp5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.5 грн
10+ 52.56 грн
100+ 37.4 грн
500+ 33.21 грн
1000+ 29.16 грн
2000+ 27.63 грн
5000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 Vishay Siliconix sihp5n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.85 грн
10+ 56.32 грн
100+ 43.77 грн
500+ 34.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHU5N50D-GE3 SIHU5N50D-GE3 Vishay / Siliconix sihu5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 10686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.07 грн
10+ 57.37 грн
100+ 39.32 грн
500+ 33.35 грн
1000+ 27.17 грн
3000+ 24.78 грн
6000+ 24.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SiTime SiT5021 Description: MEMS OSC TCXO 50.0000MHZ LVDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±5ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 55mA
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+608.19 грн
Мінімальне замовлення: 250
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SiTime SiT5021 Description: MEMS OSC TCXO 50.0000MHZ LVDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±5ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 55mA
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.61 грн
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG STMicroelectronics en.DM00232376.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+240.83 грн
2000+ 217.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG STMicroelectronics en.DM00232376.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.66 грн
10+ 350.47 грн
100+ 292.04 грн
500+ 241.82 грн
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG STMicroelectronics stb45n50dm2ag-1850348.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+461.11 грн
10+ 390.35 грн
25+ 327.48 грн
100+ 282.31 грн
250+ 279.65 грн
500+ 249.76 грн
1000+ 223.85 грн
STD15N50M2AG STD15N50M2AG STMicroelectronics en.DM00173460.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.15 грн
10+ 97.36 грн
100+ 77.5 грн
500+ 61.54 грн
1000+ 52.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD15N50M2AG STD15N50M2AG STMicroelectronics en.DM00173460.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.89 грн
5000+ 50.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD15N50M2AG STD15N50M2AG STMicroelectronics std15n50m2ag-1850587.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
3+132.52 грн
10+ 108.47 грн
100+ 75.06 грн
500+ 63.64 грн
1000+ 53.8 грн
2500+ 51.08 грн
5000+ 49.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
CHV0805N500331JCT chv_series-1.pdf
CHV0805N500331JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 COG 330PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 330 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500332KXT chv_series-1.pdf
CHV0805N500332KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 X7R 3300PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 3300 pF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CHV0805N500391JCT chv_series-1.pdf
CHV0805N500391JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 COG 390PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 390 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500471JCT chv_series-1.pdf
CHV0805N500471JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 COG 470PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 470 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500471KXT chv_series-1.pdf
CHV0805N500471KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 X7R 470PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 470 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500560JCT chv_series-1.pdf
CHV0805N500560JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 COG 56PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 56 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500680JCT chv_series-1.pdf
CHV0805N500680JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 COG 68PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 68 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500681KXT chv_series-1.pdf
CHV0805N500681KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 X7R 680PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 680 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
E125N50X4 E125N50X4.pdf
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: RES SMD 50 OHM 2% 125W
Power (Watts): 125W
Tolerance: ±2%
Features: RF, High Frequency
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.250" L x 0.250" W (6.35mm x 6.35mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Number of Terminations: 1
Height - Seated (Max): 0.068" (1.73mm)
Part Status: Active
Resistance: 50 Ohms
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.93 грн
10+ 414.54 грн
25+ 376.86 грн
80+ 318.31 грн
230+ 291.78 грн
440+ 265.26 грн
E125N50X4 E125N50X4-3365156.pdf
E125N50X4
Виробник: Anaren
High Frequency/RF Resistors
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+505.28 грн
10+ 456.81 грн
25+ 360.69 грн
50+ 324.82 грн
100+ 291.61 грн
250+ 264.37 грн
500+ 246.44 грн
E152N5N5004P
Виробник: MOLEX
Category: Unclassified
Description: E152N5N5004P
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+1165.43 грн
48+ 954.18 грн
96+ 935.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD5N50NZFTM fdd5n50nzf.pdf
FDD5N50NZFTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
FDD5N50NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.27 грн
5000+ 25.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
FDD5N50NZTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD5N50NZTM FDD5N50NZ_D-2312190.pdf
FDD5N50NZTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET UNIFET2 500V
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.37 грн
10+ 57.75 грн
100+ 39.12 грн
500+ 33.08 грн
1000+ 26.97 грн
2500+ 25.37 грн
5000+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
FDD5N50NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.39 грн
10+ 51.96 грн
100+ 40.4 грн
500+ 32.13 грн
1000+ 26.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDH45N50F-F133 FDH45N50F_D-2312294.pdf
FDH45N50F-F133
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N Channel MOSFET FRFET
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+437.86 грн
10+ 397.99 грн
25+ 269.69 грн
100+ 257.73 грн
250+ 242.45 грн
450+ 225.18 грн
900+ 223.19 грн
FSW25N50A; 25A; 500V; 230W; 0,18R; N-Channel; TO-247 (TO-3PN); IPS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+128.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
IXTA15N50L2 media-3323447.pdf
IXTA15N50L2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+974.13 грн
10+ 846.4 грн
25+ 716.07 грн
50+ 674.89 грн
100+ 635.69 грн
250+ 635.03 грн
IXTA15N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_15n50_datasheet.pdf.pdf
IXTA15N50L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+896.75 грн
50+ 699.09 грн
100+ 657.98 грн
IXTH15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+684.06 грн
2+ 468.44 грн
5+ 442.84 грн
IXTH15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+820.87 грн
2+ 583.75 грн
5+ 531.41 грн
IXTH15N50L2 media-3323447.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+825.34 грн
10+ 696.67 грн
30+ 550.01 грн
120+ 504.84 грн
270+ 490.89 грн
IXTH15N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_15n50_datasheet.pdf.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+759.51 грн
30+ 584.18 грн
120+ 522.69 грн
510+ 432.81 грн
IXTP15N50L2 media-3323447.pdf
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+718.4 грн
10+ 637.85 грн
50+ 491.55 грн
100+ 439.74 грн
250+ 430.44 грн
500+ 388.59 грн
1000+ 353.39 грн
R5F61655N50FPV REN_rej09b0499_h8sx1655hm_MAH_20091020-2931461.pdf
Виробник: Renesas Electronics
32-bit Microcontrollers - MCU MCU 3V 512K PB-Free 120-LQFP
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1982.37 грн
10+ 1802.03 грн
25+ 1496.57 грн
90+ 1276.7 грн
540+ 1252.79 грн
1080+ 1232.2 грн
2520+ 1221.57 грн
SIHA15N50E-E3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+152.67 грн
10+ 116.88 грн
100+ 83.7 грн
250+ 81.7 грн
500+ 73.73 грн
1000+ 68.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-E3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.84 грн
10+ 112.23 грн
100+ 89.34 грн
500+ 70.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-GE3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA15N50E-GE3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.55 грн
10+ 112.92 грн
100+ 89.85 грн
500+ 71.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-GE3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.52 грн
10+ 115.35 грн
100+ 85.69 грн
250+ 81.7 грн
500+ 79.71 грн
1000+ 67.09 грн
5000+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SiHA25N50E-E3 siha25n50e.pdf
SiHA25N50E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.07 грн
50+ 155.85 грн
100+ 133.59 грн
500+ 111.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHA25N50E-E3 siha25n50e.pdf
SiHA25N50E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.64 грн
10+ 184.1 грн
50+ 150.12 грн
100+ 128.87 грн
250+ 121.56 грн
500+ 114.25 грн
1000+ 92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
SIHA25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
SIHA25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.07 грн
10+ 165.1 грн
100+ 133.59 грн
500+ 111.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB25N50E-GE3 sihb25n50e.pdf
SIHB25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.09 грн
10+ 187.79 грн
100+ 151.94 грн
500+ 126.74 грн
1000+ 108.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB25N50E-GE3 sihb25n50e.pdf
SIHB25N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.86 грн
10+ 207.78 грн
25+ 171.38 грн
100+ 146.14 грн
250+ 138.17 грн
500+ 130.19 грн
1000+ 115.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD5N50D-E3 sihd5n50d.pdf
SIHD5N50D-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.57 грн
10+ 70.81 грн
100+ 47.89 грн
500+ 40.59 грн
1000+ 30.49 грн
3000+ 29.69 грн
6000+ 29.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD5N50D-GE3 sihd5n50d.pdf
SIHD5N50D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.77 грн
10+ 57.6 грн
100+ 39.72 грн
500+ 33.68 грн
1000+ 30.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHF5N50D-E3 sihf5n50d.pdf
SIHF5N50D-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 995 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.32 грн
10+ 75.32 грн
100+ 51.75 грн
500+ 43.91 грн
1000+ 35.74 грн
2000+ 33.61 грн
5000+ 32.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
SIHG25N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.36 грн
10+ 239.86 грн
25+ 181.34 грн
100+ 155.44 грн
250+ 151.45 грн
500+ 137.5 грн
1000+ 122.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP15N50E-BE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+152.67 грн
10+ 110 грн
100+ 89.67 грн
1000+ 75.73 грн
2000+ 75.06 грн
5000+ 73.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-BE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.84 грн
50+ 108.59 грн
100+ 89.34 грн
500+ 70.95 грн
1000+ 60.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+152.67 грн
10+ 120.7 грн
100+ 86.35 грн
250+ 80.38 грн
500+ 73.07 грн
1000+ 60.85 грн
2000+ 57.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 11552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.44 грн
50+ 76.33 грн
100+ 62.81 грн
500+ 53.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP25N50E-BE3 sihp25n50e.pdf
SIHP25N50E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.79 грн
50+ 156.25 грн
100+ 133.93 грн
500+ 111.72 грн
1000+ 95.66 грн
2000+ 90.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-BE3 sihp25n50e.pdf
SIHP25N50E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.42 грн
10+ 187.92 грн
50+ 138.17 грн
100+ 127.54 грн
250+ 125.54 грн
500+ 122.22 грн
1000+ 118.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-GE3 sihp25n50e.pdf
SIHP25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.79 грн
50+ 156.25 грн
100+ 133.93 грн
500+ 111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-GE3 sihp25n50e.pdf
SIHP25N50E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.42 грн
10+ 184.86 грн
50+ 124.22 грн
100+ 111.6 грн
250+ 110.93 грн
500+ 104.29 грн
1000+ 93 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP5N50D-GE3 sihp5n50d.pdf
SIHP5N50D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.5 грн
10+ 52.56 грн
100+ 37.4 грн
500+ 33.21 грн
1000+ 29.16 грн
2000+ 27.63 грн
5000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP5N50D-GE3 sihp5n50d.pdf
SIHP5N50D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.85 грн
10+ 56.32 грн
100+ 43.77 грн
500+ 34.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHU5N50D-GE3 sihu5n50d.pdf
SIHU5N50D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 10686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.07 грн
10+ 57.37 грн
100+ 39.32 грн
500+ 33.35 грн
1000+ 27.17 грн
3000+ 24.78 грн
6000+ 24.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SiT5021
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC TCXO 50.0000MHZ LVDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±5ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 55mA
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+608.19 грн
Мінімальне замовлення: 250
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SiT5021
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC TCXO 50.0000MHZ LVDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±5ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 55mA
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+608.61 грн
STB45N50DM2AG en.DM00232376.pdf
STB45N50DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+240.83 грн
2000+ 217.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB45N50DM2AG en.DM00232376.pdf
STB45N50DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.66 грн
10+ 350.47 грн
100+ 292.04 грн
500+ 241.82 грн
STB45N50DM2AG stb45n50dm2ag-1850348.pdf
STB45N50DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+461.11 грн
10+ 390.35 грн
25+ 327.48 грн
100+ 282.31 грн
250+ 279.65 грн
500+ 249.76 грн
1000+ 223.85 грн
STD15N50M2AG en.DM00173460.pdf
STD15N50M2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.15 грн
10+ 97.36 грн
100+ 77.5 грн
500+ 61.54 грн
1000+ 52.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD15N50M2AG en.DM00173460.pdf
STD15N50M2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.89 грн
5000+ 50.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD15N50M2AG std15n50m2ag-1850587.pdf
STD15N50M2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.52 грн
10+ 108.47 грн
100+ 75.06 грн
500+ 63.64 грн
1000+ 53.8 грн
2500+ 51.08 грн
5000+ 49.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]