Продукція > STARPOWER > Всі товари виробника STARPOWER (153) > Сторінка 3 з 3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD50PIY120C6SN GD50PIY120C6SN STARPOWER 3665568.pdf Description: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 62A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 218W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 62A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6307.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PJX65L3S GD50PJX65L3S STARPOWER 3789540.pdf Description: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 91A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 264W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3893.11 грн
5+3792.74 грн
10+3602.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX170C6S GD600HFX170C6S STARPOWER 3123050.pdf Description: STARPOWER - GD600HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.069 kA, 1.85 V, 4.166 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.069kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 4.166kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.166kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.069kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14978.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX65C2S GD600HFX65C2S STARPOWER 3123051.pdf Description: STARPOWER - GD600HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 768 A, 1.45 V, 1.875 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 768A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.875kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.875kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 768A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10204.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX65C6S GD600HFX65C6S STARPOWER 3665571.pdf Description: STARPOWER - GD600HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 700 A, 1.45 V, 1.648 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 700A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.648kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.648kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 700A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9398.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFY120C2S GD600HFY120C2S STARPOWER 2718507.pdf Description: STARPOWER - GD600HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Dauer-Kollektorstrom: 1
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 3.409
Verlustleistung: 3.409
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14092.43 грн
5+13547.21 грн
10+12870.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGU120C2S GD600SGU120C2S STARPOWER 3123053.pdf Description: STARPOWER - GD600SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 830 A, 2.9 V, 4.032 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 830
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 4.032
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.032
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 830
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11403.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGX170C2S GD600SGX170C2S STARPOWER 3123054.pdf Description: STARPOWER - GD600SGX170C2S - IGBT-Modul, Einfach, 958 A, 1.85 V, 3.448 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 958A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 3.448kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.448kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 958A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12113.13 грн
5+11508.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGY120C2S GD600SGY120C2S STARPOWER 3123055.pdf Description: STARPOWER - GD600SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 1 kA, 1.7 V, 3.409 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.409kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.409kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8997.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD650HFX170P1S GD650HFX170P1S STARPOWER 3123056.pdf Description: STARPOWER - GD650HFX170P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 1.073kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 4.2kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.073kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24240.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FFX170C6S GD75FFX170C6S STARPOWER 3665572.pdf Description: STARPOWER - GD75FFX170C6S - IGBT-Modul, Sechserpack, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 559W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 559W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 139A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11066.91 грн
5+10430.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FFX65C5S GD75FFX65C5S STARPOWER 3123057.pdf Description: STARPOWER - GD75FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 103A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 267W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 103A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3444.00 грн
12+3260.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FFY120C5S GD75FFY120C5S STARPOWER 3123058.pdf Description: STARPOWER - GD75FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 117A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 380W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 117A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4895.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FFY120C6SF GD75FFY120C6SF STARPOWER 3123059.pdf Description: STARPOWER - GD75FFY120C6SF - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 117A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 380W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 117A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FSY120L3S GD75FSY120L3S STARPOWER 3789541.pdf Description: STARPOWER - GD75FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 150 A, 1.65 V, 576 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 576W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6013.61 грн
5+5617.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFU120C1S GD75HFU120C1S STARPOWER 3665560.pdf Description: STARPOWER - GD75HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 150 A, 3.1 V, 658 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 658W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3177.77 грн
5+2968.53 грн
10+2759.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFU120C1SD GD75HFU120C1SD STARPOWER 4024580.pdf Description: STARPOWER - GD75HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 2.8 V, 484 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3077.40 грн
5+2959.17 грн
10+2731.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFX170C1S GD75HFX170C1S STARPOWER 3665562.pdf Description: STARPOWER - GD75HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 559W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 559W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 139A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3929.69 грн
5+3748.51 грн
10+3557.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFX65C1S GD75HFX65C1S STARPOWER 3665557.pdf Description: STARPOWER - GD75HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 258W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2922.60 грн
5+2804.37 грн
10+2664.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFY120C1S GD75HFY120C1S STARPOWER 3665559.pdf Description: STARPOWER - GD75HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 117A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 380W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 117A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3357.24 грн
5+3164.16 грн
10+2959.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HHU120C5S GD75HHU120C5S STARPOWER 3123060.pdf Description: STARPOWER - GD75HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 115 A, 3.1 V, 667 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 115A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 667W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6177.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75MLX65L3S GD75MLX65L3S STARPOWER 3789542.pdf Description: STARPOWER - GD75MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 124 A, 1.45 V, 355 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 124A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4159.34 грн
5+3885.46 грн
10+3611.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75PIX65C6S GD75PIX65C6S STARPOWER 3123061.pdf Description: STARPOWER - GD75PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 103A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 267W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 103A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6598.81 грн
5+6261.98 грн
10+5931.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD800HFX170C3S GD800HFX170C3S STARPOWER 3665577.pdf Description: STARPOWER - GD800HFX170C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 800 A, 1.85 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 800A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 800A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33311.32 грн
5+33008.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD800HFY120C3S GD800HFY120C3S STARPOWER 3665573.pdf Description: STARPOWER - GD800HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.203 kA, 1.7 V, 3.836 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.203kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.836kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.836kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.203kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27665.16 грн
5+27112.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD800SGX170C3S GD800SGX170C3S STARPOWER 3677651.pdf Description: STARPOWER - GD800SGX170C3S - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
Dauer-Kollektorstrom: 800A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.75kW
Bauform - Transistor: -
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22024.95 грн
5+21584.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD80TLQ120F1S GD80TLQ120F1S STARPOWER 3789523.pdf Description: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 450W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 110A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5567.06 грн
5+5288.92 грн
10+4900.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD900HFY120P1S GD900HFY120P1S STARPOWER Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 5.24
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.522
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MD120HFR120C2S MD120HFR120C2S STARPOWER 2718496.pdf Description: STARPOWER - MD120HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35707.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MD15FSR120L2SF MD15FSR120L2SF STARPOWER 3122999.pdf Description: STARPOWER - MD15FSR120L2SF - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Sechsfach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10029.21 грн
5+9542.67 грн
10+8879.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MD200HFR120C2S MD200HFR120C2S STARPOWER 2718497.pdf Description: STARPOWER - MD200HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52670.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MD300HFC170C2S MD300HFC170C2S STARPOWER 3122997.pdf Description: STARPOWER - MD300HFC170C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 484A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 11Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00333ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55881.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MD300HFR120C2S MD300HFR120C2S STARPOWER 2718498.pdf Description: STARPOWER - MD300HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+60413.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PIY120C6SN 3665568.pdf
GD50PIY120C6SN
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 62A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 218W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 62A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6307.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50PJX65L3S 3789540.pdf
GD50PJX65L3S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 91A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 264W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3893.11 грн
5+3792.74 грн
10+3602.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX170C6S 3123050.pdf
GD600HFX170C6S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.069 kA, 1.85 V, 4.166 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.069kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 4.166kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.166kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.069kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14978.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX65C2S 3123051.pdf
GD600HFX65C2S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 768 A, 1.45 V, 1.875 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 768A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.875kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.875kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 768A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10204.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFX65C6S 3665571.pdf
GD600HFX65C6S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 700 A, 1.45 V, 1.648 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 700A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.648kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.648kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 700A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9398.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600HFY120C2S 2718507.pdf
GD600HFY120C2S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Dauer-Kollektorstrom: 1
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 3.409
Verlustleistung: 3.409
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14092.43 грн
5+13547.21 грн
10+12870.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGU120C2S 3123053.pdf
GD600SGU120C2S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 830 A, 2.9 V, 4.032 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 830
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 4.032
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.032
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 830
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11403.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGX170C2S 3123054.pdf
GD600SGX170C2S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600SGX170C2S - IGBT-Modul, Einfach, 958 A, 1.85 V, 3.448 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 958A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 3.448kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.448kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 958A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12113.13 грн
5+11508.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD600SGY120C2S 3123055.pdf
GD600SGY120C2S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 1 kA, 1.7 V, 3.409 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.409kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.409kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8997.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD650HFX170P1S 3123056.pdf
GD650HFX170P1S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD650HFX170P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 1.073kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 4.2kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.073kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24240.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FFX170C6S 3665572.pdf
GD75FFX170C6S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75FFX170C6S - IGBT-Modul, Sechserpack, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 559W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 559W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 139A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11066.91 грн
5+10430.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FFX65C5S 3123057.pdf
GD75FFX65C5S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 103A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 267W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 103A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3444.00 грн
12+3260.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FFY120C5S 3123058.pdf
GD75FFY120C5S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 117A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 380W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 117A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4895.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FFY120C6SF 3123059.pdf
GD75FFY120C6SF
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75FFY120C6SF - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 117A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 380W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 117A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FSY120L3S 3789541.pdf
GD75FSY120L3S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 150 A, 1.65 V, 576 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 576W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6013.61 грн
5+5617.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFU120C1S 3665560.pdf
GD75HFU120C1S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 150 A, 3.1 V, 658 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 658W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3177.77 грн
5+2968.53 грн
10+2759.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFU120C1SD 4024580.pdf
GD75HFU120C1SD
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 2.8 V, 484 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3077.40 грн
5+2959.17 грн
10+2731.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFX170C1S 3665562.pdf
GD75HFX170C1S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 559W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 559W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 139A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3929.69 грн
5+3748.51 грн
10+3557.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFX65C1S 3665557.pdf
GD75HFX65C1S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 258W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2922.60 грн
5+2804.37 грн
10+2664.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HFY120C1S 3665559.pdf
GD75HFY120C1S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 117A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 380W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 117A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3357.24 грн
5+3164.16 грн
10+2959.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75HHU120C5S 3123060.pdf
GD75HHU120C5S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 115 A, 3.1 V, 667 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 115A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 667W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6177.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75MLX65L3S 3789542.pdf
GD75MLX65L3S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 124 A, 1.45 V, 355 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 124A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4159.34 грн
5+3885.46 грн
10+3611.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD75PIX65C6S 3123061.pdf
GD75PIX65C6S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 103A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 267W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 103A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6598.81 грн
5+6261.98 грн
10+5931.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD800HFX170C3S 3665577.pdf
GD800HFX170C3S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD800HFX170C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 800 A, 1.85 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 800A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 800A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+33311.32 грн
5+33008.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD800HFY120C3S 3665573.pdf
GD800HFY120C3S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD800HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.203 kA, 1.7 V, 3.836 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.203kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.836kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.836kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.203kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27665.16 грн
5+27112.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD800SGX170C3S 3677651.pdf
GD800SGX170C3S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD800SGX170C3S - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
Dauer-Kollektorstrom: 800A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.75kW
Bauform - Transistor: -
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22024.95 грн
5+21584.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD80TLQ120F1S 3789523.pdf
GD80TLQ120F1S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 450W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 110A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5567.06 грн
5+5288.92 грн
10+4900.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD900HFY120P1S
GD900HFY120P1S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 5.24
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.522
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MD120HFR120C2S 2718496.pdf
MD120HFR120C2S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - MD120HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+35707.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MD15FSR120L2SF 3122999.pdf
MD15FSR120L2SF
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - MD15FSR120L2SF - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Sechsfach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10029.21 грн
5+9542.67 грн
10+8879.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MD200HFR120C2S 2718497.pdf
MD200HFR120C2S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - MD200HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+52670.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MD300HFC170C2S 3122997.pdf
MD300HFC170C2S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - MD300HFC170C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 484A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 11Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00333ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55881.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MD300HFR120C2S 2718498.pdf
MD300HFR120C2S
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - MD300HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+60413.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3