Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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DG100X07T2 | STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG100X07T2 - IGBT, 200 A, 1.45 V, 1.071 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.071kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG10X06T1 | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 196W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG10X12T2 | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG120X07T2 | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG15X06T1 | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 27A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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DG15X12T2 | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 138W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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DG20X06T1 | STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG20X06T1 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG20X06T2 | STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG20X06T2 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG25X12T2 | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 573W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG30X06T2 | STARPOWER |
![]() MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45 Verlustleistung Pd: 441 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DOSEMI DC-Kollektorstrom: 46 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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DG30X07T2 | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG40Q12T2LZ | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG40X12T2 | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 487W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG50Q12T2 | STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG50Q12T2 - IGBT, 100 A, 2 V, 672 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 672W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG50X07T2 | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG50X12T2 | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.049kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG75X07T2L | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 980W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG75X12T2 | STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG75X12T2 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 1.415 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.415kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD1000HFX170P2S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95 Dauer-Kollektorstrom: 1.604 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95 Verlustleistung Pd: 6.25 Verlustleistung: 6.25 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 1.604 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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GD100FFX170C6S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 168A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 632W euEccn: NLR Verlustleistung: 632W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 168A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100FFX65C5S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 130A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 331W euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 130A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100FFY120C5S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 157 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 512 Verlustleistung: 512 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke DC-Kollektorstrom: 157 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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GD100FFY120C6S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 155A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 511W euEccn: NLR Verlustleistung: 511W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 155A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100HFU120C1S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1 Verlustleistung Pd: 1.136 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 200 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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GD100HFU120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 1.136kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.136kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100HFU120C8S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V Dauer-Kollektorstrom: 154A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V Verlustleistung Pd: 791W euEccn: NLR Verlustleistung: 791W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 154A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100HFX170C1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 168A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 632W euEccn: NLR Verlustleistung: 632W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 168A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100HFX65C1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 127A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 319W euEccn: NLR Verlustleistung: 319W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 127A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100HFY120C1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 155A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 511W euEccn: NLR Verlustleistung: 511W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 155A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100HHU120C6S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 638W euEccn: NLR Verlustleistung: 638W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: H-Brücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100MLX65L3S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 451W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100PIX65C6S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 130A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 331W euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 130A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100PIY120C6SN | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 155 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 511 Verlustleistung: 511 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter DC-Kollektorstrom: 155 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD100SGY120D6S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 155 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 500 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: - DC-Kollektorstrom: 155 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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GD10PJX65F1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD10PJX65L2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD10PJY120F1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD10PJY120F4S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD10PJY120L2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD1200HFY120C3S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 8.196kW euEccn: NLR Verlustleistung: 8.196kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 2.23kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD1200SGX170C3SN | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD1400HFX170P2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 9.37kW euEccn: NLR Verlustleistung: 9.37kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 2.342kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD150FFX65C6S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 181A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 442W euEccn: NLR Verlustleistung: 442W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 181A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD150FFY120C6S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 224A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 714W euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 224A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD150HFU120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 280A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 1.147kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.147kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 280A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD150HFX170C2S | STARPOWER |
Description: STARPOWER - GD150HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 Dauer-Kollektorstrom: 280 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 Verlustleistung Pd: 1.127 Verlustleistung: 1.127 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 280 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD150HFX65C1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 180A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 437W euEccn: NLR Verlustleistung: 437W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 180A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD150HFY120C1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 230A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 746W euEccn: NLR Verlustleistung: 746W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 230A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD150HFY120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 291A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 1.102kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.102kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 291A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD150HFY120C8S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 291A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 1.102kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.102kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 291A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD150HHU120C6S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V Dauer-Kollektorstrom: 230A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V Verlustleistung Pd: 1.179kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.179kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: H-Brücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 230A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD150MLX65L3S | STARPOWER |
Description: STARPOWER - GD150MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 223 A, 1.45 V, 600 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 223A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: Module Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD15PJX65F1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD15PJX65L2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 112W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD15PJY120F1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD15PJY120F2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 141W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD15PJY120F4S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD15PJY120F5S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD15PJY120L2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 173W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD1600SGX170C3S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 1.6kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 1.6kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DG100X07T2 |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG100X07T2 - IGBT, 200 A, 1.45 V, 1.071 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.071kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG100X07T2 - IGBT, 200 A, 1.45 V, 1.071 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.071kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
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1+ | 892.09 грн |
DG10X06T1 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 196W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 196W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 165.64 грн |
10+ | 126.96 грн |
DG10X12T2 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG10X12T2 - IGBT, 20 A, 1.7 V, 96 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG10X12T2 - IGBT, 20 A, 1.7 V, 96 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 322.03 грн |
10+ | 246.36 грн |
DG120X07T2 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG120X07T2 - IGBT, 240 A, 1.3 V, 1.25 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG120X07T2 - IGBT, 240 A, 1.3 V, 1.25 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1116.59 грн |
5+ | 976.17 грн |
10+ | 784.47 грн |
DG15X06T1 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG15X06T1 - IGBT, 27 A, 1.45 V, 235 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 27A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG15X06T1 - IGBT, 27 A, 1.45 V, 235 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 27A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
DG15X12T2 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG15X12T2 - IGBT, 30 A, 1.75 V, 138 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - DG15X12T2 - IGBT, 30 A, 1.75 V, 138 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DG20X06T1 |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG20X06T1 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG20X06T1 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 211.88 грн |
10+ | 163.12 грн |
DG20X06T2 |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG20X06T2 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG20X06T2 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 166.48 грн |
10+ | 152.19 грн |
100+ | 123.60 грн |
DG25X12T2 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 573W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 573W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 376.68 грн |
10+ | 329.60 грн |
DG30X06T2 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG30X06T2 - IGBT, 46 A, 1.45 V, 441 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 441
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DOSEMI
DC-Kollektorstrom: 46
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: STARPOWER - DG30X06T2 - IGBT, 46 A, 1.45 V, 441 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 441
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DOSEMI
DC-Kollektorstrom: 46
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DG30X07T2 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG30X07T2 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
Description: STARPOWER - DG30X07T2 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 285.03 грн |
10+ | 211.04 грн |
DG40Q12T2LZ |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG40Q12T2LZ - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG40Q12T2LZ - IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 424.61 грн |
DG40X12T2 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 487W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 487W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 401.06 грн |
DG50Q12T2 |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG50Q12T2 - IGBT, 100 A, 2 V, 672 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 672W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG50Q12T2 - IGBT, 100 A, 2 V, 672 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 672W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 871.91 грн |
5+ | 759.25 грн |
10+ | 618.83 грн |
DG50X07T2 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG50X07T2 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - DG50X07T2 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 351.46 грн |
10+ | 279.99 грн |
100+ | 236.27 грн |
DG50X12T2 |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG50X12T2 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 1.049 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.049kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG50X12T2 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 1.049 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.049kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 581.00 грн |
5+ | 518.78 грн |
10+ | 457.40 грн |
DG75X07T2L |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG75X07T2L - IGBT, 150 A, 1.5 V, 980 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 980W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - DG75X07T2L - IGBT, 150 A, 1.5 V, 980 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 980W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 697.03 грн |
5+ | 554.93 грн |
10+ | 469.17 грн |
DG75X12T2 |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG75X12T2 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 1.415 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.415kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG75X12T2 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 1.415 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.415kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 953.47 грн |
5+ | 829.87 грн |
10+ | 676.85 грн |
50+ | 542.62 грн |
100+ | 467.73 грн |
GD1000HFX170P2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95
Dauer-Kollektorstrom: 1.604
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
Verlustleistung Pd: 6.25
Verlustleistung: 6.25
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 1.604
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95
Dauer-Kollektorstrom: 1.604
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
Verlustleistung Pd: 6.25
Verlustleistung: 6.25
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 1.604
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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GD100FFX170C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100FFX170C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD100FFX170C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8299.58 грн |
10+ | 7262.03 грн |
GD100FFX65C5S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD100FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6377.50 грн |
5+ | 6133.67 грн |
10+ | 5704.86 грн |
GD100FFY120C5S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 157 A, 1.7 V, 512 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 157
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 512
Verlustleistung: 512
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD100FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 157 A, 1.7 V, 512 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 157
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 512
Verlustleistung: 512
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
GD100FFY120C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD100FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9075.64 грн |
10+ | 8964.66 грн |
GD100HFU120C1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
Verlustleistung Pd: 1.136
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD100HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
Verlustleistung Pd: 1.136
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD100HFU120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.136kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.136kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.136kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.136kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5246.62 грн |
5+ | 4978.40 грн |
10+ | 4716.07 грн |
50+ | 4287.86 грн |
GD100HFU120C8S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HFU120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 154A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 791W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 791W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 154A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD100HFU120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 154A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 791W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 791W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 154A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4130.87 грн |
5+ | 3986.25 грн |
10+ | 3709.63 грн |
GD100HFX170C1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4679.92 грн |
5+ | 4490.74 грн |
GD100HFX65C1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 127 A, 1.45 V, 319 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 127A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 319W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 127A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD100HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 127 A, 1.45 V, 319 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 127A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 319W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 127A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3280.82 грн |
GD100HFY120C1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD100HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3580.99 грн |
5+ | 3443.09 грн |
GD100HHU120C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 638W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 638W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - GD100HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 638W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 638W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9122.73 грн |
GD100MLX65L3S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 160 A, 1.45 V, 451 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 451W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD100MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 160 A, 1.45 V, 451 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 451W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4541.19 грн |
5+ | 4373.02 грн |
10+ | 4067.81 грн |
GD100PIX65C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD100PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9276.60 грн |
GD100PIY120C6SN |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 511
Verlustleistung: 511
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD100PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 511
Verlustleistung: 511
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7936.35 грн |
5+ | 7644.60 грн |
GD100SGY120D6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 500
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: -
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 500
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: -
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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В кошику
од. на суму грн.
GD10PJX65F1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2291.19 грн |
5+ | 2173.48 грн |
10+ | 2059.13 грн |
GD10PJX65L2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD10PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1853.97 грн |
5+ | 1761.49 грн |
10+ | 1670.68 грн |
GD10PJY120F1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.65 V, 91 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD10PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.65 V, 91 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2303.80 грн |
5+ | 2188.61 грн |
10+ | 2075.95 грн |
GD10PJY120F4S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 91 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD10PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 91 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2469.44 грн |
5+ | 2343.32 грн |
10+ | 2219.72 грн |
GD10PJY120L2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 133 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD10PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 133 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2009.52 грн |
5+ | 1958.23 грн |
10+ | 1859.86 грн |
GD1200HFY120C3S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 8.196kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.196kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.23kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 8.196kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.196kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.23kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 32291.94 грн |
5+ | 31620.14 грн |
GD1200SGX170C3SN |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26827.55 грн |
5+ | 26624.92 грн |
GD1400HFX170P2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 9.37kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.37kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.342kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 9.37kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.37kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.342kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 47216.22 грн |
GD150FFX65C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 181A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 442W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 442W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 181A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 181A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 442W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 442W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 181A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7445.32 грн |
5+ | 7112.37 грн |
GD150FFY120C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 224 A, 1.7 V, 714 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 224A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 224A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD150FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 224 A, 1.7 V, 714 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 224A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 224A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11727.54 грн |
5+ | 11168.41 грн |
GD150HFU120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 3.1 V, 1.147 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 280A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.147kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.147kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD150HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 3.1 V, 1.147 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 280A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.147kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.147kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3988.78 грн |
GD150HFX170C2S |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 280
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.127
Verlustleistung: 1.127
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 280
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD150HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 280
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.127
Verlustleistung: 1.127
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 280
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7406.65 грн |
5+ | 7268.76 грн |
10+ | 6929.91 грн |
GD150HFX65C1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 437W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 437W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD150HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 437W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 437W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3964.39 грн |
5+ | 3702.90 грн |
10+ | 3441.41 грн |
50+ | 3132.36 грн |
GD150HFY120C1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 746W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 746W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 746W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 746W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4732.89 грн |
5+ | 4541.19 грн |
10+ | 4316.69 грн |
GD150HFY120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 291A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.102kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.102kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 291A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - GD150HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 291A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.102kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.102kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 291A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6241.29 грн |
GD150HFY120C8S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 291A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.102kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.102kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 291A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - GD150HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 291A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.102kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.102kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 291A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5647.68 грн |
5+ | 5366.01 грн |
10+ | 4971.68 грн |
50+ | 4542.39 грн |
GD150HHU120C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 230 A, 2.9 V, 1.179 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 1.179kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.179kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD150HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 230 A, 2.9 V, 1.179 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 1.179kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.179kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10753.89 грн |
GD150MLX65L3S |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 223 A, 1.45 V, 600 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 223A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: STARPOWER - GD150MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 223 A, 1.45 V, 600 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 223A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5827.62 грн |
5+ | 5536.70 грн |
GD15PJX65F1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2423.20 грн |
5+ | 2360.14 грн |
10+ | 2241.59 грн |
GD15PJX65L2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.45 V, 112 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 112W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD15PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.45 V, 112 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 112W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2090.24 грн |
5+ | 1983.46 грн |
10+ | 1879.20 грн |
GD15PJY120F1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD15PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2633.40 грн |
5+ | 2502.23 грн |
10+ | 2373.59 грн |
GD15PJY120F2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 141 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD15PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 141 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3186.65 грн |
5+ | 2384.52 грн |
10+ | 2220.56 грн |
20+ | 1958.89 грн |
GD15PJY120F4S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD15PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2790.63 грн |
5+ | 2651.90 грн |
10+ | 2514.85 грн |
GD15PJY120F5S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 142 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD15PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 142 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3070.62 грн |
5+ | 2991.58 грн |
10+ | 2841.08 грн |
GD15PJY120L2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 173 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 173W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD15PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 173 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 173W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2339.96 грн |
5+ | 2279.42 грн |
10+ | 2165.07 грн |
GD1600SGX170C3S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1600SGX170C3S - IGBT-Modul, Einfach, 1.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.6kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD1600SGX170C3S - IGBT-Modul, Einfach, 1.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.6kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 33412.73 грн |
5+ | 32717.39 грн |