Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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GD200FFY120C6S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 309 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 1.006 Verlustleistung: 1.006 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke DC-Kollektorstrom: 309 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD200HFU120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V Dauer-Kollektorstrom: 262A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V Verlustleistung Pd: 1.315kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.315kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 262A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD200HFX170C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 337A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 1.271kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.271kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 337A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD200HFX65C1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 250A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 612W euEccn: NLR Verlustleistung: 612W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 250A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD200HFX65C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 247A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 612W euEccn: NLR Verlustleistung: 612W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 247A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD200HFX65C8S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 247A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 612W euEccn: NLR Verlustleistung: 612W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 247A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD200HFY120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 309A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 1.006kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.006kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 309A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD200HFY120C8S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 309A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 1.006kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.006kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 309A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD200SGY120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 309A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 1.006kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.006kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 309A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD200TLQ120L3S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 666W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD20PJX65F1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 35A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD20PJX65L2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 40A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 129W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD225HFY120C6S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 368A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 1.229kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.229kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 368A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD2400SGX170C4S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 2.4kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 2.4kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD2400SGY120C3S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 3.353kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 10.2kW euEccn: NLR Verlustleistung: 10.2kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 3.353kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD2400SGY120C4S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 2.4kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 2.4kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD25PJY120F2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 49A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD25PJY120F5S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 49A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD25PJY120L3S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 252W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD300HFU120C2S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3 Dauer-Kollektorstrom: 395 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3 Verlustleistung Pd: 1.984 Verlustleistung: 1.984 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 395 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD300HFX170C2S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 Dauer-Kollektorstrom: 493 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 Verlustleistung Pd: 1.829 Verlustleistung: 1.829 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 493 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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GD300HFX170C6S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 Dauer-Kollektorstrom: 493 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 Verlustleistung Pd: 1.829 Verlustleistung: 1.829 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 493 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD300HFX65C2S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 Dauer-Kollektorstrom: 343 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45 Verlustleistung Pd: 819 Verlustleistung: 819 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 343 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD300HFX65C6S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 343A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 819W euEccn: NLR Verlustleistung: 819W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 343A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD300HFX65C8SN | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 343A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 819W euEccn: NLR Verlustleistung: 819W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 343A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD300HFY120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 2.941kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.941kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD300HFY120C6S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 Verlustleistung Pd: 1.613 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 480 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD300HTY120C7S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 483A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 1.612kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.612kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 483A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD300SGY120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2.941kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.941kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD30PJX65F1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 123W euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 46A Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD30PJX65L2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 55A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 163W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD35PJY120F2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 63A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 225W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD35PJY120F5S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 63A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 225W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD35PJY120L3S | STARPOWER |
Description: STARPOWER - GD35PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 70 A, 1.7 V, 301 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 70A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 301W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD3600SGX170C4S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 3.6kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 3.6kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD3600SGY120C4S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 4.302kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 11.9kW euEccn: NLR Verlustleistung: 11.9kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 4.302kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD400CLY120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 630A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 2.083kW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD400CUY120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 630A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 2.083kW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD400HFU120C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 660A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 2.66kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.66kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 660A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD400HFX170C2S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 Dauer-Kollektorstrom: 648 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 Verlustleistung Pd: 2.38 Verlustleistung: 2.38 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 648 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD400HFX65C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 509A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 1.26kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.26kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 509A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD400HFY120C2S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 Verlustleistung Pd: 2.083 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 630 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD400SGU120C2S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9 Dauer-Kollektorstrom: 549 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9 Verlustleistung Pd: 2.659 Verlustleistung: 2.659 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Einfach DC-Kollektorstrom: 549 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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GD400SGX170C2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 648A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 2.38kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.38kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 648A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD400SGY120C2S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65 Verlustleistung Pd: 2.083 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Einfach DC-Kollektorstrom: 630 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD40PIY120C5S | STARPOWER |
Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 72 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 280 Verlustleistung: 280 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM DC-Kollektorstrom: 72 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD450HFX170C6S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 706A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 2.542kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.542kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 706A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD450HFY120C6S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Dauer-Kollektorstrom: 680 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 Verlustleistung Pd: 2.173 Verlustleistung: 2.173 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 680 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD450HTY120C7S | STARPOWER |
Description: STARPOWER - GD450HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 680 A, 1.7 V, 2.173 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 2.173 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 29 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 680 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD50FFX65C5S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 72A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 189W euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 72A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD50FFY120C5S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 85A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 292W euEccn: NLR Verlustleistung: 292W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 85A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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GD50FSX65L2S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 89A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 258W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD50FSY120L3S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 380W euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 100A Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD50HFU120C1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.15V Dauer-Kollektorstrom: 78A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.15V Verlustleistung Pd: 414W euEccn: NLR Verlustleistung: 414W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 78A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD50HFU120C1SD | STARPOWER |
Description: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V Dauer-Kollektorstrom: 82A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 440W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD50HFX170C1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 418W euEccn: NLR Verlustleistung: 418W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD50HFX65C1S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 205W euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD50HHU120C5S | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9 Dauer-Kollektorstrom: 77 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9 Verlustleistung Pd: 396 Verlustleistung: 396 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: H-Brücke DC-Kollektorstrom: 77 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD50PIX65C5S | STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 72A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 148W euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 72A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GD50PIY120C5SN | STARPOWER |
![]() IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 85 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 292 Verlustleistung: 292 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter DC-Kollektorstrom: 85 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
GD200FFY120C6S |
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Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 309
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.006
Verlustleistung: 1.006
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom: 309
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD200FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 309
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.006
Verlustleistung: 1.006
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom: 309
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11310.18 грн |
5+ | 10872.13 грн |
10+ | 10329.46 грн |
GD200HFU120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 262 A, 3 V, 1.315 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 262A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 1.315kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.315kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 262A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD200HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 262 A, 3 V, 1.315 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 262A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 1.315kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.315kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 262A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6979.87 грн |
GD200HFX170C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 337 A, 1.85 V, 1.271 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 337A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 1.271kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.271kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 337A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD200HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 337 A, 1.85 V, 1.271 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 337A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 1.271kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.271kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 337A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9224.56 грн |
GD200HFX65C1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 250 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 250A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 612W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 612W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 250A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STARPOWER - GD200HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 250 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 250A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 612W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 612W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 250A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3708.53 грн |
5+ | 3446.56 грн |
10+ | 3181.17 грн |
GD200HFX65C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 247A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 612W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 612W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 247A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD200HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 247A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 612W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 612W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 247A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6306.21 грн |
5+ | 6051.04 грн |
GD200HFX65C8S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFX65C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 247A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 612W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 612W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 247A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD200HFX65C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 247A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 612W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 612W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 247A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4095.55 грн |
GD200HFY120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 309A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.006kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD200HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 309A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.006kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7354.13 грн |
5+ | 6987.53 грн |
10+ | 6626.88 грн |
GD200HFY120C8S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 309A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.006kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD200HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 309A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.006kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5625.75 грн |
5+ | 5398.64 грн |
10+ | 5130.71 грн |
GD200SGY120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 309A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.006kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD200SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 309A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.006kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7821.10 грн |
5+ | 7504.68 грн |
GD200TLQ120L3S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200TLQ120L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 200 A, 1.45 V, 666 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 666W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD200TLQ120L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 200 A, 1.45 V, 666 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 666W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6151.40 грн |
5+ | 5876.67 грн |
10+ | 5574.71 грн |
GD20PJX65F1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD20PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 35 A, 1.45 V, 102 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD20PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 35 A, 1.45 V, 102 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2662.32 грн |
5+ | 2543.24 грн |
10+ | 2413.10 грн |
GD20PJX65L2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD20PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 40 A, 1.45 V, 129 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 40A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD20PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 40 A, 1.45 V, 129 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 40A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2650.41 грн |
5+ | 2476.04 грн |
10+ | 2301.67 грн |
GD225HFY120C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD225HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 368A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.229kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.229kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 368A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD225HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 368A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.229kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.229kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 368A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8433.51 грн |
GD2400SGX170C4S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD2400SGX170C4S - IGBT-Modul, Einfach, 2.4 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 2.4kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.4kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD2400SGX170C4S - IGBT-Modul, Einfach, 2.4 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 2.4kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.4kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 55518.30 грн |
GD2400SGY120C3S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD2400SGY120C3S - IGBT-Modul, Einfach, 3.353 kA, 1.7 V, 10.2 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 3.353kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 10.2kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.2kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 3.353kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD2400SGY120C3S - IGBT-Modul, Einfach, 3.353 kA, 1.7 V, 10.2 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 3.353kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 10.2kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.2kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 3.353kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 31696.91 грн |
5+ | 31063.23 грн |
GD2400SGY120C4S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD2400SGY120C4S - IGBT-Modul, Einfach, 2.4 kA, 1.7 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.4kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.4kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD2400SGY120C4S - IGBT-Modul, Einfach, 2.4 kA, 1.7 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.4kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.4kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 37360.94 грн |
5+ | 37079.39 грн |
GD25PJY120F2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD25PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 49 A, 1.7 V, 188 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 49A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD25PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 49 A, 1.7 V, 188 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 49A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3647.29 грн |
5+ | 3461.02 грн |
10+ | 3278.99 грн |
GD25PJY120F5S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD25PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 49 A, 1.7 V, 188 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 49A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD25PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 49 A, 1.7 V, 188 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 49A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3573.29 грн |
5+ | 3481.43 грн |
10+ | 3306.21 грн |
GD25PJY120L3S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD25PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.7 V, 252 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD25PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.7 V, 252 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3501.84 грн |
GD300HFU120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 395 A, 3 V, 1.984 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Dauer-Kollektorstrom: 395
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3
Verlustleistung Pd: 1.984
Verlustleistung: 1.984
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 395
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD300HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 395 A, 3 V, 1.984 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Dauer-Kollektorstrom: 395
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3
Verlustleistung Pd: 1.984
Verlustleistung: 1.984
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 395
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9479.73 грн |
GD300HFX170C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD300HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GD300HFX170C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD300HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11845.20 грн |
5+ | 11679.33 грн |
GD300HFX65C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 343
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 819
Verlustleistung: 819
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 343
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD300HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 343
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 819
Verlustleistung: 819
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 343
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6652.40 грн |
GD300HFX65C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 343A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD300HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 343A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7592.29 грн |
5+ | 7395.81 грн |
10+ | 7024.10 грн |
GD300HFX65C8SN |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFX65C8SN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 343A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD300HFX65C8SN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 343A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6310.46 грн |
5+ | 5996.60 грн |
10+ | 5686.99 грн |
GD300HFY120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 600 A, 2 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: STARPOWER - GD300HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 600 A, 2 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8665.72 грн |
GD300HFY120C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 1.613
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 480
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: STARPOWER - GD300HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 1.613
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 480
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11835.84 грн |
GD300HTY120C7S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 483 A, 1.7 V, 1.612 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 483A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.612kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.612kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 483A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD300HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 483 A, 1.7 V, 1.612 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 483A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.612kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.612kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 483A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 17214.07 грн |
GD300SGY120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD300SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 600 A, 1.7 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: STARPOWER - GD300SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 600 A, 1.7 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5098.38 грн |
5+ | 4829.60 грн |
10+ | 4570.17 грн |
GD30PJX65F1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD30PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 46 A, 1.45 V, 123 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 123W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 46A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - GD30PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 46 A, 1.45 V, 123 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 123W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 46A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3199.89 грн |
5+ | 3039.98 грн |
10+ | 2816.28 грн |
GD30PJX65L2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD30PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.45 V, 163 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD30PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.45 V, 163 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2477.74 грн |
5+ | 2354.41 грн |
GD35PJY120F2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD35PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 63 A, 1.7 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 63A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD35PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 63 A, 1.7 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 63A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4215.48 грн |
5+ | 3999.43 грн |
10+ | 3789.34 грн |
GD35PJY120F5S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD35PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 63 A, 1.7 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 63A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD35PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 63 A, 1.7 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 63A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4270.77 грн |
5+ | 4079.39 грн |
10+ | 3870.15 грн |
50+ | 3438.90 грн |
GD35PJY120L3S |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD35PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 70 A, 1.7 V, 301 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 70A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 301W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD35PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 70 A, 1.7 V, 301 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 70A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 301W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3837.82 грн |
5+ | 3616.67 грн |
10+ | 3382.76 грн |
GD3600SGX170C4S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD3600SGX170C4S - IGBT-Modul, Einfach, 3.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 3.6kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD3600SGX170C4S - IGBT-Modul, Einfach, 3.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 3.6kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 68441.18 грн |
GD3600SGY120C4S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD3600SGY120C4S - IGBT-Modul, Einfach, 4.302 kA, 1.7 V, 11.9 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 4.302kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 11.9kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.9kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 4.302kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - GD3600SGY120C4S - IGBT-Modul, Einfach, 4.302 kA, 1.7 V, 11.9 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 4.302kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 11.9kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.9kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 4.302kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 55319.26 грн |
GD400CLY120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400CLY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 630 A, 1.7 V, 2.083 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 630A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.083kW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD400CLY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 630 A, 1.7 V, 2.083 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 630A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.083kW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8783.10 грн |
5+ | 8400.34 грн |
GD400CUY120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400CUY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 630 A, 1.7 V, 2.083 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 630A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.083kW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD400CUY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 630 A, 1.7 V, 2.083 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 630A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.083kW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9390.42 грн |
5+ | 9028.92 грн |
10+ | 8333.15 грн |
GD400HFU120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 660 A, 3.1 V, 2.66 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 660A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 2.66kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.66kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 660A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD400HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 660 A, 3.1 V, 2.66 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 660A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 2.66kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.66kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 660A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9943.30 грн |
GD400HFX170C2S |
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Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 648
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 2.38
Verlustleistung: 2.38
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 648
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD400HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 648
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 2.38
Verlustleistung: 2.38
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 648
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11550.04 грн |
GD400HFX65C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 509 A, 1.45 V, 1.26 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 509A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.26kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 509A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - GD400HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 509 A, 1.45 V, 1.26 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 509A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.26kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 509A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8254.04 грн |
GD400HFY120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9046.78 грн |
5+ | 8920.05 грн |
GD400SGU120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 549 A, 2.9 V, 2.659 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 549
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 2.659
Verlustleistung: 2.659
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 549
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD400SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 549 A, 2.9 V, 2.659 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 549
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 2.659
Verlustleistung: 2.659
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 549
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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GD400SGX170C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400SGX170C2S - IGBT-Modul, Einfach, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 648A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 2.38kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.38kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 648A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD400SGX170C2S - IGBT-Modul, Einfach, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 648A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 2.38kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.38kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 648A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7685.85 грн |
GD400SGY120C2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6386.17 грн |
GD40PIY120C5S |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 72
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 280
Verlustleistung: 280
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM
DC-Kollektorstrom: 72
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 72
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 280
Verlustleistung: 280
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM
DC-Kollektorstrom: 72
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4480.01 грн |
5+ | 4417.92 грн |
GD450HFX170C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD450HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 706 A, 1.85 V, 2.542 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 706A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 2.542kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.542kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 706A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD450HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 706 A, 1.85 V, 2.542 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 706A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 2.542kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.542kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 706A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14592.57 грн |
GD450HFY120C6S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD450HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Dauer-Kollektorstrom: 680
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.173
Verlustleistung: 2.173
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 680
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: STARPOWER - GD450HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Dauer-Kollektorstrom: 680
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.173
Verlustleistung: 2.173
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 680
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12978.17 грн |
5+ | 11123.05 грн |
10+ | 9732.35 грн |
GD450HTY120C7S |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD450HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 680 A, 1.7 V, 2.173 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 2.173
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 29
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 680
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD450HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 680 A, 1.7 V, 2.173 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 2.173
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 29
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 680
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 25021.55 грн |
5+ | 24521.41 грн |
GD50FFX65C5S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 72 A, 1.45 V, 189 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 189W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD50FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 72 A, 1.45 V, 189 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 189W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2223.42 грн |
GD50FFY120C5S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 85A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 292W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 85A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 85A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 292W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 85A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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GD50FSX65L2S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 89A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 89A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2723.56 грн |
5+ | 2618.94 грн |
10+ | 2417.35 грн |
GD50FSY120L3S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 380W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 380W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4925.72 грн |
5+ | 4679.90 грн |
10+ | 4335.41 грн |
GD50HFU120C1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.15V
Dauer-Kollektorstrom: 78A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.15V
Verlustleistung Pd: 414W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 414W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 78A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD50HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.15V
Dauer-Kollektorstrom: 78A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.15V
Verlustleistung Pd: 414W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 414W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 78A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3234.76 грн |
GD50HFU120C1SD |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 82A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 82A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3234.76 грн |
5+ | 3103.77 грн |
10+ | 2950.67 грн |
50+ | 2656.18 грн |
100+ | 2342.50 грн |
GD50HFX170C1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 418W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 418W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD50HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 418W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 418W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3549.48 грн |
5+ | 3405.73 грн |
10+ | 3236.46 грн |
GD50HFX65C1S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2667.42 грн |
5+ | 2559.40 грн |
10+ | 2432.66 грн |
GD50HHU120C5S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 77
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 396
Verlustleistung: 396
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
DC-Kollektorstrom: 77
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 77
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 396
Verlustleistung: 396
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
DC-Kollektorstrom: 77
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4952.08 грн |
GD50PIX65C5S |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 148W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 72A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 148W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5066.06 грн |
5+ | 4807.49 грн |
10+ | 4554.01 грн |
GD50PIY120C5SN |
![]() |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50PIY120C5SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 85
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 292
Verlustleistung: 292
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 85
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD50PIY120C5SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 85
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 292
Verlustleistung: 292
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 85
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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