Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13488) > Сторінка 153 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLP531(BL-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(Y-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL-T1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(MBS-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LXHQ TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LXHQ TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.41 грн
10+73.02 грн
100+56.77 грн
500+45.16 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.27 грн
16000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 26586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.82 грн
36+9.48 грн
100+5.11 грн
500+3.76 грн
1000+2.61 грн
2000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC7292AP(F) TC74HC7292AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC OSC CLOCK CMOS LOGIC 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Clock Oscillator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Not For New Designs
Current - Supply: 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-FUNGR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781%28F%29.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59766&prodName=TK1K2A60F Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.77 грн
10+73.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,F SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7118&prodName=SSM6J214FE Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.73 грн
14+24.62 грн
100+16.15 грн
500+11.64 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X TK2K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61567&prodName=TK2K2A60F Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4682,T6CSF(J 2SC4682,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682_2009-12-21.pdf Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4682,T6F(J 2SC4682,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682_2009-12-21.pdf Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78L12BP Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 12V DIP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7830(D4-LF4,E TLP7830(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC OP AMP ISOLATION SO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Modulator
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SO
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2355(F) TODX2355(F) Toshiba Semiconductor and Storage TODX2355(F)_8-2-18.pdf Description: TXRX MOD OPTICAL 10MBPS 650NM
Packaging: Bulk
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 650nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1292.81 грн
15+939.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3672-O(T2ASH,FM 2SC3672-O(T2ASH,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3672_2010-03-10.pdf Description: TRANS NPN 100MA 300V SC71
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+187.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.03 грн
10+221.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK110P10PL,RQ TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.51 грн
5000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK110P10PL,RQ TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.68 грн
10+78.92 грн
100+52.89 грн
500+39.17 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ36V,L3F CEZ36V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ36V,L3F CEZ36V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
на замовлення 15621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.36 грн
15+23.12 грн
100+12.23 грн
500+7.55 грн
1000+5.13 грн
2000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ36V,LF MSZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ36V,LF MSZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.82 грн
13+26.11 грн
100+13.82 грн
500+8.53 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ36V,LF MUZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ36V,LF MUZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ36V,H3F CUZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ36V,H3F CUZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL05PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 5V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL06PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 6V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL08PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 8V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL09PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 9V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL10PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 10V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL15PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 15V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF 7UL1T126FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68932&prodName=7UL1T126FU Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF 7UL1T126FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68932&prodName=7UL1T126FU Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+12.09 грн
44+7.57 грн
50+6.65 грн
100+5.29 грн
250+4.84 грн
500+4.56 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF 7UL1T125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
6000+4.05 грн
9000+3.98 грн
15000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF 7UL1T125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 19325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+12.09 грн
44+7.57 грн
50+6.65 грн
100+5.29 грн
250+4.84 грн
500+4.56 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF 7UL2G125FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF 7UL2G125FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.64 грн
16+21.87 грн
25+19.99 грн
100+13.97 грн
250+12.66 грн
500+10.48 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.54 грн
12+28.28 грн
100+19.65 грн
500+14.40 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
6000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.54 грн
12+28.28 грн
100+19.65 грн
500+14.40 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(YG,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL-L1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GR-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(Y-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL-T1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(MBS-TP5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(Y,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GB,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LXHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
TK90S06N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LXHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
TK90S06N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.41 грн
10+73.02 грн
100+56.77 грн
500+45.16 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.27 грн
16000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 26586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.82 грн
36+9.48 грн
100+5.11 грн
500+3.76 грн
1000+2.61 грн
2000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC7292AP(F)
TC74HC7292AP(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OSC CLOCK CMOS LOGIC 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Clock Oscillator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Not For New Designs
Current - Supply: 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-FUNGR,F TLP781%28F%29.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59766&prodName=TK1K2A60F
TK1K2A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.77 грн
10+73.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,F docget.jsp?did=7118&prodName=SSM6J214FE
SSM6J214FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.73 грн
14+24.62 грн
100+16.15 грн
500+11.64 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X TK2K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61567&prodName=TK2K2A60F
TK2K2A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4682,T6CSF(J 2SC4682_2009-12-21.pdf
2SC4682,T6CSF(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4682,T6F(J 2SC4682_2009-12-21.pdf
2SC4682,T6F(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78L12BP
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 12V DIP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7830(D4-LF4,E
TLP7830(D4-LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OP AMP ISOLATION SO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Modulator
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SO
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2355(F) TODX2355(F)_8-2-18.pdf
TODX2355(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TXRX MOD OPTICAL 10MBPS 650NM
Packaging: Bulk
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 650nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1292.81 грн
15+939.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3672-O(T2ASH,FM 2SC3672_2010-03-10.pdf
2SC3672-O(T2ASH,FM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 100MA 300V SC71
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK110U65Z,RQ docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z
TK110U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+187.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK110U65Z,RQ docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z
TK110U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.03 грн
10+221.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK110P10PL,RQ docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL
TK110P10PL,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.51 грн
5000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK110P10PL,RQ docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL
TK110P10PL,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.68 грн
10+78.92 грн
100+52.89 грн
500+39.17 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK11S10N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK11S10N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ36V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V
CEZ36V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ36V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V
CEZ36V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
на замовлення 15621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.36 грн
15+23.12 грн
100+12.23 грн
500+7.55 грн
1000+5.13 грн
2000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ36V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V
MSZ36V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ36V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V
MSZ36V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.82 грн
13+26.11 грн
100+13.82 грн
500+8.53 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ36V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V
MUZ36V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ36V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V
MUZ36V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ36V,H3F docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V
CUZ36V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ36V,H3F docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V
CUZ36V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL05PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 5V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL06PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 6V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL08PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 8V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL09PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 9V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL10PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 10V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL15PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 15V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF docget.jsp?did=68932&prodName=7UL1T126FU
7UL1T126FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF docget.jsp?did=68932&prodName=7UL1T126FU
7UL1T126FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.09 грн
44+7.57 грн
50+6.65 грн
100+5.29 грн
250+4.84 грн
500+4.56 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU
7UL1T125FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.36 грн
6000+4.05 грн
9000+3.98 грн
15000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU
7UL1T125FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 19325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.09 грн
44+7.57 грн
50+6.65 грн
100+5.29 грн
250+4.84 грн
500+4.56 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK
7UL2G125FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK
7UL2G125FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: US8
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.64 грн
16+21.87 грн
25+19.99 грн
100+13.97 грн
250+12.66 грн
500+10.48 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF
SSM6K516NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF
SSM6K516NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.54 грн
12+28.28 грн
100+19.65 грн
500+14.40 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF
SSM6K518NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.58 грн
6000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF
SSM6K518NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.54 грн
12+28.28 грн
100+19.65 грн
500+14.40 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU
SSM6K517NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]