Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 153 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.08 грн
16000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.66 грн
36+8.69 грн
100+4.68 грн
500+3.45 грн
1000+2.39 грн
2000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC7292AP(F) TC74HC7292AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16705&prodName=TC74HC7292AP Description: IC OSC CLOCK OSCILLATOR 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Clock Oscillator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Not For New Designs
Current - Supply: 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-FUNGR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781%28F%29.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59766&prodName=TK1K2A60F Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.55 грн
10+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,F SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7118&prodName=SSM6J214FE Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.56 грн
13+23.62 грн
100+15.03 грн
500+10.62 грн
1000+9.50 грн
2000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X TK2K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61567&prodName=TK2K2A60F Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4682,T6CSF(J 2SC4682,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682_2009-12-21.pdf Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4682,T6F(J 2SC4682,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682_2009-12-21.pdf Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78L12BP Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 12V DIP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7830(D4-LF4,E TLP7830(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC OP AMP ISOLATION SO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Modulator
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SO
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2355(F) TODX2355(F) Toshiba Semiconductor and Storage TODX2355(F)_8-2-18.pdf Description: TXRX MOD OPTICAL 10MBPS 650NM
Data Rate: 10Mbps
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 650nm
Connector Type: JIS F07
Packaging: Bulk
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1184.37 грн
15+860.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3672-O(T2ASH,FM 2SC3672-O(T2ASH,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3672_2010-03-10.pdf Description: TRANS NPN 100MA 300V SC71
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+171.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.06 грн
10+202.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK110P10PL,RQ TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.32 грн
5000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK110P10PL,RQ TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.21 грн
10+76.11 грн
100+51.01 грн
500+37.78 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ36V,L3F CEZ36V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ36V,L3F CEZ36V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
на замовлення 15621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.90 грн
15+21.18 грн
100+11.21 грн
500+6.92 грн
1000+4.70 грн
2000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ36V,LF MSZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ36V,LF MSZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.06 грн
13+23.92 грн
100+12.66 грн
500+7.82 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ36V,LF MUZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ36V,LF MUZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ36V,H3F CUZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ36V,H3F CUZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL05PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 5V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL06PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 6V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL08PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 8V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL09PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 9V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL10PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 10V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL15PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 15V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF 7UL1T126FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68932&prodName=7UL1T126FU Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Supplier Device Package: USV
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF 7UL1T126FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68932&prodName=7UL1T126FU Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Supplier Device Package: USV
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
44+6.93 грн
50+6.09 грн
100+4.85 грн
250+4.43 грн
500+4.18 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF 7UL1T125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: USV
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
6000+3.71 грн
9000+3.65 грн
15000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF 7UL1T125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Supplier Device Package: USV
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
44+6.93 грн
50+6.09 грн
100+4.85 грн
250+4.43 грн
500+4.18 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF 7UL2G125FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Supplier Device Package: US8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 2
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF 7UL2G125FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Supplier Device Package: US8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 2
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.32 грн
16+20.04 грн
25+18.32 грн
100+12.80 грн
250+11.60 грн
500+9.60 грн
1000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
12+25.90 грн
100+18.00 грн
500+13.19 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.61 грн
6000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
12+25.90 грн
100+18.00 грн
500+13.19 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
11+28.80 грн
100+18.44 грн
500+13.12 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FTG,EL TB67B008FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FTG,EL TB67B008FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 23197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.33 грн
10+92.87 грн
25+84.51 грн
100+70.75 грн
250+66.66 грн
500+64.19 грн
1000+61.15 грн
2500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FNG,EL TB67B008FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FNG,EL TB67B008FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.24 грн
10+98.89 грн
25+90.14 грн
100+75.54 грн
250+71.22 грн
500+68.61 грн
1000+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FK,LF(CT TC7WPN3125FK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FK,LF(CT TC7WPN3125FK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.18 грн
12+27.05 грн
25+24.38 грн
100+15.82 грн
250+13.32 грн
500+10.82 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30374&prodName=SSM6N7002KFU Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30374&prodName=SSM6N7002KFU Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.90 грн
20+15.92 грн
100+10.03 грн
500+7.01 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ TK155U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ TK155U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112MFV,L3F RN2112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5886&prodName=RN2112MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112MFV,L3F RN2112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5886&prodName=RN2112MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TOCP155K Toshiba Semiconductor and Storage Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+2.08 грн
16000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.66 грн
36+8.69 грн
100+4.68 грн
500+3.45 грн
1000+2.39 грн
2000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC7292AP(F) docget.jsp?did=16705&prodName=TC74HC7292AP
TC74HC7292AP(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OSC CLOCK OSCILLATOR 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Clock Oscillator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Not For New Designs
Current - Supply: 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-FUNGR,F TLP781%28F%29.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59766&prodName=TK1K2A60F
TK1K2A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.55 грн
10+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,F docget.jsp?did=7118&prodName=SSM6J214FE
SSM6J214FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.56 грн
13+23.62 грн
100+15.03 грн
500+10.62 грн
1000+9.50 грн
2000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X TK2K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61567&prodName=TK2K2A60F
TK2K2A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4682,T6CSF(J 2SC4682_2009-12-21.pdf
2SC4682,T6CSF(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4682,T6F(J 2SC4682_2009-12-21.pdf
2SC4682,T6F(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78L12BP
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 12V DIP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7830(D4-LF4,E
TLP7830(D4-LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OP AMP ISOLATION SO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Modulator
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SO
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2355(F) TODX2355(F)_8-2-18.pdf
TODX2355(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TXRX MOD OPTICAL 10MBPS 650NM
Data Rate: 10Mbps
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 650nm
Connector Type: JIS F07
Packaging: Bulk
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1184.37 грн
15+860.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3672-O(T2ASH,FM 2SC3672_2010-03-10.pdf
2SC3672-O(T2ASH,FM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 100MA 300V SC71
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK110U65Z,RQ docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z
TK110U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+171.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK110U65Z,RQ docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z
TK110U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+371.06 грн
10+202.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK110P10PL,RQ docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL
TK110P10PL,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+34.32 грн
5000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK110P10PL,RQ docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL
TK110P10PL,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.21 грн
10+76.11 грн
100+51.01 грн
500+37.78 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK11S10N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK11S10N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ36V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V
CEZ36V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ36V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V
CEZ36V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
на замовлення 15621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.90 грн
15+21.18 грн
100+11.21 грн
500+6.92 грн
1000+4.70 грн
2000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ36V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V
MSZ36V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ36V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V
MSZ36V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.06 грн
13+23.92 грн
100+12.66 грн
500+7.82 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ36V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V
MUZ36V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ36V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V
MUZ36V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ36V,H3F docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V
CUZ36V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ36V,H3F docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V
CUZ36V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL05PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 5V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL06PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 6V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL08PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 8V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL09PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 9V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL10PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 10V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78DL15PI
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 15V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF docget.jsp?did=68932&prodName=7UL1T126FU
7UL1T126FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Supplier Device Package: USV
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T126FU,LF docget.jsp?did=68932&prodName=7UL1T126FU
7UL1T126FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Supplier Device Package: USV
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.08 грн
44+6.93 грн
50+6.09 грн
100+4.85 грн
250+4.43 грн
500+4.18 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU
7UL1T125FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: USV
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.99 грн
6000+3.71 грн
9000+3.65 грн
15000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T125FU,LF docget.jsp?did=68930&prodName=7UL1T125FU
7UL1T125FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 3.6V USV
Supplier Device Package: USV
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.08 грн
44+6.93 грн
50+6.09 грн
100+4.85 грн
250+4.43 грн
500+4.18 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G126FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK
7UL2G125FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Supplier Device Package: US8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 2
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
7UL2G125FK,LF docget.jsp?did=69786&prodName=7UL2G125FK
7UL2G125FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V US8
Supplier Device Package: US8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 2
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.32 грн
16+20.04 грн
25+18.32 грн
100+12.80 грн
250+11.60 грн
500+9.60 грн
1000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF
SSM6K516NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K516NU,LF
SSM6K516NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.65 грн
12+25.90 грн
100+18.00 грн
500+13.19 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF
SSM6K518NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.61 грн
6000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K518NU,LF
SSM6K518NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.65 грн
12+25.90 грн
100+18.00 грн
500+13.19 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU
SSM6K517NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K517NU,LF docget.jsp?did=69320&prodName=SSM6K517NU
SSM6K517NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.26 грн
11+28.80 грн
100+18.44 грн
500+13.12 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FTG,EL TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf
TB67B008FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FTG,EL TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf
TB67B008FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 23197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.33 грн
10+92.87 грн
25+84.51 грн
100+70.75 грн
250+66.66 грн
500+64.19 грн
1000+61.15 грн
2500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FNG,EL TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf
TB67B008FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B008FNG,EL TB67B008FTG_FNG_en_20190318.pdf
TB67B008FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 22V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 22V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.24 грн
10+98.89 грн
25+90.14 грн
100+75.54 грн
250+71.22 грн
500+68.61 грн
1000+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FK,LF(CT
TC7WPN3125FK,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FK,LF(CT
TC7WPN3125FK,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.18 грн
12+27.05 грн
25+24.38 грн
100+15.82 грн
250+13.32 грн
500+10.82 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH docget.jsp?did=30374&prodName=SSM6N7002KFU
SSM6N7002KFU,LXH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH docget.jsp?did=30374&prodName=SSM6N7002KFU
SSM6N7002KFU,LXH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.90 грн
20+15.92 грн
100+10.03 грн
500+7.01 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ
TK155U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ
TK155U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112MFV,L3F RN2112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5886&prodName=RN2112MFV
RN2112MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2112MFV,L3F RN2112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5886&prodName=RN2112MFV
RN2112MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TOCP155K
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FIBER OPTIC TRANSMITTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]