Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13432) > Сторінка 153 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ80S04M3L,LXHQ TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11287&prodName=TJ80S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ40S04M3L,LXHQ TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11299&prodName=TJ40S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4140 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.27 грн
4000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ40S04M3L,LXHQ TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11299&prodName=TJ40S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4140 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.64 грн
10+68.05 грн
100+48.53 грн
500+35.83 грн
1000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ200F04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=29739&prodName=TJ200F04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ200F04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=29739&prodName=TJ200F04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.59 грн
10+193.65 грн
100+136.42 грн
500+105.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J64CTC,L3F SSM3J64CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J64CTC_datasheet_en_20210311.pdf?did=59149&prodName=SSM3J64CTC Description: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J64CTC,L3F SSM3J64CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J64CTC_datasheet_en_20210311.pdf?did=59149&prodName=SSM3J64CTC Description: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 39773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
17+18.62 грн
100+9.41 грн
500+7.83 грн
1000+6.09 грн
2000+5.45 грн
5000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3F SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J65CTC_datasheet_en_20210311.pdf?did=59151&prodName=SSM3J65CTC Description: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3F SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J65CTC_datasheet_en_20210311.pdf?did=59151&prodName=SSM3J65CTC Description: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
на замовлення 26774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
17+18.93 грн
100+9.53 грн
500+7.93 грн
1000+6.17 грн
2000+5.52 грн
5000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1223,L1XGQ(O Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20861&prodName=2SD1223 Description: TRANSISTOR NPN DARL PWMOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG285A,LF TCR3UG285A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59176&prodName=TCR3UG285A Description: IC REG LINEAR 2.85V 300MA 4WCSPF
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG285A,LF TCR3UG285A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59176&prodName=TCR3UG285A Description: IC REG LINEAR 2.85V 300MA 4WCSPF
на замовлення 9785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG28A,LF TCR3UG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG12A Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG28A,LF TCR3UG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG12A Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
12+26.52 грн
25+24.28 грн
100+16.95 грн
250+15.36 грн
500+12.72 грн
1000+9.38 грн
2500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(V4GBTL,SE TLP185(V4GBTL,SE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14111&prodName=TLP185(SE Description: OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 6SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S30,H3F CUHS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S30_datasheet_en_20190920.pdf?did=66023&prodName=CUHS15S30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.09 грн
6000+6.54 грн
9000+5.89 грн
30000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S30,H3F CUHS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S30_datasheet_en_20190920.pdf?did=66023&prodName=CUHS15S30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 41492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
16+19.62 грн
100+11.77 грн
500+10.23 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(T5TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(IFT7,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(IFT5,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69977&prodName=TK190U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7QPB9307FK(EL) TC7QPB9307FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57137&prodName=TC7QPB9307FK Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-VSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7QPB9307FK(EL) TC7QPB9307FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57137&prodName=TC7QPB9307FK Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-VSSOP
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.05 грн
10+55.71 грн
25+52.29 грн
100+40.07 грн
250+37.21 грн
500+31.67 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59203&prodName=SSM3J377R Description: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.09 грн
6000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59203&prodName=SSM3J377R Description: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
19+16.40 грн
100+11.07 грн
500+8.01 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NA,RF TCKE805NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NA,RF TCKE805NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 4069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.44 грн
10+109.51 грн
25+92.45 грн
100+68.70 грн
250+59.82 грн
500+54.36 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3F SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44MFV_datasheet_en_20180517.pdf?did=363&prodName=SSM3K44MFV Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3F SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44MFV_datasheet_en_20180517.pdf?did=363&prodName=SSM3K44MFV Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
на замовлення 16796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.12 грн
35+8.89 грн
100+5.50 грн
500+3.77 грн
1000+3.32 грн
2000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9376(TPL,F TLX9376(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53145&prodName=TLX9376 Description: OPTOISO 3750VRMS 1CH LOGIC 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 10mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 35ns, 35ns
Current - Output / Channel: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+130.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9376(TPL,F TLX9376(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53145&prodName=TLX9376 Description: OPTOISO 3750VRMS 1CH LOGIC 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 10mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 35ns, 35ns
Current - Output / Channel: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.80 грн
10+207.68 грн
100+170.10 грн
500+134.58 грн
1000+123.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22946G,LF TCK22946G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22946G,LF TCK22946G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
11+28.51 грн
100+19.83 грн
500+14.53 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CT RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CT RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP512(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2117(TE85L,F) RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18859&prodName=RN2117 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2117(TE85L,F) RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18859&prodName=RN2117 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.04 грн
13+24.37 грн
100+12.95 грн
500+8.00 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV541FT 74VHCV541FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15531&prodName=74VHCV541FT Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV541FT 74VHCV541FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15531&prodName=74VHCV541FT Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.69 грн
10+34.49 грн
25+28.51 грн
100+20.36 грн
250+17.22 грн
500+15.29 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCK401G,LF TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59174&prodName=TCK401G Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCK401G,LF TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59174&prodName=TCK401G Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 57889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.20 грн
12+25.98 грн
25+23.14 грн
100+18.91 грн
250+17.55 грн
500+16.74 грн
1000+15.80 грн
2500+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCK402G,LF TCK402G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK401G_datasheet_en_20191213.pdf?did=59174&prodName=TCK401G Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK402G,LF TCK402G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK401G_datasheet_en_20191213.pdf?did=59174&prodName=TCK401G Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK750A60F,S4X TK750A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK750A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59772&prodName=TK750A60F Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 300 V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.89 грн
50+81.15 грн
100+63.02 грн
500+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CVJ10F30,LF CVJ10F30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13914&prodName=CVJ10F30 Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 1A UFV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CVJ10F30,LF CVJ10F30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13914&prodName=CVJ10F30 Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 1A UFV
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
15+21.76 грн
100+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(F) TLP2955(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER DIP8 THROUGH-HOLE
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.55 грн
10+189.67 грн
100+139.87 грн
500+116.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5354,TOJSQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354_datasheet_en_20131101.pdf?did=20689&prodName=2SC5354 Description: TRANSISTOR NPN TO-3PN
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5354,XGQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354_datasheet_en_20131101.pdf?did=20689&prodName=2SC5354 Description: TRANSISTOR NPN TO-3PN
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CT RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CT RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
33+9.50 грн
100+5.89 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG08A,LF TCR3UG08A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A Description: IC REG LINEAR 0.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.257V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG08A,LF TCR3UG08A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A Description: IC REG LINEAR 0.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.257V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
12+26.52 грн
25+24.28 грн
100+16.95 грн
250+15.36 грн
500+12.72 грн
1000+9.38 грн
2500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L,LXHQ docget.jsp?did=11287&prodName=TJ80S04M3L
TJ80S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ40S04M3L,LXHQ docget.jsp?did=11299&prodName=TJ40S04M3L
TJ40S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4140 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.27 грн
4000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ40S04M3L,LXHQ docget.jsp?did=11299&prodName=TJ40S04M3L
TJ40S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4140 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.64 грн
10+68.05 грн
100+48.53 грн
500+35.83 грн
1000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=29739&prodName=TJ200F04M3L
TJ200F04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=29739&prodName=TJ200F04M3L
TJ200F04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.59 грн
10+193.65 грн
100+136.42 грн
500+105.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J64CTC,L3F SSM3J64CTC_datasheet_en_20210311.pdf?did=59149&prodName=SSM3J64CTC
SSM3J64CTC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J64CTC,L3F SSM3J64CTC_datasheet_en_20210311.pdf?did=59149&prodName=SSM3J64CTC
SSM3J64CTC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 39773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
17+18.62 грн
100+9.41 грн
500+7.83 грн
1000+6.09 грн
2000+5.45 грн
5000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3F SSM3J65CTC_datasheet_en_20210311.pdf?did=59151&prodName=SSM3J65CTC
SSM3J65CTC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J65CTC,L3F SSM3J65CTC_datasheet_en_20210311.pdf?did=59151&prodName=SSM3J65CTC
SSM3J65CTC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
на замовлення 26774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
17+18.93 грн
100+9.53 грн
500+7.93 грн
1000+6.17 грн
2000+5.52 грн
5000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1223,L1XGQ(O docget.jsp?did=20861&prodName=2SD1223
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN DARL PWMOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG285A,LF docget.jsp?did=59176&prodName=TCR3UG285A
TCR3UG285A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 300MA 4WCSPF
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG285A,LF docget.jsp?did=59176&prodName=TCR3UG285A
TCR3UG285A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.85V 300MA 4WCSPF
на замовлення 9785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG28A,LF TCR3UG12A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG12A
TCR3UG28A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG28A,LF TCR3UG12A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG12A
TCR3UG28A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.327V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
12+26.52 грн
25+24.28 грн
100+16.95 грн
250+15.36 грн
500+12.72 грн
1000+9.38 грн
2500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(V4GBTL,SE docget.jsp?did=14111&prodName=TLP185(SE
TLP185(V4GBTL,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 6SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S30,H3F CUHS15S30_datasheet_en_20190920.pdf?did=66023&prodName=CUHS15S30
CUHS15S30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.09 грн
6000+6.54 грн
9000+5.89 грн
30000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S30,H3F CUHS15S30_datasheet_en_20190920.pdf?did=66023&prodName=CUHS15S30
CUHS15S30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 41492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
16+19.62 грн
100+11.77 грн
500+10.23 грн
1000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(T7TL,U,C,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(T7TR,U,C,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(T5TL,U,C,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(TPL,U,C,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(IFT7,U,C,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161G(IFT5,U,C,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628-2(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ docget.jsp?did=69977&prodName=TK190U65Z
TK190U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7QPB9307FK(EL) docget.jsp?did=57137&prodName=TC7QPB9307FK
TC7QPB9307FK(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14VSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-VSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7QPB9307FK(EL) docget.jsp?did=57137&prodName=TC7QPB9307FK
TC7QPB9307FK(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 4 X 1:1 14VSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 4 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 14-VSSOP
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+55.71 грн
25+52.29 грн
100+40.07 грн
250+37.21 грн
500+31.67 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF docget.jsp?did=59203&prodName=SSM3J377R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.09 грн
6000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J377R,LXHF docget.jsp?did=59203&prodName=SSM3J377R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
19+16.40 грн
100+11.07 грн
500+8.01 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NA,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE805NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NA,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE805NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 4069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.44 грн
10+109.51 грн
25+92.45 грн
100+68.70 грн
250+59.82 грн
500+54.36 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3F SSM3K44MFV_datasheet_en_20180517.pdf?did=363&prodName=SSM3K44MFV
SSM3K44MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K44MFV,L3F SSM3K44MFV_datasheet_en_20180517.pdf?did=363&prodName=SSM3K44MFV
SSM3K44MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
на замовлення 16796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.12 грн
35+8.89 грн
100+5.50 грн
500+3.77 грн
1000+3.32 грн
2000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9376(TPL,F docget.jsp?did=53145&prodName=TLX9376
TLX9376(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3750VRMS 1CH LOGIC 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 10mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 35ns, 35ns
Current - Output / Channel: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+130.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9376(TPL,F docget.jsp?did=53145&prodName=TLX9376
TLX9376(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3750VRMS 1CH LOGIC 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 10mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 35ns, 35ns
Current - Output / Channel: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.80 грн
10+207.68 грн
100+170.10 грн
500+134.58 грн
1000+123.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22946G,LF TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G
TCK22946G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22946G,LF TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G
TCK22946G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
11+28.51 грн
100+19.83 грн
500+14.53 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CT RN1107,8,9.pdf
RN1107,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CT RN1107,8,9.pdf
RN1107,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP512(HITACHI,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2117(TE85L,F) docget.jsp?did=18859&prodName=RN2117
RN2117(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2117(TE85L,F) docget.jsp?did=18859&prodName=RN2117
RN2117(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
13+24.37 грн
100+12.95 грн
500+8.00 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV541FT docget.jsp?did=15531&prodName=74VHCV541FT
74VHCV541FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV541FT docget.jsp?did=15531&prodName=74VHCV541FT
74VHCV541FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.69 грн
10+34.49 грн
25+28.51 грн
100+20.36 грн
250+17.22 грн
500+15.29 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TCK401G,LF docget.jsp?did=59174&prodName=TCK401G
TCK401G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCK401G,LF docget.jsp?did=59174&prodName=TCK401G
TCK401G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 57889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
12+25.98 грн
25+23.14 грн
100+18.91 грн
250+17.55 грн
500+16.74 грн
1000+15.80 грн
2500+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCK402G,LF TCK401G_datasheet_en_20191213.pdf?did=59174&prodName=TCK401G
TCK402G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK402G,LF TCK401G_datasheet_en_20191213.pdf?did=59174&prodName=TCK401G
TCK402G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK750A60F,S4X TK750A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59772&prodName=TK750A60F
TK750A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 300 V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.89 грн
50+81.15 грн
100+63.02 грн
500+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CVJ10F30,LF docget.jsp?did=13914&prodName=CVJ10F30
CVJ10F30,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 1A UFV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CVJ10F30,LF docget.jsp?did=13914&prodName=CVJ10F30
CVJ10F30,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 1A UFV
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
15+21.76 грн
100+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(F)
TLP2955(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER DIP8 THROUGH-HOLE
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L
TK160F10N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+122.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L
TK160F10N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.55 грн
10+189.67 грн
100+139.87 грн
500+116.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5354,TOJSQ(O 2SC5354_datasheet_en_20131101.pdf?did=20689&prodName=2SC5354
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN TO-3PN
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5354,XGQ(O 2SC5354_datasheet_en_20131101.pdf?did=20689&prodName=2SC5354
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN TO-3PN
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1905FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1905FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
33+9.50 грн
100+5.89 грн
500+4.05 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG08A,LF TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A
TCR3UG08A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.257V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG08A,LF TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A
TCR3UG08A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.257V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
12+26.52 грн
25+24.28 грн
100+16.95 грн
250+15.36 грн
500+12.72 грн
1000+9.38 грн
2500+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]