Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13587) > Сторінка 150 з 227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TCK22946G,LF TCK22946G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22946G,LF TCK22946G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.02 грн
11+27.51 грн
100+19.14 грн
500+14.02 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CT RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CT RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP512(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2117(TE85L,F) RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18859&prodName=RN2117 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2117(TE85L,F) RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18859&prodName=RN2117 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.95 грн
13+23.52 грн
100+12.50 грн
500+7.72 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV541FT 74VHCV541FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15531&prodName=74VHCV541FT Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV541FT 74VHCV541FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15531&prodName=74VHCV541FT Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.59 грн
10+33.28 грн
25+27.51 грн
100+19.65 грн
250+16.62 грн
500+14.75 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK401G,LF TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59174&prodName=TCK401G Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.15 грн
10000+16.14 грн
15000+15.94 грн
25000+14.76 грн
35000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK401G,LF TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59174&prodName=TCK401G Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 56464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.16 грн
12+26.77 грн
25+23.93 грн
100+19.56 грн
250+18.18 грн
500+17.34 грн
1000+16.39 грн
2500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK402G,LF TCK402G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK401G_datasheet_en_20191213.pdf?did=59174&prodName=TCK401G Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK402G,LF TCK402G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK401G_datasheet_en_20191213.pdf?did=59174&prodName=TCK401G Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK750A60F,S4X TK750A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK750A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59772&prodName=TK750A60F Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 300 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.10 грн
10+74.69 грн
50+56.04 грн
100+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CVJ10F30,LF CVJ10F30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13914&prodName=CVJ10F30 Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 1A UFV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CVJ10F30,LF CVJ10F30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13914&prodName=CVJ10F30 Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 1A UFV
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.18 грн
15+21.00 грн
100+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(F) TLP2955(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER DIP8 THROUGH-HOLE
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.78 грн
3000+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.04 грн
10+213.11 грн
50+166.31 грн
100+141.91 грн
500+123.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5354,TOJSQ(O 2SC5354,TOJSQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354_datasheet_en_20131101.pdf?did=20689&prodName=2SC5354 Description: TRANSISTOR NPN TO-3PN
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5354,XGQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354_datasheet_en_20131101.pdf?did=20689&prodName=2SC5354 Description: TRANSISTOR NPN TO-3PN
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CT RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CT RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 7443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.89 грн
30+9.91 грн
100+6.18 грн
500+4.25 грн
1000+3.75 грн
2000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG08A,LF TCR3UG08A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A Description: IC REG LINEAR 0.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.257V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG08A,LF TCR3UG08A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A Description: IC REG LINEAR 0.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.257V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.25 грн
12+25.59 грн
25+23.43 грн
100+16.36 грн
250+14.83 грн
500+12.27 грн
1000+9.05 грн
2500+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF105A,LM(CT TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A_datasheet_en_20241028.pdf?did=68764&prodName=TCR3UF105A Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF105A,LM(CT TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A_datasheet_en_20241028.pdf?did=68764&prodName=TCR3UF105A Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.43 грн
25+12.13 грн
28+10.68 грн
100+8.61 грн
250+7.92 грн
500+7.51 грн
1000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF09A,LM(CT TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68764 Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.157V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF09A,LM(CT TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68764 Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.157V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.89 грн
27+11.09 грн
31+9.82 грн
100+7.90 грн
250+7.27 грн
500+6.89 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CT RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19054&prodName=RN4987FE Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 85082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.66 грн
29+10.20 грн
100+6.34 грн
500+4.36 грн
1000+3.85 грн
2000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(Y-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(MBSIN-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(Y-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL-T1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(MBS-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LXHQ TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LXHQ TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.17 грн
10+64.93 грн
100+50.48 грн
500+40.16 грн
1000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 13663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.52 грн
45+6.58 грн
100+4.06 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
2000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC7292AP(F) TC74HC7292AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16705&prodName=TC74HC7292AP Description: IC OSC CLOCK OSCILLATOR 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Clock Oscillator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Not For New Designs
Current - Supply: 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-FUNGR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781%28F%29.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59766&prodName=TK1K2A60F Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.27 грн
10+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,F SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7118&prodName=SSM6J214FE Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 11436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.47 грн
12+24.77 грн
50+17.98 грн
100+14.82 грн
500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X TK2K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61567&prodName=TK2K2A60F Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4682,T6CSF(J 2SC4682,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682_2009-12-21.pdf Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22946G,LF TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G
TCK22946G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22946G,LF TCK22946G_datasheet_en_20220609.pdf?did=36710&prodName=TCK22946G
TCK22946G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Features: Load Discharge
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.02 грн
11+27.51 грн
100+19.14 грн
500+14.02 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CT RN1107,8,9.pdf
RN1107,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107,LF(CT RN1107,8,9.pdf
RN1107,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP512(HITACHI,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2117(TE85L,F) docget.jsp?did=18859&prodName=RN2117
RN2117(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2117(TE85L,F) docget.jsp?did=18859&prodName=RN2117
RN2117(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.95 грн
13+23.52 грн
100+12.50 грн
500+7.72 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV541FT docget.jsp?did=15531&prodName=74VHCV541FT
74VHCV541FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV541FT docget.jsp?did=15531&prodName=74VHCV541FT
74VHCV541FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.59 грн
10+33.28 грн
25+27.51 грн
100+19.65 грн
250+16.62 грн
500+14.75 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK401G,LF docget.jsp?did=59174&prodName=TCK401G
TCK401G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.15 грн
10000+16.14 грн
15000+15.94 грн
25000+14.76 грн
35000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK401G,LF docget.jsp?did=59174&prodName=TCK401G
TCK401G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 56464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.16 грн
12+26.77 грн
25+23.93 грн
100+19.56 грн
250+18.18 грн
500+17.34 грн
1000+16.39 грн
2500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK402G,LF TCK401G_datasheet_en_20191213.pdf?did=59174&prodName=TCK401G
TCK402G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK402G,LF TCK401G_datasheet_en_20191213.pdf?did=59174&prodName=TCK401G
TCK402G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Rise / Fall Time (Typ): 0.2ms, 1.5µs
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK750A60F,S4X TK750A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59772&prodName=TK750A60F
TK750A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 300 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.10 грн
10+74.69 грн
50+56.04 грн
100+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CVJ10F30,LF docget.jsp?did=13914&prodName=CVJ10F30
CVJ10F30,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 1A UFV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CVJ10F30,LF docget.jsp?did=13914&prodName=CVJ10F30
CVJ10F30,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 1A UFV
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.18 грн
15+21.00 грн
100+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(F)
TLP2955(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER DIP8 THROUGH-HOLE
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L
TK160F10N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+120.78 грн
3000+107.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L
TK160F10N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.04 грн
10+213.11 грн
50+166.31 грн
100+141.91 грн
500+123.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5354,TOJSQ(O 2SC5354_datasheet_en_20131101.pdf?did=20689&prodName=2SC5354
2SC5354,TOJSQ(O
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN TO-3PN
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5354,XGQ(O 2SC5354_datasheet_en_20131101.pdf?did=20689&prodName=2SC5354
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN TO-3PN
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1905FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE,LF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1905FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 7443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.89 грн
30+9.91 грн
100+6.18 грн
500+4.25 грн
1000+3.75 грн
2000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG08A,LF TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A
TCR3UG08A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.257V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG08A,LF TCR3UG08A_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG08A
TCR3UG08A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.257V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.25 грн
12+25.59 грн
25+23.43 грн
100+16.36 грн
250+14.83 грн
500+12.27 грн
1000+9.05 грн
2500+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF105A,LM(CT TCR3UF105A_datasheet_en_20241028.pdf?did=68764&prodName=TCR3UF105A
TCR3UF105A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF105A,LM(CT TCR3UF105A_datasheet_en_20241028.pdf?did=68764&prodName=TCR3UF105A
TCR3UF105A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.43 грн
25+12.13 грн
28+10.68 грн
100+8.61 грн
250+7.92 грн
500+7.51 грн
1000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF09A,LM(CT docget.jsp?did=68764
TCR3UF09A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.157V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF09A,LM(CT docget.jsp?did=68764
TCR3UF09A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.157V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.89 грн
27+11.09 грн
31+9.82 грн
100+7.90 грн
250+7.27 грн
500+6.89 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CT RN4987FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19054&prodName=RN4987FE
RN4987FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 85082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.66 грн
29+10.20 грн
100+6.34 грн
500+4.36 грн
1000+3.85 грн
2000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GR-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GRL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(MBS,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(Y-LF5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(MBSIN-TP5,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(YG,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL-L1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GR-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(Y-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL-T1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(BL-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(HIT-BL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(MBS-TP5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(Y,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP531(GB,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LXHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
TK90S06N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK90S06N1L,LXHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
TK90S06N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
на замовлення 9627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.17 грн
10+64.93 грн
100+50.48 грн
500+40.16 грн
1000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 13663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.52 грн
45+6.58 грн
100+4.06 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
2000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC7292AP(F) docget.jsp?did=16705&prodName=TC74HC7292AP
TC74HC7292AP(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OSC CLOCK OSCILLATOR 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Clock Oscillator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Not For New Designs
Current - Supply: 4 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-FUNGR,F TLP781%28F%29.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59766&prodName=TK1K2A60F
TK1K2A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.27 грн
10+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,F docget.jsp?did=7118&prodName=SSM6J214FE
SSM6J214FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 11436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.47 грн
12+24.77 грн
50+17.98 грн
100+14.82 грн
500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X TK2K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61567&prodName=TK2K2A60F
TK2K2A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4682,T6CSF(J 2SC4682_2009-12-21.pdf
2SC4682,T6CSF(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.