Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 150 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TB62213AHQ TB62213AHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14073&prodName=TB62213AHQ Description: IC MOTOR DRIVER BIPLR 25V 25HZIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62215AHQ TB62215AHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MOTOR DRIVER BIPLR 25V 25HZIP
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 25-SIP Formed Leads
Packaging: Tray
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 25-HZIP
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Parallel
Current - Output: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT8G133(TE12L,Q) GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133.pdf Description: IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Power - Max: 600 mW
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Part Status: Obsolete
Td (on/off) @ 25°C: 1.7µs/2µs
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LF(CT RN2103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LF(CT RN2103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3F(CT RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3F(CT RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
26+11.64 грн
100+6.34 грн
500+3.67 грн
1000+2.50 грн
2000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3F RN2103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L,LXHQ TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11301&prodName=TJ60S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L,LXHQ TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11301&prodName=TJ60S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.58 грн
10+87.38 грн
100+58.96 грн
500+43.90 грн
1000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ34AFS,L3J(T TC7SZ34AFS,L3J(T Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ34AFS_datasheet_en_20190130.pdf?did=1653&prodName=TC7SZ34AFS Description: IC BUFFER NON-INVERTING 5.5V FSV
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: SOT-953
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: fSV
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDKGB13A2A01T HDKGB13A2A01T Toshiba Semiconductor and Storage Description: HDD 1TB 2.5" SATAIII 5V 5.4K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 1TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Weight: 4.13 oz (117 g)
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
Part Status: Active
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5225.98 грн
10+4560.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3823(F TLP3823(F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57854&prodName=TLP3823 Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-100V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF SSM3K341R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+10.90 грн
9000+10.39 грн
15000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF SSM3K341R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.69 грн
10+31.56 грн
100+20.32 грн
500+14.51 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD62783AFNG(O,S) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSCEIVER 8/0 18SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 8/0
Supplier Device Package: 18-SSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD62783AFG,S TD62783AFG,S Toshiba Semiconductor and Storage TD62783APG%2CAFG.pdf Description: IC TRANSCEIVER 8/0 18SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-SOIC (0.276", 7.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 8/0
Supplier Device Package: 18-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD62783APG,J,S Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSCEIVER 8/0 18DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 8/0
Supplier Device Package: 18-DIP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD62783AFG,S,EL TD62783AFG,S,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD62783APG%2CAFG.pdf Description: IC TRANSCEIVER 8/0 18SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-SOIC (0.276", 7.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 8/0
Supplier Device Package: 18-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD62783AFNG,S,EL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSCEIVER 8/0 18SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 8/0
Supplier Device Package: 18-SSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D722CFNG TC62D722CFNG Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFNG_datasheet_en_20180509.pdf?did=61498&prodName=TC62D722CFNG Description: IC LED DRVR LINEAR 90MA 24HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 17V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 16
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 90mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Shift Register
Supplier Device Package: 24-HTSSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LF SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=365&prodName=SSM6N44FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
6000+4.09 грн
9000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781%28F%29.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQ TK55S10N1,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13952&prodName=TK55S10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQ TK55S10N1,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13952&prodName=TK55S10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.03 грн
10+94.77 грн
100+64.50 грн
500+48.30 грн
1000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L,LXHQ TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L,LXHQ TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.68 грн
10+90.07 грн
100+61.13 грн
500+45.74 грн
1000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN6R706NC,L1XHQ XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN6R706NC,L1XHQ XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.03 грн
10+86.41 грн
100+58.29 грн
500+43.41 грн
1000+39.77 грн
2000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LF(CT RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1903FE Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LF(CT RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1903FE Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
28+10.97 грн
100+5.34 грн
500+4.18 грн
1000+2.91 грн
2000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE,LF(CT RN4988FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19056&prodName=RN4988FE Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE,LF(CT RN4988FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19056&prodName=RN4988FE Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
35+8.73 грн
100+5.39 грн
500+3.70 грн
1000+3.25 грн
2000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LF(CT RN4903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.23 грн
6000+2.78 грн
9000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LF(CT RN4903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.40 грн
100+5.82 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909,LF(CT RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909_datasheet_en_20210824.pdf?did=18965&prodName=RN4909 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909,LF(CT RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909_datasheet_en_20210824.pdf?did=18965&prodName=RN4909 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.40 грн
100+5.82 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703,LF RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18900&prodName=RN2703 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703,LF RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18900&prodName=RN2703 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
30+10.07 грн
100+6.24 грн
500+4.30 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX273FT(AJ) 74LCX273FT(AJ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15649&prodName=74LCX273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 135 MHz
Input Capacitance: 7 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.5ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.71 грн
5000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX273FT(AJ) 74LCX273FT(AJ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15649&prodName=74LCX273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 135 MHz
Input Capacitance: 7 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.5ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
13+23.88 грн
25+21.85 грн
100+15.27 грн
250+13.84 грн
500+11.45 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L,LXHQ TJ50S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L,LXHQ TJ50S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.41 грн
10+78.05 грн
100+60.68 грн
500+48.27 грн
1000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTA006B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANSISTOR PNP BIPO TO126N
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(TPL,E TLP387(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35919&prodName=TLP387 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Voltage - Output (Max): 300V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Vce Saturation (Max): 1V
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 150mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(TPL,E TLP387(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35919&prodName=TLP387 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Voltage - Output (Max): 300V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Vce Saturation (Max): 1V
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 150mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.57 грн
10+37.91 грн
100+27.79 грн
500+21.84 грн
1000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-4(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LF RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2309 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LF RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2309 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.97 грн
64+4.70 грн
100+3.14 грн
500+2.23 грн
1000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH125FU,LJ(CT TC7SH125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH125FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30172&prodName=TC7SH125FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH125FU,LJ(CT TC7SH125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH125FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30172&prodName=TC7SH125FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
25+12.39 грн
30+10.09 грн
100+7.00 грн
250+5.80 грн
500+5.06 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9595FT 74VHC9595FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28789&prodName=74VHC9595FT Description: IC SR PUSH-PULL 8BIT 16-TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+6.24 грн
5000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9595FT 74VHC9595FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28789&prodName=74VHC9595FT Description: IC SR PUSH-PULL 8BIT 16-TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
29+10.45 грн
33+9.19 грн
100+7.37 грн
250+6.78 грн
500+6.42 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H410NG TB67H410NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H410NG_datasheet_en_20150127.pdf?did=29679&prodName=TB67H410NG Description: IC MOTOR DRVR 4.75V-5.25V 24SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 5A
Interface: Parallel, PWM
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 24-SDIP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.85 грн
20+164.61 грн
40+155.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20S04M3L,LXHQ TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=11300&prodName=TJ20S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.85 грн
4000+24.80 грн
6000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20S04M3L,LXHQ TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=11300&prodName=TJ20S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.51 грн
10+61.71 грн
100+40.98 грн
500+30.12 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L,LXHQ TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11287&prodName=TJ80S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L,LXHQ TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11287&prodName=TJ80S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62213AHQ docget.jsp?did=14073&prodName=TB62213AHQ
TB62213AHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPLR 25V 25HZIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62215AHQ
TB62215AHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPLR 25V 25HZIP
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 25-SIP Formed Leads
Packaging: Tray
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 25-HZIP
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Parallel
Current - Output: 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT8G133(TE12L,Q) GT8G133.pdf
GT8G133(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Power - Max: 600 mW
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Part Status: Obsolete
Td (on/off) @ 25°C: 1.7µs/2µs
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LF(CT RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103
RN2103,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LF(CT RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103
RN2103,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV
RN2103MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV
RN2103MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
26+11.64 грн
100+6.34 грн
500+3.67 грн
1000+2.50 грн
2000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3F docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV
RN2103MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L,LXHQ docget.jsp?did=11301&prodName=TJ60S04M3L
TJ60S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S04M3L,LXHQ docget.jsp?did=11301&prodName=TJ60S04M3L
TJ60S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.58 грн
10+87.38 грн
100+58.96 грн
500+43.90 грн
1000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ34AFS,L3J(T TC7SZ34AFS_datasheet_en_20190130.pdf?did=1653&prodName=TC7SZ34AFS
TC7SZ34AFS,L3J(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 5.5V FSV
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: SOT-953
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: fSV
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDKGB13A2A01T
HDKGB13A2A01T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 1TB 2.5" SATAIII 5V 5.4K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 1TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Weight: 4.13 oz (117 g)
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
Part Status: Active
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5225.98 грн
10+4560.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3823(F docget.jsp?did=57854&prodName=TLP3823
TLP3823(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-100V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R
SSM3K341R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.36 грн
6000+10.90 грн
9000+10.39 грн
15000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LXHF docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R
SSM3K341R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.69 грн
10+31.56 грн
100+20.32 грн
500+14.51 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD62783AFNG(O,S)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSCEIVER 8/0 18SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 8/0
Supplier Device Package: 18-SSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD62783AFG,S TD62783APG%2CAFG.pdf
TD62783AFG,S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSCEIVER 8/0 18SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-SOIC (0.276", 7.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 8/0
Supplier Device Package: 18-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD62783APG,J,S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSCEIVER 8/0 18DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 8/0
Supplier Device Package: 18-DIP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD62783AFG,S,EL TD62783APG%2CAFG.pdf
TD62783AFG,S,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSCEIVER 8/0 18SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-SOIC (0.276", 7.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 8/0
Supplier Device Package: 18-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD62783AFNG,S,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSCEIVER 8/0 18SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 8/0
Supplier Device Package: 18-SSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC62D722CFNG TC62D722CFNG_datasheet_en_20180509.pdf?did=61498&prodName=TC62D722CFNG
TC62D722CFNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LED DRVR LINEAR 90MA 24HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 17V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 16
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 90mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Shift Register
Supplier Device Package: 24-HTSSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LF docget.jsp?did=365&prodName=SSM6N44FU
SSM6N44FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.71 грн
6000+4.09 грн
9000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4GRH-T7,F TLP781%28F%29.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQ docget.jsp?did=13952&prodName=TK55S10N1
TK55S10N1,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQ docget.jsp?did=13952&prodName=TK55S10N1
TK55S10N1,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.03 грн
10+94.77 грн
100+64.50 грн
500+48.30 грн
1000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L,LXHQ docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L
TJ60S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ60S06M3L,LXHQ docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L
TJ60S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.68 грн
10+90.07 грн
100+61.13 грн
500+45.74 грн
1000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN6R706NC,L1XHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
XPN6R706NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN6R706NC,L1XHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
XPN6R706NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.03 грн
10+86.41 грн
100+58.29 грн
500+43.41 грн
1000+39.77 грн
2000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LF(CT RN1903FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1903FE
RN1903FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE,LF(CT RN1903FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1903FE
RN1903FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
28+10.97 грн
100+5.34 грн
500+4.18 грн
1000+2.91 грн
2000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE,LF(CT RN4988FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19056&prodName=RN4988FE
RN4988FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE,LF(CT RN4988FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19056&prodName=RN4988FE
RN4988FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.72 грн
35+8.73 грн
100+5.39 грн
500+3.70 грн
1000+3.25 грн
2000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LF(CT RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903
RN4903,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.23 грн
6000+2.78 грн
9000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LF(CT RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903
RN4903,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.40 грн
100+5.82 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909,LF(CT RN4909_datasheet_en_20210824.pdf?did=18965&prodName=RN4909
RN4909,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909,LF(CT RN4909_datasheet_en_20210824.pdf?did=18965&prodName=RN4909
RN4909,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.40 грн
100+5.82 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703,LF docget.jsp?did=18900&prodName=RN2703
RN2703,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703,LF docget.jsp?did=18900&prodName=RN2703
RN2703,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.05 грн
30+10.07 грн
100+6.24 грн
500+4.30 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX273FT(AJ) docget.jsp?did=15649&prodName=74LCX273FT
74LCX273FT(AJ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 135 MHz
Input Capacitance: 7 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.5ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+8.71 грн
5000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX273FT(AJ) docget.jsp?did=15649&prodName=74LCX273FT
74LCX273FT(AJ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 135 MHz
Input Capacitance: 7 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.5ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.22 грн
13+23.88 грн
25+21.85 грн
100+15.27 грн
250+13.84 грн
500+11.45 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L,LXHQ TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L
TJ50S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ50S06M3L,LXHQ TJ50S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22572&prodName=TJ50S06M3L
TJ50S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.41 грн
10+78.05 грн
100+60.68 грн
500+48.27 грн
1000+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTA006B,Q(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR PNP BIPO TO126N
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(TPL,E docget.jsp?did=35919&prodName=TLP387
TLP387(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Voltage - Output (Max): 300V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Vce Saturation (Max): 1V
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 150mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP387(TPL,E docget.jsp?did=35919&prodName=TLP387
TLP387(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Voltage - Output (Max): 300V
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Vce Saturation (Max): 1V
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 150mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.57 грн
10+37.91 грн
100+27.79 грн
500+21.84 грн
1000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-4(LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-4(MBS,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-4(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LF RN2309_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2309
RN2309,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309,LF RN2309_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2309
RN2309,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+6.97 грн
64+4.70 грн
100+3.14 грн
500+2.23 грн
1000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH125FU,LJ(CT TC7SH125FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30172&prodName=TC7SH125FU
TC7SH125FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH125FU,LJ(CT TC7SH125FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30172&prodName=TC7SH125FU
TC7SH125FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
25+12.39 грн
30+10.09 грн
100+7.00 грн
250+5.80 грн
500+5.06 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9595FT docget.jsp?did=28789&prodName=74VHC9595FT
74VHC9595FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SR PUSH-PULL 8BIT 16-TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+6.24 грн
5000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9595FT docget.jsp?did=28789&prodName=74VHC9595FT
74VHC9595FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SR PUSH-PULL 8BIT 16-TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
29+10.45 грн
33+9.19 грн
100+7.37 грн
250+6.78 грн
500+6.42 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H410NG TB67H410NG_datasheet_en_20150127.pdf?did=29679&prodName=TB67H410NG
TB67H410NG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRVR 4.75V-5.25V 24SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 5A
Interface: Parallel, PWM
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 24-SDIP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.85 грн
20+164.61 грн
40+155.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20S04M3L,LXHQ TJ20S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=11300&prodName=TJ20S04M3L
TJ20S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.85 грн
4000+24.80 грн
6000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20S04M3L,LXHQ TJ20S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=11300&prodName=TJ20S04M3L
TJ20S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.51 грн
10+61.71 грн
100+40.98 грн
500+30.12 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L,LXHQ docget.jsp?did=11287&prodName=TJ80S04M3L
TJ80S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L,LXHQ docget.jsp?did=11287&prodName=TJ80S04M3L
TJ80S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]