Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13432) > Сторінка 149 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TC78H670FTG,EL TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG_datasheet_en_20210209.pdf?did=68606&prodName=TC78H670FTG Description: STEPPER MOTOR DRIVER IN 20V, 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Step Resolution: 1, 1/2
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H670FTG,EL TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG_datasheet_en_20210209.pdf?did=68606&prodName=TC78H670FTG Description: STEPPER MOTOR DRIVER IN 20V, 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Step Resolution: 1, 1/2
Part Status: Active
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.12 грн
10+100.54 грн
25+84.79 грн
100+62.81 грн
250+54.58 грн
500+49.51 грн
1000+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQ XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQ XPH3R206NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.63 грн
10+99.85 грн
100+70.73 грн
500+56.38 грн
1000+50.96 грн
2000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67740&prodName=TK170V65Z Description: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+115.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67738&prodName=TK125V65Z Description: MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+200.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67738&prodName=TK125V65Z Description: MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.21 грн
10+268.22 грн
100+193.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L,LXHQ TJ30S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22571&prodName=TJ30S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.13 грн
4000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L,LXHQ TJ30S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22571&prodName=TJ30S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.15 грн
10+75.94 грн
100+50.95 грн
500+37.73 грн
1000+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG18A,LF TCR3UG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33A_datasheet_en_20240308.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG33A Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.457V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG18A,LF TCR3UG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33A_datasheet_en_20240308.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG33A Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.457V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 2526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.93 грн
11+29.20 грн
25+24.03 грн
100+17.07 грн
250+14.37 грн
500+12.71 грн
1000+11.13 грн
2500+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG33A,LF TCR3UG33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33A_datasheet_en_20240308.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG33A Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.273V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.36 грн
10000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG33A,LF TCR3UG33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33A_datasheet_en_20240308.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG33A Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.273V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 17107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
12+27.74 грн
25+22.87 грн
100+16.26 грн
250+13.69 грн
500+12.11 грн
1000+10.60 грн
2500+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(F TLP240A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(LF1,F TLP240A(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.43 грн
10+100.77 грн
100+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TB6615PG,8 TB6615PG,8 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7287&prodName=TB6615PG Description: STEPPING MOTOR DRIVER IC PB-FREE
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 0V ~ 26V
Supplier Device Package: 16-DIP
Motor Type - Stepper: Unipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.59 грн
10+108.82 грн
25+99.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62381AFWG,EL TBD62381AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381AFNG_datasheet_en_20170324.pdf?did=58145&prodName=TBD62381AFNG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 18SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 0V ~ 50V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62381AFWG,EL TBD62381AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381AFNG_datasheet_en_20170324.pdf?did=58145&prodName=TBD62381AFNG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 18SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 0V ~ 50V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-SOP
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.96 грн
10+98.70 грн
100+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM175A,LF TCR3UM175A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63293&prodName=TCR3UM085A Description: IC REG LINEAR 1.75V 300MA 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM175A,LF TCR3UM175A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63293&prodName=TCR3UM085A Description: IC REG LINEAR 1.75V 300MA 4DFN
на замовлення 19860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11,L3F TCR5BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM11 Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11,L3F TCR5BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM11 Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
на замовлення 9825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=1898&prodName=SSM5H16TU Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=1898&prodName=SSM5H16TU Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 6473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.57 грн
12+26.52 грн
100+16.91 грн
500+11.99 грн
1000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L,LXHQ TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22588&prodName=TJ8S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L,LXHQ TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22588&prodName=TJ8S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L,LXHQ TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11298&prodName=TJ10S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L,LXHQ TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11298&prodName=TJ10S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+60.31 грн
100+39.90 грн
500+29.21 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F30,H3F CUHS15F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F30_datasheet_en_20190831.pdf?did=66021&prodName=CUHS15F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F30,H3F CUHS15F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F30_datasheet_en_20190831.pdf?did=66021&prodName=CUHS15F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 8650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
14+22.76 грн
100+11.49 грн
500+8.80 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQ XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQ XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 5312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.75 грн
10+124.15 грн
100+85.30 грн
500+64.46 грн
1000+59.45 грн
2000+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68578&prodName=XPH6R30ANB Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68578&prodName=XPH6R30ANB Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.40 грн
10+117.40 грн
100+80.46 грн
500+60.66 грн
1000+55.88 грн
2000+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LXHQ TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=30110&prodName=TK40S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.13 грн
4000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LXHQ TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=30110&prodName=TK40S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 6970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.39 грн
10+70.20 грн
100+46.89 грн
500+34.61 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A,L1XHQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A_datasheet_en_20131101.pdf?did=4354&prodName=2SC5886A Description: TRANSISTOR NPN BIPO PWMOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q(CM TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(D4-TP4,E TLP2761(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(TP4,E TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE31,LM TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE31 Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE31,LM TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE31 Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA ESV
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPN12006NC,L1XHQ XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68672&prodName=XPN12006NC Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPN12006NC,L1XHQ XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68672&prodName=XPN12006NC Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.53 грн
10+65.14 грн
100+46.00 грн
500+37.25 грн
1000+32.44 грн
2000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP750F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S40,H3F CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S40_datasheet_en_20190905.pdf?did=66025&prodName=CUHS15S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S40,H3F CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S40_datasheet_en_20190905.pdf?did=66025&prodName=CUHS15S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 5741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
14+22.76 грн
100+11.49 грн
500+8.80 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FK,LF TC7WU04FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.43 грн
6000+7.63 грн
15000+7.14 грн
30000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CLS10F40,L3F CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40_datasheet_en_20230228.pdf?did=63451&prodName=CLS10F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CL2E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CL2E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 40 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.41 грн
20000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CLS10F40,L3F CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40_datasheet_en_20230228.pdf?did=63451&prodName=CLS10F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CL2E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CL2E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 40 V
на замовлення 93264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
15+21.61 грн
100+16.19 грн
500+11.58 грн
1000+9.49 грн
2000+8.93 грн
5000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC20FT 74VHC20FT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: 14-TSSOPB
Input Logic Level - High: 2V ~ 4.5V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 36V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.07 грн
5000+6.43 грн
12500+5.86 грн
25000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC20FT 74VHC20FT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: 14-TSSOPB
Input Logic Level - High: 2V ~ 4.5V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 36V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 29078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
14+23.07 грн
25+20.81 грн
100+13.48 грн
250+11.36 грн
500+9.23 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF19,LM(CT TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF19,LM(CT TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
21+14.87 грн
26+12.11 грн
100+8.44 грн
250+7.01 грн
500+6.12 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2660&prodName=SSM6P47NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2660&prodName=SSM6P47NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.54 грн
11+29.12 грн
100+18.65 грн
500+13.27 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WP3125FK,LF(CT TC7WP3125FK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WP3125FK_datasheet_en_20210721.pdf?did=6285&prodName=TC7WP3125FK Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 12mA, 12mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WP3125FK,LF(CT TC7WP3125FK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WP3125FK_datasheet_en_20210721.pdf?did=6285&prodName=TC7WP3125FK Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 12mA, 12mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 5361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
13+23.68 грн
25+21.37 грн
100+13.84 грн
250+11.66 грн
500+9.47 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H670FTG,EL TC78H670FTG_datasheet_en_20210209.pdf?did=68606&prodName=TC78H670FTG
TC78H670FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPER MOTOR DRIVER IN 20V, 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Step Resolution: 1, 1/2
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H670FTG,EL TC78H670FTG_datasheet_en_20210209.pdf?did=68606&prodName=TC78H670FTG
TC78H670FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPER MOTOR DRIVER IN 20V, 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-VQFN (3x3)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Step Resolution: 1, 1/2
Part Status: Active
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.12 грн
10+100.54 грн
25+84.79 грн
100+62.81 грн
250+54.58 грн
500+49.51 грн
1000+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
XPH3R206NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH3R206NC,L1XHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
XPH3R206NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.63 грн
10+99.85 грн
100+70.73 грн
500+56.38 грн
1000+50.96 грн
2000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ docget.jsp?did=67740&prodName=TK170V65Z
TK170V65Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+115.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ docget.jsp?did=67738&prodName=TK125V65Z
TK125V65Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+200.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ docget.jsp?did=67738&prodName=TK125V65Z
TK125V65Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.21 грн
10+268.22 грн
100+193.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L,LXHQ TJ30S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22571&prodName=TJ30S06M3L
TJ30S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.13 грн
4000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L,LXHQ TJ30S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22571&prodName=TJ30S06M3L
TJ30S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.15 грн
10+75.94 грн
100+50.95 грн
500+37.73 грн
1000+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG18A,LF TCR3UG33A_datasheet_en_20240308.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG33A
TCR3UG18A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.457V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG18A,LF TCR3UG33A_datasheet_en_20240308.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG33A
TCR3UG18A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.457V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 2526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.93 грн
11+29.20 грн
25+24.03 грн
100+17.07 грн
250+14.37 грн
500+12.71 грн
1000+11.13 грн
2500+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG33A,LF TCR3UG33A_datasheet_en_20240308.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG33A
TCR3UG33A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.273V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.36 грн
10000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG33A,LF TCR3UG33A_datasheet_en_20240308.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG33A
TCR3UG33A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.273V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 17107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
12+27.74 грн
25+22.87 грн
100+16.26 грн
250+13.69 грн
500+12.11 грн
1000+10.60 грн
2500+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(F TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A
TLP240A(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(LF1,F TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A
TLP240A(LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.43 грн
10+100.77 грн
100+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TB6615PG,8 docget.jsp?did=7287&prodName=TB6615PG
TB6615PG,8
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPING MOTOR DRIVER IC PB-FREE
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 0V ~ 26V
Supplier Device Package: 16-DIP
Motor Type - Stepper: Unipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.59 грн
10+108.82 грн
25+99.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62381AFWG,EL TBD62381AFNG_datasheet_en_20170324.pdf?did=58145&prodName=TBD62381AFNG
TBD62381AFWG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 18SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 0V ~ 50V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62381AFWG,EL TBD62381AFNG_datasheet_en_20170324.pdf?did=58145&prodName=TBD62381AFNG
TBD62381AFWG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 18SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 0V ~ 50V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-SOP
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.96 грн
10+98.70 грн
100+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM175A,LF docget.jsp?did=63293&prodName=TCR3UM085A
TCR3UM175A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.75V 300MA 4DFN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM175A,LF docget.jsp?did=63293&prodName=TCR3UM085A
TCR3UM175A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.75V 300MA 4DFN
на замовлення 19860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11,L3F docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM11
TCR5BM11,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM11,L3F docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM11
TCR5BM11,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
на замовлення 9825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF SSM5H16TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=1898&prodName=SSM5H16TU
SSM5H16TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H16TU,LF SSM5H16TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=1898&prodName=SSM5H16TU
SSM5H16TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 6473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.57 грн
12+26.52 грн
100+16.91 грн
500+11.99 грн
1000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L,LXHQ docget.jsp?did=22588&prodName=TJ8S06M3L
TJ8S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L,LXHQ docget.jsp?did=22588&prodName=TJ8S06M3L
TJ8S06M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L,LXHQ docget.jsp?did=11298&prodName=TJ10S04M3L
TJ10S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L,LXHQ docget.jsp?did=11298&prodName=TJ10S04M3L
TJ10S04M3L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.48 грн
10+60.31 грн
100+39.90 грн
500+29.21 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F30,H3F CUHS15F30_datasheet_en_20190831.pdf?did=66021&prodName=CUHS15F30
CUHS15F30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.08 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F30,H3F CUHS15F30_datasheet_en_20190831.pdf?did=66021&prodName=CUHS15F30
CUHS15F30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 8650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
14+22.76 грн
100+11.49 грн
500+8.80 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
XPW6R30ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
XPW6R30ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 5312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.75 грн
10+124.15 грн
100+85.30 грн
500+64.46 грн
1000+59.45 грн
2000+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ docget.jsp?did=68578&prodName=XPH6R30ANB
XPH6R30ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPH6R30ANB,L1XHQ docget.jsp?did=68578&prodName=XPH6R30ANB
XPH6R30ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.40 грн
10+117.40 грн
100+80.46 грн
500+60.66 грн
1000+55.88 грн
2000+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LXHQ TK40S06N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=30110&prodName=TK40S06N1L
TK40S06N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.13 грн
4000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LXHQ TK40S06N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=30110&prodName=TK40S06N1L
TK40S06N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 6970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.39 грн
10+70.20 грн
100+46.89 грн
500+34.61 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A,L1XHQ(O 2SC5886A_datasheet_en_20131101.pdf?did=4354&prodName=2SC5886A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN BIPO PWMOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q(CM
TPCC8105,L1Q(CM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(D4-LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(D4-TP4,E
TLP2761(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2761(TP4,E
TLP2761(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE31,LM docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE31
TCR2LE31,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE31,LM docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE31
TCR2LE31,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA ESV
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XPN12006NC,L1XHQ docget.jsp?did=68672&prodName=XPN12006NC
XPN12006NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPN12006NC,L1XHQ docget.jsp?did=68672&prodName=XPN12006NC
XPN12006NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.53 грн
10+65.14 грн
100+46.00 грн
500+37.25 грн
1000+32.44 грн
2000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP750F(D4-TP4,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S40,H3F CUHS15S40_datasheet_en_20190905.pdf?did=66025&prodName=CUHS15S40
CUHS15S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15S40,H3F CUHS15S40_datasheet_en_20190905.pdf?did=66025&prodName=CUHS15S40
CUHS15S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 5741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
14+22.76 грн
100+11.49 грн
500+8.80 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WU04FK,LF TC7WU04FK_datasheet_en_20141118.pdf?did=20208&prodName=TC7WU04FK
TC7WU04FK,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.43 грн
6000+7.63 грн
15000+7.14 грн
30000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CLS10F40,L3F CLS10F40_datasheet_en_20230228.pdf?did=63451&prodName=CLS10F40
CLS10F40,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CL2E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CL2E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 40 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.41 грн
20000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CLS10F40,L3F CLS10F40_datasheet_en_20230228.pdf?did=63451&prodName=CLS10F40
CLS10F40,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CL2E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CL2E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 40 V
на замовлення 93264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
15+21.61 грн
100+16.19 грн
500+11.58 грн
1000+9.49 грн
2000+8.93 грн
5000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC20FT
74VHC20FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: 14-TSSOPB
Input Logic Level - High: 2V ~ 4.5V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 36V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.07 грн
5000+6.43 грн
12500+5.86 грн
25000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC20FT
74VHC20FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: 14-TSSOPB
Input Logic Level - High: 2V ~ 4.5V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 36V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 29078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
14+23.07 грн
25+20.81 грн
100+13.48 грн
250+11.36 грн
500+9.23 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF19,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF19,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.9V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
21+14.87 грн
26+12.11 грн
100+8.44 грн
250+7.01 грн
500+6.12 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF SSM6P47NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2660&prodName=SSM6P47NU
SSM6P47NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF SSM6P47NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2660&prodName=SSM6P47NU
SSM6P47NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.54 грн
11+29.12 грн
100+18.65 грн
500+13.27 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WP3125FK,LF(CT TC7WP3125FK_datasheet_en_20210721.pdf?did=6285&prodName=TC7WP3125FK
TC7WP3125FK,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 12mA, 12mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WP3125FK,LF(CT TC7WP3125FK_datasheet_en_20210721.pdf?did=6285&prodName=TC7WP3125FK
TC7WP3125FK,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 12mA, 12mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 5361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
13+23.68 грн
25+21.37 грн
100+13.84 грн
250+11.66 грн
500+9.47 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]