Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13063) > Сторінка 170 з 218

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 126 147 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TCR5AM18,LF TCR5AM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товар відсутній
TCR5AM18,LF TCR5AM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товар відсутній
TLP734(D4-C172,F) TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 55V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.46 грн
12+ 24.49 грн
100+ 18.31 грн
500+ 13.5 грн
1000+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6L820R,LXHF SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R_datasheet_en_20210603.pdf?did=63678&prodName=SSM6L820R Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.19 грн
6000+ 12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM6L820R,LXHF SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L820R_datasheet_en_20210603.pdf?did=63678&prodName=SSM6L820R Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.36 грн
10+ 31.14 грн
100+ 21.58 грн
500+ 16.92 грн
1000+ 14.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
4N26(SHORT,F) 4N26(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf Description: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 200µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
товар відсутній
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
товар відсутній
TB6633AFNG,EL TB6633AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29842&prodName=TB6633AFNG Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
товар відсутній
TLP2261(D4-TP4,E TLP2261(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товар відсутній
TLP2261(D4-LF4,E TLP2261(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товар відсутній
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R_datasheet_en_20210528.pdf?did=65097&prodName=SSM6K819R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R_datasheet_en_20210528.pdf?did=65097&prodName=SSM6K819R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.39 грн
10+ 51.76 грн
100+ 40.28 грн
500+ 32.04 грн
1000+ 26.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPH9R00CQH,LQ TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH9R00CQH,LQ TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.46 грн
10+ 101.02 грн
100+ 80.41 грн
500+ 63.85 грн
1000+ 54.18 грн
2000+ 51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
RN2116,LXHF(CT RN2116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товар відсутній
RN2116,LXHF(CT RN2116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товар відсутній
RN2116,LF(CT RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2114-18.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товар відсутній
RN2116,LF(CT RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2114-18.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товар відсутній
RN1108,LF(CT RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN1108,LF(CT RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.37 грн
25+ 11.49 грн
100+ 6.1 грн
500+ 3.76 грн
1000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN2106MFV,L3F(CT RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товар відсутній
RN2106MFV,L3F(CT RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.65 грн
23+ 12.04 грн
100+ 6.55 грн
500+ 3.79 грн
1000+ 2.58 грн
2000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 22
RN2106,LF(CT RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2106,LF(CT RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS272TE85LF 1SS272TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC61B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-61B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 22425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.9 грн
14+ 20.97 грн
100+ 10.62 грн
500+ 8.13 грн
1000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
TLP781(D4GRT6-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товар відсутній
TLP781(D4TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товар відсутній
TLP781(D4-Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товар відсутній
TLP781(D4-Y-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TLP781(D4-GRH,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TLP781(BL-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TLP781(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товар відсутній
DF2S6M4SL,L3F DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4SL_datasheet_en_20220818.pdf?did=36252&prodName=DF2S6M4SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.48 грн
30000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DF2S6M4SL,L3F DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4SL_datasheet_en_20220818.pdf?did=36252&prodName=DF2S6M4SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 62403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.4 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.19 грн
500+ 4.84 грн
1000+ 3.36 грн
2000+ 2.91 грн
5000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
DF2B6M4ASL,L3F DF2B6M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4ASL_datasheet_en_20190805.pdf?did=66266&prodName=DF2B6M4ASL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товар відсутній
DF2B6M4ASL,L3F DF2B6M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4ASL_datasheet_en_20190805.pdf?did=66266&prodName=DF2B6M4ASL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 10888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.71 грн
18+ 15.85 грн
100+ 8.01 грн
500+ 6.13 грн
1000+ 4.55 грн
2000+ 3.83 грн
5000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
CUHZ36V,H3F CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V Description: 36 V ZENER DIODE, SOD-323HE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CUHZ36V,H3F CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V Description: 36 V ZENER DIODE, SOD-323HE
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.3 грн
14+ 21.17 грн
100+ 14.41 грн
500+ 10.15 грн
1000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
TB67S111PG,HJ TB67S111PG,HJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57940&prodName=TB67S111PG Description: IC MOTOR DRIVER 16DIP
Packaging: Tray
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 0V ~ 80V
Supplier Device Package: 16-DIP
Motor Type - Stepper: Unipolar
Part Status: Active
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.81 грн
10+ 284.94 грн
25+ 269.41 грн
80+ 219.11 грн
230+ 207.88 грн
TCR3DF39,LM(CT TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF39 Description: IC REG LINEAR 3.9V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCR3DF39,LM(CT TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF39 Description: IC REG LINEAR 3.9V 300MA SMV
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.49 грн
12+ 24.56 грн
25+ 21.48 грн
100+ 13.04 грн
250+ 10.79 грн
500+ 8.64 грн
1000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
TCR2EN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.1V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2EN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.1V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.02 грн
14+ 20.76 грн
25+ 18.71 грн
100+ 12.14 грн
250+ 10.23 грн
500+ 8.31 грн
1000+ 6.29 грн
2500+ 5.66 грн
5000+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
TCR2EN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2EN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.02 грн
14+ 20.76 грн
25+ 18.71 грн
100+ 12.14 грн
250+ 10.23 грн
500+ 8.31 грн
1000+ 6.29 грн
2500+ 5.66 грн
5000+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
CLS01(T6LSONY,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CMS01_Nov2013.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT
товар відсутній
RN2418,LXHF RN2418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2418 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
6000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2418,LXHF RN2418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2418 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.28 грн
19+ 15.08 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.82 грн
1000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2416,LXHF RN2416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2416 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
6000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2416,LXHF RN2416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2416 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.28 грн
19+ 15.08 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.82 грн
1000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
TK1R4F04PB,LXGQ TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30508&prodName=TK1R4F04PB Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TK1R4F04PB,LXGQ TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30508&prodName=TK1R4F04PB Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.2 грн
10+ 142.61 грн
100+ 113.51 грн
500+ 90.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
CUHZ8V2,H3F CUHZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ6V2 Description: 8.2 V ZENER DIODE, SOD-323HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 450pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 68A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.2V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1900W (1.9kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CUHZ8V2,H3F CUHZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ6V2 Description: 8.2 V ZENER DIODE, SOD-323HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 450pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 68A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.2V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1900W (1.9kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.9 грн
14+ 20.97 грн
100+ 10.57 грн
500+ 8.79 грн
1000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC4604,T6F(M 2SC4604,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604_2006-11-10.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SC4604,T6F(J 2SC4604,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604_2006-11-10.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SC4604,F(J 2SC4604,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604_2006-11-10.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
TODX2350A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TODX2350A%28F%29_datasheet_en_20160614.pdf?did=53317&prodName=TODX2350A(F) Description: TXRX MOD OPTICAL 10MBPS 650NM
Packaging: Bulk
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 650nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
товар відсутній
TCR5AM18,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товар відсутній
TCR5AM18,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товар відсутній
TLP734(D4-C172,F)
TLP734(D4-C172,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 55V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU
SSM6J422TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU
SSM6J422TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.46 грн
12+ 24.49 грн
100+ 18.31 грн
500+ 13.5 грн
1000+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6L820R,LXHF SSM6L820R_datasheet_en_20210603.pdf?did=63678&prodName=SSM6L820R
SSM6L820R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.19 грн
6000+ 12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM6L820R,LXHF SSM6L820R_datasheet_en_20210603.pdf?did=63678&prodName=SSM6L820R
SSM6L820R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.36 грн
10+ 31.14 грн
100+ 21.58 грн
500+ 16.92 грн
1000+ 14.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
4N26(SHORT,F) 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf
4N26(SHORT,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 200µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
товар відсутній
4N26(SHORT-LF5,F) 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
товар відсутній
TB6633AFNG,EL docget.jsp?did=29842&prodName=TB6633AFNG
TB6633AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
товар відсутній
TLP2261(D4-TP4,E docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261
TLP2261(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товар відсутній
TLP2261(D4-LF4,E docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261
TLP2261(D4-LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товар відсутній
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R_datasheet_en_20210528.pdf?did=65097&prodName=SSM6K819R
SSM6K819R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R_datasheet_en_20210528.pdf?did=65097&prodName=SSM6K819R
SSM6K819R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.39 грн
10+ 51.76 грн
100+ 40.28 грн
500+ 32.04 грн
1000+ 26.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPH9R00CQH,LQ docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH
TPH9R00CQH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH9R00CQH,LQ docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH
TPH9R00CQH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.46 грн
10+ 101.02 грн
100+ 80.41 грн
500+ 63.85 грн
1000+ 54.18 грн
2000+ 51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
RN2116,LXHF(CT docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116
RN2116,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товар відсутній
RN2116,LXHF(CT docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116
RN2116,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товар відсутній
RN2116,LF(CT RN2114-18.pdf
RN2116,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товар відсутній
RN2116,LF(CT RN2114-18.pdf
RN2116,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товар відсутній
RN1108,LF(CT docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108
RN1108,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN1108,LF(CT docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108
RN1108,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.37 грн
25+ 11.49 грн
100+ 6.1 грн
500+ 3.76 грн
1000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN2106MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV
RN2106MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товар відсутній
RN2106MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV
RN2106MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.65 грн
23+ 12.04 грн
100+ 6.55 грн
500+ 3.79 грн
1000+ 2.58 грн
2000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 22
RN2106,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2106,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS272TE85LF
1SS272TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC61B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-61B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 22425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.9 грн
14+ 20.97 грн
100+ 10.62 грн
500+ 8.13 грн
1000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
TLP781(D4GRT6-TC,F TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товар відсутній
TLP781(D4TELS-T6,F TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товар відсутній
TLP781(D4-Y,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товар відсутній
TLP781(D4-Y-TP6,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TLP781(D4-GRH,E) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TLP781(BL-LF6,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TLP781(D4-FUN,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товар відсутній
DF2S6M4SL,L3F DF2S6M4SL_datasheet_en_20220818.pdf?did=36252&prodName=DF2S6M4SL
DF2S6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.48 грн
30000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DF2S6M4SL,L3F DF2S6M4SL_datasheet_en_20220818.pdf?did=36252&prodName=DF2S6M4SL
DF2S6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 62403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.4 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.19 грн
500+ 4.84 грн
1000+ 3.36 грн
2000+ 2.91 грн
5000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
DF2B6M4ASL,L3F DF2B6M4ASL_datasheet_en_20190805.pdf?did=66266&prodName=DF2B6M4ASL
DF2B6M4ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товар відсутній
DF2B6M4ASL,L3F DF2B6M4ASL_datasheet_en_20190805.pdf?did=66266&prodName=DF2B6M4ASL
DF2B6M4ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 10888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.71 грн
18+ 15.85 грн
100+ 8.01 грн
500+ 6.13 грн
1000+ 4.55 грн
2000+ 3.83 грн
5000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
CUHZ36V,H3F CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V
CUHZ36V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 36 V ZENER DIODE, SOD-323HE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CUHZ36V,H3F CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V
CUHZ36V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 36 V ZENER DIODE, SOD-323HE
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.3 грн
14+ 21.17 грн
100+ 14.41 грн
500+ 10.15 грн
1000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
TB67S111PG,HJ docget.jsp?did=57940&prodName=TB67S111PG
TB67S111PG,HJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 16DIP
Packaging: Tray
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 0V ~ 80V
Supplier Device Package: 16-DIP
Motor Type - Stepper: Unipolar
Part Status: Active
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+329.81 грн
10+ 284.94 грн
25+ 269.41 грн
80+ 219.11 грн
230+ 207.88 грн
TCR3DF39,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF39
TCR3DF39,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.9V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCR3DF39,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF39
TCR3DF39,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.9V 300MA SMV
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.49 грн
12+ 24.56 грн
25+ 21.48 грн
100+ 13.04 грн
250+ 10.79 грн
500+ 8.64 грн
1000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
TCR2EN11,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.1V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2EN11,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.1V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.02 грн
14+ 20.76 грн
25+ 18.71 грн
100+ 12.14 грн
250+ 10.23 грн
500+ 8.31 грн
1000+ 6.29 грн
2500+ 5.66 грн
5000+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
TCR2EN115,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2EN115,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.02 грн
14+ 20.76 грн
25+ 18.71 грн
100+ 12.14 грн
250+ 10.23 грн
500+ 8.31 грн
1000+ 6.29 грн
2500+ 5.66 грн
5000+ 5.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
CLS01(T6LSONY,Q) CMS01_Nov2013.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT
товар відсутній
RN2418,LXHF RN2418_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2418
RN2418,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.02 грн
6000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2418,LXHF RN2418_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2418
RN2418,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.28 грн
19+ 15.08 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.82 грн
1000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2416,LXHF RN2416_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2416
RN2416,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.02 грн
6000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2416,LXHF RN2416_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2416
RN2416,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.28 грн
19+ 15.08 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.82 грн
1000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
TK1R4F04PB,LXGQ TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30508&prodName=TK1R4F04PB
TK1R4F04PB,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TK1R4F04PB,LXGQ TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30508&prodName=TK1R4F04PB
TK1R4F04PB,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.2 грн
10+ 142.61 грн
100+ 113.51 грн
500+ 90.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
CUHZ8V2,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ6V2
CUHZ8V2,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 8.2 V ZENER DIODE, SOD-323HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 450pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 68A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.2V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1900W (1.9kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CUHZ8V2,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ6V2
CUHZ8V2,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 8.2 V ZENER DIODE, SOD-323HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 450pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 68A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.2V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1900W (1.9kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.9 грн
14+ 20.97 грн
100+ 10.57 грн
500+ 8.79 грн
1000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC4604,T6F(M 2SC4604_2006-11-10.pdf
2SC4604,T6F(M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SC4604,T6F(J 2SC4604_2006-11-10.pdf
2SC4604,T6F(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
2SC4604,F(J 2SC4604_2006-11-10.pdf
2SC4604,F(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товар відсутній
TODX2350A(F) TODX2350A%28F%29_datasheet_en_20160614.pdf?did=53317&prodName=TODX2350A(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TXRX MOD OPTICAL 10MBPS 650NM
Packaging: Bulk
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 650nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 126 147 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]