Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 165 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TCR2EN30,LF(SE TCR2EN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 17866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
35+8.76 грн
40+7.70 грн
100+6.16 грн
250+5.64 грн
500+5.33 грн
1000+4.99 грн
2500+4.73 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LF(SE TCR2LN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LF(SE TCR2LN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 16278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
35+8.76 грн
40+7.70 грн
100+6.16 грн
250+5.64 грн
500+5.33 грн
1000+4.99 грн
2500+4.73 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.59 грн
6000+7.52 грн
9000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.87 грн
100+14.53 грн
500+10.25 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62216FTG,C8,EL TB62216FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13004&prodName=TB62216FTG Description: IC MOTOR DRVR 4.75V-5.25V 48QFN
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62216FTG,C8,EL TB62216FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13004&prodName=TB62216FTG Description: IC MOTOR DRVR 4.75V-5.25V 48QFN
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
10+161.98 грн
25+152.83 грн
100+122.21 грн
250+114.75 грн
500+100.41 грн
1000+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S128FTG(O,EL) TB67S128FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG_datasheet_en_20210907.pdf?did=61073&prodName=TB67S128FTG Description: IC MTR DRVR BIPOLAR 0-5.5V 64QFN
Voltage - Supply: 0V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Interface: Parallel
Current - Output: 5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Step Resolution: 1/8, 1/16, 1/32
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 64-VQFN (9x9)
Voltage - Load: 6.5V ~ 44V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S128FTG(O,EL) TB67S128FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG_datasheet_en_20210907.pdf?did=61073&prodName=TB67S128FTG Description: IC MTR DRVR BIPOLAR 0-5.5V 64QFN
Step Resolution: 1/8, 1/16, 1/32
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 64-VQFN (9x9)
Voltage - Load: 6.5V ~ 44V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 0V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Interface: Parallel
Current - Output: 5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.34 грн
10+376.64 грн
25+348.95 грн
100+298.88 грн
250+285.25 грн
500+277.03 грн
1000+265.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8128,L1Q TPCA8128,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4BSL,L3F DF2B6M4BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=140645&prodName=DF2B6M4BSL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.12pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4BSL,L3F DF2B6M4BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=140645&prodName=DF2B6M4BSL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.12pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 17623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.04 грн
100+8.79 грн
500+6.10 грн
1000+5.41 грн
2000+4.82 грн
5000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ05FU,LJ(CT TC7SZ05FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54754&prodName=TC7SZ05FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Open Drain
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: -, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.84 грн
62+4.91 грн
71+4.29 грн
100+3.39 грн
250+3.09 грн
500+2.90 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM135,LF(SE TCR3DM135,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.52V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM135,LF(SE TCR3DM135,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.52V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 19975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
32+9.66 грн
36+8.54 грн
100+6.84 грн
250+6.28 грн
500+5.94 грн
1000+5.57 грн
2500+5.28 грн
5000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W5,S1VQ TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14278&prodName=TK16J60W5 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.29 грн
25+247.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VE TK16J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13522&prodName=TK16J60W Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB9101FNG,EL TB9101FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15508&prodName=TB9101FNG Description: 2 CHANNEL H-BRIDGE DRIVER FOR DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9101FNG,EL TB9101FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15508&prodName=TB9101FNG Description: 2 CHANNEL H-BRIDGE DRIVER FOR DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM33,LF TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 3.3V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM33,LF TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 3.3V 500MA 5DFNB
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
11+28.98 грн
25+26.57 грн
100+18.54 грн
250+16.81 грн
500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM105A,LF TCR5AM105A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM105A,LF TCR5AM105A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18,LF TCR5AM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18,LF TCR5AM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP734(D4-C172,F) TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 55V
Supplier Device Package: 6-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
12+26.72 грн
100+19.97 грн
500+14.73 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHF SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63678&prodName=SSM6L820R Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHF SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63678&prodName=SSM6L820R Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+41.66 грн
100+27.12 грн
500+19.57 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N26(SHORT,F) 4N26(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf Description: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 200µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-DIP
Vce Saturation (Max): 500mV
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output / Channel: 100mA
Input Type: DC
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor with Base
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-SMD
Vce Saturation (Max): 500mV
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output / Channel: 100mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor with Base
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6633AFNG,EL TB6633AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29842&prodName=TB6633AFNG Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2261(D4-TP4,E TLP2261(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2261(D4-LF4,E TLP2261(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.95 грн
100+44.67 грн
500+32.93 грн
1000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 9325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
10+114.65 грн
100+78.81 грн
500+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LXHF(CT RN2116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LXHF(CT RN2116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LF(CT RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2114-18.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LF(CT RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2114-18.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CT RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CT RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
25+12.53 грн
100+6.65 грн
500+4.10 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CT RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CT RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
23+13.13 грн
100+7.15 грн
500+4.13 грн
1000+2.82 грн
2000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CT RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CT RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS272TE85LF 1SS272TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS272_datasheet_en_20221020.pdf?did=3285&prodName=1SS272 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-61B
Supplier Device Package: SC-61B
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
на замовлення 31501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
25+12.15 грн
100+10.01 грн
500+6.99 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4GRT6-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-Y-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-GRH,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(BL-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4SL,L3F DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36252&prodName=DF2S6M4SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.95 грн
20000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4SL,L3F DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36252&prodName=DF2S6M4SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 39640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.39 грн
500+4.39 грн
1000+3.87 грн
2000+3.44 грн
5000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4ASL,L3F DF2B6M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=66266&prodName=DF2B6M4ASL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN30,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN30,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 17866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
35+8.76 грн
40+7.70 грн
100+6.16 грн
250+5.64 грн
500+5.33 грн
1000+4.99 грн
2500+4.73 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN30,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN30,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 16278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
35+8.76 грн
40+7.70 грн
100+6.16 грн
250+5.64 грн
500+5.33 грн
1000+4.99 грн
2500+4.73 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R
SSM3K376R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.59 грн
6000+7.52 грн
9000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R
SSM3K376R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.41 грн
14+22.87 грн
100+14.53 грн
500+10.25 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62216FTG,C8,EL docget.jsp?did=13004&prodName=TB62216FTG
TB62216FTG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRVR 4.75V-5.25V 48QFN
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB62216FTG,C8,EL docget.jsp?did=13004&prodName=TB62216FTG
TB62216FTG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRVR 4.75V-5.25V 48QFN
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.33 грн
10+161.98 грн
25+152.83 грн
100+122.21 грн
250+114.75 грн
500+100.41 грн
1000+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S128FTG(O,EL) TB67S128FTG_datasheet_en_20210907.pdf?did=61073&prodName=TB67S128FTG
TB67S128FTG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTR DRVR BIPOLAR 0-5.5V 64QFN
Voltage - Supply: 0V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Interface: Parallel
Current - Output: 5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Step Resolution: 1/8, 1/16, 1/32
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 64-VQFN (9x9)
Voltage - Load: 6.5V ~ 44V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S128FTG(O,EL) TB67S128FTG_datasheet_en_20210907.pdf?did=61073&prodName=TB67S128FTG
TB67S128FTG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTR DRVR BIPOLAR 0-5.5V 64QFN
Step Resolution: 1/8, 1/16, 1/32
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 64-VQFN (9x9)
Voltage - Load: 6.5V ~ 44V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 0V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Interface: Parallel
Current - Output: 5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+506.34 грн
10+376.64 грн
25+348.95 грн
100+298.88 грн
250+285.25 грн
500+277.03 грн
1000+265.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8128,L1Q
TPCA8128,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4BSL,L3F docget.jsp?did=140645&prodName=DF2B6M4BSL
DF2B6M4BSL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.12pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4BSL,L3F docget.jsp?did=140645&prodName=DF2B6M4BSL
DF2B6M4BSL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.12pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 17623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
22+14.04 грн
100+8.79 грн
500+6.10 грн
1000+5.41 грн
2000+4.82 грн
5000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ05FU,LJ(CT docget.jsp?did=54754&prodName=TC7SZ05FU
TC7SZ05FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Open Drain
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: -, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.84 грн
62+4.91 грн
71+4.29 грн
100+3.39 грн
250+3.09 грн
500+2.90 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM135,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
TCR3DM135,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.52V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM135,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
TCR3DM135,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.52V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 19975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.89 грн
32+9.66 грн
36+8.54 грн
100+6.84 грн
250+6.28 грн
500+5.94 грн
1000+5.57 грн
2500+5.28 грн
5000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W5,S1VQ docget.jsp?did=14278&prodName=TK16J60W5
TK16J60W5,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+441.29 грн
25+247.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VE docget.jsp?did=13522&prodName=TK16J60W
TK16J60W,S1VE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+413.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB9101FNG,EL docget.jsp?did=15508&prodName=TB9101FNG
TB9101FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 2 CHANNEL H-BRIDGE DRIVER FOR DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9101FNG,EL docget.jsp?did=15508&prodName=TB9101FNG
TB9101FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 2 CHANNEL H-BRIDGE DRIVER FOR DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM33,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM33,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM33,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM33,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 500MA 5DFNB
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.84 грн
11+28.98 грн
25+26.57 грн
100+18.54 грн
250+16.81 грн
500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM105A,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM105A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM105A,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM105A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP734(D4-C172,F)
TLP734(D4-C172,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 55V
Supplier Device Package: 6-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU
SSM6J422TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU
SSM6J422TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.14 грн
12+26.72 грн
100+19.97 грн
500+14.73 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHF docget.jsp?did=63678&prodName=SSM6L820R
SSM6L820R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHF docget.jsp?did=63678&prodName=SSM6L820R
SSM6L820R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.76 грн
10+41.66 грн
100+27.12 грн
500+19.57 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N26(SHORT,F) 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf
4N26(SHORT,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 200µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-DIP
Vce Saturation (Max): 500mV
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output / Channel: 100mA
Input Type: DC
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor with Base
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N26(SHORT-LF5,F) 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-SMD
Vce Saturation (Max): 500mV
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output / Channel: 100mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor with Base
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6633AFNG,EL docget.jsp?did=29842&prodName=TB6633AFNG
TB6633AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2261(D4-TP4,E docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261
TLP2261(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2261(D4-LF4,E docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261
TLP2261(D4-LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R
SSM6K819R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R
SSM6K819R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.73 грн
10+66.95 грн
100+44.67 грн
500+32.93 грн
1000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH
TPH9R00CQH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH
TPH9R00CQH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 9325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.20 грн
10+114.65 грн
100+78.81 грн
500+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LXHF(CT docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116
RN2116,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LXHF(CT docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116
RN2116,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LF(CT RN2114-18.pdf
RN2116,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LF(CT RN2114-18.pdf
RN2116,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CT docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108
RN1108,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CT docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108
RN1108,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
25+12.53 грн
100+6.65 грн
500+4.10 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV
RN2106MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV
RN2106MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.89 грн
23+13.13 грн
100+7.15 грн
500+4.13 грн
1000+2.82 грн
2000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS272TE85LF 1SS272_datasheet_en_20221020.pdf?did=3285&prodName=1SS272
1SS272TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-61B
Supplier Device Package: SC-61B
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
на замовлення 31501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
25+12.15 грн
100+10.01 грн
500+6.99 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4GRT6-TC,F TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4TELS-T6,F TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-Y,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-Y-TP6,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-GRH,E) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(BL-LF6,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-FUN,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4SL,L3F docget.jsp?did=36252&prodName=DF2S6M4SL
DF2S6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.95 грн
20000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4SL,L3F docget.jsp?did=36252&prodName=DF2S6M4SL
DF2S6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 39640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.39 грн
500+4.39 грн
1000+3.87 грн
2000+3.44 грн
5000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4ASL,L3F docget.jsp?did=66266&prodName=DF2B6M4ASL
DF2B6M4ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]