Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13538) > Сторінка 165 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLX9188(GBTPL,F TLX9188(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9188_datasheet_en_20210913.pdf?did=139677&prodName=TLX9188 Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9188(GBTPL,F TLX9188(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9188_datasheet_en_20210913.pdf?did=139677&prodName=TLX9188 Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.30 грн
10+173.37 грн
100+130.31 грн
500+106.37 грн
1000+101.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MQ01ACF032 MQ01ACF032 Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MQ01ACFxxx-Product-Overview.pdf Description: 320GB 2.5" SATA III 5V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 320GB
Type: SATA III
Weight: 3.26 oz (92.89 g)
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5638.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 8575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.97 грн
19+16.39 грн
100+10.32 грн
500+7.21 грн
1000+6.41 грн
2000+5.74 грн
5000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE39,LM(CT TCR2EE39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE39_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE39 Description: IC REG LINEAR 3.9V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.20 грн
20+15.49 грн
25+12.60 грн
100+8.81 грн
250+7.32 грн
500+6.41 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TB9080FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9080FG_datasheet_en_20190701.pdf?did=65818&prodName=TB9080FG Description: AUTOMOTIVE MOTOR PRE-DRIVER
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bipolar
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.09 грн
21+14.37 грн
100+8.96 грн
500+6.23 грн
1000+5.52 грн
2000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930(D4-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930(D4-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L0xxF.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L0xxF.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.62 грн
10+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.08 грн
14+22.22 грн
100+12.57 грн
500+7.81 грн
1000+5.99 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.96 грн
50+121.77 грн
100+100.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.20 грн
16+19.38 грн
100+10.99 грн
500+6.83 грн
1000+5.23 грн
2000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE Description: TVS DIODE ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE Description: TVS DIODE ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 6188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.87 грн
28+10.70 грн
100+6.64 грн
500+4.58 грн
1000+4.05 грн
2000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 7270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.31 грн
20+15.56 грн
100+7.59 грн
500+5.95 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.90 грн
16000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 29219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.54 грн
32+9.35 грн
100+4.29 грн
500+3.62 грн
1000+2.49 грн
2000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
6000+6.37 грн
9000+6.03 грн
15000+5.31 грн
21000+5.11 грн
30000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 40064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.64 грн
16+19.68 грн
100+12.44 грн
500+8.74 грн
1000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.13 грн
10+285.83 грн
100+206.48 грн
500+161.92 грн
1000+161.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS315[U/D] 1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF DIODE SCHOTTKY 5V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.06pF @ 200mV, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Supplier Device Package: USC
Current - Max: 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.97 грн
11+28.88 грн
100+21.58 грн
500+15.91 грн
1000+12.30 грн
2000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.41 грн
10000+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 20353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.28 грн
10+107.00 грн
100+73.05 грн
500+54.91 грн
1000+50.52 грн
2000+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.66 грн
10+77.52 грн
100+51.98 грн
500+38.52 грн
1000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
27+11.22 грн
100+5.45 грн
500+4.27 грн
1000+2.97 грн
2000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.41 грн
12+26.19 грн
25+23.94 грн
100+16.72 грн
250+15.15 грн
500+12.54 грн
1000+9.25 грн
2500+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
34+8.83 грн
100+4.74 грн
500+3.49 грн
1000+2.42 грн
2000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF 7UL1T00FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70731&prodName=7UL1T00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF 7UL1T00FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70731&prodName=7UL1T00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.10 грн
48+6.36 грн
54+5.60 грн
100+4.43 грн
250+4.05 грн
500+3.81 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
TLP598GAF TLP598GAF Toshiba Semiconductor and Storage TLP598GA_datasheet_en_20190624.pdf?did=605&prodName=TLP598GA Description: SSR RELAY SPST-NO 150MA 0-400V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 150 mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 12 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F TLP223GA(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F TLP223GA(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.99 грн
10+116.65 грн
25+103.71 грн
50+92.47 грн
100+87.59 грн
250+77.86 грн
500+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F TLP223J(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Approval Agency: cUL, UL, VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F TLP223J(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Approval Agency: cUL, UL, VDE
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.56 грн
10+100.27 грн
25+95.84 грн
50+86.85 грн
100+83.86 грн
250+80.09 грн
500+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF MSZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF MSZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.64 грн
18+17.06 грн
100+8.31 грн
500+6.51 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.87 грн
6000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
57+5.31 грн
100+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.09 грн
20+15.64 грн
100+7.65 грн
500+5.99 грн
1000+4.16 грн
2000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.42 грн
17+17.73 грн
100+8.64 грн
500+6.77 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F CUHZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.81 грн
6000+6.84 грн
9000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F CUHZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.74 грн
15+20.95 грн
100+13.28 грн
500+9.35 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9188(GBTPL,F TLX9188_datasheet_en_20210913.pdf?did=139677&prodName=TLX9188
TLX9188(GBTPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9188(GBTPL,F TLX9188_datasheet_en_20210913.pdf?did=139677&prodName=TLX9188
TLX9188(GBTPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.30 грн
10+173.37 грн
100+130.31 грн
500+106.37 грн
1000+101.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MQ01ACF032 cHDD-MQ01ACFxxx-Product-Overview.pdf
MQ01ACF032
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 320GB 2.5" SATA III 5V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 320GB
Type: SATA III
Weight: 3.26 oz (92.89 g)
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5638.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5CT,L3F DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5CT,L3F DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 8575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.97 грн
19+16.39 грн
100+10.32 грн
500+7.21 грн
1000+6.41 грн
2000+5.74 грн
5000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE39,LM(CT TCR2EE39_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE39
TCR2EE39,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.9V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.20 грн
20+15.49 грн
25+12.60 грн
100+8.81 грн
250+7.32 грн
500+6.41 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TB9080FG TB9080FG_datasheet_en_20190701.pdf?did=65818&prodName=TB9080FG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE MOTOR PRE-DRIVER
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bipolar
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.09 грн
21+14.37 грн
100+8.96 грн
500+6.23 грн
1000+5.52 грн
2000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(D4-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(D4-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L0xxF.pdf
TA48L018F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L0xxF.pdf
TA48L018F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.62 грн
10+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE
RN1707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE
RN1707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.08 грн
14+22.22 грн
100+12.57 грн
500+7.81 грн
1000+5.99 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X
TK3R3E08QM,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.96 грн
50+121.77 грн
100+100.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.20 грн
16+19.38 грн
100+10.99 грн
500+6.83 грн
1000+5.23 грн
2000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE
DF5A5.6LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE
DF5A5.6LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 6188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.87 грн
28+10.70 грн
100+6.64 грн
500+4.58 грн
1000+4.05 грн
2000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6
MSZ5V6,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6
MSZ5V6,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 7270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.31 грн
20+15.56 грн
100+7.59 грн
500+5.95 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6
CEZ5V6,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.90 грн
16000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ5V6
CEZ5V6,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 29219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.54 грн
32+9.35 грн
100+4.29 грн
500+3.62 грн
1000+2.49 грн
2000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6
CUHZ5V6,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.28 грн
6000+6.37 грн
9000+6.03 грн
15000+5.31 грн
21000+5.11 грн
30000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6
CUHZ5V6,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 40064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.64 грн
16+19.68 грн
100+12.44 грн
500+8.74 грн
1000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z
TK090U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z
TK090U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.13 грн
10+285.83 грн
100+206.48 грн
500+161.92 грн
1000+161.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS315[U/D]
1SS315[U/D]
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE SCHOTTKY 5V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.06pF @ 200mV, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Supplier Device Package: USC
Current - Max: 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.97 грн
11+28.88 грн
100+21.58 грн
500+15.91 грн
1000+12.30 грн
2000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM
TPH2R408QM,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.41 грн
10000+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM
TPH2R408QM,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 20353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.28 грн
10+107.00 грн
100+73.05 грн
500+54.91 грн
1000+50.52 грн
2000+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC
TPH3R704PC,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC
TPH3R704PC,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.66 грн
10+77.52 грн
100+51.98 грн
500+38.52 грн
1000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.09 грн
27+11.22 грн
100+5.45 грн
500+4.27 грн
1000+2.97 грн
2000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B
TCR3UG50B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B
TCR3UG50B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.41 грн
12+26.19 грн
25+23.94 грн
100+16.72 грн
250+15.15 грн
500+12.54 грн
1000+9.25 грн
2500+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.43 грн
34+8.83 грн
100+4.74 грн
500+3.49 грн
1000+2.42 грн
2000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV
RN2132MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV
RN2132MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF docget.jsp?did=70731&prodName=7UL1T00FU
7UL1T00FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF docget.jsp?did=70731&prodName=7UL1T00FU
7UL1T00FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.10 грн
48+6.36 грн
54+5.60 грн
100+4.43 грн
250+4.05 грн
500+3.81 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
TLP598GAF TLP598GA_datasheet_en_20190624.pdf?did=605&prodName=TLP598GA
TLP598GAF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 150MA 0-400V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 150 mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 12 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F
TLP223GA(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F
TLP223GA(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.99 грн
10+116.65 грн
25+103.71 грн
50+92.47 грн
100+87.59 грн
250+77.86 грн
500+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J
TLP223J(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Approval Agency: cUL, UL, VDE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J
TLP223J(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Approval Agency: cUL, UL, VDE
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.56 грн
10+100.27 грн
25+95.84 грн
50+86.85 грн
100+83.86 грн
250+80.09 грн
500+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V
MSZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V
MSZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.64 грн
18+17.06 грн
100+8.31 грн
500+6.51 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ24V
CUZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.87 грн
6000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ24V
CUZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+6.99 грн
57+5.31 грн
100+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V
CEZ24V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V
CEZ24V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.09 грн
20+15.64 грн
100+7.65 грн
500+5.99 грн
1000+4.16 грн
2000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V
MUZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.51 грн
6000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V
MUZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.42 грн
17+17.73 грн
100+8.64 грн
500+6.77 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V
CUHZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.81 грн
6000+6.84 грн
9000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V
CUHZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.74 грн
15+20.95 грн
100+13.28 грн
500+9.35 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]