Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13584) > Сторінка 165 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TCR5AM18,LF TCR5AM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18,LF TCR5AM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP734(D4-C172,F) TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 55V
Supplier Device Package: 6-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.51 грн
12+27.03 грн
100+20.20 грн
500+14.90 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHF SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63678&prodName=SSM6L820R Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHF SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63678&prodName=SSM6L820R Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.57 грн
10+42.15 грн
100+27.43 грн
500+19.80 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N26(SHORT,F) 4N26(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf Description: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 200µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-DIP
Vce Saturation (Max): 500mV
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output / Channel: 100mA
Input Type: DC
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor with Base
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-SMD
Vce Saturation (Max): 500mV
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output / Channel: 100mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor with Base
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6633AFNG,EL TB6633AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29842&prodName=TB6633AFNG Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2261(D4-TP4,E TLP2261(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2261(D4-LF4,E TLP2261(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+67.73 грн
100+45.19 грн
500+33.31 грн
1000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 9227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.20 грн
10+126.14 грн
50+96.29 грн
100+81.34 грн
500+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LXHF(CT RN2116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LXHF(CT RN2116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LF(CT RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2114-18.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LF(CT RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2114-18.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CT RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CT RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
25+12.68 грн
100+6.73 грн
500+4.15 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CT RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CT RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.07 грн
23+13.29 грн
100+7.23 грн
500+4.18 грн
1000+2.85 грн
2000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CT RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CT RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS272TE85LF 1SS272TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS272_datasheet_en_20221020.pdf?did=3285&prodName=1SS272 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-61B
Supplier Device Package: SC-61B
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
на замовлення 31501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.03 грн
25+12.29 грн
100+10.12 грн
500+7.07 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4GRT6-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-Y-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-GRH,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(BL-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4SL,L3F DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36252&prodName=DF2S6M4SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.99 грн
20000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4SL,L3F DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36252&prodName=DF2S6M4SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 39640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
30+10.38 грн
100+6.46 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
2000+3.48 грн
5000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4ASL,L3F DF2B6M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=66266&prodName=DF2B6M4ASL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4ASL,L3F DF2B6M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=66266&prodName=DF2B6M4ASL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 5661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.79 грн
22+13.90 грн
100+8.70 грн
500+6.03 грн
1000+5.35 грн
2000+4.77 грн
5000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ36V,H3F CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V Description: TVS DIODE 36VWM 41.2VC US2H
Voltage - Breakdown (Min): 34V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.2V (Typ)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.64 грн
6000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ36V,H3F CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V Description: TVS DIODE 36VWM 41.2VC US2H
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.2V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 34V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
16+20.23 грн
100+13.65 грн
500+9.61 грн
1000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S111PG,HJ TB67S111PG,HJ Toshiba Semiconductor and Storage TB67S111PG_datasheet_en_20170804.pdf?did=57940&prodName=TB67S111PG Description: IC MOTOR DRIVER 16DIP
Part Status: Active
Motor Type - Stepper: Unipolar
Supplier Device Package: 16-DIP
Voltage - Load: 0V ~ 80V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Interface: Parallel
Current - Output: 1.5A
Function: Driver
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tray
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.04 грн
10+209.06 грн
25+192.30 грн
100+163.16 грн
250+154.92 грн
500+149.95 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF39,LM(CT TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF39 Description: IC REG LINEAR 3.9V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF39,LM(CT TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF39 Description: IC REG LINEAR 3.9V 300MA SMV
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
12+27.11 грн
25+23.70 грн
100+14.39 грн
250+11.91 грн
500+9.53 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.1V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.1V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
14+22.91 грн
25+20.65 грн
100+13.40 грн
250+11.29 грн
500+9.17 грн
1000+6.94 грн
2500+6.24 грн
5000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
14+22.91 грн
25+20.65 грн
100+13.40 грн
250+11.29 грн
500+9.17 грн
1000+6.94 грн
2500+6.24 грн
5000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLS01(T6LSONY,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CMS01_Nov2013.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2418,LXHF RN2418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18883&prodName=RN2418 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
6000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2418,LXHF RN2418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18883&prodName=RN2418 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2416,LXHF RN2416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2416 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2416,LXHF RN2416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2416 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.36 грн
100+8.35 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PB,LXGQ TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30508&prodName=TK1R4F04PB Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PB,LXGQ TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30508&prodName=TK1R4F04PB Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.53 грн
10+159.89 грн
50+123.18 грн
100+104.51 грн
500+85.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ8V2,H3F CUHZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ8V2 Description: TVS DIODE 8.2VWM 8.5VC US2H
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1900W (1.9kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 68A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 450pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ8V2,H3F CUHZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ8V2 Description: TVS DIODE 8.2VWM 8.5VC US2H
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1900W (1.9kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 68A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 450pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.27 грн
14+21.99 грн
100+13.97 грн
500+9.84 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4604,T6F(M 2SC4604,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604_2006-11-10.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4604,T6F(J 2SC4604,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604_2006-11-10.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4604,F(J 2SC4604,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604_2006-11-10.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2350A(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TXRX MOD OPTICAL 10MBPS 650NM
Data Rate: 10Mbps
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 650nm
Connector Type: JIS F07
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM18,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP734(D4-C172,F)
TLP734(D4-C172,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 4000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 55V
Supplier Device Package: 6-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU
SSM6J422TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHF SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU
SSM6J422TU,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.51 грн
12+27.03 грн
100+20.20 грн
500+14.90 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHF docget.jsp?did=63678&prodName=SSM6L820R
SSM6L820R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHF docget.jsp?did=63678&prodName=SSM6L820R
SSM6L820R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.57 грн
10+42.15 грн
100+27.43 грн
500+19.80 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N26(SHORT,F) 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf
4N26(SHORT,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 200µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-DIP
Vce Saturation (Max): 500mV
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output / Channel: 100mA
Input Type: DC
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor with Base
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
4N26(SHORT-LF5,F) 4N25,25A,26,27,28%20Short.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Voltage - Output (Max): 30V
Supplier Device Package: 6-SMD
Vce Saturation (Max): 500mV
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - Output / Channel: 100mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor with Base
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB6633AFNG,EL docget.jsp?did=29842&prodName=TB6633AFNG
TB6633AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-22V 24SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2261(D4-TP4,E docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261
TLP2261(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2261(D4-LF4,E docget.jsp?did=53692&prodName=TLP2261
TLP2261(D4-LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R
SSM6K819R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LXHF docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R
SSM6K819R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.01 грн
10+67.73 грн
100+45.19 грн
500+33.31 грн
1000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH
TPH9R00CQH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R00CQH,LQ docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH
TPH9R00CQH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 9227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.20 грн
10+126.14 грн
50+96.29 грн
100+81.34 грн
500+65.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LXHF(CT docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116
RN2116,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LXHF(CT docget.jsp?did=18859&prodName=RN2116
RN2116,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LF(CT RN2114-18.pdf
RN2116,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2116,LF(CT RN2114-18.pdf
RN2116,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CT docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108
RN1108,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108,LF(CT docget.jsp?did=18750&prodName=RN1108
RN1108,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.86 грн
25+12.68 грн
100+6.73 грн
500+4.15 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV
RN2106MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV
RN2106MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.07 грн
23+13.29 грн
100+7.23 грн
500+4.18 грн
1000+2.85 грн
2000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS272TE85LF 1SS272_datasheet_en_20221020.pdf?did=3285&prodName=1SS272
1SS272TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-61B
Supplier Device Package: SC-61B
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
на замовлення 31501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.03 грн
25+12.29 грн
100+10.12 грн
500+7.07 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4GRT6-TC,F TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4TELS-T6,F TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-Y,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-Y-TP6,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-GRH,E) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(BL-LF6,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781(D4-FUN,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4SL,L3F docget.jsp?did=36252&prodName=DF2S6M4SL
DF2S6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.99 грн
20000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4SL,L3F docget.jsp?did=36252&prodName=DF2S6M4SL
DF2S6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 39640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.44 грн
30+10.38 грн
100+6.46 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
2000+3.48 грн
5000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4ASL,L3F docget.jsp?did=66266&prodName=DF2B6M4ASL
DF2B6M4ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4ASL,L3F docget.jsp?did=66266&prodName=DF2B6M4ASL
DF2B6M4ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 5661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.79 грн
22+13.90 грн
100+8.70 грн
500+6.03 грн
1000+5.35 грн
2000+4.77 грн
5000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ36V,H3F CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V
CUHZ36V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 41.2VC US2H
Voltage - Breakdown (Min): 34V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.2V (Typ)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.64 грн
6000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ36V,H3F CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V
CUHZ36V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 41.2VC US2H
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.2V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 34V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
16+20.23 грн
100+13.65 грн
500+9.61 грн
1000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S111PG,HJ TB67S111PG_datasheet_en_20170804.pdf?did=57940&prodName=TB67S111PG
TB67S111PG,HJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER 16DIP
Part Status: Active
Motor Type - Stepper: Unipolar
Supplier Device Package: 16-DIP
Voltage - Load: 0V ~ 80V
Technology: Power MOSFET
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Interface: Parallel
Current - Output: 1.5A
Function: Driver
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tray
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.04 грн
10+209.06 грн
25+192.30 грн
100+163.16 грн
250+154.92 грн
500+149.95 грн
1000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF39,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF39
TCR3DF39,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.9V 300MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF39,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF39
TCR3DF39,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.9V 300MA SMV
на замовлення 5592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.06 грн
12+27.11 грн
25+23.70 грн
100+14.39 грн
250+11.91 грн
500+9.53 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN11,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.1V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN11,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.1V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.92 грн
14+22.91 грн
25+20.65 грн
100+13.40 грн
250+11.29 грн
500+9.17 грн
1000+6.94 грн
2500+6.24 грн
5000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN115,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN115,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.92 грн
14+22.91 грн
25+20.65 грн
100+13.40 грн
250+11.29 грн
500+9.17 грн
1000+6.94 грн
2500+6.24 грн
5000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLS01(T6LSONY,Q) CMS01_Nov2013.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2418,LXHF docget.jsp?did=18883&prodName=RN2418
RN2418,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.21 грн
6000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2418,LXHF docget.jsp?did=18883&prodName=RN2418
RN2418,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2416,LXHF RN2416_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2416
RN2416,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2416,LXHF RN2416_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2416
RN2416,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.99 грн
23+13.36 грн
100+8.35 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PB,LXGQ TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30508&prodName=TK1R4F04PB
TK1R4F04PB,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+87.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1R4F04PB,LXGQ TK1R4F04PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=30508&prodName=TK1R4F04PB
TK1R4F04PB,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.53 грн
10+159.89 грн
50+123.18 грн
100+104.51 грн
500+85.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ8V2,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ8V2
CUHZ8V2,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 8.2VWM 8.5VC US2H
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1900W (1.9kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 68A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 450pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ8V2,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ8V2
CUHZ8V2,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 8.2VWM 8.5VC US2H
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1900W (1.9kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 68A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 450pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.27 грн
14+21.99 грн
100+13.97 грн
500+9.84 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4604,T6F(M 2SC4604_2006-11-10.pdf
2SC4604,T6F(M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4604,T6F(J 2SC4604_2006-11-10.pdf
2SC4604,T6F(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4604,F(J 2SC4604_2006-11-10.pdf
2SC4604,F(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2350A(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TXRX MOD OPTICAL 10MBPS 650NM
Data Rate: 10Mbps
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 650nm
Connector Type: JIS F07
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]