Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13489) > Сторінка 165 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DF2B5BSL,L3F DF2B5BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63674&prodName=DF2B5BSL Description: TVS DIODE 3.3VWM 14VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 11pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 112W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 19214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.76 грн
48+6.78 грн
100+3.31 грн
500+2.84 грн
1000+2.33 грн
2000+2.26 грн
5000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7PCT,L3F DF2B7PCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69072&prodName=DF2B7PCT Description: TVS DIODE 5.5VWM 22VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7PCT,L3F DF2B7PCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69072&prodName=DF2B7PCT Description: TVS DIODE 5.5VWM 22VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
на замовлення 9036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.28 грн
48+6.70 грн
103+3.13 грн
500+2.61 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5PCT,L3F DF2B5PCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69070&prodName=DF2B5PCT Description: TVS DIODE 3.6VWM 22VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 41pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5PCT,L3F DF2B5PCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69070&prodName=DF2B5PCT Description: TVS DIODE 3.6VWM 22VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 41pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.42 грн
41+7.81 грн
108+2.96 грн
500+2.75 грн
1000+2.71 грн
2000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5M5CT,L3F DF2S5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70609&prodName=DF2S5M5CT Description: TVS DIODE 3.3VWM 15VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5M5CT,L3F DF2S5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70609&prodName=DF2S5M5CT Description: TVS DIODE 3.3VWM 15VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 5062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.05 грн
26+12.36 грн
100+5.44 грн
500+4.78 грн
1000+4.07 грн
2000+3.91 грн
5000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B18FU,H3XHF DF2B18FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29926&prodName=DF2B18FU Description: TVS DIODE 12VWM 33VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B18FU,H3XHF DF2B18FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29926&prodName=DF2B18FU Description: TVS DIODE 12VWM 33VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.70 грн
25+12.92 грн
100+7.08 грн
500+5.83 грн
1000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276SV Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO ADJ TO220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NA,RF TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NA,RF TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 24675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.85 грн
10+71.37 грн
25+64.68 грн
100+53.84 грн
250+50.57 грн
500+48.59 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NL,RF TCKE800NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NL,RF TCKE800NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 5862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.85 грн
10+71.37 грн
25+64.68 грн
100+53.84 грн
250+50.57 грн
500+48.59 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 13.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+56.09 грн
8000+51.31 грн
12000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 13.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 20180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.97 грн
10+116.90 грн
25+99.96 грн
100+75.89 грн
250+67.18 грн
500+61.86 грн
1000+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NA,RF TCKE812NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NA,RF TCKE812NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 33758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.80 грн
10+113.95 грн
25+96.20 грн
100+71.48 грн
250+62.24 грн
500+56.56 грн
1000+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NL,RF TCKE812NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+51.51 грн
8000+47.06 грн
12000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NL,RF TCKE812NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
на замовлення 53515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.55 грн
10+108.68 грн
25+92.75 грн
100+70.24 грн
250+62.05 грн
500+57.05 грн
1000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1F TK62Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62Z60X_datasheet_en_20171206.pdf?did=30416&prodName=TK62Z60X Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1445.78 грн
10+1279.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9188(GBTPL,F TLX9188(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9188_datasheet_en_20210913.pdf?did=139677&prodName=TLX9188 Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9188(GBTPL,F TLX9188(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9188_datasheet_en_20210913.pdf?did=139677&prodName=TLX9188 Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.85 грн
10+184.75 грн
100+138.86 грн
500+113.35 грн
1000+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MQ01ACF032 MQ01ACF032 Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MQ01ACFxxx-Product-Overview.pdf Description: 320GB 2.5" SATA III 5V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 320GB
Type: SATA III
Weight: 3.26 oz (92.89 g)
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6009.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 8575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.81 грн
19+17.46 грн
100+11.00 грн
500+7.68 грн
1000+6.83 грн
2000+6.11 грн
5000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE39,LM(CT TCR2EE39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE39_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE39 Description: IC REG LINEAR 3.9V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
20+16.51 грн
25+13.43 грн
100+9.39 грн
250+7.80 грн
500+6.83 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TB9080FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9080FG_datasheet_en_20190701.pdf?did=65818&prodName=TB9080FG Description: AUTOMOTIVE MOTOR PRE-DRIVER
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bipolar
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.67 грн
21+15.31 грн
100+9.55 грн
500+6.64 грн
1000+5.89 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930(D4-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930(D4-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L0xxF.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L0xxF.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.14 грн
10+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.12 грн
14+23.68 грн
100+13.40 грн
500+8.32 грн
1000+6.38 грн
2000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.27 грн
50+129.77 грн
100+106.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
16+20.65 грн
100+11.71 грн
500+7.28 грн
1000+5.58 грн
2000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE Description: TVS DIODE ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE Description: TVS DIODE ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 6188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.05 грн
28+11.40 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
2000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 7270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
20+16.59 грн
100+8.09 грн
500+6.34 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESC
на замовлення 7853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.05 грн
29+11.32 грн
100+5.19 грн
500+4.37 грн
1000+3.87 грн
2000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.94 грн
6000+6.01 грн
9000+5.39 грн
15000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 20302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
16+20.65 грн
100+12.22 грн
500+8.59 грн
1000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.16 грн
10+304.60 грн
100+220.04 грн
500+172.55 грн
1000+172.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS315[U/D] 1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF DIODE SCHOTTKY 5V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.06pF @ 200mV, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Supplier Device Package: USC
Current - Max: 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.26 грн
11+30.78 грн
100+23.00 грн
500+16.96 грн
1000+13.10 грн
2000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.06 грн
10+106.93 грн
100+73.02 грн
500+54.89 грн
1000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.97 грн
10+82.61 грн
100+55.39 грн
500+41.05 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.22 грн
27+11.96 грн
100+5.81 грн
500+4.55 грн
1000+3.16 грн
2000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.61 грн
12+27.91 грн
25+25.52 грн
100+17.82 грн
250+16.15 грн
500+13.36 грн
1000+9.86 грн
2500+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5BSL,L3F docget.jsp?did=63674&prodName=DF2B5BSL
DF2B5BSL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.3VWM 14VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 11pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 112W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 19214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.76 грн
48+6.78 грн
100+3.31 грн
500+2.84 грн
1000+2.33 грн
2000+2.26 грн
5000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7PCT,L3F docget.jsp?did=69072&prodName=DF2B7PCT
DF2B7PCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 22VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7PCT,L3F docget.jsp?did=69072&prodName=DF2B7PCT
DF2B7PCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 22VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
на замовлення 9036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.28 грн
48+6.70 грн
103+3.13 грн
500+2.61 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5PCT,L3F docget.jsp?did=69070&prodName=DF2B5PCT
DF2B5PCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 22VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 41pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5PCT,L3F docget.jsp?did=69070&prodName=DF2B5PCT
DF2B5PCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 22VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 41pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.42 грн
41+7.81 грн
108+2.96 грн
500+2.75 грн
1000+2.71 грн
2000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5M5CT,L3F docget.jsp?did=70609&prodName=DF2S5M5CT
DF2S5M5CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.3VWM 15VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5M5CT,L3F docget.jsp?did=70609&prodName=DF2S5M5CT
DF2S5M5CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.3VWM 15VC CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 5062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.05 грн
26+12.36 грн
100+5.44 грн
500+4.78 грн
1000+4.07 грн
2000+3.91 грн
5000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B18FU,H3XHF docget.jsp?did=29926&prodName=DF2B18FU
DF2B18FU,H3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 12VWM 33VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B18FU,H3XHF docget.jsp?did=29926&prodName=DF2B18FU
DF2B18FU,H3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 12VWM 33VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.70 грн
25+12.92 грн
100+7.08 грн
500+5.83 грн
1000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276SV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO ADJ TO220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NA,RF docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA
TCKE800NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NA,RF docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA
TCKE800NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 24675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.85 грн
10+71.37 грн
25+64.68 грн
100+53.84 грн
250+50.57 грн
500+48.59 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NL,RF docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NL
TCKE800NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE800NL,RF docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NL
TCKE800NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 5862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.85 грн
10+71.37 грн
25+64.68 грн
100+53.84 грн
250+50.57 грн
500+48.59 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF
TCKE712BNL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 13.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+56.09 грн
8000+51.31 грн
12000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE712BNL,RF
TCKE712BNL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 13.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 20180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.97 грн
10+116.90 грн
25+99.96 грн
100+75.89 грн
250+67.18 грн
500+61.86 грн
1000+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NA,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE812NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NA,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE812NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 33758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.80 грн
10+113.95 грн
25+96.20 грн
100+71.48 грн
250+62.24 грн
500+56.56 грн
1000+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NL,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE812NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+51.51 грн
8000+47.06 грн
12000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE812NL,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE812NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
на замовлення 53515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.55 грн
10+108.68 грн
25+92.75 грн
100+70.24 грн
250+62.05 грн
500+57.05 грн
1000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1F TK62Z60X_datasheet_en_20171206.pdf?did=30416&prodName=TK62Z60X
TK62Z60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1445.78 грн
10+1279.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9188(GBTPL,F TLX9188_datasheet_en_20210913.pdf?did=139677&prodName=TLX9188
TLX9188(GBTPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9188(GBTPL,F TLX9188_datasheet_en_20210913.pdf?did=139677&prodName=TLX9188
TLX9188(GBTPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.85 грн
10+184.75 грн
100+138.86 грн
500+113.35 грн
1000+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MQ01ACF032 cHDD-MQ01ACFxxx-Product-Overview.pdf
MQ01ACF032
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 320GB 2.5" SATA III 5V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 320GB
Type: SATA III
Weight: 3.26 oz (92.89 g)
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6009.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5CT,L3F DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M5CT,L3F DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 8575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.81 грн
19+17.46 грн
100+11.00 грн
500+7.68 грн
1000+6.83 грн
2000+6.11 грн
5000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE39,LM(CT TCR2EE39_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE39
TCR2EE39,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.9V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.98 грн
20+16.51 грн
25+13.43 грн
100+9.39 грн
250+7.80 грн
500+6.83 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TB9080FG TB9080FG_datasheet_en_20190701.pdf?did=65818&prodName=TB9080FG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE MOTOR PRE-DRIVER
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bipolar
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.67 грн
21+15.31 грн
100+9.55 грн
500+6.64 грн
1000+5.89 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(D4-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(D4-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L0xxF.pdf
TA48L018F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48L018F(TE12L,F) TA48L0xxF.pdf
TA48L018F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.14 грн
10+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE
RN1707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE
RN1707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.12 грн
14+23.68 грн
100+13.40 грн
500+8.32 грн
1000+6.38 грн
2000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3E08QM,S1X
TK3R3E08QM,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.27 грн
50+129.77 грн
100+106.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.98 грн
16+20.65 грн
100+11.71 грн
500+7.28 грн
1000+5.58 грн
2000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE
DF5A5.6LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE
DF5A5.6LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 8pF @ 1MHz
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 6188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.05 грн
28+11.40 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
2000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6
MSZ5V6,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ5V6,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6
MSZ5V6,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 7270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
20+16.59 грн
100+8.09 грн
500+6.34 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F
CEZ5V6,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ5V6,L3F
CEZ5V6,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESC
на замовлення 7853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.05 грн
29+11.32 грн
100+5.19 грн
500+4.37 грн
1000+3.87 грн
2000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6
CUHZ5V6,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.94 грн
6000+6.01 грн
9000+5.39 грн
15000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ5V6,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ5V6
CUHZ5V6,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 20302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.64 грн
16+20.65 грн
100+12.22 грн
500+8.59 грн
1000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z
TK090U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z
TK090U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.16 грн
10+304.60 грн
100+220.04 грн
500+172.55 грн
1000+172.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS315[U/D]
1SS315[U/D]
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE SCHOTTKY 5V USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.06pF @ 200mV, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Supplier Device Package: USC
Current - Max: 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.26 грн
11+30.78 грн
100+23.00 грн
500+16.96 грн
1000+13.10 грн
2000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM
TPH2R408QM,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM
TPH2R408QM,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.06 грн
10+106.93 грн
100+73.02 грн
500+54.89 грн
1000+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC
TPH3R704PC,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC
TPH3R704PC,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.97 грн
10+82.61 грн
100+55.39 грн
500+41.05 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.22 грн
27+11.96 грн
100+5.81 грн
500+4.55 грн
1000+3.16 грн
2000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B
TCR3UG50B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B
TCR3UG50B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.61 грн
12+27.91 грн
25+25.52 грн
100+17.82 грн
250+16.15 грн
500+13.36 грн
1000+9.86 грн
2500+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]