Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13020) > Сторінка 168 з 217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 126 147 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
CEZ16V,L3F CEZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ16V Description: TVS DIODE 16VWM 27VC ESC
на замовлення 7803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUZ16V,LF MUZ16V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ16V Description: TVS DIODE 16VWM 27VC USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUZ16V,LF MUZ16V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ16V Description: TVS DIODE 16VWM 27VC USM
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MSZ16V,LF MSZ16V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ16V Description: TVS DIODE 16VWM 27VC SMINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MSZ16V,LF MSZ16V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ16V Description: TVS DIODE 16VWM 27VC SMINI
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.49 грн
15+ 19.15 грн
100+ 10.15 грн
500+ 6.26 грн
1000+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
TK430A60F,S4X(S TK430A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63673&prodName=TK430A60F Description: MOSFET N-CH
товар відсутній
TK4K1A60F,S4X TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61570&prodName=TK4K1A60F Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 300 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.79 грн
10+ 50.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
4N27(SHORT-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
товар відсутній
4N27(SHORT,F) 4N27(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
товар відсутній
RN2307,LF RN2307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN2307,LF RN2307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.53 грн
35+ 7.98 грн
100+ 4.27 грн
500+ 3.15 грн
1000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN2307,LXHF RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
6000+ 4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2307,LXHF RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
17+ 17.06 грн
100+ 8.6 грн
500+ 6.59 грн
1000+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
DF2B5BSL,L3F DF2B5BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5BSL_datasheet_en_20200513.pdf?did=63674&prodName=DF2B5BSL Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 11pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 112W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
DF2B5BSL,L3F DF2B5BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5BSL_datasheet_en_20200513.pdf?did=63674&prodName=DF2B5BSL Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 11pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 112W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.97 грн
32+ 8.81 грн
100+ 4.27 грн
500+ 3.34 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
DF2B7PCT,L3F DF2B7PCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7PCT_datasheet_en_20210322.pdf?did=69072&prodName=DF2B7PCT Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
товар відсутній
DF2B7PCT,L3F DF2B7PCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7PCT_datasheet_en_20210322.pdf?did=69072&prodName=DF2B7PCT Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.77 грн
15+ 19.15 грн
100+ 10.14 грн
500+ 6.26 грн
1000+ 4.26 грн
2000+ 3.84 грн
5000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
DF2B5PCT,L3F DF2B5PCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5PCT_datasheet_en_20200414.pdf?did=69070&prodName=DF2B5PCT Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 41pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
товар відсутній
DF2B5PCT,L3F DF2B5PCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5PCT_datasheet_en_20200414.pdf?did=69070&prodName=DF2B5PCT Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 41pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
на замовлення 6534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.89 грн
21+ 13.39 грн
100+ 6.55 грн
500+ 5.12 грн
1000+ 3.56 грн
2000+ 3.09 грн
5000+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
DF2S5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70609&prodName=DF2S5M5CT Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:3.
товар відсутній
DF2S5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70609&prodName=DF2S5M5CT Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:3.
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.93 грн
16+ 18.24 грн
100+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
DF2B18FU,H3XHF DF2B18FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=29926&prodName=DF2B18FU Description: AUTO AEC-Q BIDIRECTIONAL ESD PRO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DF2B18FU,H3XHF DF2B18FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=29926&prodName=DF2B18FU Description: AUTO AEC-Q BIDIRECTIONAL ESD PRO
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.09 грн
14+ 20.05 грн
100+ 11.35 грн
500+ 7.06 грн
1000+ 5.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
TLE4276SV Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO ADJ TO220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
TCKE800NA,RF TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.35 грн
8000+ 42.05 грн
12000+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCKE800NA,RF TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 39594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.41 грн
10+ 85.74 грн
25+ 80.86 грн
100+ 64.66 грн
250+ 60.71 грн
500+ 53.13 грн
1000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE800NL,RF TCKE800NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.35 грн
8000+ 42.05 грн
12000+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCKE800NL,RF TCKE800NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 43734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.41 грн
10+ 85.74 грн
25+ 80.86 грн
100+ 64.66 грн
250+ 60.71 грн
500+ 53.13 грн
1000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE712BNL,RF TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 13.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.88 грн
8000+ 46.26 грн
12000+ 44.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCKE712BNL,RF TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 13.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 20276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 94.27 грн
25+ 88.96 грн
100+ 71.13 грн
250+ 66.78 грн
500+ 58.44 грн
1000+ 47.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE812NA,RF TCKE812NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.35 грн
8000+ 42.05 грн
12000+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCKE812NA,RF TCKE812NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 40256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.41 грн
10+ 85.74 грн
25+ 80.86 грн
100+ 64.66 грн
250+ 60.71 грн
500+ 53.13 грн
1000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE812NL,RF TCKE812NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.35 грн
8000+ 42.05 грн
12000+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCKE812NL,RF TCKE812NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
на замовлення 38257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.41 грн
10+ 85.74 грн
25+ 80.86 грн
100+ 64.66 грн
250+ 60.71 грн
500+ 53.13 грн
1000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK62Z60X,S1F TK62Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62Z60X_datasheet_en_20171206.pdf?did=30416&prodName=TK62Z60X Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1257.75 грн
10+ 1113.36 грн
TLX9188(GBTPL,F TLX9188(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139677&prodName=TLX9188 Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.79 грн
6000+ 91.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TLX9188(GBTPL,F TLX9188(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139677&prodName=TLX9188 Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.47 грн
10+ 153.51 грн
100+ 125.73 грн
500+ 99.47 грн
1000+ 91.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
MQ01ACF032 MQ01ACF032 Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MQ01ACFxxx-Product-Overview.pdf Description: 320GB 2.5" SATA III 5V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 320GB
Type: SATA III
Weight: 3.26 oz (92.89 g)
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
Part Status: Active
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4889.1 грн
10+ 4266.77 грн
25+ 4119.64 грн
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товар відсутній
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 8854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.7 грн
13+ 21.37 грн
100+ 10.82 грн
500+ 8.28 грн
1000+ 6.14 грн
2000+ 5.17 грн
5000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
TCR2EE39,LM(CT TCR2EE39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE39_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE39 Description: IC REG LINEAR 3.9V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.77 грн
17+ 16.86 грн
25+ 14.76 грн
100+ 8.96 грн
250+ 7.42 грн
500+ 5.94 грн
1000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
TB9080FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9080FG_datasheet_en_20190701.pdf?did=65818&prodName=TB9080FG Description: AUTOMOTIVE MOTOR PRE-DRIVER
товар відсутній
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
17+ 17.06 грн
100+ 8.6 грн
500+ 6.59 грн
1000+ 4.89 грн
2000+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930(D4-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+220.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930(D4-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930 Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.18 грн
10+ 310.98 грн
100+ 256.97 грн
500+ 211.21 грн
TA48L018F(TE12L,F) TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L0xxF.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
товар відсутній
TA48L018F(TE12L,F) TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L0xxF.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.71 грн
10+ 42.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
RN1707JE(TE85L,F) RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.81 грн
14+ 20.6 грн
100+ 11.65 грн
500+ 7.24 грн
1000+ 5.55 грн
2000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK3R3E08QM,S1X TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70293&prodName=TK3R3E08QM Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.48 грн
10+ 137.42 грн
100+ 110.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.2 грн
Мінімальне замовлення: 8000
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
16+ 17.97 грн
100+ 10.19 грн
500+ 6.33 грн
1000+ 4.85 грн
2000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE Description: TVS DIODE ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
DF5A5.6LJE,LM DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE Description: TVS DIODE ESV
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.93 грн
14+ 20.81 грн
100+ 11.02 грн
500+ 6.81 грн
1000+ 4.63 грн
2000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
MSZ5V6,LF MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MSZ5V6,LF MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 7270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.61 грн
20+ 14.43 грн
100+ 7.04 грн
500+ 5.51 грн
1000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
CEZ5V6,L3F CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
CEZ5V6,L3F CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ5V6 Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.17 грн
21+ 13.25 грн
100+ 6.48 грн
500+ 5.07 грн
1000+ 3.53 грн
2000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
CUHZ5V6,H3F CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ6V2 Description: 5.6 V ZENER DIODE, SOD-323HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
товар відсутній
CEZ16V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ16V
CEZ16V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 16VWM 27VC ESC
на замовлення 7803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUZ16V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ16V
MUZ16V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 16VWM 27VC USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUZ16V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ16V
MUZ16V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 16VWM 27VC USM
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MSZ16V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ16V
MSZ16V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 16VWM 27VC SMINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MSZ16V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ16V
MSZ16V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 16VWM 27VC SMINI
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.49 грн
15+ 19.15 грн
100+ 10.15 грн
500+ 6.26 грн
1000+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
TK430A60F,S4X(S docget.jsp?did=63673&prodName=TK430A60F
TK430A60F,S4X(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH
товар відсутній
TK4K1A60F,S4X TK4K1A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61570&prodName=TK4K1A60F
TK4K1A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 300 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.79 грн
10+ 50.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
4N27(SHORT-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
товар відсутній
4N27(SHORT,F)
4N27(SHORT,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 100mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 2µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 80 mA
товар відсутній
RN2307,LF RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2307,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN2307,LF RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2307,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.53 грн
35+ 7.98 грн
100+ 4.27 грн
500+ 3.15 грн
1000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN2307,LXHF RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2307,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.55 грн
6000+ 4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2307,LXHF RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2307,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.21 грн
17+ 17.06 грн
100+ 8.6 грн
500+ 6.59 грн
1000+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
DF2B5BSL,L3F DF2B5BSL_datasheet_en_20200513.pdf?did=63674&prodName=DF2B5BSL
DF2B5BSL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 11pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 112W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
DF2B5BSL,L3F DF2B5BSL_datasheet_en_20200513.pdf?did=63674&prodName=DF2B5BSL
DF2B5BSL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 11pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 112W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.97 грн
32+ 8.81 грн
100+ 4.27 грн
500+ 3.34 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
DF2B7PCT,L3F DF2B7PCT_datasheet_en_20210322.pdf?did=69072&prodName=DF2B7PCT
DF2B7PCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
товар відсутній
DF2B7PCT,L3F DF2B7PCT_datasheet_en_20210322.pdf?did=69072&prodName=DF2B7PCT
DF2B7PCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.77 грн
15+ 19.15 грн
100+ 10.14 грн
500+ 6.26 грн
1000+ 4.26 грн
2000+ 3.84 грн
5000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
DF2B5PCT,L3F DF2B5PCT_datasheet_en_20200414.pdf?did=69070&prodName=DF2B5PCT
DF2B5PCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 41pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
товар відсутній
DF2B5PCT,L3F DF2B5PCT_datasheet_en_20200414.pdf?did=69070&prodName=DF2B5PCT
DF2B5PCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 41pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22V
Power - Peak Pulse: 590W
Power Line Protection: No
на замовлення 6534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.89 грн
21+ 13.39 грн
100+ 6.55 грн
500+ 5.12 грн
1000+ 3.56 грн
2000+ 3.09 грн
5000+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
DF2S5M5CT,L3F DF2S5M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70609&prodName=DF2S5M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:3.
товар відсутній
DF2S5M5CT,L3F DF2S5M5CT_datasheet_en_20210317.pdf?did=70609&prodName=DF2S5M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:3.
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.93 грн
16+ 18.24 грн
100+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
DF2B18FU,H3XHF DF2B18FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=29926&prodName=DF2B18FU
DF2B18FU,H3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q BIDIRECTIONAL ESD PRO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DF2B18FU,H3XHF DF2B18FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=29926&prodName=DF2B18FU
DF2B18FU,H3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q BIDIRECTIONAL ESD PRO
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.09 грн
14+ 20.05 грн
100+ 11.35 грн
500+ 7.06 грн
1000+ 5.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
TLE4276SV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO ADJ TO220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
TCKE800NA,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE800NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+45.35 грн
8000+ 42.05 грн
12000+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCKE800NA,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE800NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 39594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.41 грн
10+ 85.74 грн
25+ 80.86 грн
100+ 64.66 грн
250+ 60.71 грн
500+ 53.13 грн
1000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE800NL,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE800NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+45.35 грн
8000+ 42.05 грн
12000+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCKE800NL,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE800NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 43734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.41 грн
10+ 85.74 грн
25+ 80.86 грн
100+ 64.66 грн
250+ 60.71 грн
500+ 53.13 грн
1000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE712BNL,RF
TCKE712BNL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 13.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+49.88 грн
8000+ 46.26 грн
12000+ 44.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCKE712BNL,RF
TCKE712BNL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 13.2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 20276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.77 грн
10+ 94.27 грн
25+ 88.96 грн
100+ 71.13 грн
250+ 66.78 грн
500+ 58.44 грн
1000+ 47.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE812NA,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE812NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+45.35 грн
8000+ 42.05 грн
12000+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCKE812NA,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE812NA,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 40256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.41 грн
10+ 85.74 грн
25+ 80.86 грн
100+ 64.66 грн
250+ 60.71 грн
500+ 53.13 грн
1000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TCKE812NL,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE812NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+45.35 грн
8000+ 42.05 грн
12000+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCKE812NL,RF TCKE805NL_datasheet_en_20230707.pdf?did=139443&prodName=TCKE805NL
TCKE812NL,RF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 4.4V ~ 18V
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: 10-WSONB (3x3)
на замовлення 38257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.41 грн
10+ 85.74 грн
25+ 80.86 грн
100+ 64.66 грн
250+ 60.71 грн
500+ 53.13 грн
1000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK62Z60X,S1F TK62Z60X_datasheet_en_20171206.pdf?did=30416&prodName=TK62Z60X
TK62Z60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1257.75 грн
10+ 1113.36 грн
TLX9188(GBTPL,F docget.jsp?did=139677&prodName=TLX9188
TLX9188(GBTPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+96.79 грн
6000+ 91.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TLX9188(GBTPL,F docget.jsp?did=139677&prodName=TLX9188
TLX9188(GBTPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; HIGH VCEO; AECQ; ROH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 200V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 9032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.47 грн
10+ 153.51 грн
100+ 125.73 грн
500+ 99.47 грн
1000+ 91.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
MQ01ACF032 cHDD-MQ01ACFxxx-Product-Overview.pdf
MQ01ACF032
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 320GB 2.5" SATA III 5V 7.2K RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 320GB
Type: SATA III
Weight: 3.26 oz (92.89 g)
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
Part Status: Active
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4889.1 грн
10+ 4266.77 грн
25+ 4119.64 грн
DF2B6M5CT,L3F DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
товар відсутній
DF2B6M5CT,L3F DF2B6M5CT_datasheet_en_20200807.pdf?did=70074&prodName=DF2B6M5CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:+/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 37W
Power Line Protection: No
на замовлення 8854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.7 грн
13+ 21.37 грн
100+ 10.82 грн
500+ 8.28 грн
1000+ 6.14 грн
2000+ 5.17 грн
5000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
TCR2EE39,LM(CT TCR2EE39_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE39
TCR2EE39,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.9V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.77 грн
17+ 16.86 грн
25+ 14.76 грн
100+ 8.96 грн
250+ 7.42 грн
500+ 5.94 грн
1000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
TB9080FG TB9080FG_datasheet_en_20190701.pdf?did=65818&prodName=TB9080FG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE MOTOR PRE-DRIVER
товар відсутній
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.21 грн
17+ 17.06 грн
100+ 8.6 грн
500+ 6.59 грн
1000+ 4.89 грн
2000+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(D4-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+220.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
TLP7930(D4-TP1,F TLP7930_datasheet_en_20160509.pdf?did=35831&prodName=TLP7930
TLP7930(D4-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC ISOLATED MODULE 16BIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+445.18 грн
10+ 310.98 грн
100+ 256.97 грн
500+ 211.21 грн
TA48L018F(TE12L,F) TA48L0xxF.pdf
TA48L018F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
товар відсутній
TA48L018F(TE12L,F) TA48L0xxF.pdf
TA48L018F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA PW-MINI
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.71 грн
10+ 42.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
RN1707JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE
RN1707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
RN1707JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1707JE
RN1707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.81 грн
14+ 20.6 грн
100+ 11.65 грн
500+ 7.24 грн
1000+ 5.55 грн
2000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK3R3E08QM,S1X docget.jsp?did=70293&prodName=TK3R3E08QM
TK3R3E08QM,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.48 грн
10+ 137.42 грн
100+ 110.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+4.2 грн
Мінімальне замовлення: 8000
SSM6N16FE,L3F SSM6N16FE_datasheet_en_20170711.pdf?did=19750&prodName=SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.21 грн
16+ 17.97 грн
100+ 10.19 грн
500+ 6.33 грн
1000+ 4.85 грн
2000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
DF5A5.6LJE,LM docget.jsp?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE
DF5A5.6LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
DF5A5.6LJE,LM docget.jsp?did=22263&prodName=DF5A5.6LJE
DF5A5.6LJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE ESV
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.93 грн
14+ 20.81 грн
100+ 11.02 грн
500+ 6.81 грн
1000+ 4.63 грн
2000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
MSZ5V6,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6
MSZ5V6,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MSZ5V6,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ5V6
MSZ5V6,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 7270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.61 грн
20+ 14.43 грн
100+ 7.04 грн
500+ 5.51 грн
1000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
CEZ5V6,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ5V6
CEZ5V6,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товар відсутній
CEZ5V6,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ5V6
CEZ5V6,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.6VWM 9VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 155W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.17 грн
21+ 13.25 грн
100+ 6.48 грн
500+ 5.07 грн
1000+ 3.53 грн
2000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
CUHZ5V6,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ6V2
CUHZ5V6,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 5.6 V ZENER DIODE, SOD-323HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ)
Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW)
Power Line Protection: No
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 126 147 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]