Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 172 з 226

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 198 220 226  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLP781F(D4GR-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(LF7,F) TLP781F(LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW140N120C,S1F TW140N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=143253&prodName=TW140N120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.00 грн
30+228.44 грн
120+189.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2626.94 грн
30+1674.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADA400E Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADA600E MG08ADA600E Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf Description: HDD 6TB 3.5" SATA III 5V-12V
Memory Size: 6TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18999.19 грн
20+15656.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADA400N MG08ADA400N Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V-12V
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 4TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15667.86 грн
20+12912.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(GB-TPR,SE TLP185(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.30 грн
6000+11.19 грн
9000+10.86 грн
15000+9.83 грн
21000+9.62 грн
30000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(GB-TPR,SE TLP185(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 30324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(YH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785 Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(D4B-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785 Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785F(BL-LF7,F TLP785F(BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785F Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Supplier Device Package: 8-SMD
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Supplier Device Package: 8-DIP
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Supplier Device Package: 8-DIP
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Supplier Device Package: 8-SMD
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(MBD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955_Rev2.0_2-17-16.pdf Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Supplier Device Package: 8-DIP
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Supplier Device Package: 8-SMD
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG14A,LF TCR5RG14A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A_datasheet_en_20230608.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.4V
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG14A,LF TCR5RG14A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A_datasheet_en_20230608.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.4V
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.97 грн
11+29.55 грн
25+26.98 грн
100+18.85 грн
250+17.08 грн
500+14.14 грн
1000+10.43 грн
2500+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADA800E MG08ADA800E Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf Description: HDD 8TB 3.5" SATA III 5V-12V
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 8TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18469.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F TW015N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N65C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143225&prodName=TW015N65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4329.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQ TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55559&prodName=TPH9R506PL Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.73 грн
6000+19.35 грн
9000+18.54 грн
15000+16.56 грн
21000+16.06 грн
30000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQ TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55559&prodName=TPH9R506PL Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 36861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+51.94 грн
100+34.16 грн
500+24.88 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG18A,LF TCR5RG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70203&prodName=TCR5RG18A Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 4-WCSPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.28 грн
10000+7.76 грн
15000+7.66 грн
25000+7.08 грн
35000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG18A,LF TCR5RG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70203&prodName=TCR5RG18A Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 4-WCSPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 49547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.35 грн
23+13.52 грн
25+12.00 грн
100+9.68 грн
250+8.93 грн
500+8.48 грн
1000+7.98 грн
2500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM28A,LF(SE TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A Description: LDO REG 2.8V 300MA 4DFNC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 12 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 68dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM28A,LF(SE TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A Description: LDO REG 2.8V 300MA 4DFNC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 12 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 68dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
11+27.83 грн
25+25.46 грн
100+17.77 грн
250+16.11 грн
500+13.33 грн
1000+9.83 грн
2500+9.01 грн
5000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN18,LF(SE TCR2LN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN18,LF(SE TCR2LN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
15+20.22 грн
25+18.27 грн
100+11.86 грн
250+9.99 грн
500+8.11 грн
1000+6.14 грн
2500+5.53 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN18,LF(SE TCR2EN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA 4-SDFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN18,LF(SE TCR2EN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA 4-SDFN
на замовлення 7696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
36+8.51 грн
40+7.46 грн
100+5.97 грн
250+5.47 грн
500+5.16 грн
1000+4.84 грн
2500+4.58 грн
5000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN18,LSF(SE TCR2LN18,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.8V I=200MA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN18,LSF(SE TCR2LN18,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.8V I=200MA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
14+22.39 грн
25+20.18 грн
100+13.10 грн
250+11.03 грн
500+8.96 грн
1000+6.78 грн
2500+6.10 грн
5000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM18A,LF(SE TCR3UM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM18A,LF(SE TCR3UM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.20 грн
11+27.16 грн
25+24.48 грн
100+15.88 грн
250+13.37 грн
500+10.86 грн
1000+8.22 грн
2500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1906&prodName=SSM6J212FE Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1906&prodName=SSM6J212FE Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ20V,H3F CUZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ20V Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ20V,H3F CUZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ20V Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
27+11.12 грн
100+6.95 грн
500+4.80 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ20V,LF MUZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USM
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ20V,LF MUZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USM
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
19+16.34 грн
100+7.96 грн
500+6.23 грн
1000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ20V,LF MSZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC SMINI
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ20V,LF MSZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC SMINI
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
19+15.74 грн
100+7.66 грн
500+5.99 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ20V,L3F CEZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ20V Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC ESC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ20V,L3F CEZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ20V Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC ESC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
44+6.79 грн
100+3.24 грн
500+2.91 грн
1000+2.78 грн
2000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ20V,H3F CUHZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ20V Description: TVS DIODE 20VWM 20.6VC US2H
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.6V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 180pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.67 грн
6000+5.09 грн
9000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ20V,H3F CUHZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ20V Description: TVS DIODE 20VWM 20.6VC US2H
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.6V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 180pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
18+16.72 грн
100+12.29 грн
500+8.66 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LXHF(CT RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1104 Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LXHF(CT RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1104 Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
16+19.03 грн
100+10.81 грн
500+6.71 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3XHF(CT RN1105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3XHF(CT RN1105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
14+21.34 грн
100+11.33 грн
500+6.99 грн
1000+4.76 грн
2000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103MFV,L3F(CT RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1103MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103MFV,L3F(CT RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1103MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
24+12.54 грн
100+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3F RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5880&prodName=RN1108MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.28 грн
16000+1.91 грн
24000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3F RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5880&prodName=RN1108MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 31576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
24+12.54 грн
100+6.82 грн
500+3.94 грн
1000+2.69 грн
2000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3E08QM,S1X TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Description: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.61 грн
50+80.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4GR-LF7,F TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Obsolete
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(LF7,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW140N120C,S1F docget.jsp?did=143253&prodName=TW140N120C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 691 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW107N65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+420.00 грн
30+228.44 грн
120+189.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2626.94 грн
30+1674.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADA400E ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADA600E ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 6TB 3.5" SATA III 5V-12V
Memory Size: 6TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18999.19 грн
20+15656.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADA400N ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V-12V
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 4TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15667.86 грн
20+12912.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(GB-TPR,SE TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.30 грн
6000+11.19 грн
9000+10.86 грн
15000+9.83 грн
21000+9.62 грн
30000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(GB-TPR,SE TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 30324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.88 грн
100+17.16 грн
500+13.26 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4-TELS,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(YH-LF7,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(D4-BL,F docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(D4B-T6,F docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785F(BL-LF7,F TLP785F_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955F(TP4,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Supplier Device Package: 8-SMD
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955F(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Supplier Device Package: 8-DIP
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(D4,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Supplier Device Package: 8-DIP
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(D4-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Supplier Device Package: 8-SMD
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(MBD,F) TLP2955_Rev2.0_2-17-16.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Supplier Device Package: 8-DIP
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2955(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Last Time Buy
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Supplier Device Package: 8-SMD
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG14A,LF TCR5RG09A_datasheet_en_20230608.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.4V
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG14A,LF TCR5RG09A_datasheet_en_20230608.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.4V
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.97 грн
11+29.55 грн
25+26.98 грн
100+18.85 грн
250+17.08 грн
500+14.14 грн
1000+10.43 грн
2500+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG08ADA800E ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 8TB 3.5" SATA III 5V-12V
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 8TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18469.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F TW015N65C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143225&prodName=TW015N65C
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4329.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQ docget.jsp?did=55559&prodName=TPH9R506PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.73 грн
6000+19.35 грн
9000+18.54 грн
15000+16.56 грн
21000+16.06 грн
30000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH9R506PL,LQ docget.jsp?did=55559&prodName=TPH9R506PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 36861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.01 грн
10+51.94 грн
100+34.16 грн
500+24.88 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG18A,LF docget.jsp?did=70203&prodName=TCR5RG18A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 4-WCSPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+8.28 грн
10000+7.76 грн
15000+7.66 грн
25000+7.08 грн
35000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5RG18A,LF docget.jsp?did=70203&prodName=TCR5RG18A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 500MA 4-WCSPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 49547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.35 грн
23+13.52 грн
25+12.00 грн
100+9.68 грн
250+8.93 грн
500+8.48 грн
1000+7.98 грн
2500+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM28A,LF(SE TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG 2.8V 300MA 4DFNC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 12 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 68dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM28A,LF(SE TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG 2.8V 300MA 4DFNC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 12 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 68dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
11+27.83 грн
25+25.46 грн
100+17.77 грн
250+16.11 грн
500+13.33 грн
1000+9.83 грн
2500+9.01 грн
5000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN18,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN18,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.90 грн
15+20.22 грн
25+18.27 грн
100+11.86 грн
250+9.99 грн
500+8.11 грн
1000+6.14 грн
2500+5.53 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN18,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA 4-SDFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN18,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA 4-SDFN
на замовлення 7696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
36+8.51 грн
40+7.46 грн
100+5.97 грн
250+5.47 грн
500+5.16 грн
1000+4.84 грн
2500+4.58 грн
5000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN18,LSF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.8V I=200MA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN18,LSF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.8V I=200MA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.22 грн
14+22.39 грн
25+20.18 грн
100+13.10 грн
250+11.03 грн
500+8.96 грн
1000+6.78 грн
2500+6.10 грн
5000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM18A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UM18A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.20 грн
11+27.16 грн
25+24.48 грн
100+15.88 грн
250+13.37 грн
500+10.86 грн
1000+8.22 грн
2500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF docget.jsp?did=1906&prodName=SSM6J212FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF docget.jsp?did=1906&prodName=SSM6J212FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ20V,H3F docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ20V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ20V,H3F docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ20V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
27+11.12 грн
100+6.95 грн
500+4.80 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ20V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USM
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ20V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USM
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
19+16.34 грн
100+7.96 грн
500+6.23 грн
1000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ20V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC SMINI
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ20V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC SMINI
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: S-Mini
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
19+15.74 грн
100+7.66 грн
500+5.99 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ20V,L3F docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ20V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC ESC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ20V,L3F docget.jsp?did=155995&prodName=CEZ20V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC ESC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 200W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.85 грн
44+6.79 грн
100+3.24 грн
500+2.91 грн
1000+2.78 грн
2000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ20V,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ20V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 20.6VC US2H
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.6V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 180pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.67 грн
6000+5.09 грн
9000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ20V,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ20V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 20.6VC US2H
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.6V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: US2H
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 180pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
18+16.72 грн
100+12.29 грн
500+8.66 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1104
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1104
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
16+19.03 грн
100+10.81 грн
500+6.71 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
14+21.34 грн
100+11.33 грн
500+6.99 грн
1000+4.76 грн
2000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1103MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1103MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
24+12.54 грн
100+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3F docget.jsp?did=5880&prodName=RN1108MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.28 грн
16000+1.91 грн
24000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108MFV,L3F docget.jsp?did=5880&prodName=RN1108MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 31576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
24+12.54 грн
100+6.82 грн
500+3.94 грн
1000+2.69 грн
2000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3E08QM,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.61 грн
50+80.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 198 220 226  Наступна Сторінка >> ]