Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13433) > Сторінка 167 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.82 грн
10+292.74 грн
100+211.47 грн
500+165.83 грн
1000+165.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS315[U/D] 1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2666&prodName=1SS315 Description: RF DIODE SCHOTTKY 5V USC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
11+29.58 грн
100+22.10 грн
500+16.30 грн
1000+12.59 грн
2000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 15145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.08 грн
10+108.82 грн
100+74.27 грн
500+56.33 грн
1000+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.72 грн
10+79.39 грн
100+53.24 грн
500+39.45 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.51 грн
27+11.50 грн
100+5.59 грн
500+4.37 грн
1000+3.04 грн
2000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
12+26.82 грн
25+24.52 грн
100+17.12 грн
250+15.52 грн
500+12.84 грн
1000+9.47 грн
2500+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.73 грн
34+9.04 грн
100+4.85 грн
500+3.57 грн
1000+2.48 грн
2000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF 7UL1T00FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: LOGIC, 2-INPUT/NAND WITH LEVEL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF 7UL1T00FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: LOGIC, 2-INPUT/NAND WITH LEVEL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
14+23.37 грн
25+20.45 грн
100+12.41 грн
250+10.28 грн
500+8.22 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP598GAF TLP598GAF Toshiba Semiconductor and Storage TLP598GA_datasheet_en_20190624.pdf?did=605&prodName=TLP598GA Description: SSR RELAY SPST-NO 150MA 0-400V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 150 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 12 Ohms
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F TLP223GA(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F TLP223GA(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.10 грн
10+119.47 грн
25+106.21 грн
50+94.70 грн
100+89.71 грн
250+79.74 грн
500+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F TLP223J(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F TLP223J(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.37 грн
10+102.69 грн
25+98.15 грн
50+88.95 грн
100+85.89 грн
250+82.03 грн
500+77.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF MSZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF MSZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
18+17.47 грн
100+8.51 грн
500+6.66 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
6000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.35 грн
44+6.97 грн
100+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.67 грн
20+16.02 грн
100+7.83 грн
500+6.13 грн
1000+4.26 грн
2000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
6000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
17+18.16 грн
100+8.85 грн
500+6.93 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F CUHZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F CUHZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
16+19.16 грн
100+13.66 грн
500+9.62 грн
1000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8109(TE12L1,V TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GB,E TLP293(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293_datasheet_en_20191129.pdf?did=14419&prodName=TLP293 Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-MFSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.99 грн
12+25.90 грн
175+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LSF(SE TCR2LN30,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LSF(SE TCR2LN30,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
16+19.92 грн
25+16.31 грн
100+11.46 грн
250+9.57 грн
500+8.40 грн
1000+7.31 грн
2500+6.27 грн
5000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN30,LF(SE TCR2EN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN30,LF(SE TCR2EN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 19866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
16+19.92 грн
25+16.31 грн
100+11.46 грн
250+9.57 грн
500+8.40 грн
1000+7.31 грн
2500+6.27 грн
5000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LF(SE TCR2LN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LF(SE TCR2LN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
16+19.92 грн
25+16.31 грн
100+11.46 грн
250+9.57 грн
500+8.40 грн
1000+7.31 грн
2500+6.27 грн
5000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
14+22.15 грн
100+14.07 грн
500+9.93 грн
1000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TB62216FTG,C8,EL TB62216FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13004&prodName=TB62216FTG Description: IC MOTOR DRVR 4.75V-5.25V 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+89.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TB62216FTG,C8,EL TB62216FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13004&prodName=TB62216FTG Description: IC MOTOR DRVR 4.75V-5.25V 48QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.20 грн
10+164.46 грн
25+155.17 грн
100+124.08 грн
250+116.51 грн
500+101.94 грн
1000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S128FTG(O,EL) TB67S128FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG_datasheet_en_20210907.pdf?did=61073&prodName=TB67S128FTG Description: IC MTR DRVR BIPOLAR 0-5.5V 64QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 0V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 6.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 64-VQFN (9x9)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S128FTG(O,EL) TB67S128FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG_datasheet_en_20210907.pdf?did=61073&prodName=TB67S128FTG Description: IC MTR DRVR BIPOLAR 0-5.5V 64QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 0V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 6.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 64-VQFN (9x9)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.46 грн
10+436.58 грн
25+381.45 грн
100+299.35 грн
250+270.50 грн
500+264.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8128,L1Q TPCA8128,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4BSL,L3F DF2B6M4BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4BSL_datasheet_en_20211202.pdf?did=140645&prodName=DF2B6M4BSL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.12pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4BSL,L3F DF2B6M4BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4BSL_datasheet_en_20211202.pdf?did=140645&prodName=DF2B6M4BSL Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.12pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
33+9.50 грн
100+4.84 грн
500+4.27 грн
1000+3.99 грн
2000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ05FU,LJ(CT TC7SZ05FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54754&prodName=TC7SZ05FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Features: Open Drain
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: -, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
24+12.80 грн
30+10.39 грн
100+7.22 грн
250+5.98 грн
500+5.22 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM135,LF(SE TCR3DM135,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.52V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM135,LF(SE TCR3DM135,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.52V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 19975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.12 грн
30+10.27 грн
35+9.01 грн
100+7.22 грн
250+6.63 грн
500+6.28 грн
1000+5.88 грн
2500+5.58 грн
5000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W5,S1VQ TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14278&prodName=TK16J60W5 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.82 грн
10+358.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VE TK16J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13522&prodName=TK16J60W Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB9101FNG,EL TB9101FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15508&prodName=TB9101FNG Description: 2 CHANNEL H-BRIDGE DRIVER FOR DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB9101FNG,EL TB9101FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15508&prodName=TB9101FNG Description: 2 CHANNEL H-BRIDGE DRIVER FOR DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM33,LF TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 3.3V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM33,LF TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 3.3V 500MA 5DFNB
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
11+29.43 грн
25+26.98 грн
100+18.83 грн
250+17.06 грн
500+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z
TK090U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK090U65Z,RQ docget.jsp?did=69970&prodName=TK090U65Z
TK090U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.82 грн
10+292.74 грн
100+211.47 грн
500+165.83 грн
1000+165.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SS315[U/D] docget.jsp?did=2666&prodName=1SS315
1SS315[U/D]
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE SCHOTTKY 5V USC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
11+29.58 грн
100+22.10 грн
500+16.30 грн
1000+12.59 грн
2000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM
TPH2R408QM,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM
TPH2R408QM,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 15145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.08 грн
10+108.82 грн
100+74.27 грн
500+56.33 грн
1000+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC
TPH3R704PC,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PC,LQ TPH3R704PC_datasheet_en_20161019.pdf?did=55431&prodName=TPH3R704PC
TPH3R704PC,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.72 грн
10+79.39 грн
100+53.24 грн
500+39.45 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
27+11.50 грн
100+5.59 грн
500+4.37 грн
1000+3.04 грн
2000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B
TCR3UG50B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UG50B,LF TCR3UG50B_datasheet_en_20220111.pdf?did=59176&prodName=TCR3UG50B
TCR3UG50B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 4WCSP-F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP-F (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.195V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Thermal Shutdown
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
12+26.82 грн
25+24.52 грн
100+17.12 грн
250+15.52 грн
500+12.84 грн
1000+9.47 грн
2500+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.73 грн
34+9.04 грн
100+4.85 грн
500+3.57 грн
1000+2.48 грн
2000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV
RN2132MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2132MFV,L3F docget.jsp?did=1075&prodName=RN2132MFV
RN2132MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF
7UL1T00FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LOGIC, 2-INPUT/NAND WITH LEVEL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1T00FU,LF
7UL1T00FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LOGIC, 2-INPUT/NAND WITH LEVEL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: USV
Input Logic Level - High: 0.1V ~ 0.4V
Input Logic Level - Low: 2V ~ 2.48V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.3ns @ 3.3V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
14+23.37 грн
25+20.45 грн
100+12.41 грн
250+10.28 грн
500+8.22 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP598GAF TLP598GA_datasheet_en_20190624.pdf?did=605&prodName=TLP598GA
TLP598GAF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 150MA 0-400V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 150 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 12 Ohms
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F
TLP223GA(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223GA(D4TP1,F
TLP223GA(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-400V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 120 mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 400 V
On-State Resistance (Max): 35 Ohms
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.10 грн
10+119.47 грн
25+106.21 грн
50+94.70 грн
100+89.71 грн
250+79.74 грн
500+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J
TLP223J(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(D4TP1,F docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J
TLP223J(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 90MA 0-600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 90 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
10+102.69 грн
25+98.15 грн
50+88.95 грн
100+85.89 грн
250+82.03 грн
500+77.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V
MSZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ24V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ24V
MSZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
18+17.47 грн
100+8.51 грн
500+6.66 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F
CUZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.19 грн
6000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ24V,H3F
CUZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.35 грн
44+6.97 грн
100+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V
CEZ24V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
CEZ24V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ24V
CEZ24V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: ESC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
20+16.02 грн
100+7.83 грн
500+6.13 грн
1000+4.26 грн
2000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V
MUZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.62 грн
6000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUZ24V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ24V
MUZ24V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 36.5VC USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 26pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 36.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
17+18.16 грн
100+8.85 грн
500+6.93 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V
CUHZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHZ24V,H3F docget.jsp?did=70664&prodName=CUHZ24V
CUHZ24V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
16+19.16 грн
100+13.66 грн
500+9.62 грн
1000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8109(TE12L1,V
TPCA8109(TE12L1,V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293(GB,E TLP293_datasheet_en_20191129.pdf?did=14419&prodName=TLP293
TLP293(GB,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-MFSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (4 Leads), Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.99 грн
12+25.90 грн
175+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LSF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN30,LSF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LSF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN30,LSF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
16+19.92 грн
25+16.31 грн
100+11.46 грн
250+9.57 грн
500+8.40 грн
1000+7.31 грн
2500+6.27 грн
5000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN30,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN30,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EN30,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN30,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.18V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 19866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
16+19.92 грн
25+16.31 грн
100+11.46 грн
250+9.57 грн
500+8.40 грн
1000+7.31 грн
2500+6.27 грн
5000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN30,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN30,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN30,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA 4-SDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
16+19.92 грн
25+16.31 грн
100+11.46 грн
250+9.57 грн
500+8.40 грн
1000+7.31 грн
2500+6.27 грн
5000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K376R,LXHF docget.jsp?did=60463&prodName=SSM3K376R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
14+22.15 грн
100+14.07 грн
500+9.93 грн
1000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TB62216FTG,C8,EL docget.jsp?did=13004&prodName=TB62216FTG
TB62216FTG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRVR 4.75V-5.25V 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+89.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TB62216FTG,C8,EL docget.jsp?did=13004&prodName=TB62216FTG
TB62216FTG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRVR 4.75V-5.25V 48QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.20 грн
10+164.46 грн
25+155.17 грн
100+124.08 грн
250+116.51 грн
500+101.94 грн
1000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S128FTG(O,EL) TB67S128FTG_datasheet_en_20210907.pdf?did=61073&prodName=TB67S128FTG
TB67S128FTG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTR DRVR BIPOLAR 0-5.5V 64QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 0V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 6.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 64-VQFN (9x9)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S128FTG(O,EL) TB67S128FTG_datasheet_en_20210907.pdf?did=61073&prodName=TB67S128FTG
TB67S128FTG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTR DRVR BIPOLAR 0-5.5V 64QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 0V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 6.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 64-VQFN (9x9)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+672.46 грн
10+436.58 грн
25+381.45 грн
100+299.35 грн
250+270.50 грн
500+264.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8128,L1Q
TPCA8128,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4BSL,L3F DF2B6M4BSL_datasheet_en_20211202.pdf?did=140645&prodName=DF2B6M4BSL
DF2B6M4BSL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.12pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4BSL,L3F DF2B6M4BSL_datasheet_en_20211202.pdf?did=140645&prodName=DF2B6M4BSL
DF2B6M4BSL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.12pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
33+9.50 грн
100+4.84 грн
500+4.27 грн
1000+3.99 грн
2000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ05FU,LJ(CT docget.jsp?did=54754&prodName=TC7SZ05FU
TC7SZ05FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Features: Open Drain
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: -, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
24+12.80 грн
30+10.39 грн
100+7.22 грн
250+5.98 грн
500+5.22 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM135,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
TCR3DM135,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.52V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM135,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
TCR3DM135,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.52V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 19975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.12 грн
30+10.27 грн
35+9.01 грн
100+7.22 грн
250+6.63 грн
500+6.28 грн
1000+5.88 грн
2500+5.58 грн
5000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W5,S1VQ TK16J60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14278&prodName=TK16J60W5
TK16J60W5,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.82 грн
10+358.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VE docget.jsp?did=13522&prodName=TK16J60W
TK16J60W,S1VE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB9101FNG,EL docget.jsp?did=15508&prodName=TB9101FNG
TB9101FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 2 CHANNEL H-BRIDGE DRIVER FOR DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB9101FNG,EL docget.jsp?did=15508&prodName=TB9101FNG
TB9101FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 2 CHANNEL H-BRIDGE DRIVER FOR DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM33,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM33,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM33,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM33,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 500MA 5DFNB
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
11+29.43 грн
25+26.98 грн
100+18.83 грн
250+17.06 грн
500+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]