Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13451) > Сторінка 186 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN4981,LXHF(CT RN4981,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981_datasheet_en_20210824.pdf?did=18972&prodName=RN4981 Description: AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, Q1BSR=
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.49 грн
6000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981,LXHF(CT RN4981,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981_datasheet_en_20210824.pdf?did=18972&prodName=RN4981 Description: AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, Q1BSR=
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
13+25.00 грн
100+14.17 грн
500+8.80 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN4905,LXHF(CT RN4905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905_datasheet_en_20210824.pdf?did=18956&prodName=RN4905 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4905,LXHF(CT RN4905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905_datasheet_en_20210824.pdf?did=18956&prodName=RN4905 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LXHF(CT RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LXHF(CT RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
15+21.48 грн
100+13.37 грн
500+8.58 грн
1000+6.60 грн
2000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LXHF(CT RN1905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901_datasheet_en_20210824.pdf?did=18823&prodName=RN1901 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LXHF(CT RN1905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901_datasheet_en_20210824.pdf?did=18823&prodName=RN1901 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.99 грн
15+20.87 грн
100+14.22 грн
500+10.01 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2905,LXHF(CT RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2905,LXHF(CT RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.05 грн
26+12.08 грн
100+8.11 грн
500+5.85 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WHU04FK,LJ(CT TC7WHU04FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WHU04FK_datasheet_en_20170517.pdf?did=54642&prodName=TC7WHU04FK Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V
Input Logic Level - Low: 0.3V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
6000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WHU04FK,LJ(CT TC7WHU04FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WHU04FK_datasheet_en_20170517.pdf?did=54642&prodName=TC7WHU04FK Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V
Input Logic Level - Low: 0.3V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 7959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.70 грн
38+8.18 грн
43+7.22 грн
100+5.75 грн
250+5.26 грн
500+4.97 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN2401,LXHF RN2401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2401,LXHF RN2401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2403,LXHF RN2403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2403,LXHF RN2403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.02 грн
23+13.38 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LXHF RN1416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
9000+3.88 грн
15000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LXHF RN1416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.02 грн
23+13.38 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LXHF RN2407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LXHF RN2407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.02 грн
23+13.38 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2417,LXHF RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2417 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2417,LXHF RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2417 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
74HC240D 74HC240D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D description Description: IC BUFFER INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
74HC240D 74HC240D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D description Description: IC BUFFER INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.63 грн
10+32.41 грн
25+29.05 грн
100+23.86 грн
250+22.23 грн
500+21.25 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.88 грн
32+9.56 грн
100+5.92 грн
500+4.07 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(GR-TPR,SE TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.17 грн
6000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(GR-TPR,SE TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
14+21.94 грн
100+15.66 грн
500+12.07 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715_9-25-19.pdf Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F_6-3-19.pdf Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F_6-3-19.pdf Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715(D4-MBS-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP715_9-25-19.pdf Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715_9-25-19.pdf Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F_6-3-19.pdf Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715_9-25-19.pdf Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F_6-3-19.pdf Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4,E TLP2710(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710_datasheet_en_20180309.pdf?did=29698&prodName=TLP2710 Description: HI SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUPLE
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.43 грн
10+76.60 грн
100+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710_datasheet_en_20180309.pdf?did=29698&prodName=TLP2710 Description: HI SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUPLE
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.43 грн
10+76.60 грн
100+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710_datasheet_en_20180309.pdf?did=29698&prodName=TLP2710 Description: HI SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUPLE
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.43 грн
10+76.60 грн
100+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU_datasheet_en_20200107.pdf?did=56020&prodName=SSM6K341NU Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.00 грн
6000+10.58 грн
9000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU_datasheet_en_20200107.pdf?did=56020&prodName=SSM6K341NU Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 18069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.60 грн
10+30.73 грн
100+19.77 грн
500+14.11 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ6V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V Description: 6.2V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 87W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ6V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V Description: 6.2V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 87W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+4.97 грн
500+3.89 грн
1000+2.70 грн
2000+2.34 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ6V8,L3F CSLZ6V8,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2 Description: 6.8V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 105W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ6V8,L3F CSLZ6V8,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2 Description: 6.8V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 105W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.73 грн
49+6.27 грн
100+3.20 грн
500+2.70 грн
1000+2.39 грн
2000+2.25 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ30V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V Description: 30V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 7.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V (Typ)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ30V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V Description: 30V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 7.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+4.97 грн
500+3.89 грн
1000+2.70 грн
2000+2.34 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V Description: 20V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 9.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V Description: 20V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 9.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+4.97 грн
500+3.89 грн
1000+2.70 грн
2000+2.34 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V Description: 16V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V Description: 16V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+4.97 грн
500+3.89 грн
1000+2.70 грн
2000+2.34 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ10V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2 Description: 10V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 16pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V (Typ)
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ10V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2 Description: 10V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 16pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V (Typ)
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
31+9.94 грн
100+4.87 грн
500+3.81 грн
1000+2.65 грн
2000+2.30 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ12V,L3F CSLZ12V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2 Description: TVS DIODE 9VWM 28VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 13pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V (Typ)
Power - Peak Pulse: 72W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ12V,L3F CSLZ12V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2 Description: TVS DIODE 9VWM 28VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 13pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V (Typ)
Power - Peak Pulse: 72W
Power Line Protection: No
на замовлення 5359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.53 грн
49+6.35 грн
105+2.94 грн
500+2.51 грн
1000+2.27 грн
2000+2.20 грн
5000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ8V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V Description: 8.2V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 18pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V (Typ)
Power - Peak Pulse: 55W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ8V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V Description: 8.2V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 18pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V (Typ)
Power - Peak Pulse: 55W
Power Line Protection: No
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+4.97 грн
500+3.89 грн
1000+2.70 грн
2000+2.34 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2257(CANO,Q,M) 2SD2257(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257_2006-11-21.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220NIS
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2257,NIKKIQ(J 2SD2257,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257_2006-11-21.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220NIS
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2257(Q,M) 2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257_2006-11-21.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220NIS
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981,LXHF(CT RN4981_datasheet_en_20210824.pdf?did=18972&prodName=RN4981
RN4981,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, Q1BSR=
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.49 грн
6000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981,LXHF(CT RN4981_datasheet_en_20210824.pdf?did=18972&prodName=RN4981
RN4981,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, Q1BSR=
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
13+25.00 грн
100+14.17 грн
500+8.80 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN4905,LXHF(CT RN4905_datasheet_en_20210824.pdf?did=18956&prodName=RN4905
RN4905,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4905,LXHF(CT RN4905_datasheet_en_20210824.pdf?did=18956&prodName=RN4905
RN4905,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LXHF(CT docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE
RN4985FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LXHF(CT docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE
RN4985FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
15+21.48 грн
100+13.37 грн
500+8.58 грн
1000+6.60 грн
2000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LXHF(CT RN1901_datasheet_en_20210824.pdf?did=18823&prodName=RN1901
RN1905,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905,LXHF(CT RN1901_datasheet_en_20210824.pdf?did=18823&prodName=RN1901
RN1905,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.99 грн
15+20.87 грн
100+14.22 грн
500+10.01 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2905,LXHF(CT RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2905,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2905,LXHF(CT RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2905,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
26+12.08 грн
100+8.11 грн
500+5.85 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WHU04FK,LJ(CT TC7WHU04FK_datasheet_en_20170517.pdf?did=54642&prodName=TC7WHU04FK
TC7WHU04FK,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V
Input Logic Level - Low: 0.3V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.76 грн
6000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WHU04FK,LJ(CT TC7WHU04FK_datasheet_en_20170517.pdf?did=54642&prodName=TC7WHU04FK
TC7WHU04FK,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 3CH 3-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V
Input Logic Level - Low: 0.3V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 7959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
38+8.18 грн
43+7.22 грн
100+5.75 грн
250+5.26 грн
500+4.97 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN2401,LXHF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401
RN2401,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2401,LXHF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401
RN2401,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2403,LXHF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404
RN2403,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2403,LXHF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2404
RN2403,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.02 грн
23+13.38 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LXHF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1416,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
9000+3.88 грн
15000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1416,LXHF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1416,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.02 грн
23+13.38 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LXHF RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407
RN2407,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2407,LXHF RN2407_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2407
RN2407,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.02 грн
23+13.38 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2417,LXHF RN2417_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2417
RN2417,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2417,LXHF RN2417_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2417
RN2417,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
74HC240D description 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D
74HC240D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
74HC240D description 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D
74HC240D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.63 грн
10+32.41 грн
25+29.05 грн
100+23.86 грн
250+22.23 грн
500+21.25 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
32+9.56 грн
100+5.92 грн
500+4.07 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(GR-TPR,SE TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE
TLP185(GR-TPR,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.17 грн
6000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP185(GR-TPR,SE TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE
TLP185(GR-TPR,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
14+21.94 грн
100+15.66 грн
500+12.07 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715(D4-TP,F) TLP715_9-25-19.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715F(D4-TP,F) TLP715F_6-3-19.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715F(F) TLP715F_6-3-19.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715(D4-MBS-TP,F TLP715_9-25-19.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715(D4,F) TLP715_9-25-19.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715F(TP,F) TLP715F_6-3-19.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715(TP,F) TLP715_9-25-19.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP715F(D4,F) TLP715F_6-3-19.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6-SDIP GW
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SDIP Gull Wing
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4,E TLP2710_datasheet_en_20180309.pdf?did=29698&prodName=TLP2710
TLP2710(D4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HI SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUPLE
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.43 грн
10+76.60 грн
100+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(LF4,E TLP2710_datasheet_en_20180309.pdf?did=29698&prodName=TLP2710
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HI SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUPLE
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.43 грн
10+76.60 грн
100+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(D4-LF4,E TLP2710_datasheet_en_20180309.pdf?did=29698&prodName=TLP2710
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HI SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUPLE
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.43 грн
10+76.60 грн
100+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF SSM6K341NU_datasheet_en_20200107.pdf?did=56020&prodName=SSM6K341NU
SSM6K341NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.00 грн
6000+10.58 грн
9000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K341NU,LF SSM6K341NU_datasheet_en_20200107.pdf?did=56020&prodName=SSM6K341NU
SSM6K341NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 18069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.60 грн
10+30.73 грн
100+19.77 грн
500+14.11 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ6V2,L3F CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6.2V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 87W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ6V2,L3F CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6.2V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 87W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+4.97 грн
500+3.89 грн
1000+2.70 грн
2000+2.34 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ6V8,L3F CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2
CSLZ6V8,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6.8V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 105W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ6V8,L3F CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2
CSLZ6V8,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6.8V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 105W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.73 грн
49+6.27 грн
100+3.20 грн
500+2.70 грн
1000+2.39 грн
2000+2.25 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ30V,L3F CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 30V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 7.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V (Typ)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ30V,L3F CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 30V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 7.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 51V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+4.97 грн
500+3.89 грн
1000+2.70 грн
2000+2.34 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ20V,L3F CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 20V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 9.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ20V,L3F CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 20V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 9.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+4.97 грн
500+3.89 грн
1000+2.70 грн
2000+2.34 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ16V,L3F CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ16V,L3F CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+4.97 грн
500+3.89 грн
1000+2.70 грн
2000+2.34 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ10V,L3F CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 10V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 16pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V (Typ)
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ10V,L3F CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 10V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 16pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V (Typ)
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
31+9.94 грн
100+4.87 грн
500+3.81 грн
1000+2.65 грн
2000+2.30 грн
5000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ12V,L3F CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2
CSLZ12V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 9VWM 28VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 13pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V (Typ)
Power - Peak Pulse: 72W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ12V,L3F CSLZ8V2_datasheet_en_20231130.pdf?did=142902&prodName=CSLZ8V2
CSLZ12V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 9VWM 28VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 13pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V (Typ)
Power - Peak Pulse: 72W
Power Line Protection: No
на замовлення 5359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
49+6.35 грн
105+2.94 грн
500+2.51 грн
1000+2.27 грн
2000+2.20 грн
5000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ8V2,L3F CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 8.2V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 18pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V (Typ)
Power - Peak Pulse: 55W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSLZ8V2,L3F CSLZ10V_datasheet_en_20220524.pdf?did=142902&prodName=CSLZ10V
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 8.2V ZNR DIODE SOD-962 OVP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 18pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V (Typ)
Power - Peak Pulse: 55W
Power Line Protection: No
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
30+10.24 грн
100+4.97 грн
500+3.89 грн
1000+2.70 грн
2000+2.34 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2257(CANO,Q,M) 2SD2257_2006-11-21.pdf
2SD2257(CANO,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220NIS
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2257,NIKKIQ(J 2SD2257_2006-11-21.pdf
2SD2257,NIKKIQ(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220NIS
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2257(Q,M) 2SD2257_2006-11-21.pdf
2SD2257(Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-220NIS
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]