Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13433) > Сторінка 191 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLP240A(D4,TP1,F TLP240A(D4,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LF SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LF SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 5744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+33.03 грн
100+21.30 грн
500+15.26 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(S TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408_datasheet_en_20140107.pdf?did=8872&prodName=TPC8408 Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(S TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408_datasheet_en_20140107.pdf?did=8872&prodName=TPC8408 Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.58 грн
10+47.90 грн
100+29.20 грн
500+20.60 грн
1000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ TK160F10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ TK160F10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.16 грн
10+153.57 грн
100+111.75 грн
500+90.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CT RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CT RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.67 грн
19+16.55 грн
100+8.08 грн
500+6.32 грн
1000+4.39 грн
2000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CT RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.73 грн
6000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CT RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
17+18.24 грн
100+10.33 грн
500+6.42 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ6V2,LF MSZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69349&prodName=MSZ6V2 Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ6V2,LF MSZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69349&prodName=MSZ6V2 Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
16+19.85 грн
100+10.52 грн
500+6.50 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ6V2,H3F CUZ6V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69335&prodName=CUZ6V2 Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ6V2,H3F CUZ6V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69335&prodName=CUZ6V2 Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
15+20.61 грн
100+10.94 грн
500+6.76 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S67TU,LF TC75S67TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58519&prodName=TC75S67TU Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 430µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.29 грн
6000+9.30 грн
15000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S67TU,LF TC75S67TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58519&prodName=TC75S67TU Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 430µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 24044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
11+28.28 грн
25+25.81 грн
100+18.03 грн
250+16.34 грн
500+13.52 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT TC75S103F,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.52V/µs
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT TC75S103F,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.52V/µs
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.04 грн
12+25.83 грн
25+24.09 грн
100+18.09 грн
250+16.80 грн
500+14.21 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13875&prodName=TTD1415B Description: TRANSISTOR NPN TO220SIS
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT 74VHC153FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 4:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.68 грн
5000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT 74VHC153FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 4:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
13+23.76 грн
25+19.50 грн
100+13.81 грн
250+11.59 грн
500+10.23 грн
1000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G_datasheet_en_20140404.pdf?did=14759&prodName=SSM6K781G Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G_datasheet_en_20140404.pdf?did=14759&prodName=SSM6K781G Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.79 грн
12+25.60 грн
100+17.44 грн
500+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.71 грн
10+33.11 грн
100+21.37 грн
500+15.30 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3554(F) TLP3554(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3554_datasheet_en_20200325.pdf?did=11948&prodName=TLP3554 Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-40V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 2.5 A
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.99 грн
10+207.45 грн
25+184.35 грн
50+164.36 грн
100+155.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.82 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E_datasheet_en_20140917.pdf?did=14695&prodName=TK3P80E Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E_datasheet_en_20140917.pdf?did=14695&prodName=TK3P80E Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+67.44 грн
100+47.32 грн
500+37.35 грн
1000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2960A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TODX2960A(F)_datasheet_en_20160415.pdf?did=37192&prodName=TODX2960A(F) Description: MOD OPTICAL TXRX GP 10PIN
Packaging: Tube
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 770nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67689&prodName=SSM6J808R Description: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.48 грн
6000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67689&prodName=SSM6J808R Description: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.66 грн
10+38.32 грн
100+24.93 грн
500+17.97 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J825R,LF SSM6J825R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=141463&prodName=SSM6J825R Description: P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J825R,LF SSM6J825R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=141463&prodName=SSM6J825R Description: P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
12+26.06 грн
100+17.75 грн
500+12.49 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60422&prodName=TK2R9E10PL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2E06PL,S1X TK8R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55709&prodName=TK8R2E06PL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.63 грн
50+76.89 грн
100+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQ TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQ TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+60.39 грн
100+39.97 грн
500+29.28 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
74HC244D 74HC244D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC244D 74HC244D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.77 грн
11+29.96 грн
25+26.88 грн
100+22.01 грн
250+20.48 грн
500+19.56 грн
1000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LF SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11583&prodName=SSM6L39TU Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LF SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11583&prodName=SSM6L39TU Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.97 грн
12+25.75 грн
100+16.45 грн
500+11.67 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5_datasheet_en_20150115.pdf?did=15641&prodName=TK62N60W5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.63 грн
10+801.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB62747AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG_datasheet_en_20170124.pdf?did=21718&prodName=TB62747AFG Description: 16-CH CONSTANT CURRENT LED DRIVE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SOP (0.236", 6.00mm Width)
Voltage - Output: 26V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 16
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 45mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Shift Register
Supplier Device Package: 24-SSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.65 грн
10+85.06 грн
25+71.51 грн
100+52.69 грн
250+45.61 грн
500+41.25 грн
1000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TOTX1353(F) TOTX1353(F) Toshiba Semiconductor and Storage TOTX1353%28F%29_datasheet_en_20140520.pdf?did=14724&prodName=TOTX1353(F) Description: XMITTER FIBER OPTIC 650NM
Packaging: Tube
Connector Type: TOSLINK
Wavelength: 650nm
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.75V
Part Status: Active
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W_datasheet_en_20131226.pdf?did=13839&prodName=TK20E60W Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.02 грн
50+230.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1X TK25E60X5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15556&prodName=TK25E60X5 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+317.53 грн
50+171.78 грн
100+158.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHF RN1304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1304 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHF RN1304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1304 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
22+14.18 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LF RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LF RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
24+13.03 грн
100+6.94 грн
500+4.28 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LXHF RN1308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LXHF RN1308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
31+9.96 грн
100+6.27 грн
500+4.35 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P50W,RQ TK10P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53221&prodName=TK10P50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P50W,RQ TK10P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53221&prodName=TK10P50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.04 грн
10+130.43 грн
100+99.52 грн
500+75.45 грн
1000+64.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LF SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LF SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
13+25.37 грн
100+15.19 грн
500+13.20 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TC4069UBF(EL,N,F) TC4069UBF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2724&prodName=TC4069UBF Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 4V ~ 12V
Input Logic Level - Low: 1V ~ 3V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 50ns @ 15V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(D4,TP1,F TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A
TLP240A(D4,TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LF SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R
SSM6K810R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LF SSM6K810R_datasheet_en_20200924.pdf?did=63953&prodName=SSM6K810R
SSM6K810R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 5744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.91 грн
10+33.03 грн
100+21.30 грн
500+15.26 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(S TPC8408_datasheet_en_20140107.pdf?did=8872&prodName=TPC8408
TPC8408,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(S TPC8408_datasheet_en_20140107.pdf?did=8872&prodName=TPC8408
TPC8408,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.58 грн
10+47.90 грн
100+29.20 грн
500+20.60 грн
1000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L
TK160F10N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L
TK160F10N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.16 грн
10+153.57 грн
100+111.75 грн
500+90.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV
RN2103MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV
RN2103MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
19+16.55 грн
100+8.08 грн
500+6.32 грн
1000+4.39 грн
2000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CT RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103
RN2103,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.73 грн
6000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CT RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103
RN2103,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
17+18.24 грн
100+10.33 грн
500+6.42 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ6V2,LF MSZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69349&prodName=MSZ6V2
MSZ6V2,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ6V2,LF MSZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69349&prodName=MSZ6V2
MSZ6V2,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
16+19.85 грн
100+10.52 грн
500+6.50 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ6V2,H3F CUZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69335&prodName=CUZ6V2
CUZ6V2,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ6V2,H3F CUZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69335&prodName=CUZ6V2
CUZ6V2,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
15+20.61 грн
100+10.94 грн
500+6.76 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S67TU,LF docget.jsp?did=58519&prodName=TC75S67TU
TC75S67TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 430µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.29 грн
6000+9.30 грн
15000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S67TU,LF docget.jsp?did=58519&prodName=TC75S67TU
TC75S67TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 430µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 24044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
11+28.28 грн
25+25.81 грн
100+18.03 грн
250+16.34 грн
500+13.52 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT
TC75S103F,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.52V/µs
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT
TC75S103F,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.52V/µs
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
12+25.83 грн
25+24.09 грн
100+18.09 грн
250+16.80 грн
500+14.21 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TTD1415B,S4X(S docget.jsp?did=13875&prodName=TTD1415B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN TO220SIS
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT
74VHC153FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 4:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.68 грн
5000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT
74VHC153FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 4:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
13+23.76 грн
25+19.50 грн
100+13.81 грн
250+11.59 грн
500+10.23 грн
1000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF SSM6K781G_datasheet_en_20140404.pdf?did=14759&prodName=SSM6K781G
SSM6K781G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF SSM6K781G_datasheet_en_20140404.pdf?did=14759&prodName=SSM6K781G
SSM6K781G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.79 грн
12+25.60 грн
100+17.44 грн
500+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU
SSM6K406TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU
SSM6K406TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.71 грн
10+33.11 грн
100+21.37 грн
500+15.30 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3554(F) TLP3554_datasheet_en_20200325.pdf?did=11948&prodName=TLP3554
TLP3554(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-40V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 2.5 A
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.99 грн
10+207.45 грн
25+184.35 грн
50+164.36 грн
100+155.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903
RN4903,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.82 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903
RN4903,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E_datasheet_en_20140917.pdf?did=14695&prodName=TK3P80E
TK3P80E,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E_datasheet_en_20140917.pdf?did=14695&prodName=TK3P80E
TK3P80E,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.91 грн
10+67.44 грн
100+47.32 грн
500+37.35 грн
1000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2960A(F) TODX2960A(F)_datasheet_en_20160415.pdf?did=37192&prodName=TODX2960A(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOD OPTICAL TXRX GP 10PIN
Packaging: Tube
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 770nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF docget.jsp?did=67689&prodName=SSM6J808R
SSM6J808R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.48 грн
6000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF docget.jsp?did=67689&prodName=SSM6J808R
SSM6J808R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.66 грн
10+38.32 грн
100+24.93 грн
500+17.97 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J825R,LF docget.jsp?did=141463&prodName=SSM6J825R
SSM6J825R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J825R,LF docget.jsp?did=141463&prodName=SSM6J825R
SSM6J825R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
12+26.06 грн
100+17.75 грн
500+12.49 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X docget.jsp?did=60422&prodName=TK2R9E10PL
TK2R9E10PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2E06PL,S1X docget.jsp?did=55709&prodName=TK8R2E06PL
TK8R2E06PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.63 грн
50+76.89 грн
100+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQ TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L
TK15S04N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQ TK15S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14571&prodName=TK15S04N1L
TK15S04N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.48 грн
10+60.39 грн
100+39.97 грн
500+29.28 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
74HC244D 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D
74HC244D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC244D 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D
74HC244D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
11+29.96 грн
25+26.88 грн
100+22.01 грн
250+20.48 грн
500+19.56 грн
1000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LF docget.jsp?did=11583&prodName=SSM6L39TU
SSM6L39TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LF docget.jsp?did=11583&prodName=SSM6L39TU
SSM6L39TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.97 грн
12+25.75 грн
100+16.45 грн
500+11.67 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VF TK62N60W5_datasheet_en_20150115.pdf?did=15641&prodName=TK62N60W5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+905.63 грн
10+801.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB62747AFG,C8,EL TB62747AFG_datasheet_en_20170124.pdf?did=21718&prodName=TB62747AFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16-CH CONSTANT CURRENT LED DRIVE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SOP (0.236", 6.00mm Width)
Voltage - Output: 26V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 16
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 45mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Shift Register
Supplier Device Package: 24-SSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.65 грн
10+85.06 грн
25+71.51 грн
100+52.69 грн
250+45.61 грн
500+41.25 грн
1000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TOTX1353(F) TOTX1353%28F%29_datasheet_en_20140520.pdf?did=14724&prodName=TOTX1353(F)
TOTX1353(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: XMITTER FIBER OPTIC 650NM
Packaging: Tube
Connector Type: TOSLINK
Wavelength: 650nm
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.75V
Part Status: Active
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX TK20E60W_datasheet_en_20131226.pdf?did=13839&prodName=TK20E60W
TK20E60W,S1VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.02 грн
50+230.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1X docget.jsp?did=15556&prodName=TK25E60X5
TK25E60X5,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.53 грн
50+171.78 грн
100+158.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1304
RN1304,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1304
RN1304,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.87 грн
22+14.18 грн
100+8.88 грн
500+6.17 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LF docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308
RN1307,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LF docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308
RN1307,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
24+13.03 грн
100+6.94 грн
500+4.28 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1308,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1308,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
31+9.96 грн
100+6.27 грн
500+4.35 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P50W,RQ TK10P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53221&prodName=TK10P50W
TK10P50W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P50W,RQ TK10P50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=53221&prodName=TK10P50W
TK10P50W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.04 грн
10+130.43 грн
100+99.52 грн
500+75.45 грн
1000+64.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LF
SSM6J401TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LF
SSM6J401TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
13+25.37 грн
100+15.19 грн
500+13.20 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TC4069UBF(EL,N,F) docget.jsp?did=2724&prodName=TC4069UBF
TC4069UBF(EL,N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 4V ~ 12V
Input Logic Level - Low: 1V ~ 3V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 50ns @ 15V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]