Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13062) > Сторінка 181 з 218

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 126 147 168 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TLP2372(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68833&prodName=TLP2372 Description: HIGH SPEED PHOTOCOUPLER; 5PIN SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.53V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2.2ns, 1.6ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
товар відсутній
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=29962&prodName=TK12A50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.52 грн
50+ 105.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
TLP385(D4GL-TL,E TLP385(D4GL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385 Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
6000+ 10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TLP385(D4GL-TL,E TLP385(D4GL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385 Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 11425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.23 грн
13+ 23.34 грн
100+ 15.44 грн
1000+ 11.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
TLP385(D4BLLTL,E TLP385(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385 Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
TLP385(D4BLLTL,E TLP385(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385 Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 5232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.23 грн
13+ 23.34 грн
100+ 15.44 грн
1000+ 11.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
RN2406,LF RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2406 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2406,LF RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2406 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.68 грн
35+ 8.08 грн
100+ 4.33 грн
500+ 3.19 грн
1000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN2406,LXHF RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2406 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2406,LXHF RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2406 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.63 грн
19+ 15.33 грн
100+ 7.73 грн
500+ 5.91 грн
1000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2306,LXHF RN2306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RN2306,LXHF RN2306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.55 грн
17+ 17.29 грн
100+ 8.72 грн
500+ 6.68 грн
1000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC2873-Y(TE12L,ZC 2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2873_datasheet_en_20131101.pdf?did=20773&prodName=2SC2873 Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SC2873-Y(TE12L,ZC 2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2873_datasheet_en_20131101.pdf?did=20773&prodName=2SC2873 Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.01 грн
13+ 22.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2881_datasheet_en_20131101.pdf?did=20777&prodName=2SC2881 Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.94 грн
2000+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2881_datasheet_en_20131101.pdf?did=20777&prodName=2SC2881 Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.39 грн
11+ 26.08 грн
100+ 18.12 грн
500+ 13.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
TPC8132,LQ(S TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8132_datasheet_en_20140107.pdf?did=6518&prodName=TPC8132 Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V
товар відсутній
TPC8132,LQ(S TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8132_datasheet_en_20140107.pdf?did=6518&prodName=TPC8132 Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V
товар відсутній
TB6640FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6640FTG_datasheet_en_20130813.pdf?did=12700&prodName=TB6640FTG Description: BRUSHED MOTOR DRIVER, 40V, 3A, Q
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 38V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TB6640FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6640FTG_datasheet_en_20130813.pdf?did=12700&prodName=TB6640FTG Description: BRUSHED MOTOR DRIVER, 40V, 3A, Q
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 38V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.19 грн
10+ 167.73 грн
25+ 158.23 грн
100+ 126.5 грн
250+ 118.79 грн
500+ 103.94 грн
1000+ 84.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
74HC4066D 74HC4066D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC4066D_datasheet_en_20201124.pdf?did=55443&prodName=74HC4066D Description: IC MUX QUAD 1:1 80OHM 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 12V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 12ns, 12ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.56 грн
5000+ 11.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TLP3825(LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57855&prodName=TLP3825 Description: PHOTORELAY; HIGH ION / LOW RON;
товар відсутній
TLP3825F(LF4,F TLP3825F(LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57855&prodName=TLP3825 Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: N/R
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.13 грн
10+ 411.32 грн
TLP3823(LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57854&prodName=TLP3823 Description: PHOTORELAY; HIGH ION / LOW RON;
товар відсутній
TLP3823F(LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57854&prodName=TLP3823 Description: PHOTORELAY; HIGH ION / LOW RON;
товар відсутній
TLP3825(TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57855&prodName=TLP3825 Description: PHOTORELAY; HIGH ION / LOW RON;
товар відсутній
CRZ12(TE85L,Q,M) CRZ12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 12V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
товар відсутній
CRZ12(TE85L,Q,M) CRZ12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 12V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.12 грн
11+ 26.71 грн
100+ 18.58 грн
500+ 13.61 грн
1000+ 11.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
74LCX125FT 74LCX125FT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.84 грн
5000+ 8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
74LCX125FT 74LCX125FT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 7285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.66 грн
12+ 24.25 грн
25+ 22.19 грн
100+ 15.5 грн
250+ 14.04 грн
500+ 11.62 грн
1000+ 8.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
TLP351(TP1,F) TLP351(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 700ns, 700ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500
TLP351(TP1,F) TLP351(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 700ns, 700ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.61 грн
10+ 69.74 грн
100+ 51.66 грн
500+ 44.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT40RR21(STA1,E GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21_datasheet_en_20140107.pdf?did=13341&prodName=GT40RR21 Description: IGBT 1200V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 540µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPH4R50ANH1,LQ TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH4R50ANH1,LQ TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 8116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.2 грн
10+ 80.77 грн
100+ 62.79 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 40.69 грн
2000+ 38.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
CRH01(TE85R,Q,M) CRH01(TE85R,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01_datasheet_en_20180404.pdf?did=3154&prodName=CRH01 Description: DIODE GEN PURP 200V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
CRH01(TE85R,Q,M) CRH01(TE85R,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01_datasheet_en_20180404.pdf?did=3154&prodName=CRH01 Description: DIODE GEN PURP 200V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.31 грн
11+ 25.66 грн
100+ 15.4 грн
500+ 13.38 грн
1000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
TCR2LN105,LF(SE TCR2LN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.05V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN105,LF(SE TCR2LN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.05V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.47 грн
14+ 21.09 грн
25+ 19.01 грн
100+ 12.34 грн
250+ 10.39 грн
500+ 8.44 грн
1000+ 6.39 грн
2500+ 5.75 грн
5000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
TCR2EN125,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=1.25V IOUT=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2EN125,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=1.25V IOUT=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.55 грн
16+ 18.35 грн
25+ 16.59 грн
100+ 10.75 грн
250+ 9.06 грн
500+ 7.36 грн
1000+ 5.57 грн
2500+ 5.01 грн
5000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN32,LSF(SE TCR2LN32,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=3.2V I=200MA
товар відсутній
TCR2LN32,LSF(SE TCR2LN32,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=3.2V I=200MA
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2EN15,LF(SE TCR2EN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
товар відсутній
TCR2EN15,LF(SE TCR2EN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN12,LF(SE TCR2LN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=1.2V I=200MA
товар відсутній
TCR2LN12,LF(SE TCR2LN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=1.2V I=200MA
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN10,LF(SE TCR2LN10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT1.0V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN10,LF(SE TCR2LN10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT1.0V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN13,LF(SE TCR2LN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=1.3V I=200MA
товар відсутній
TCR2LN13,LF(SE TCR2LN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=1.3V I=200MA
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN25,LF(SE TCR2LN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN25,LF(SE TCR2LN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.55 грн
16+ 18.21 грн
25+ 16.42 грн
100+ 10.64 грн
250+ 8.96 грн
500+ 7.28 грн
1000+ 5.51 грн
2500+ 4.96 грн
5000+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2EN285,LF(SE TCR2EN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=2.85V IOUT=200MA
товар відсутній
TCR2EN285,LF(SE TCR2EN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=2.85V IOUT=200MA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN32,LF(SE TCR2LN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=3.2V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.6 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN32,LF(SE TCR2LN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=3.2V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.2 грн
14+ 21.16 грн
25+ 19.12 грн
100+ 12.4 грн
250+ 10.44 грн
500+ 8.48 грн
1000+ 6.42 грн
2500+ 5.78 грн
5000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
TCR2LN11,LF(SE TCR2LN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=1.1V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN11,LF(SE TCR2LN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=1.1V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN08,LF(SE TCR2LN08,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=0.8V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TLP2372(V4,E docget.jsp?did=68833&prodName=TLP2372
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED PHOTOCOUPLER; 5PIN SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.53V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2.2ns, 1.6ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
товар відсутній
TK12A50W,S5X TK12A50W_datasheet_en_20151208.pdf?did=29962&prodName=TK12A50W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.52 грн
50+ 105.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
TLP385(D4GL-TL,E TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385
TLP385(D4GL-TL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.18 грн
6000+ 10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TLP385(D4GL-TL,E TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385
TLP385(D4GL-TL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 11425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.23 грн
13+ 23.34 грн
100+ 15.44 грн
1000+ 11.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
TLP385(D4BLLTL,E TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385
TLP385(D4BLLTL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
TLP385(D4BLLTL,E TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385
TLP385(D4BLLTL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 400% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 5232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.23 грн
13+ 23.34 грн
100+ 15.44 грн
1000+ 11.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
RN2406,LF RN2406_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2406
RN2406,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2406,LF RN2406_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2406
RN2406,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.68 грн
35+ 8.08 грн
100+ 4.33 грн
500+ 3.19 грн
1000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN2406,LXHF RN2406_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2406
RN2406,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2406,LXHF RN2406_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2406
RN2406,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.63 грн
19+ 15.33 грн
100+ 7.73 грн
500+ 5.91 грн
1000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2306,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2306,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RN2306,LXHF RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2306,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.55 грн
17+ 17.29 грн
100+ 8.72 грн
500+ 6.68 грн
1000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC2873-Y(TE12L,ZC 2SC2873_datasheet_en_20131101.pdf?did=20773&prodName=2SC2873
2SC2873-Y(TE12L,ZC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SC2873-Y(TE12L,ZC 2SC2873_datasheet_en_20131101.pdf?did=20773&prodName=2SC2873
2SC2873-Y(TE12L,ZC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.01 грн
13+ 22.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881_datasheet_en_20131101.pdf?did=20777&prodName=2SC2881
2SC2881-Y(TE12L,ZC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+11.94 грн
2000+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SC2881-Y(TE12L,ZC 2SC2881_datasheet_en_20131101.pdf?did=20777&prodName=2SC2881
2SC2881-Y(TE12L,ZC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.39 грн
11+ 26.08 грн
100+ 18.12 грн
500+ 13.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
TPC8132,LQ(S TPC8132_datasheet_en_20140107.pdf?did=6518&prodName=TPC8132
TPC8132,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V
товар відсутній
TPC8132,LQ(S TPC8132_datasheet_en_20140107.pdf?did=6518&prodName=TPC8132
TPC8132,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V
товар відсутній
TB6640FTG,EL TB6640FTG_datasheet_en_20130813.pdf?did=12700&prodName=TB6640FTG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHED MOTOR DRIVER, 40V, 3A, Q
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 38V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TB6640FTG,EL TB6640FTG_datasheet_en_20130813.pdf?did=12700&prodName=TB6640FTG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHED MOTOR DRIVER, 40V, 3A, Q
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 38V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.19 грн
10+ 167.73 грн
25+ 158.23 грн
100+ 126.5 грн
250+ 118.79 грн
500+ 103.94 грн
1000+ 84.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
74HC4066D 74HC4066D_datasheet_en_20201124.pdf?did=55443&prodName=74HC4066D
74HC4066D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX QUAD 1:1 80OHM 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 12V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 12ns, 12ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.56 грн
5000+ 11.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TLP3825(LF5,F docget.jsp?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; HIGH ION / LOW RON;
товар відсутній
TLP3825F(LF4,F docget.jsp?did=57855&prodName=TLP3825
TLP3825F(LF4,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-200V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: N/R
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 500 mOhms
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+589.13 грн
10+ 411.32 грн
TLP3823(LF5,F docget.jsp?did=57854&prodName=TLP3823
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; HIGH ION / LOW RON;
товар відсутній
TLP3823F(LF4,F docget.jsp?did=57854&prodName=TLP3823
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; HIGH ION / LOW RON;
товар відсутній
TLP3825(TP5,F docget.jsp?did=57855&prodName=TLP3825
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY; HIGH ION / LOW RON;
товар відсутній
CRZ12(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ12(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 12V 700MW SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
товар відсутній
CRZ12(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ12(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 12V 700MW SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Power - Max: 700 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.12 грн
11+ 26.71 грн
100+ 18.58 грн
500+ 13.61 грн
1000+ 11.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
74LCX125FT
74LCX125FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.84 грн
5000+ 8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
74LCX125FT
74LCX125FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 7285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.66 грн
12+ 24.25 грн
25+ 22.19 грн
100+ 15.5 грн
250+ 14.04 грн
500+ 11.62 грн
1000+ 8.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
TLP351(TP1,F)
TLP351(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 700ns, 700ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500
TLP351(TP1,F)
TLP351(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 700ns, 700ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.61 грн
10+ 69.74 грн
100+ 51.66 грн
500+ 44.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT40RR21(STA1,E GT40RR21_datasheet_en_20140107.pdf?did=13341&prodName=GT40RR21
GT40RR21(STA1,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1200V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 540µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPH4R50ANH1,LQ
TPH4R50ANH1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH4R50ANH1,LQ
TPH4R50ANH1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 8116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.2 грн
10+ 80.77 грн
100+ 62.79 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 40.69 грн
2000+ 38.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
CRH01(TE85R,Q,M) CRH01_datasheet_en_20180404.pdf?did=3154&prodName=CRH01
CRH01(TE85R,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A S-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
CRH01(TE85R,Q,M) CRH01_datasheet_en_20180404.pdf?did=3154&prodName=CRH01
CRH01(TE85R,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.31 грн
11+ 25.66 грн
100+ 15.4 грн
500+ 13.38 грн
1000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
TCR2LN105,LF(SE
TCR2LN105,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.05V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN105,LF(SE
TCR2LN105,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.05V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.47 грн
14+ 21.09 грн
25+ 19.01 грн
100+ 12.34 грн
250+ 10.39 грн
500+ 8.44 грн
1000+ 6.39 грн
2500+ 5.75 грн
5000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
TCR2EN125,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.25V IOUT=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2EN125,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.25V IOUT=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.55 грн
16+ 18.35 грн
25+ 16.59 грн
100+ 10.75 грн
250+ 9.06 грн
500+ 7.36 грн
1000+ 5.57 грн
2500+ 5.01 грн
5000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN32,LSF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN32,LSF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=3.2V I=200MA
товар відсутній
TCR2LN32,LSF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN32,LSF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=3.2V I=200MA
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2EN15,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN15,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
товар відсутній
TCR2EN15,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN15,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.5V IOUT=200MA
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN12,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN12,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.2V I=200MA
товар відсутній
TCR2LN12,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN12,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.2V I=200MA
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN10,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN10,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT1.0V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN10,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN10,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT1.0V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN13,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN13,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.3V I=200MA
товар відсутній
TCR2LN13,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN13,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.3V I=200MA
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN25,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN25,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN25,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN25,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.55 грн
16+ 18.21 грн
25+ 16.42 грн
100+ 10.64 грн
250+ 8.96 грн
500+ 7.28 грн
1000+ 5.51 грн
2500+ 4.96 грн
5000+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2EN285,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN285,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V IOUT=200MA
товар відсутній
TCR2EN285,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
TCR2EN285,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.85V IOUT=200MA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN32,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN32,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=3.2V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.6 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN32,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN32,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=3.2V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.2 грн
14+ 21.16 грн
25+ 19.12 грн
100+ 12.4 грн
250+ 10.44 грн
500+ 8.48 грн
1000+ 6.42 грн
2500+ 5.78 грн
5000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
TCR2LN11,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN11,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.1V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN11,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN11,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.1V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.28 грн
15+ 19.05 грн
25+ 17.21 грн
100+ 11.18 грн
250+ 9.41 грн
500+ 7.64 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 5.21 грн
5000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN08,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN08,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=0.8V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 126 147 168 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]