Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 189 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TC75S103F,LF(CT TC75S103F,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.52V/µs
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT TC75S103F,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Slew Rate: 0.52V/µs
Current - Supply: 100µA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
12+25.15 грн
25+23.46 грн
100+17.62 грн
250+16.36 грн
500+13.84 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13875&prodName=TTD1415B Description: TRANSISTOR NPN TO220SIS
Part Status: Active
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT 74VHC153FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Circuit: 2 x 4:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage Supply Source: Single Supply
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 2
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Multiplexer
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.46 грн
5000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT 74VHC153FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage Supply Source: Single Supply
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 2
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Multiplexer
Circuit: 2 x 4:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
13+23.13 грн
25+18.98 грн
100+13.45 грн
250+11.29 грн
500+9.96 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14759&prodName=SSM6K781G Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.66 грн
6000+10.29 грн
9000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14759&prodName=SSM6K781G Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 12569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.14 грн
10+30.52 грн
100+19.67 грн
500+14.07 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.24 грн
10+32.24 грн
100+20.81 грн
500+14.90 грн
1000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3554(F) TLP3554(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3554_datasheet_en_20200325.pdf?did=11948&prodName=TLP3554 Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-40V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 2.5 A
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.48 грн
10+172.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.66 грн
6000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14695&prodName=TK3P80E Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14695&prodName=TK3P80E Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.51 грн
10+81.19 грн
100+54.82 грн
500+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2960A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TODX2960A(F)_datasheet_en_20160415.pdf?did=37192&prodName=TODX2960A(F) Description: MOD OPTICAL TXRX GP 10PIN
Packaging: Tube
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 770nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67689&prodName=SSM6J808R Description: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.08 грн
6000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67689&prodName=SSM6J808R Description: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+37.31 грн
100+24.27 грн
500+17.50 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J825R,LF SSM6J825R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=141463&prodName=SSM6J825R Description: P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J825R,LF SSM6J825R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=141463&prodName=SSM6J825R Description: P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
12+25.37 грн
100+17.28 грн
500+12.17 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60422&prodName=TK2R9E10PL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2E06PL,S1X TK8R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55709&prodName=TK8R2E06PL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQ TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14571&prodName=TK15S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQ TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14571&prodName=TK15S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.66 грн
10+55.00 грн
100+36.39 грн
500+26.67 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC244D 74HC244D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D Description: IC BUFF 2V/6V 20-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC244D 74HC244D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D Description: IC BUFF 2V/6V 20-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LF SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11583&prodName=SSM6L39TU Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LF SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11583&prodName=SSM6L39TU Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.85 грн
12+25.07 грн
100+16.01 грн
500+11.36 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VF TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15641&prodName=TK62N60W5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB62747AFG,C8,EL TB62747AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG_datasheet_en_20170124.pdf?did=21718&prodName=TB62747AFG Description: 16-CH CONSTANT CURRENT LED DRIVE
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 3V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Topology: Shift Register
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 45mA
Applications: LED Lighting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Linear
Number of Outputs: 16
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 26V
Package / Case: 24-SOP (0.236", 6.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.07 грн
10+50.00 грн
25+45.19 грн
100+37.41 грн
250+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TOTX1353(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: XMITTER FIBER OPTIC 650NM
Packaging: Tube
Connector Type: TOSLINK
Wavelength: 650nm
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.75V
Part Status: Active
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13839&prodName=TK20E60W Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.59 грн
50+243.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1X TK25E60X5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15556&prodName=TK25E60X5 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.38 грн
50+209.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHF RN1304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1304 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHF RN1304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1304 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
22+13.80 грн
100+8.65 грн
500+6.01 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LF RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LF RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
24+12.69 грн
100+6.75 грн
500+4.17 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LXHF RN1308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LXHF RN1308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
31+9.70 грн
100+6.10 грн
500+4.24 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P50W,RQ TK10P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53221&prodName=TK10P50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P50W,RQ TK10P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53221&prodName=TK10P50W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LF SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LF SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
13+24.70 грн
100+14.79 грн
500+12.85 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4069UBF(EL,N,F) TC4069UBF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2724&prodName=TC4069UBF Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 4V ~ 12V
Input Logic Level - Low: 1V ~ 3V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 50ns @ 15V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62089APG TBD62089APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62089APG_datasheet_en_20161221.pdf?did=56183&prodName=TBD62089APG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 20DIP
Packaging: Tray
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 8
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1.6Ohm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 20-DIP
Part Status: Active
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.40 грн
10+139.39 грн
100+97.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRH02(TE85L,Q,M) CRH02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH02_Web.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 500MA SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRH02(TE85L,Q,M) CRH02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH02_Web.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 500MA SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
17+18.28 грн
100+13.07 грн
500+9.20 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3073(LF1,F TLP3073(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073_datasheet_en_20200217.pdf?did=30347&prodName=TLP3073 Description: OPTO TRIAC COUPLER; NON-ZERO-VOL
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Zero Crossing Circuit: No
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Current - Hold (Ih): 1mA (Typ)
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Packaging: Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
50+55.09 грн
100+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3062A(LF1,F TLP3062A(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30346&prodName=TLP3062A Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 1CH 6-SO
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Packaging: Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 1A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.13 грн
10+110.21 грн
100+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC74D Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC FF D-TYPE 2-ELE 1-BIT 14-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 67 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 14-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 26ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC74D Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC FF D-TYPE 2-ELE 1-BIT 14-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 67 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 14-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 26ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(GRH-TPL,E TLP183(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183_datasheet_en_20201118.pdf?did=14417&prodName=TLP183 Description: OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 6-SOP
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.98 грн
6000+11.81 грн
9000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(GRH-TPL,E TLP183(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183_datasheet_en_20201118.pdf?did=14417&prodName=TLP183 Description: OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD
Supplier Device Package: 6-SOP
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.97 грн
12+25.22 грн
100+18.10 грн
500+13.99 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN3R804NC,L1XHQ XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC_datasheet_en_20200624.pdf?did=68657&prodName=XPN3R804NC Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN3R804NC,L1XHQ XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC_datasheet_en_20200624.pdf?did=68657&prodName=XPN3R804NC Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.96 грн
10+79.92 грн
100+53.70 грн
500+39.86 грн
1000+36.47 грн
2000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN9R614MC,L1XHQ XPN9R614MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC_datasheet_en_20211208.pdf?did=65305&prodName=XPN9R614MC Description: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN9R614MC,L1XHQ XPN9R614MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC_datasheet_en_20211208.pdf?did=65305&prodName=XPN9R614MC Description: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+77.90 грн
100+52.29 грн
500+38.77 грн
1000+35.45 грн
2000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN7R104NC,L1XHQ XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68660&prodName=XPN7R104NC Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN7R104NC,L1XHQ XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68660&prodName=XPN7R104NC Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+78.35 грн
100+52.60 грн
500+39.01 грн
1000+35.68 грн
2000+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC123D Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MMV 2-CIR 40-NS 16-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 40 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT
TC75S103F,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.52V/µs
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT
TC75S103F,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Slew Rate: 0.52V/µs
Current - Supply: 100µA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.22 грн
12+25.15 грн
25+23.46 грн
100+17.62 грн
250+16.36 грн
500+13.84 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTD1415B,S4X(S docget.jsp?did=13875&prodName=TTD1415B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN TO220SIS
Part Status: Active
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT
74VHC153FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Circuit: 2 x 4:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage Supply Source: Single Supply
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 2
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Multiplexer
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+8.46 грн
5000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT
74VHC153FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage Supply Source: Single Supply
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 2
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Multiplexer
Circuit: 2 x 4:1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.07 грн
13+23.13 грн
25+18.98 грн
100+13.45 грн
250+11.29 грн
500+9.96 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF docget.jsp?did=14759&prodName=SSM6K781G
SSM6K781G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.66 грн
6000+10.29 грн
9000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF docget.jsp?did=14759&prodName=SSM6K781G
SSM6K781G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 12569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.14 грн
10+30.52 грн
100+19.67 грн
500+14.07 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU
SSM6K406TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU
SSM6K406TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.24 грн
10+32.24 грн
100+20.81 грн
500+14.90 грн
1000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3554(F) TLP3554_datasheet_en_20200325.pdf?did=11948&prodName=TLP3554
TLP3554(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-40V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 2.5 A
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.48 грн
10+172.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903
RN4903,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.66 грн
6000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903
RN4903,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ docget.jsp?did=14695&prodName=TK3P80E
TK3P80E,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ docget.jsp?did=14695&prodName=TK3P80E
TK3P80E,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.51 грн
10+81.19 грн
100+54.82 грн
500+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2960A(F) TODX2960A(F)_datasheet_en_20160415.pdf?did=37192&prodName=TODX2960A(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOD OPTICAL TXRX GP 10PIN
Packaging: Tube
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 770nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF docget.jsp?did=67689&prodName=SSM6J808R
SSM6J808R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.08 грн
6000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF docget.jsp?did=67689&prodName=SSM6J808R
SSM6J808R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.99 грн
10+37.31 грн
100+24.27 грн
500+17.50 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J825R,LF docget.jsp?did=141463&prodName=SSM6J825R
SSM6J825R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J825R,LF docget.jsp?did=141463&prodName=SSM6J825R
SSM6J825R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
12+25.37 грн
100+17.28 грн
500+12.17 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X docget.jsp?did=60422&prodName=TK2R9E10PL
TK2R9E10PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2E06PL,S1X docget.jsp?did=55709&prodName=TK8R2E06PL
TK8R2E06PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQ docget.jsp?did=14571&prodName=TK15S04N1L
TK15S04N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQ docget.jsp?did=14571&prodName=TK15S04N1L
TK15S04N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.66 грн
10+55.00 грн
100+36.39 грн
500+26.67 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC244D 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D
74HC244D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 2V/6V 20-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC244D 74HC240D_datasheet_en_20201110.pdf?did=37135&prodName=74HC240D
74HC244D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 2V/6V 20-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LF docget.jsp?did=11583&prodName=SSM6L39TU
SSM6L39TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L39TU,LF docget.jsp?did=11583&prodName=SSM6L39TU
SSM6L39TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.85 грн
12+25.07 грн
100+16.01 грн
500+11.36 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VF docget.jsp?did=15641&prodName=TK62N60W5
TK62N60W5,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+988.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB62747AFG,C8,EL TB62747AFG_datasheet_en_20170124.pdf?did=21718&prodName=TB62747AFG
TB62747AFG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16-CH CONSTANT CURRENT LED DRIVE
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 3V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Topology: Shift Register
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 45mA
Applications: LED Lighting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Linear
Number of Outputs: 16
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 26V
Package / Case: 24-SOP (0.236", 6.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.07 грн
10+50.00 грн
25+45.19 грн
100+37.41 грн
250+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TOTX1353(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: XMITTER FIBER OPTIC 650NM
Packaging: Tube
Connector Type: TOSLINK
Wavelength: 650nm
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.75V
Part Status: Active
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX docget.jsp?did=13839&prodName=TK20E60W
TK20E60W,S1VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.59 грн
50+243.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X5,S1X docget.jsp?did=15556&prodName=TK25E60X5
TK25E60X5,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+408.38 грн
50+209.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1304
RN1304,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1304
RN1304,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
22+13.80 грн
100+8.65 грн
500+6.01 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LF docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308
RN1307,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LF docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308
RN1307,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
24+12.69 грн
100+6.75 грн
500+4.17 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1308,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1308,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
31+9.70 грн
100+6.10 грн
500+4.24 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P50W,RQ docget.jsp?did=53221&prodName=TK10P50W
TK10P50W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10P50W,RQ docget.jsp?did=53221&prodName=TK10P50W
TK10P50W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LF
SSM6J401TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LF
SSM6J401TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
13+24.70 грн
100+14.79 грн
500+12.85 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4069UBF(EL,N,F) docget.jsp?did=2724&prodName=TC4069UBF
TC4069UBF(EL,N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 4V ~ 12V
Input Logic Level - Low: 1V ~ 3V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 50ns @ 15V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62089APG TBD62089APG_datasheet_en_20161221.pdf?did=56183&prodName=TBD62089APG
TBD62089APG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 20DIP
Packaging: Tray
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 8
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1.6Ohm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 20-DIP
Part Status: Active
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.40 грн
10+139.39 грн
100+97.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRH02(TE85L,Q,M) CRH02_Web.pdf
CRH02(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 500MA SFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRH02(TE85L,Q,M) CRH02_Web.pdf
CRH02(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 200V 500MA SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.22 грн
17+18.28 грн
100+13.07 грн
500+9.20 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3073(LF1,F TLP3073_datasheet_en_20200217.pdf?did=30347&prodName=TLP3073
TLP3073(LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTO TRIAC COUPLER; NON-ZERO-VOL
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Zero Crossing Circuit: No
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Current - Hold (Ih): 1mA (Typ)
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Packaging: Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.91 грн
50+55.09 грн
100+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3062A(LF1,F docget.jsp?did=30346&prodName=TLP3062A
TLP3062A(LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 1CH 6-SO
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Zero Crossing Circuit: Yes
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Triac
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Packaging: Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(D4-LF4,E TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 1A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.13 грн
10+110.21 грн
100+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC74D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE 2-ELE 1-BIT 14-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 67 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 14-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 26ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC74D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE 2-ELE 1-BIT 14-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 67 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 14-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 26ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(GRH-TPL,E TLP183_datasheet_en_20201118.pdf?did=14417&prodName=TLP183
TLP183(GRH-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 6-SOP
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.98 грн
6000+11.81 грн
9000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(GRH-TPL,E TLP183_datasheet_en_20201118.pdf?did=14417&prodName=TLP183
TLP183(GRH-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD
Supplier Device Package: 6-SOP
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.97 грн
12+25.22 грн
100+18.10 грн
500+13.99 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN3R804NC,L1XHQ XPN3R804NC_datasheet_en_20200624.pdf?did=68657&prodName=XPN3R804NC
XPN3R804NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN3R804NC,L1XHQ XPN3R804NC_datasheet_en_20200624.pdf?did=68657&prodName=XPN3R804NC
XPN3R804NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.96 грн
10+79.92 грн
100+53.70 грн
500+39.86 грн
1000+36.47 грн
2000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN9R614MC,L1XHQ XPN9R614MC_datasheet_en_20211208.pdf?did=65305&prodName=XPN9R614MC
XPN9R614MC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN9R614MC,L1XHQ XPN9R614MC_datasheet_en_20211208.pdf?did=65305&prodName=XPN9R614MC
XPN9R614MC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.86 грн
10+77.90 грн
100+52.29 грн
500+38.77 грн
1000+35.45 грн
2000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN7R104NC,L1XHQ docget.jsp?did=68660&prodName=XPN7R104NC
XPN7R104NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPN7R104NC,L1XHQ docget.jsp?did=68660&prodName=XPN7R104NC
XPN7R104NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.86 грн
10+78.35 грн
100+52.60 грн
500+39.01 грн
1000+35.68 грн
2000+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC123D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MMV 2-CIR 40-NS 16-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 40 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Voltage - Supply: 2 V ~ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]