Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13513) > Сторінка 189 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM5N15FE(TE85L,F) SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19763&prodName=SSM5N15FE Description: MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.65 грн
12+24.91 грн
100+14.11 грн
500+8.77 грн
1000+6.72 грн
2000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LM SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=5870&prodName=SSM6N15AFE Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LM SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=5870&prodName=SSM6N15AFE Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.41 грн
18+16.98 грн
100+8.59 грн
500+6.57 грн
1000+4.88 грн
2000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113(TE85L,F) MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113_datasheet_en_20140301.pdf?did=2068&prodName=MT3S113 Description: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.8dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 12.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113(TE85L,F) MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113_datasheet_en_20140301.pdf?did=2068&prodName=MT3S113 Description: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.8dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 12.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.82 грн
10+43.45 грн
25+39.27 грн
100+32.24 грн
250+28.30 грн
500+25.01 грн
1000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP385(GR-TPL,E TLP385(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385 Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.87 грн
6000+12.63 грн
9000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP385(GR-TPL,E TLP385(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385 Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 10156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.81 грн
12+26.77 грн
100+19.26 грн
500+14.91 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TCK303G,LF TCK303G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30163&prodName=TCK303G Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 9WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 73mOhm
Voltage - Load: 18V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 28V
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 9-WCSP (1.5x1.5)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK303G,LF TCK303G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30163&prodName=TCK303G Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 9WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 73mOhm
Voltage - Load: 18V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 28V
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 9-WCSP (1.5x1.5)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.77 грн
10+54.05 грн
25+48.91 грн
100+40.55 грн
250+38.00 грн
500+36.46 грн
1000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM28,LF(SE TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.65 грн
20000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM28,LF(SE TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10 Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 22290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.27 грн
14+22.47 грн
25+18.48 грн
100+13.03 грн
250+10.91 грн
500+9.61 грн
1000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ TPH3R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55293&prodName=TPH3R506PL Description: MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM33A,L3F TCR8BM33A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A Description: 800MA LDO, VOUT=3.3V, DROPOUT=17
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.285V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM33A,L3F TCR8BM33A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A Description: 800MA LDO, VOUT=3.3V, DROPOUT=17
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.285V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 9959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.21 грн
10+32.40 грн
25+26.75 грн
100+19.11 грн
250+16.16 грн
500+14.34 грн
1000+12.61 грн
2500+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z_datasheet_en_20201016.pdf?did=67742&prodName=TK210V65Z Description: MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z_datasheet_en_20201016.pdf?did=67742&prodName=TK210V65Z Description: MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.01 грн
10+209.39 грн
100+149.09 грн
500+132.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX02FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX02FT_datasheet_en_20160913.pdf?did=15645&prodName=74LCX02FT Description: PB-F LCX TSSOP 14 CMOS LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOPB
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 40 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX02FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX02FT_datasheet_en_20160913.pdf?did=15645&prodName=74LCX02FT Description: PB-F LCX TSSOP 14 CMOS LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOPB
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 40 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.34 грн
13+23.50 грн
25+21.21 грн
100+13.75 грн
250+11.58 грн
500+9.41 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LF SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60723&prodName=SSM6N813R Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LF SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60723&prodName=SSM6N813R Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.42 грн
13+23.06 грн
100+16.44 грн
500+14.05 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLP268J(TPR,E TLP268J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J_datasheet_en_20200217.pdf?did=14464&prodName=TLP268J Description: OPTOISOLTR 3.75KV TRIAC 1CH 6SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 200µA (Typ)
Turn On Time: 100µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 3mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.29 грн
6000+21.37 грн
9000+20.83 грн
15000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP268J(TPR,E TLP268J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J_datasheet_en_20200217.pdf?did=14464&prodName=TLP268J Description: OPTOISOLTR 3.75KV TRIAC 1CH 6SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 200µA (Typ)
Turn On Time: 100µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 3mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 17081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.37 грн
10+42.11 грн
100+31.04 грн
500+24.51 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP268J(TPL,E TLP268J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J_datasheet_en_20200217.pdf?did=14464&prodName=TLP268J Description: X36 PB-F TRIAC COUPLER LOW TRIGG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 200µA (Typ)
Turn On Time: 100µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 3mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP268J(TPL,E TLP268J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J_datasheet_en_20200217.pdf?did=14464&prodName=TLP268J Description: X36 PB-F TRIAC COUPLER LOW TRIGG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 200µA (Typ)
Turn On Time: 100µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 3mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.07 грн
10+44.12 грн
100+28.90 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(D4,F TLP240A(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(D4,LF1,F TLP240A(D4,LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13992&prodName=TLP240A Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.86 грн
10+78.15 грн
25+74.65 грн
50+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(D4,TP1,F TLP240A(D4,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(D4,TP1,F TLP240A(D4,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.86 грн
10+78.15 грн
25+74.65 грн
50+67.66 грн
100+65.35 грн
250+62.41 грн
500+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LF SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63953&prodName=SSM6K810R Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LF SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63953&prodName=SSM6K810R Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
11+27.14 грн
100+18.07 грн
500+14.11 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(S TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408_datasheet_en_20140107.pdf?did=8872&prodName=TPC8408 Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(S TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408_datasheet_en_20140107.pdf?did=8872&prodName=TPC8408 Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ TK160F10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ TK160F10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.72 грн
10+148.59 грн
100+108.13 грн
500+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CT RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CT RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.87 грн
19+16.02 грн
100+7.81 грн
500+6.11 грн
1000+4.25 грн
2000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CT RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.58 грн
6000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CT RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.64 грн
17+17.65 грн
100+9.99 грн
500+6.21 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ6V2,LF MSZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69349&prodName=MSZ6V2 Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ6V2,LF MSZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69349&prodName=MSZ6V2 Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.64 грн
16+19.20 грн
100+10.18 грн
500+6.28 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ6V2,H3F CUZ6V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69335&prodName=CUZ6V2 Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ6V2,H3F CUZ6V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69335&prodName=CUZ6V2 Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.41 грн
15+19.95 грн
100+10.58 грн
500+6.54 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S67TU,LF TC75S67TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58519&prodName=TC75S67TU Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 430µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.95 грн
6000+9.00 грн
15000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S67TU,LF TC75S67TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58519&prodName=TC75S67TU Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 430µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 24044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.42 грн
11+27.36 грн
25+24.97 грн
100+17.44 грн
250+15.81 грн
500+13.08 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT TC75S103F,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.52V/µs
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT TC75S103F,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.52V/µs
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.03 грн
12+24.99 грн
25+23.31 грн
100+17.51 грн
250+16.25 грн
500+13.75 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13875&prodName=TTD1415B Description: TRANSISTOR NPN TO220SIS
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT 74VHC153FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 4:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.40 грн
5000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT 74VHC153FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 4:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.81 грн
13+22.99 грн
25+18.86 грн
100+13.36 грн
250+11.21 грн
500+9.89 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14759&prodName=SSM6K781G Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
6000+10.22 грн
9000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14759&prodName=SSM6K781G Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 12569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.82 грн
10+30.33 грн
100+19.54 грн
500+13.98 грн
1000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.90 грн
10+32.03 грн
100+20.68 грн
500+14.81 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3554(F) TLP3554(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3554_datasheet_en_20200325.pdf?did=11948&prodName=TLP3554 Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-40V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 2.5 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.19 грн
10+171.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.63 грн
6000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903 Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14695&prodName=TK3P80E Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14695&prodName=TK3P80E Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.67 грн
10+80.67 грн
100+54.47 грн
500+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2960A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TODX2960A(F)_datasheet_en_20160415.pdf?did=37192&prodName=TODX2960A(F) Description: MOD OPTICAL TXRX GP 10PIN
Packaging: Tube
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 770nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67689&prodName=SSM6J808R Description: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.98 грн
6000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N15FE(TE85L,F) SSM5N15FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19763&prodName=SSM5N15FE
SSM5N15FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8 pF @ 3 V
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.65 грн
12+24.91 грн
100+14.11 грн
500+8.77 грн
1000+6.72 грн
2000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LM SSM6N15AFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=5870&prodName=SSM6N15AFE
SSM6N15AFE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LM SSM6N15AFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=5870&prodName=SSM6N15AFE
SSM6N15AFE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.41 грн
18+16.98 грн
100+8.59 грн
500+6.57 грн
1000+4.88 грн
2000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113(TE85L,F) MT3S113_datasheet_en_20140301.pdf?did=2068&prodName=MT3S113
MT3S113(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.8dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 12.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113(TE85L,F) MT3S113_datasheet_en_20140301.pdf?did=2068&prodName=MT3S113
MT3S113(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.8dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 12.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.82 грн
10+43.45 грн
25+39.27 грн
100+32.24 грн
250+28.30 грн
500+25.01 грн
1000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP385(GR-TPL,E TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385
TLP385(GR-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.87 грн
6000+12.63 грн
9000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP385(GR-TPL,E TLP385_datasheet_en_20220518.pdf?did=15496&prodName=TLP385
TLP385(GR-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SO, 4 Lead
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 10156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.81 грн
12+26.77 грн
100+19.26 грн
500+14.91 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TCK303G,LF docget.jsp?did=30163&prodName=TCK303G
TCK303G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 9WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 73mOhm
Voltage - Load: 18V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 28V
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 9-WCSP (1.5x1.5)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK303G,LF docget.jsp?did=30163&prodName=TCK303G
TCK303G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 9WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 73mOhm
Voltage - Load: 18V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 28V
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 9-WCSP (1.5x1.5)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.77 грн
10+54.05 грн
25+48.91 грн
100+40.55 грн
250+38.00 грн
500+36.46 грн
1000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM28,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
TCR3DM28,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.65 грн
20000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DM28,LF(SE TCR3DM10_datasheet_en_20210927.pdf?did=140551&prodName=TCR3DM10
TCR3DM28,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 22290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.27 грн
14+22.47 грн
25+18.48 грн
100+13.03 грн
250+10.91 грн
500+9.61 грн
1000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R506PL,LQ docget.jsp?did=55293&prodName=TPH3R506PL
TPH3R506PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM33A,L3F TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A
TCR8BM33A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO, VOUT=3.3V, DROPOUT=17
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.285V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM33A,L3F TCR8BM08A_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM08A
TCR8BM33A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO, VOUT=3.3V, DROPOUT=17
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.285V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 9959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.21 грн
10+32.40 грн
25+26.75 грн
100+19.11 грн
250+16.16 грн
500+14.34 грн
1000+12.61 грн
2500+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ TK210V65Z_datasheet_en_20201016.pdf?did=67742&prodName=TK210V65Z
TK210V65Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+91.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ TK210V65Z_datasheet_en_20201016.pdf?did=67742&prodName=TK210V65Z
TK210V65Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.01 грн
10+209.39 грн
100+149.09 грн
500+132.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX02FT 74LCX02FT_datasheet_en_20160913.pdf?did=15645&prodName=74LCX02FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F LCX TSSOP 14 CMOS LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOPB
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 40 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX02FT 74LCX02FT_datasheet_en_20160913.pdf?did=15645&prodName=74LCX02FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F LCX TSSOP 14 CMOS LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOPB
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 40 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.34 грн
13+23.50 грн
25+21.21 грн
100+13.75 грн
250+11.58 грн
500+9.41 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LF docget.jsp?did=60723&prodName=SSM6N813R
SSM6N813R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LF docget.jsp?did=60723&prodName=SSM6N813R
SSM6N813R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.42 грн
13+23.06 грн
100+16.44 грн
500+14.05 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLP268J(TPR,E TLP268J_datasheet_en_20200217.pdf?did=14464&prodName=TLP268J
TLP268J(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV TRIAC 1CH 6SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 200µA (Typ)
Turn On Time: 100µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 3mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.29 грн
6000+21.37 грн
9000+20.83 грн
15000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP268J(TPR,E TLP268J_datasheet_en_20200217.pdf?did=14464&prodName=TLP268J
TLP268J(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV TRIAC 1CH 6SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 200µA (Typ)
Turn On Time: 100µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 3mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 17081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.37 грн
10+42.11 грн
100+31.04 грн
500+24.51 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP268J(TPL,E TLP268J_datasheet_en_20200217.pdf?did=14464&prodName=TLP268J
TLP268J(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X36 PB-F TRIAC COUPLER LOW TRIGG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 200µA (Typ)
Turn On Time: 100µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 3mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP268J(TPL,E TLP268J_datasheet_en_20200217.pdf?did=14464&prodName=TLP268J
TLP268J(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X36 PB-F TRIAC COUPLER LOW TRIGG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CQC, cUR, UR
Current - Hold (Ih): 200µA (Typ)
Turn On Time: 100µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 500V/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 3mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.07 грн
10+44.12 грн
100+28.90 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(D4,F TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A
TLP240A(D4,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(D4,LF1,F docget.jsp?did=13992&prodName=TLP240A
TLP240A(D4,LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.86 грн
10+78.15 грн
25+74.65 грн
50+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(D4,TP1,F TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A
TLP240A(D4,TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP240A(D4,TP1,F TLP240A_datasheet_en_20200217.pdf?did=13992&prodName=TLP240A
TLP240A(D4,TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 500MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 500 mA
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.86 грн
10+78.15 грн
25+74.65 грн
50+67.66 грн
100+65.35 грн
250+62.41 грн
500+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LF docget.jsp?did=63953&prodName=SSM6K810R
SSM6K810R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K810R,LF docget.jsp?did=63953&prodName=SSM6K810R
SSM6K810R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
11+27.14 грн
100+18.07 грн
500+14.11 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(S TPC8408_datasheet_en_20140107.pdf?did=8872&prodName=TPC8408
TPC8408,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(S TPC8408_datasheet_en_20140107.pdf?did=8872&prodName=TPC8408
TPC8408,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L
TK160F10N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ TK160F10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=35808&prodName=TK160F10N1L
TK160F10N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.72 грн
10+148.59 грн
100+108.13 грн
500+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV
RN2103MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2103MFV
RN2103MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.87 грн
19+16.02 грн
100+7.81 грн
500+6.11 грн
1000+4.25 грн
2000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CT RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103
RN2103,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.58 грн
6000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2103,LXHF(CT RN2103_datasheet_en_20220913.pdf?did=18841&prodName=RN2103
RN2103,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.64 грн
17+17.65 грн
100+9.99 грн
500+6.21 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ6V2,LF MSZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69349&prodName=MSZ6V2
MSZ6V2,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSZ6V2,LF MSZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69349&prodName=MSZ6V2
MSZ6V2,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.64 грн
16+19.20 грн
100+10.18 грн
500+6.28 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ6V2,H3F CUZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69335&prodName=CUZ6V2
CUZ6V2,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ6V2,H3F CUZ6V2_datasheet_en_20201026.pdf?did=69335&prodName=CUZ6V2
CUZ6V2,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.2VWM 10VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10V (Typ)
Power - Peak Pulse: 175W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.41 грн
15+19.95 грн
100+10.58 грн
500+6.54 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S67TU,LF docget.jsp?did=58519&prodName=TC75S67TU
TC75S67TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 430µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.95 грн
6000+9.00 грн
15000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S67TU,LF docget.jsp?did=58519&prodName=TC75S67TU
TC75S67TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 430µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.5 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: UFV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 4 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.2 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 24044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.42 грн
11+27.36 грн
25+24.97 грн
100+17.44 грн
250+15.81 грн
500+13.08 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT
TC75S103F,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.52V/µs
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S103F,LF(CT
TC75S103F,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 100µA
Slew Rate: 0.52V/µs
Gain Bandwidth Product: 300 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1.5 mV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.03 грн
12+24.99 грн
25+23.31 грн
100+17.51 грн
250+16.25 грн
500+13.75 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TTD1415B,S4X(S docget.jsp?did=13875&prodName=TTD1415B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN TO220SIS
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT
74VHC153FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 4:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.40 грн
5000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC153FT docget.jsp?did=15746&prodName=74VHC153FT
74VHC153FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MULTIPLEXER 2 X 4:1 16TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 4:1
Type: Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.81 грн
13+22.99 грн
25+18.86 грн
100+13.36 грн
250+11.21 грн
500+9.89 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF docget.jsp?did=14759&prodName=SSM6K781G
SSM6K781G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.58 грн
6000+10.22 грн
9000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K781G,LF docget.jsp?did=14759&prodName=SSM6K781G
SSM6K781G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WCSPC (1.5x1.0)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 6 V
на замовлення 12569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.82 грн
10+30.33 грн
100+19.54 грн
500+13.98 грн
1000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU
SSM6K406TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K406TU,LF SSM6K406TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=11741&prodName=SSM6K406TU
SSM6K406TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.90 грн
10+32.03 грн
100+20.68 грн
500+14.81 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3554(F) TLP3554_datasheet_en_20200325.pdf?did=11948&prodName=TLP3554
TLP3554(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-40V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 2.5 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.19 грн
10+171.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903
RN4903,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.63 грн
6000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903,LXHF(CT RN4903_datasheet_en_20210824.pdf?did=18952&prodName=RN4903
RN4903,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT Q1BS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ docget.jsp?did=14695&prodName=TK3P80E
TK3P80E,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ docget.jsp?did=14695&prodName=TK3P80E
TK3P80E,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.67 грн
10+80.67 грн
100+54.47 грн
500+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TODX2960A(F) TODX2960A(F)_datasheet_en_20160415.pdf?did=37192&prodName=TODX2960A(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOD OPTICAL TXRX GP 10PIN
Packaging: Tube
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 770nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J808R,LF docget.jsp?did=67689&prodName=SSM6J808R
SSM6J808R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.98 грн
6000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]