Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11835) > Сторінка 108 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
U431 Vishay Siliconix U430%2CU431.pdf Description: JFET 2N-CH 25V TO78-6
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: TO-78-6
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
U440 Vishay Siliconix U440.U441.pdf Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U440-E3 Vishay Siliconix U440.U441.pdf Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U441 Vishay Siliconix U440.U441.pdf Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U441-E3 Vishay Siliconix U440.U441.pdf Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP0300B-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B Vishay Siliconix VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B-2 Vishay Siliconix VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B-E3 VP0808B-E3 Vishay Siliconix VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP1008B Vishay Siliconix VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P Vishay Siliconix 70219.pdf Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P-2 Vishay Siliconix 70219.pdf Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P-E3 Vishay Siliconix 70219.pdf Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P-2 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P Vishay Siliconix 70214.pdf Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P-2 Vishay Siliconix 70214.pdf Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P-E3 Vishay Siliconix 70214.pdf Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ2001P Vishay Siliconix 70217.pdf Description: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Packaging: Tube
Configuration: 4 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ2001P-2 Vishay Siliconix 70217.pdf Description: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 14-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ3001P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 0.85A
Packaging: Tube
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V, 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32419DN-T1-GE4 SIP32419DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32429.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 37299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.98 грн
5000+82.04 грн
7500+81.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32468DB-T2-GE1 SIP32468DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32467.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Part Status: Active
Fault Protection: Reverse Current
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 50mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32467DB-T2-GE1 SIP32467DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32467.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Part Status: Active
Fault Protection: Reverse Current
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 50mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32419DN-T1-GE4 SIP32419DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32429.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 37648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.75 грн
10+119.73 грн
25+109.40 грн
100+91.98 грн
250+86.88 грн
500+84.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32468DB-T2-GE1 SIP32468DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32467.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Fault Protection: Reverse Current
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 50mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32467DB-T2-GE1 SIP32467DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32467.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Part Status: Active
Fault Protection: Reverse Current
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 50mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 SI3865DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Si3865DDV.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.5V ~ 12V
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.62 грн
6000+13.83 грн
9000+13.21 грн
15000+11.75 грн
21000+11.36 грн
30000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4403cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.24 грн
5000+17.99 грн
7500+17.22 грн
12500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 Vishay Siliconix sud50p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.62 грн
4000+67.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50N10-21P-GE3 SUP50N10-21P-GE3 Vishay Siliconix sup50n1021p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12107DB SIP12107DB Vishay Siliconix 49994_pl0427.pdf Description: EVAL BOARD BUCK REG 5V 3A
Packaging: Box
Voltage - Input: 2.8V ~ 5.5V
Current - Output: 3A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiP12107
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12108DB SIP12108DB Vishay Siliconix sip12108.pdf Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 5A
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.8V
Voltage - Input: 2.8V ~ 5.5V
Current - Output: 5A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiP12108
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC413DB SIC413DB Vishay Siliconix sic413.pdf Description: EVAL BOARD BUCK REG 26V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC401DB SIC401DB Vishay Siliconix sic401abcd.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC401
Packaging: Box
Voltage - Input: 3V ~ 17V
Current - Output: 15A, 200mA
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: SiC401
Main Purpose: DC/DC, Step Down with LDO
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC402DB SIC402DB Vishay Siliconix 49994_pl0427.pdf Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC403DB SIC403DB Vishay Siliconix sic401.pdf Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 SI3865DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Si3865DDV.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.5V ~ 12V
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 124290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.89 грн
100+25.22 грн
500+18.15 грн
1000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA923AEDJ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.64 грн
6000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia446dj.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.27 грн
6000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia537edj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.29 грн
6000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8851edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.02 грн
6000+15.99 грн
9000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3421dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 22600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.20 грн
9000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA923AEDJ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.74 грн
100+25.19 грн
500+18.15 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia446dj.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.79 грн
100+25.97 грн
500+18.78 грн
1000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia537edj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.91 грн
100+32.08 грн
500+23.31 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8851edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-XFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+44.20 грн
100+28.81 грн
500+20.83 грн
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3421dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 23116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.92 грн
50+27.85 грн
100+23.08 грн
500+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282ADNP2-T1GE4 SIP4282ADNP2-T1GE4 Vishay Siliconix sip4282.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.4A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 350mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282ADNP3-T1GE4 SIP4282ADNP3-T1GE4 Vishay Siliconix sip4282.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Part Status: Active
на замовлення 5612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
12+25.65 грн
25+22.97 грн
100+18.79 грн
250+17.46 грн
500+16.66 грн
1000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282DNP3-T1GE4 SIP4282DNP3-T1GE4 Vishay Siliconix sip4282.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 105mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.8V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282DVP3-T1GE3 SIP4282DVP3-T1GE3 Vishay Siliconix sip4282.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 PWRPAK
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 105mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.8V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L
Fault Protection: UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 25820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.84 грн
100+73.54 грн
500+55.26 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA16DP-T1-GE3 SIRA16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix powerpak.pdf Description: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA16DN-T1-GE3 SISA16DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ914DT-T1-GE3 SIZ914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz914dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA16DP-T1-GE3 SIRA16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix powerpak.pdf Description: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
U431 U430%2CU431.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V TO78-6
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: TO-78-6
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
U440 U440.U441.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U440-E3 U440.U441.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U441 U440.U441.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U441-E3 U440.U441.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP0300B-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B-2 VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B-E3 VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf
VP0808B-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP1008B VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P 70219.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P-2 70219.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P-E3 70219.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P-2
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P 70214.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P-2 70214.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P-E3 70214.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VQ2001P 70217.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Packaging: Tube
Configuration: 4 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ2001P-2 70217.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 14-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ3001P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 0.85A
Packaging: Tube
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V, 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32419DN-T1-GE4 sip32429.pdf
SIP32419DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 37299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+86.98 грн
5000+82.04 грн
7500+81.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32468DB-T2-GE1 sip32467.pdf
SIP32468DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Part Status: Active
Fault Protection: Reverse Current
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 50mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32467DB-T2-GE1 sip32467.pdf
SIP32467DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Part Status: Active
Fault Protection: Reverse Current
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 50mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32419DN-T1-GE4 sip32429.pdf
SIP32419DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 37648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.75 грн
10+119.73 грн
25+109.40 грн
100+91.98 грн
250+86.88 грн
500+84.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32468DB-T2-GE1 sip32467.pdf
SIP32468DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Fault Protection: Reverse Current
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 50mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32467DB-T2-GE1 sip32467.pdf
SIP32467DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Part Status: Active
Fault Protection: Reverse Current
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 50mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
SI3865DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.5V ~ 12V
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.62 грн
6000+13.83 грн
9000+13.21 грн
15000+11.75 грн
21000+11.36 грн
30000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.24 грн
5000+17.99 грн
7500+17.22 грн
12500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+70.62 грн
4000+67.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50N10-21P-GE3 sup50n1021p.pdf
SUP50N10-21P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12107DB 49994_pl0427.pdf
SIP12107DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD BUCK REG 5V 3A
Packaging: Box
Voltage - Input: 2.8V ~ 5.5V
Current - Output: 3A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiP12107
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12108DB sip12108.pdf
SIP12108DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 5A
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.8V
Voltage - Input: 2.8V ~ 5.5V
Current - Output: 5A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiP12108
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC413DB sic413.pdf
SIC413DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD BUCK REG 26V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC401DB sic401abcd.pdf
SIC401DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC401
Packaging: Box
Voltage - Input: 3V ~ 17V
Current - Output: 15A, 200mA
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: SiC401
Main Purpose: DC/DC, Step Down with LDO
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC402DB 49994_pl0427.pdf
SIC402DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC403DB sic401.pdf
SIC403DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
SI3865DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.5V ~ 12V
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 124290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.46 грн
10+38.89 грн
100+25.22 грн
500+18.15 грн
1000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SiA923AEDJ.pdf
SIA923AEDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.64 грн
6000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 sia446dj.pdf
SIA446DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.27 грн
6000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 sia537edj.pdf
SIA537EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.29 грн
6000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 si8851edb.pdf
SI8851EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.02 грн
6000+15.99 грн
9000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
SI3421DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 22600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.20 грн
9000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SiA923AEDJ.pdf
SIA923AEDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.46 грн
10+38.74 грн
100+25.19 грн
500+18.15 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 sia446dj.pdf
SIA446DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.01 грн
10+39.79 грн
100+25.97 грн
500+18.78 грн
1000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 sia537edj.pdf
SIA537EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.77 грн
10+48.91 грн
100+32.08 грн
500+23.31 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 si8851edb.pdf
SI8851EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-XFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.23 грн
10+44.20 грн
100+28.81 грн
500+20.83 грн
1000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
SI3421DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 23116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+37.92 грн
50+27.85 грн
100+23.08 грн
500+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282ADNP2-T1GE4 sip4282.pdf
SIP4282ADNP2-T1GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.4A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 350mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282ADNP3-T1GE4 sip4282.pdf
SIP4282ADNP3-T1GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Part Status: Active
на замовлення 5612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.28 грн
12+25.65 грн
25+22.97 грн
100+18.79 грн
250+17.46 грн
500+16.66 грн
1000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282DNP3-T1GE4 sip4282.pdf
SIP4282DNP3-T1GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 105mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.8V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282DVP3-T1GE3 sip4282.pdf
SIP4282DVP3-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 PWRPAK
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 105mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.8V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L
Fault Protection: UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 25820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.97 грн
10+107.84 грн
100+73.54 грн
500+55.26 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA16DP-T1-GE3 powerpak.pdf
SIRA16DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA16DN-T1-GE3
SISA16DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ914DT-T1-GE3 siz914dt.pdf
SIZ914DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA16DP-T1-GE3 powerpak.pdf
SIRA16DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]