Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11098) > Сторінка 108 з 185
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SJM187BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM190BEA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM190BEC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM190BXA | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM190BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM191BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM200BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM200BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM200BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM200BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM201BEA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM201BEAP1 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM201BEC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM300BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM300BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM300BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM300BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM301BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM301BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM301BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM301BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM302BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM302BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM304BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM304BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM304BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM304BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM306BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM306BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM307BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SJM307BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
SQ2348ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
SQ3410EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| SQ3469EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
SQ4401EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
SQ4920EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
SQ4946AEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
SQ9945BEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
|
SQA410EJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
|
SQD40N06-14L-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| SQD50N03-3M1L-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
SQD50N05-11L_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| SQJ460EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SQJ848AEP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
SQJ858AEP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
|
SQJ886EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| SQJ912EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
|
SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
|
SQJ960EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| SQJ962EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| SQM100N04-3M5-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
SQM120N03-1m5L_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15605 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| SQM120N04-1M8-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
SQM120N04-1m9_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8790 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
SQM120N06-3m5L_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
SQM200N04-1m1L_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20655 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| SQM200N04-1m7L_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO-263 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
SQM50N04-4m1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6715 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
SQS420EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SJM187BXC |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM190BEA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM190BEC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM190BXA |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM190BXC |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM191BXC |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM200BCA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM200BCC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM200BIA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM200BIC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM201BEA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM201BEAP1 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM201BEC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM300BCA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM300BCC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM300BIA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM300BIC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM301BCA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM301BCC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM301BIA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM301BIC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM302BCA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM302BCC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM304BCA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM304BCC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM304BIA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM304BIC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM306BCA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM306BCC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM307BCA01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SJM307BCC01 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH
Description: IC ANALOG SWITCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQ2348ES-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQ3410EV-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.93 грн |
| SQ3469EV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQ4401EY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQ4920EY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQ4946AEY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQ9945BEY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQA410EJ-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
Description: MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQD40N06-14L-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQD50N03-3M1L-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQD50N05-11L_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ422EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 54.31 грн |
| 6000+ | 51.24 грн |
| SQJ460EP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 32A SO-8
Description: MOSFET N-CH 60V 32A SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ848AEP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ858AEP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ886EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ912EP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SO
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SO
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ940EP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ960EP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQJ962EP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQM100N04-3M5-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQM120N03-1m5L_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15605 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15605 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQM120N04-1M8-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQM120N04-1m9_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQM120N06-3m5L_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 136.04 грн |
| SQM200N04-1m1L_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20655 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20655 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQM200N04-1m7L_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQM50N04-4m1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6715 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6715 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SQS420EN-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 28.94 грн |
| 9000+ | 27.33 грн |








