Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11085) > Сторінка 113 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQM120N04-1m7_GE3 SQM120N04-1m7_GE3 Vishay Siliconix sqm120n04-1m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3 SQJ469EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj469ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.19 грн
10+173.73 грн
100+121.89 грн
500+102.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh11n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 SIHH14N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh14n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1416 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH21N60E-T1-GE3 SIHH21N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh21n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH26N60E-T1-GE3 SIHH26N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh26n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 SIHH14N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh14n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1416 pF @ 100 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+324.66 грн
10+206.49 грн
100+156.01 грн
500+127.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH21N60E-T1-GE3 SIHH21N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh21n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH26N60E-T1-GE3 SIHH26N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh26n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 100 V
на замовлення 5564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.91 грн
10+287.54 грн
100+208.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1m7L_GE3 SQM120N04-1m7L_GE3 Vishay Siliconix sqm120n0.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
DG2735ADN-T1-GE4 DG2735ADN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2735a.pdf Description: IC SW SPDTX2 500MOHM 10MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 50MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Crosstalk: -70dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 55pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 16750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.33 грн
10+50.10 грн
25+45.15 грн
100+37.29 грн
250+34.87 грн
500+33.41 грн
1000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 Vishay Siliconix sum50020el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3 SUM60030E-GE3 Vishay Siliconix sum60030e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3 SUM70040M-GE3 Vishay Siliconix sum70040m.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 Vishay Siliconix sum70040e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020EL-GE3 SUP50020EL-GE3 Vishay Siliconix sup50020el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 SUP60030E-GE3 Vishay Siliconix sup60030e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3 SUP70040E-GE3 Vishay Siliconix sup70040e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.33 грн
10+179.58 грн
100+130.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 Vishay Siliconix sum50020el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3 SUM60030E-GE3 Vishay Siliconix sum60030e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.48 грн
10+190.90 грн
100+141.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3 SUM70040M-GE3 Vishay Siliconix sum70040m.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.97 грн
10+177.45 грн
100+130.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 Vishay Siliconix sum70040e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.05 грн
10+121.33 грн
100+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.26 грн
6000+15.29 грн
9000+14.62 грн
15000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_GE3 SQ4401EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4401ey.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.44 грн
5000+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4840EY-T1_GE3 SQ4840EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4840ey.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_GE3 SQ4946AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4946aey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq9945bey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.66 грн
5000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 Vishay Siliconix sqd15n06-42l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Vishay Siliconix sqd40n06-14l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Vishay Siliconix sqd50n06-09l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L_GE3 SQD50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix sqd50p04.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3 SQD50P04-13L_GE3 Vishay Siliconix sqd50p04-13l.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T1_GE3 SQJ461EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj461ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj463ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3 SQJ850EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj850ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3 SQJ858AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj858aep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1_GE3 SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj960ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3 SQS401EN-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs401en.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_GE3 SQS460EN-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs460en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.68 грн
10+42.66 грн
100+27.75 грн
500+20.01 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_GE3 SQ4401EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4401ey.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
на замовлення 17252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.70 грн
10+171.12 грн
100+136.16 грн
500+108.13 грн
1000+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4840EY-T1_GE3 SQ4840EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4840ey.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.12 грн
10+230.95 грн
100+189.22 грн
500+151.17 грн
1000+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_GE3 SQ4946AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4946aey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq9945bey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.18 грн
10+73.05 грн
100+48.82 грн
500+36.06 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 Vishay Siliconix sqd15n06-42l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.60 грн
10+68.46 грн
100+45.66 грн
500+33.66 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 Vishay Siliconix sqd40n06-14l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.83 грн
10+96.32 грн
100+71.49 грн
500+53.75 грн
1000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 SQD50N06-09L_GE3 Vishay Siliconix sqd50n06-09l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.20 грн
10+238.07 грн
100+189.59 грн
500+174.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L_GE3 SQD50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix sqd50p04.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
на замовлення 9056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.85 грн
10+181.01 грн
100+127.02 грн
500+102.49 грн
1000+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3 SQD50P04-13L_GE3 Vishay Siliconix sqd50p04-13l.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.85 грн
10+181.01 грн
100+127.02 грн
500+102.49 грн
1000+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T1_GE3 SQJ461EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj461ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.81 грн
10+187.02 грн
100+135.28 грн
500+103.92 грн
1000+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 SQJ463EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj463ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.41 грн
10+209.58 грн
100+147.73 грн
500+113.87 грн
1000+105.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3 SQJ850EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj850ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.60 грн
10+113.10 грн
100+83.13 грн
500+63.26 грн
1000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3 SQJ858AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj858aep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.38 грн
10+67.91 грн
100+50.91 грн
500+37.74 грн
1000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1_GE3 SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj960ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.35 грн
10+154.34 грн
100+124.03 грн
500+95.63 грн
1000+79.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3 SQS401EN-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs401en.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_GE3 SQS460EN-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs460en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.71 грн
10+78.83 грн
100+59.25 грн
500+43.98 грн
1000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG9408DN-T1-E4 DG9408DN-T1-E4 Vishay Siliconix 71870.pdf Description: IC MUX ANA DUAL 8/4CH 16QFN
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012cr.pdf Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 55064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.26 грн
29+11.08 грн
100+8.67 грн
500+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Vishay Siliconix si1016cx.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 22910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.74 грн
13+25.01 грн
100+16.34 грн
500+11.06 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3 SI1077X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1077x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
на замовлення 15035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.34 грн
12+26.51 грн
100+15.88 грн
500+13.80 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1m7_GE3 sqm120n04-1m7.pdf
SQM120N04-1m7_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ469EP-T1_GE3 sqj469ep.pdf
SQJ469EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.19 грн
10+173.73 грн
100+121.89 грн
500+102.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH11N60E-T1-GE3 sihh11n60e.pdf
SIHH11N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 sihh14n60e.pdf
SIHH14N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1416 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
SIHH21N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH26N60E-T1-GE3 sihh26n60e.pdf
SIHH26N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60E-T1-GE3 sihh14n60e.pdf
SIHH14N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1416 pF @ 100 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.66 грн
10+206.49 грн
100+156.01 грн
500+127.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
SIHH21N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH26N60E-T1-GE3 sihh26n60e.pdf
SIHH26N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 100 V
на замовлення 5564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.91 грн
10+287.54 грн
100+208.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1m7L_GE3 sqm120n0.pdf
SQM120N04-1m7L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+120.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
DG2735ADN-T1-GE4 dg2735a.pdf
DG2735ADN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPDTX2 500MOHM 10MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 50MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Crosstalk: -70dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 55pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 16750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.33 грн
10+50.10 грн
25+45.15 грн
100+37.29 грн
250+34.87 грн
500+33.41 грн
1000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
SUM50020EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3 sum60030e.pdf
SUM60030E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3 sum70040m.pdf
SUM70040M-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3 sum70040e.pdf
SUM70040E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50020EL-GE3 sup50020el.pdf
SUP50020EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 sup60030e.pdf
SUP60030E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70040E-GE3 sup70040e.pdf
SUP70040E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.33 грн
10+179.58 грн
100+130.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
SUM50020EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3 sum60030e.pdf
SUM60030E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.48 грн
10+190.90 грн
100+141.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3 sum70040m.pdf
SUM70040M-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.97 грн
10+177.45 грн
100+130.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3 sum70040e.pdf
SUM70040E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.05 грн
10+121.33 грн
100+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.26 грн
6000+15.29 грн
9000+14.62 грн
15000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_GE3 sq4401ey.pdf
SQ4401EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+96.44 грн
5000+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4840EY-T1_GE3 sq4840ey.pdf
SQ4840EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_GE3 sq4946aey.pdf
SQ4946AEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 sq9945bey.pdf
SQ9945BEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.66 грн
5000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 sqd15n06-42l.pdf
SQD15N06-42L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_GE3 sqd40n06-14l.pdf
SQD40N06-14L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 sqd50n06-09l.pdf
SQD50N06-09L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L_GE3 sqd50p04.pdf
SQD50P04-09L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3 sqd50p04-13l.pdf
SQD50P04-13L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T1_GE3 sqj461ep.pdf
SQJ461EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 sqj463ep.pdf
SQJ463EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3 sqj850ep.pdf
SQJ850EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3 sqj858aep.pdf
SQJ858AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1_GE3 sqj960ep.pdf
SQJ960EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3 sqs401en.pdf
SQS401EN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_GE3 sqs460en.pdf
SQS460EN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.68 грн
10+42.66 грн
100+27.75 грн
500+20.01 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_GE3 sq4401ey.pdf
SQ4401EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
на замовлення 17252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.70 грн
10+171.12 грн
100+136.16 грн
500+108.13 грн
1000+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4840EY-T1_GE3 sq4840ey.pdf
SQ4840EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.12 грн
10+230.95 грн
100+189.22 грн
500+151.17 грн
1000+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946AEY-T1_GE3 sq4946aey.pdf
SQ4946AEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3 sq9945bey.pdf
SQ9945BEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.18 грн
10+73.05 грн
100+48.82 грн
500+36.06 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD15N06-42L_GE3 sqd15n06-42l.pdf
SQD15N06-42L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.60 грн
10+68.46 грн
100+45.66 грн
500+33.66 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N06-14L_GE3 sqd40n06-14l.pdf
SQD40N06-14L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.83 грн
10+96.32 грн
100+71.49 грн
500+53.75 грн
1000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N06-09L_GE3 sqd50n06-09l.pdf
SQD50N06-09L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.20 грн
10+238.07 грн
100+189.59 грн
500+174.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-09L_GE3 sqd50p04.pdf
SQD50P04-09L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
на замовлення 9056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.85 грн
10+181.01 грн
100+127.02 грн
500+102.49 грн
1000+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P04-13L_GE3 sqd50p04-13l.pdf
SQD50P04-13L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.85 грн
10+181.01 грн
100+127.02 грн
500+102.49 грн
1000+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ461EP-T1_GE3 sqj461ep.pdf
SQJ461EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.81 грн
10+187.02 грн
100+135.28 грн
500+103.92 грн
1000+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ463EP-T1_GE3 sqj463ep.pdf
SQJ463EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.41 грн
10+209.58 грн
100+147.73 грн
500+113.87 грн
1000+105.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3 sqj850ep.pdf
SQJ850EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.60 грн
10+113.10 грн
100+83.13 грн
500+63.26 грн
1000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3 sqj858aep.pdf
SQJ858AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.38 грн
10+67.91 грн
100+50.91 грн
500+37.74 грн
1000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1_GE3 sqj960ep.pdf
SQJ960EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.35 грн
10+154.34 грн
100+124.03 грн
500+95.63 грн
1000+79.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_GE3 sqs401en.pdf
SQS401EN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS460EN-T1_GE3 sqs460en.pdf
SQS460EN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.71 грн
10+78.83 грн
100+59.25 грн
500+43.98 грн
1000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG9408DN-T1-E4 71870.pdf
DG9408DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX ANA DUAL 8/4CH 16QFN
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 si1012cr.pdf
SI1012CR-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 55064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.26 грн
29+11.08 грн
100+8.67 грн
500+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 si1016cx.pdf
SI1016CX-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 22910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.74 грн
13+25.01 грн
100+16.34 грн
500+11.06 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3 si1077x.pdf
SI1077X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
на замовлення 15035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.34 грн
12+26.51 грн
100+15.88 грн
500+13.80 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]