Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11828) > Сторінка 111 з 198

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2303CDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.54 грн
10+32.98 грн
100+21.27 грн
500+15.21 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2329ds.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 75839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.42 грн
10+41.45 грн
50+30.53 грн
100+25.32 грн
500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 101490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.99 грн
10+32.24 грн
50+23.56 грн
100+19.49 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2347ds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
на замовлення 419713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.65 грн
12+24.96 грн
50+18.17 грн
100+14.97 грн
500+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3407dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 53039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.99 грн
10+32.24 грн
50+23.56 грн
100+19.49 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 SI3473CDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 3637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.90 грн
10+47.24 грн
50+34.91 грн
100+29.01 грн
500+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3585cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.08 грн
10+34.32 грн
50+25.15 грн
100+20.82 грн
500+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4403cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 15918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.90 грн
10+47.09 грн
100+30.95 грн
500+22.54 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4455dy.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-E3 SI4866BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4866bd.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5457dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 26137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.16 грн
10+36.10 грн
50+26.50 грн
100+21.94 грн
500+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3 SI5504BDC-T1-E3 Vishay Siliconix si5504bdc.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.83 грн
10+108.44 грн
100+77.63 грн
500+60.03 грн
1000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 SI7149DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 16040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.75 грн
10+100.49 грн
50+76.24 грн
100+64.20 грн
500+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463ADP-T1-GE3 SI7463ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7463adp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.35 грн
10+79.85 грн
50+60.01 грн
100+50.31 грн
500+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3 SI7852DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7852dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 6934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.68 грн
10+175.74 грн
50+136.15 грн
100+115.81 грн
500+96.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8472db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.25 грн
13+23.47 грн
100+17.05 грн
500+14.25 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.12 грн
10+80.59 грн
50+60.62 грн
100+50.86 грн
500+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia400edj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.02 грн
10+38.25 грн
100+24.85 грн
500+17.88 грн
1000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3 SIA427ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia427adj.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.08 грн
10+34.32 грн
50+25.15 грн
100+20.82 грн
500+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia447dj.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 10704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.31 грн
10+33.72 грн
100+21.77 грн
500+15.61 грн
1000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172DP-T1-GE3 SIR172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir172dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 16.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir418dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.30 грн
10+84.15 грн
50+63.45 грн
100+53.23 грн
500+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9408DN-T1-E4 DG9408DN-T1-E4 Vishay Siliconix 71870.pdf Description: IC MUX ANA DUAL 8/4CH 16QFN
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1414DH-T1-GE3 SI1414DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1414dh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1489EDH-T1-GE3 SI1489EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1489ed.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-E3 SI4866BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4866bd.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC521ACD-T1-GE3 SIC521ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic521a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.23 грн
6000+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC521CD-T1-GE3 SIC521CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic521a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC530CD-T1-GE3 SIC530CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic530.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 20V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.82 грн
6000+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC531ACD-T1-GE3 SIC531ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic531a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC531CD-T1-GE3 SiC531CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic531a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC532CD-T1-GE3 SiC532CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic532.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620ARCD-T1-GE3 SIC620ARCD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620r.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC631CD-T1-GE3 SiC631CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic631.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC632ACD-T1-GE3 SIC632ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic632a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC632CD-T1-GE3 SiC632CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic632a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC521ACD-T1-GE3 SIC521ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic521a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC521CD-T1-GE3 SIC521CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic521a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.46 грн
10+147.88 грн
25+139.52 грн
100+111.54 грн
250+104.74 грн
500+91.64 грн
1000+74.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC530CD-T1-GE3 SIC530CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic530.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 20V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 14162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.26 грн
10+125.23 грн
25+112.87 грн
100+93.16 грн
250+87.07 грн
500+83.40 грн
1000+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC531ACD-T1-GE3 SIC531ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic531a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiC531CD-T1-GE3 SiC531CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic531a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.61 грн
10+144.32 грн
25+136.13 грн
100+108.86 грн
250+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC532CD-T1-GE3 SiC532CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic532.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.26 грн
10+156.80 грн
25+147.99 грн
100+118.32 грн
250+111.10 грн
500+97.21 грн
1000+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC631CD-T1-GE3 SiC631CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic631.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.21 грн
10+115.65 грн
25+105.65 грн
100+88.80 грн
250+83.88 грн
500+80.91 грн
1000+77.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC632ACD-T1-GE3 SIC632ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic632a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.74 грн
10+136.00 грн
25+124.40 грн
100+104.77 грн
250+99.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC632CD-T1-GE3 SiC632CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic632a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.89 грн
10+133.18 грн
25+121.78 грн
100+102.58 грн
250+97.00 грн
500+94.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC770CD-T1-GE3 SiC770CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC CTLR PFC STAGE PPAK MLP66-40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3535DB-T1-E1 Vishay Siliconix Description: IC SW SPDTX2 400MOHM 10MICRO FT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 400mOhm
Supplier Device Package: 10-Micro Foot® (2x1.5)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 3.3V
Charge Injection: 21pC
Crosstalk: -69dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 82ns, 73ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 145pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 SiHH11N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh11n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 SiHH14N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh14n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N65E-T1-GE3 SiHH14N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh14n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1712 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH21N65E-T1-GE3 SiHH21N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh21n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2404 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3 SiHG33N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg33n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 SiHH11N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh11n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.32 грн
10+221.41 грн
50+173.12 грн
100+147.89 грн
500+130.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 SiHH14N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh14n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 100 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.94 грн
10+260.04 грн
50+204.46 грн
100+175.10 грн
500+159.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424EDQ-T1-GE3 DG9424EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9424e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 3OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 49pF, 37pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+126.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9425EDQ-T1-GE3 DG9425EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9424e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 3OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 49pF, 37pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9426EDQ-T1-GE3 DG9426EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9424e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 3OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 49pF, 37pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.03 грн
6000+101.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG408LEDQ-T1-GE3 DG408LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg408le.pdf Description: IC MUX 8:1 23OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 23Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -11pC
Crosstalk: -98dB @ 100kHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 47ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5.5pF, 25pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.27 грн
6000+70.08 грн
9000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG408LEDY-T1-GE3 DG408LEDY-T1-GE3 Vishay Siliconix dg408le.pdf Description: IC MUX 8:1 23OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 23Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -11pC
Crosstalk: -98dB @ 100kHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 47ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5.5pF, 25pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-E3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.54 грн
10+32.98 грн
100+21.27 грн
500+15.21 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
SI2329DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 75839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.42 грн
10+41.45 грн
50+30.53 грн
100+25.32 грн
500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 101490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.99 грн
10+32.24 грн
50+23.56 грн
100+19.49 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
на замовлення 419713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.65 грн
12+24.96 грн
50+18.17 грн
100+14.97 грн
500+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 53039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.99 грн
10+32.24 грн
50+23.56 грн
100+19.49 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-E3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 3637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.90 грн
10+47.24 грн
50+34.91 грн
100+29.01 грн
500+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 si3585cd.pdf
SI3585CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.08 грн
10+34.32 грн
50+25.15 грн
100+20.82 грн
500+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 15918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.90 грн
10+47.09 грн
100+30.95 грн
500+22.54 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 si4455dy.pdf
SI4455DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-E3 si4866bd.pdf
SI4866BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 si5457dc.pdf
SI5457DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 26137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.16 грн
10+36.10 грн
50+26.50 грн
100+21.94 грн
500+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-E3 si5504bdc.pdf
SI5504BDC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.83 грн
10+108.44 грн
100+77.63 грн
500+60.03 грн
1000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149DP-T1-GE3 si7149dp.pdf
SI7149DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 16040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.75 грн
10+100.49 грн
50+76.24 грн
100+64.20 грн
500+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463ADP-T1-GE3 si7463adp.pdf
SI7463ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.35 грн
10+79.85 грн
50+60.01 грн
100+50.31 грн
500+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3 si7852dp.pdf
SI7852DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 6934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.68 грн
10+175.74 грн
50+136.15 грн
100+115.81 грн
500+96.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1 si8472db.pdf
SI8472DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.25 грн
13+23.47 грн
100+17.05 грн
500+14.25 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 si9926cd.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.12 грн
10+80.59 грн
50+60.62 грн
100+50.86 грн
500+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
SIA400EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.02 грн
10+38.25 грн
100+24.85 грн
500+17.88 грн
1000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3 sia427adj.pdf
SIA427ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.08 грн
10+34.32 грн
50+25.15 грн
100+20.82 грн
500+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 sia447dj.pdf
SIA447DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 10704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.31 грн
10+33.72 грн
100+21.77 грн
500+15.61 грн
1000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172DP-T1-GE3 sir172dp.pdf
SIR172DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 16.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 sir418dp.pdf
SIR418DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.30 грн
10+84.15 грн
50+63.45 грн
100+53.23 грн
500+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9408DN-T1-E4 71870.pdf
DG9408DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX ANA DUAL 8/4CH 16QFN
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1414DH-T1-GE3 si1414dh.pdf
SI1414DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1489EDH-T1-GE3 si1489ed.pdf
SI1489EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-E3 si4866bd.pdf
SI4866BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC521ACD-T1-GE3 sic521a.pdf
SIC521ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+78.23 грн
6000+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC521CD-T1-GE3 sic521a.pdf
SIC521CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC530CD-T1-GE3 sic530.pdf
SIC530CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 20V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+84.82 грн
6000+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC531ACD-T1-GE3 sic531a.pdf
SIC531ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC531CD-T1-GE3 sic531a.pdf
SiC531CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC532CD-T1-GE3 sic532.pdf
SiC532CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620ARCD-T1-GE3 sic620r.pdf
SIC620ARCD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC631CD-T1-GE3 sic631.pdf
SiC631CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+83.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC632ACD-T1-GE3 sic632a.pdf
SIC632ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC632CD-T1-GE3 sic632a.pdf
SiC632CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC521ACD-T1-GE3 sic521a.pdf
SIC521ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC521CD-T1-GE3 sic521a.pdf
SIC521CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.46 грн
10+147.88 грн
25+139.52 грн
100+111.54 грн
250+104.74 грн
500+91.64 грн
1000+74.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC530CD-T1-GE3 sic530.pdf
SIC530CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 20V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 14162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.26 грн
10+125.23 грн
25+112.87 грн
100+93.16 грн
250+87.07 грн
500+83.40 грн
1000+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC531ACD-T1-GE3 sic531a.pdf
SIC531ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiC531CD-T1-GE3 sic531a.pdf
SiC531CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.61 грн
10+144.32 грн
25+136.13 грн
100+108.86 грн
250+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC532CD-T1-GE3 sic532.pdf
SiC532CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 30A PPAK MLP4
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Current - Peak Output: 35A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.26 грн
10+156.80 грн
25+147.99 грн
100+118.32 грн
250+111.10 грн
500+97.21 грн
1000+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC631CD-T1-GE3 sic631.pdf
SiC631CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.21 грн
10+115.65 грн
25+105.65 грн
100+88.80 грн
250+83.88 грн
500+80.91 грн
1000+77.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC632ACD-T1-GE3 sic632a.pdf
SIC632ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.74 грн
10+136.00 грн
25+124.40 грн
100+104.77 грн
250+99.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC632CD-T1-GE3 sic632a.pdf
SiC632CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.89 грн
10+133.18 грн
25+121.78 грн
100+102.58 грн
250+97.00 грн
500+94.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiC770CD-T1-GE3
SiC770CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC CTLR PFC STAGE PPAK MLP66-40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3535DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPDTX2 400MOHM 10MICRO FT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 400mOhm
Supplier Device Package: 10-Micro Foot® (2x1.5)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 3.3V
Charge Injection: 21pC
Crosstalk: -69dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 82ns, 73ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 145pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 sihh11n60ef.pdf
SiHH11N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 sihh14n60ef.pdf
SiHH14N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N65E-T1-GE3 sihh14n65e.pdf
SiHH14N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1712 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH21N65E-T1-GE3 sihh21n65e.pdf
SiHH21N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2404 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3 sihg33n65e.pdf
SiHG33N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH11N60EF-T1-GE3 sihh11n60ef.pdf
SiHH11N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 357mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 100 V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+346.32 грн
10+221.41 грн
50+173.12 грн
100+147.89 грн
500+130.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 sihh14n60ef.pdf
SiHH14N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 100 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+404.94 грн
10+260.04 грн
50+204.46 грн
100+175.10 грн
500+159.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424EDQ-T1-GE3 dg9424e.pdf
DG9424EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 3OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 49pF, 37pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+126.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9425EDQ-T1-GE3 dg9424e.pdf
DG9425EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 3OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 49pF, 37pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9426EDQ-T1-GE3 dg9424e.pdf
DG9426EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 3OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 49pF, 37pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+107.03 грн
6000+101.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG408LEDQ-T1-GE3 dg408le.pdf
DG408LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 23OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 23Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -11pC
Crosstalk: -98dB @ 100kHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 47ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5.5pF, 25pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+74.27 грн
6000+70.08 грн
9000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG408LEDY-T1-GE3 dg408le.pdf
DG408LEDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 23OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 23Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -11pC
Crosstalk: -98dB @ 100kHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 47ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5.5pF, 25pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.