Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11098) > Сторінка 111 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP22N65E-GE3 SIHP22N65E-GE3 Vishay Siliconix sihp22n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N65E-GE3 SIHF22N65E-GE3 Vishay Siliconix sihf22n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N65E-GE3 SIHB22N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb22n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 Vishay Siliconix sihp15n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3 SIHF15N65E-GE3 Vishay Siliconix sihf15n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3 SIHF6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihf6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Vishay Siliconix sihp24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N65E-GE3 SIHP12N65E-GE3 Vishay Siliconix sihp12n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.34 грн
75+62.89 грн
150+57.90 грн
525+51.35 грн
1050+47.24 грн
2025+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB6N65E-GE3 SIHB6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1308edl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 23583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.57 грн
6000+7.01 грн
9000+6.39 грн
15000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3993CDV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Si3993CDV.PDF Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.78 грн
6000+11.11 грн
9000+10.91 грн
15000+10.10 грн
21000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172ADP-T1-GE3 SIR172ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir172adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2392ads.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2392ads.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.73 грн
10+32.95 грн
100+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3 SI1416EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1416ed.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.41 грн
6000+8.56 грн
9000+8.06 грн
15000+7.52 грн
21000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3 SIA427ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia427adj.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2338ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3 SI4501BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4501bd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1308edl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 23583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
15+21.62 грн
100+12.65 грн
500+10.91 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2338ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
10+31.85 грн
100+22.14 грн
500+16.22 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3 SI4501BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4501bd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32408DNP-T1-GE4 SIP32408DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32408.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 44mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 19702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
15+21.70 грн
25+19.31 грн
100+15.74 грн
250+14.59 грн
500+13.90 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32409DNP-T1-GE4 SIP32409DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32408.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 44mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
15+21.78 грн
25+19.44 грн
100+15.82 грн
250+14.66 грн
500+13.97 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620CD-T1-GE3 SIC620CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620ACD-T1-GE3 SIC620ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2502DB-T2-GE1 DG2502DB-T2-GE1 Vishay Siliconix vis-dg2502db-t2-ge1.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32102DB-T1-GE1 SIP32102DB-T1-GE1 Vishay Siliconix sip32101.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC781CD-T1-GE3 SIC781CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic781cd.pdf Description: IC BUCK ADJ 50A 40MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620CD-T1-GE3 SIC620CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.38 грн
10+162.70 грн
25+149.12 грн
100+125.96 грн
250+119.29 грн
500+115.27 грн
1000+110.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620ACD-T1-GE3 SIC620ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.75 грн
10+161.52 грн
25+148.09 грн
100+125.11 грн
250+118.48 грн
500+114.48 грн
1000+109.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG2502DB-T2-GE1 DG2502DB-T2-GE1 Vishay Siliconix vis-dg2502db-t2-ge1.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.36 грн
10+67.70 грн
25+61.37 грн
100+51.04 грн
250+47.92 грн
500+46.04 грн
1000+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32102DB-T1-GE1 SIP32102DB-T1-GE1 Vishay Siliconix sip32101.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 32637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.46 грн
10+64.09 грн
25+57.94 грн
100+48.04 грн
250+45.03 грн
500+43.21 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIC781CD-T1-GE3 SIC781CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic781cd.pdf Description: IC BUCK ADJ 50A 40MLP
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis612ednt.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8457db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA25N50E-E3 SiHA25N50E-E3 Vishay Siliconix siha25n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.79 грн
50+145.10 грн
100+131.67 грн
500+101.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 SIHG25N50E-GE3 Vishay Siliconix sihg25n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.89 грн
25+186.74 грн
100+153.47 грн
500+119.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Vishay Siliconix tf-sihp25n50e-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.61 грн
50+145.41 грн
100+131.95 грн
500+101.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8457db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 5409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.96 грн
10+40.26 грн
100+26.10 грн
500+18.77 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG2750DN-T1-E4 DG2750DN-T1-E4 Vishay Siliconix dg2750.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 1OHM 10MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1Ohm
-3db Bandwidth: 49MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -60dB @ 300kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 2.1µs, 130ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 50nA (Typ)
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.09 грн
10+122.91 грн
25+115.97 грн
100+92.72 грн
250+87.06 грн
500+76.18 грн
1000+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1-GE3 Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1-GE3 SQ4940AEY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4940aey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1-GE3 SQ4284EY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4284ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-GE3 SIHB28N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.48 грн
50+209.80 грн
100+192.20 грн
500+176.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihf28n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihp33n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia466edj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia466edj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
10+35.15 грн
100+27.23 грн
500+21.10 грн
1000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1-GE3 Vishay Siliconix sq7414aen.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Vishay Siliconix sqm120p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.23 грн
1600+118.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Vishay Siliconix sqm100n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis407adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.40 грн
6000+22.65 грн
9000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2100DY-T1-GE3 SIP2100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix sip2100.pdf Description: IC MTR DRV BIPOLR 3.8-5.5V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 3.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.77 грн
5000+68.58 грн
7500+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis407adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
на замовлення 14026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.62 грн
10+60.08 грн
100+39.65 грн
500+28.97 грн
1000+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2100DY-T1-GE3 SIP2100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix sip2100.pdf Description: IC MTR DRV BIPOLR 3.8-5.5V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 3.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 9160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.09 грн
10+101.36 грн
25+92.38 грн
100+77.38 грн
250+72.95 грн
500+70.28 грн
1000+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj951ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Vishay Siliconix sqm120p0.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N50E-GE3 SIHB12N50E-GE3 Vishay Siliconix sihb12n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N50E-GE3 SIHB15N50E-GE3 Vishay Siliconix sihb15n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N65E-GE3 sihp22n65e.pdf
SIHP22N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N65E-GE3 sihf22n65e.pdf
SIHF22N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N65E-GE3 sihb22n65e.pdf
SIHB22N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 sihp15n65e.pdf
SIHP15N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3 sihf15n65e.pdf
SIHF15N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3 sihf6n65e.pdf
SIHF6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 sihp24n65e.pdf
SIHP24N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N65E-GE3 sihp12n65e.pdf
SIHP12N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.34 грн
75+62.89 грн
150+57.90 грн
525+51.35 грн
1050+47.24 грн
2025+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB6N65E-GE3 sihb6n65e.pdf
SIHB6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 23583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.57 грн
6000+7.01 грн
9000+6.39 грн
15000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3993CDV-T1-GE3 Si3993CDV.PDF
SI3993CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.78 грн
6000+11.11 грн
9000+10.91 грн
15000+10.10 грн
21000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172ADP-T1-GE3 sir172adp.pdf
SIR172ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.73 грн
10+32.95 грн
100+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3 si1416ed.pdf
SI1416EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.41 грн
6000+8.56 грн
9000+8.06 грн
15000+7.52 грн
21000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427ADJ-T1-GE3 sia427adj.pdf
SIA427ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
SI2338DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3 si4501bd.pdf
SI4501BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 23583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.66 грн
15+21.62 грн
100+12.65 грн
500+10.91 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
SI2338DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 15 V
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
10+31.85 грн
100+22.14 грн
500+16.22 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3 si4501bd.pdf
SI4501BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32408DNP-T1-GE4 sip32408.pdf
SIP32408DNP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 44mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 19702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.66 грн
15+21.70 грн
25+19.31 грн
100+15.74 грн
250+14.59 грн
500+13.90 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32409DNP-T1-GE4 sip32408.pdf
SIP32409DNP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 44mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.66 грн
15+21.78 грн
25+19.44 грн
100+15.82 грн
250+14.66 грн
500+13.97 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620CD-T1-GE3 sic620a.pdf
SIC620CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620ACD-T1-GE3 sic620a.pdf
SIC620ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2502DB-T2-GE1 vis-dg2502db-t2-ge1.pdf
DG2502DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32102DB-T1-GE1 sip32101.pdf
SIP32102DB-T1-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC781CD-T1-GE3 sic781cd.pdf
SIC781CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC BUCK ADJ 50A 40MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620CD-T1-GE3 sic620a.pdf
SIC620CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.38 грн
10+162.70 грн
25+149.12 грн
100+125.96 грн
250+119.29 грн
500+115.27 грн
1000+110.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620ACD-T1-GE3 sic620a.pdf
SIC620ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.75 грн
10+161.52 грн
25+148.09 грн
100+125.11 грн
250+118.48 грн
500+114.48 грн
1000+109.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG2502DB-T2-GE1 vis-dg2502db-t2-ge1.pdf
DG2502DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.36 грн
10+67.70 грн
25+61.37 грн
100+51.04 грн
250+47.92 грн
500+46.04 грн
1000+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32102DB-T1-GE1 sip32101.pdf
SIP32102DB-T1-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 32637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.46 грн
10+64.09 грн
25+57.94 грн
100+48.04 грн
250+45.03 грн
500+43.21 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIC781CD-T1-GE3 sic781cd.pdf
SIC781CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC BUCK ADJ 50A 40MLP
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS612EDNT-T1-GE3 sis612ednt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA25N50E-E3 siha25n50e.pdf
SiHA25N50E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.79 грн
50+145.10 грн
100+131.67 грн
500+101.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
SIHG25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.89 грн
25+186.74 грн
100+153.47 грн
500+119.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 tf-sihp25n50e-ge3.pdf
SIHP25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.61 грн
50+145.41 грн
100+131.95 грн
500+101.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 5409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.96 грн
10+40.26 грн
100+26.10 грн
500+18.77 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG2750DN-T1-E4 dg2750.pdf
DG2750DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 1OHM 10MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1Ohm
-3db Bandwidth: 49MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5V
Charge Injection: 4pC
Crosstalk: -60dB @ 300kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 2.1µs, 130ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 36pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 50nA (Typ)
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.09 грн
10+122.91 грн
25+115.97 грн
100+92.72 грн
250+87.06 грн
500+76.18 грн
1000+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1-GE3 sq4940aey.pdf
SQ4940AEY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1-GE3 sq4284ey.pdf
SQ4284EY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.48 грн
50+209.80 грн
100+192.20 грн
500+176.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 sihf28n60ef.pdf
SIHF28N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.38 грн
10+35.15 грн
100+27.23 грн
500+21.10 грн
1000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1-GE3 sq7414aen.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 sqm120p06-07l.pdf
SQM120P06-07L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.23 грн
1600+118.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 sqm100n1.pdf
SQM100N10-10_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3 sis407adn.pdf
SIS407ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.40 грн
6000+22.65 грн
9000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2100DY-T1-GE3 sip2100.pdf
SIP2100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MTR DRV BIPOLR 3.8-5.5V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 3.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.77 грн
5000+68.58 грн
7500+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3 sis407adn.pdf
SIS407ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
на замовлення 14026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.62 грн
10+60.08 грн
100+39.65 грн
500+28.97 грн
1000+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2100DY-T1-GE3 sip2100.pdf
SIP2100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MTR DRV BIPOLR 3.8-5.5V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 3.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 9160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.09 грн
10+101.36 грн
25+92.38 грн
100+77.38 грн
250+72.95 грн
500+70.28 грн
1000+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 sqj951ep.pdf
SQJ951EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L_GE3 sqm120p0.pdf
SQM120P04-04L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+130.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N50E-GE3 sihb12n50e.pdf
SIHB12N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N50E-GE3 sihb15n50e.pdf
SIHB15N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]