Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11163) > Сторінка 105 з 187

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 126 144 162 180 187  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1441EDH-T1-GE3 SI1441EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1441ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1443edh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.62 грн
6000+10.25 грн
9000+9.77 грн
15000+8.66 грн
21000+8.36 грн
30000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1489EDH-T1-GE3 SI1489EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1489ed.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-GE3 SI1539CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1539cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 340mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 83250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.31 грн
6000+7.29 грн
9000+6.92 грн
15000+6.11 грн
21000+5.88 грн
30000+5.66 грн
75000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 340mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1902cdl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
6000+7.77 грн
9000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1907DL-T1-E3 Vishay Siliconix 71083.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 530MA SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2324ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.30 грн
6000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2329ds.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.78 грн
6000+13.99 грн
9000+13.37 грн
15000+11.90 грн
21000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 8821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.20 грн
6000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2347ds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
на замовлення 341500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.91 грн
6000+5.15 грн
9000+4.87 грн
15000+4.29 грн
21000+4.11 грн
30000+3.95 грн
75000+3.52 грн
150000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2366ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.67 грн
6000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2399ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
6000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3424cdv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.91 грн
6000+8.47 грн
9000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3585cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.11 грн
6000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3 SI4048DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4048dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4101dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4196DY-T1-GE3 SI4196DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4196dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4447ad.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.20 грн
5000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 SI4455DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4455dy.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4491edy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.96 грн
5000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4618DY-T1-GE3 SI4618DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4618dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4752DY-T1-GE3 SI4752DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4752dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5997DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5997du.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.69 грн
6000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7270DP-T1-GE3 SI7270DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7270dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463ADP-T1-GE3 SI7463ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7463adp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.56 грн
6000+30.13 грн
9000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8469DB-T2-E1 SI8469DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8469db.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1 SI8472DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8472db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.34 грн
6000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8805EDB-T2-E1 SI8805EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8805edb.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8809EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8809edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9121DB-3 Vishay Siliconix si9121.pdf Description: EVAL BOARD FOR SI9121
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9121DB-5 Vishay Siliconix si9121.pdf Description: EVAL BOARD FOR SI9121
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9165DB-K Vishay Siliconix 70825.pdf Description: EVAL BOARD FOR SI9165
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9165DB-S Vishay Siliconix 70825.pdf Description: EVAL BOARD FOR SI9165
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9166DB Vishay Siliconix si9166.pdf Description: EVAL BOARD FOR SI9166
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9169DB Vishay Siliconix si9169.pdf Description: EVAL BOARD FOR SI9169
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9169DB-K Vishay Siliconix 71089.pdf Description: EVAL BOARD FOR SI9169
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9169DB-S Vishay Siliconix 71089.pdf Description: EVAL BOARD FOR SI9169
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9731SB Vishay Siliconix si9731.pdf Description: EVAL BOARD FOR SI9731
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9979DB Vishay Siliconix si9979.pdf Description: EVAL BOARD FOR SI9979
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia400edj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.11 грн
6000+14.26 грн
9000+13.62 грн
15000+12.11 грн
21000+11.71 грн
30000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 SIA441DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia441dj.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.69 грн
6000+13.91 грн
9000+13.30 грн
15000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA444DJT-T1-GE3 SIA444DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia444djt.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 SIA447DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia447dj.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.95 грн
6000+11.44 грн
9000+10.92 грн
15000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA915DJ-T1-GE3 SIA915DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia915dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA920DJ-T1-GE3 SIA920DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia920dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T4-GE3 SIA921EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix sia921ed.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB404DK-T1-GE3 SIB404DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib404dk.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3 Vishay Siliconix sib437ed.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC711CD10-T1 Vishay Siliconix sic711cd.pdf Description: IC MOSFET DRIVER N-CH 68MLF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC714CD10-T1 Vishay Siliconix sic714cd.pdf Description: IC MOSFET DRIVER N-CH 68MLF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC730CD9-T1 Vishay Siliconix sic730cd.pdf Description: IC MOSFET DRIVER N-CH 32MLF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC734CD9-T1 Vishay Siliconix sic734cd.pdf Description: IC MOSFET DRIVER N-CH 32MLF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N50C-E3 SIHB12N50C-E3 Vishay Siliconix sihp12n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB30N60E-E3 SiHB30N60E-E3 Vishay Siliconix sihb30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-E3 SIHD3N50D-E3 Vishay Siliconix sihd3n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-E3 SIHD7N60E-E3 Vishay Siliconix sihd7n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf15n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.41 грн
50+135.90 грн
100+123.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF16N50C-E3 SIHF16N50C-E3 Vishay Siliconix sihp16n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3 si1441ed.pdf
SI1441EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
SI1443EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.62 грн
6000+10.25 грн
9000+9.77 грн
15000+8.66 грн
21000+8.36 грн
30000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1489EDH-T1-GE3 si1489ed.pdf
SI1489EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-GE3 si1539cdl.pdf
SI1539CDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 340mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 83250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.31 грн
6000+7.29 грн
9000+6.92 грн
15000+6.11 грн
21000+5.88 грн
30000+5.66 грн
75000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-GE3 si1553cdl.pdf
SI1553CDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 340mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.29 грн
6000+7.77 грн
9000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1907DL-T1-E3 71083.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 530MA SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 si2324ds.pdf
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.30 грн
6000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
SI2329DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 4 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.78 грн
6000+13.99 грн
9000+13.37 грн
15000+11.90 грн
21000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 8821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.20 грн
6000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
на замовлення 341500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.91 грн
6000+5.15 грн
9000+4.87 грн
15000+4.29 грн
21000+4.11 грн
30000+3.95 грн
75000+3.52 грн
150000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.67 грн
6000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.07 грн
6000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
SI3424CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.91 грн
6000+8.47 грн
9000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3 si3585cd.pdf
SI3585CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.11 грн
6000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3 si4048dy.pdf
SI4048DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3 si4101dy.pdf
SI4101DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4196DY-T1-GE3 si4196dy.pdf
SI4196DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.20 грн
5000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4455DY-T1-GE3 si4455dy.pdf
SI4455DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4491EDY-T1-GE3 si4491edy.pdf
SI4491EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.96 грн
5000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4618DY-T1-GE3 si4618dy.pdf
SI4618DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4752DY-T1-GE3 si4752dy.pdf
SI4752DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5997DU-T1-GE3 si5997du.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.69 грн
6000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7270DP-T1-GE3 si7270dp.pdf
SI7270DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463ADP-T1-GE3 si7463adp.pdf
SI7463ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.56 грн
6000+30.13 грн
9000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8469DB-T2-E1 si8469db.pdf
SI8469DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8472DB-T2-E1 si8472db.pdf
SI8472DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.34 грн
6000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8805EDB-T2-E1 si8805edb.pdf
SI8805EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8809EDB-T2-E1 si8809edb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9121DB-3 si9121.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SI9121
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9121DB-5 si9121.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SI9121
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9165DB-K 70825.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SI9165
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9165DB-S 70825.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SI9165
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9166DB si9166.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SI9166
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9169DB si9169.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SI9169
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9169DB-K 71089.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SI9169
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9169DB-S 71089.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SI9169
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9731SB si9731.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SI9731
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9979DB si9979.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SI9979
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
SIA400EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.11 грн
6000+14.26 грн
9000+13.62 грн
15000+12.11 грн
21000+11.71 грн
30000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
SIA441DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.69 грн
6000+13.91 грн
9000+13.30 грн
15000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA444DJT-T1-GE3 sia444djt.pdf
SIA444DJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA447DJ-T1-GE3 sia447dj.pdf
SIA447DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.95 грн
6000+11.44 грн
9000+10.92 грн
15000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA915DJ-T1-GE3 sia915dj.pdf
SIA915DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA920DJ-T1-GE3 sia920dj.pdf
SIA920DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T4-GE3 sia921ed.pdf
SIA921EDJ-T4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB404DK-T1-GE3 sib404dk.pdf
SIB404DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3 sib437ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC711CD10-T1 sic711cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MOSFET DRIVER N-CH 68MLF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC714CD10-T1 sic714cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MOSFET DRIVER N-CH 68MLF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC730CD9-T1 sic730cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MOSFET DRIVER N-CH 32MLF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC734CD9-T1 sic734cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MOSFET DRIVER N-CH 32MLF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N50C-E3 sihp12n5.pdf
SIHB12N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB30N60E-E3 sihb30n60e.pdf
SiHB30N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-E3 sihd3n50d.pdf
SIHD3N50D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD7N60E-E3 sihd7n60e.pdf
SIHD7N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.41 грн
50+135.90 грн
100+123.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF16N50C-E3 sihp16n5.pdf
SIHF16N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 126 144 162 180 187  [ Наступна Сторінка >> ]