Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11841) > Сторінка 109 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4501BDY-T1-GE3 SI4501BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4501bd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 4.5W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32408DNP-T1-GE4 SIP32408DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32408.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 44mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 40740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
15+21.56 грн
25+19.23 грн
100+15.64 грн
250+14.51 грн
500+13.81 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32409DNP-T1-GE4 SIP32409DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32408.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 44mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 269550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
15+21.56 грн
25+19.23 грн
100+15.64 грн
250+14.51 грн
500+13.81 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620CD-T1-GE3 SIC620CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620ACD-T1-GE3 SIC620ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2502DB-T2-GE1 DG2502DB-T2-GE1 Vishay Siliconix vis-dg2502db-t2-ge1.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32102DB-T1-GE1 SIP32102DB-T1-GE1 Vishay Siliconix sip32101.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.13 грн
6000+37.76 грн
9000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC781CD-T1-GE3 SIC781CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic781cd.pdf Description: IC BUCK ADJ 50A 40MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620CD-T1-GE3 SIC620CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.36 грн
10+157.63 грн
25+144.48 грн
100+122.04 грн
250+115.58 грн
500+111.68 грн
1000+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620ACD-T1-GE3 SIC620ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.92 грн
10+187.34 грн
25+171.97 грн
100+145.57 грн
250+138.02 грн
500+136.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2502DB-T2-GE1 DG2502DB-T2-GE1 Vishay Siliconix vis-dg2502db-t2-ge1.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.73 грн
10+66.97 грн
25+60.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32102DB-T1-GE1 SIP32102DB-T1-GE1 Vishay Siliconix sip32101.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 17609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+58.21 грн
25+52.69 грн
100+43.69 грн
250+40.96 грн
500+39.30 грн
1000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC781CD-T1-GE3 SIC781CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic781cd.pdf Description: IC BUCK ADJ 50A 40MLP
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis612ednt.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8457db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA25N50E-E3 SiHA25N50E-E3 Vishay Siliconix siha25n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.21 грн
10+203.49 грн
50+158.06 грн
100+134.59 грн
500+110.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 SIHG25N50E-GE3 Vishay Siliconix sihg25n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.11 грн
25+191.90 грн
50+173.34 грн
100+148.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Vishay Siliconix tf-sihp25n50e-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.81 грн
10+192.37 грн
50+149.42 грн
100+127.24 грн
500+104.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8457db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 5409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.88 грн
10+39.01 грн
100+25.29 грн
500+18.19 грн
1000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2750DN-T1-E4 DG2750DN-T1-E4 Vishay Siliconix dg2750.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 1OHM 10MINIQFN
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 50nA (Typ)
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 36pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 2.1µs, 130ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -60dB @ 300kHz
Charge Injection: 4pC
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5V
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
-3db Bandwidth: 49MHz
On-State Resistance (Max): 1Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.83 грн
10+100.26 грн
25+91.33 грн
100+76.52 грн
250+72.12 грн
500+69.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1-GE3 Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1-GE3 SQ4940AEY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4940aey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1-GE3 SQ4284EY-T1-GE3 Vishay Siliconix sq4284ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-GE3 SIHB28N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.06 грн
10+322.19 грн
50+255.51 грн
100+219.68 грн
500+184.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihf28n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihp33n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia466edj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia466edj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.95 грн
10+45.71 грн
50+33.78 грн
100+28.07 грн
500+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1-GE3 Vishay Siliconix sq7414aen.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Vishay Siliconix sqm120p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Vishay Siliconix sqm100n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis407adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.61 грн
6000+21.94 грн
9000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2100DY-T1-GE3 SIP2100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix sip2100.pdf Description: IC MTR DRV BIPOLR 3.8-5.5V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 3.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1687 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis407adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.52 грн
10+58.21 грн
100+38.41 грн
500+28.07 грн
1000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2100DY-T1-GE3 SIP2100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix sip2100.pdf Description: IC MTR DRV BIPOLR 3.8-5.5V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 3.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.83 грн
10+100.26 грн
25+91.36 грн
100+76.55 грн
250+72.16 грн
500+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj951ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 56W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L_GE3 SQM120P04-04L_GE3 Vishay Siliconix sqm120p0.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N50E-GE3 SIHB12N50E-GE3 Vishay Siliconix sihb12n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N50E-GE3 SIHB15N50E-GE3 Vishay Siliconix sihb15n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB20N50E-GE3 SIHB20N50E-GE3 Vishay Siliconix sihb20n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.55 грн
10+195.80 грн
50+152.22 грн
100+129.67 грн
500+106.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60EF-GE3 SIHB33N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb33n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.98 грн
10+363.79 грн
50+290.01 грн
100+249.88 грн
500+210.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 Vishay Siliconix sihp12n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.33 грн
10+126.24 грн
50+96.19 грн
100+81.18 грн
500+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Vishay Siliconix sihp15n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 11201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.82 грн
10+132.56 грн
50+101.48 грн
100+85.83 грн
500+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP20N50E-GE3 SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix sihp20n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.67 грн
10+165.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L_GE3 SQD30N05-20L_GE3 Vishay Siliconix sqd30n05-20l.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2M7-GE3 Vishay Siliconix sqm100n04-2m7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_GE3 SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj992ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_GE3 SQD50N04-5m6_GE3 Vishay Siliconix sqd50n04-5m6.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si8410DB-T2-E1 Si8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8410db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si8410DB-T2-E1 Si8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8410db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.57 грн
10+62.40 грн
100+48.58 грн
500+36.30 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912AEP-T1_GE3 SQJ912AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj912aep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620RCD-T1-GE3 SIC620RCD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620r.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Technology: Power MOSFET
Current - Output / Channel: 60A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+152.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620RCD-T1-GE3 SIC620RCD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic620r.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Technology: Power MOSFET
Current - Output / Channel: 60A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.45 грн
10+205.47 грн
25+188.85 грн
100+160.10 грн
250+151.93 грн
500+151.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2501DB-T2-GE1 DG2501DB-T2-GE1 Vishay Siliconix dg2501.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2037DQ-T1-E3 DG2037DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg2037.pdf Description: IC SWITCH DUAL SPST 8MSOP
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8805EDB-T2-E1 SI8805EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8805edb.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2037DQ-T1-E3 DG2037DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg2037.pdf Description: IC SWITCH DUAL SPST 8MSOP
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA21N60EF-E3 SIHA21N60EF-E3 Vishay Siliconix siha21n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N60EF-GE3 SIHB21N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb21n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N60EF-GE3 SIHG21N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg21n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.46 грн
25+216.03 грн
50+195.54 грн
100+167.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501BDY-T1-GE3 si4501bd.pdf
SI4501BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 4.5W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32408DNP-T1-GE4 sip32408.pdf
SIP32408DNP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 44mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 40740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.65 грн
15+21.56 грн
25+19.23 грн
100+15.64 грн
250+14.51 грн
500+13.81 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32409DNP-T1-GE4 sip32408.pdf
SIP32409DNP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 44mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 269550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.65 грн
15+21.56 грн
25+19.23 грн
100+15.64 грн
250+14.51 грн
500+13.81 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620CD-T1-GE3 sic620a.pdf
SIC620CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620ACD-T1-GE3 sic620a.pdf
SIC620ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2502DB-T2-GE1 vis-dg2502db-t2-ge1.pdf
DG2502DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32102DB-T1-GE1 sip32101.pdf
SIP32102DB-T1-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+40.13 грн
6000+37.76 грн
9000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC781CD-T1-GE3 sic781cd.pdf
SIC781CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC BUCK ADJ 50A 40MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620CD-T1-GE3 sic620a.pdf
SIC620CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.36 грн
10+157.63 грн
25+144.48 грн
100+122.04 грн
250+115.58 грн
500+111.68 грн
1000+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620ACD-T1-GE3 sic620a.pdf
SIC620ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.92 грн
10+187.34 грн
25+171.97 грн
100+145.57 грн
250+138.02 грн
500+136.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2502DB-T2-GE1 vis-dg2502db-t2-ge1.pdf
DG2502DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.73 грн
10+66.97 грн
25+60.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32102DB-T1-GE1 sip32101.pdf
SIP32102DB-T1-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 17609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.86 грн
10+58.21 грн
25+52.69 грн
100+43.69 грн
250+40.96 грн
500+39.30 грн
1000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC781CD-T1-GE3 sic781cd.pdf
SIC781CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC BUCK ADJ 50A 40MLP
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS612EDNT-T1-GE3 sis612ednt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA25N50E-E3 siha25n50e.pdf
SiHA25N50E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+321.21 грн
10+203.49 грн
50+158.06 грн
100+134.59 грн
500+110.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
SIHG25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.11 грн
25+191.90 грн
50+173.34 грн
100+148.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 tf-sihp25n50e-ge3.pdf
SIHP25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.81 грн
10+192.37 грн
50+149.42 грн
100+127.24 грн
500+104.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
SI8457DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 6 V
на замовлення 5409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.88 грн
10+39.01 грн
100+25.29 грн
500+18.19 грн
1000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2750DN-T1-E4 dg2750.pdf
DG2750DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 1OHM 10MINIQFN
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 50nA (Typ)
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 36pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 2.1µs, 130ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -60dB @ 300kHz
Charge Injection: 4pC
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5V
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
-3db Bandwidth: 49MHz
On-State Resistance (Max): 1Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFQFN
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.83 грн
10+100.26 грн
25+91.33 грн
100+76.52 грн
250+72.12 грн
500+69.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1-GE3 sq4940aey.pdf
SQ4940AEY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1-GE3 sq4284ey.pdf
SQ4284EY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+496.06 грн
10+322.19 грн
50+255.51 грн
100+219.68 грн
500+184.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 sihf28n60ef.pdf
SIHF28N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
SIA466EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.95 грн
10+45.71 грн
50+33.78 грн
100+28.07 грн
500+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1-GE3 sq7414aen.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 sqm120p06-07l.pdf
SQM120P06-07L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 sqm100n1.pdf
SQM100N10-10_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3 sis407adn.pdf
SIS407ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.61 грн
6000+21.94 грн
9000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2100DY-T1-GE3 sip2100.pdf
SIP2100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MTR DRV BIPOLR 3.8-5.5V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 3.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1687 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407ADN-T1-GE3 sis407adn.pdf
SIS407ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.52 грн
10+58.21 грн
100+38.41 грн
500+28.07 грн
1000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP2100DY-T1-GE3 sip2100.pdf
SIP2100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MTR DRV BIPOLR 3.8-5.5V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 3.8V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 3.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.83 грн
10+100.26 грн
25+91.36 грн
100+76.55 грн
250+72.16 грн
500+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 sqj951ep.pdf
SQJ951EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 56W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P04-04L_GE3 sqm120p0.pdf
SQM120P04-04L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13980 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N50E-GE3 sihb12n50e.pdf
SIHB12N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N50E-GE3 sihb15n50e.pdf
SIHB15N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB20N50E-GE3 sihb20n50e.pdf
SIHB20N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.55 грн
10+195.80 грн
50+152.22 грн
100+129.67 грн
500+106.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60EF-GE3 sihb33n60ef.pdf
SIHB33N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+556.98 грн
10+363.79 грн
50+290.01 грн
100+249.88 грн
500+210.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.33 грн
10+126.24 грн
50+96.19 грн
100+81.18 грн
500+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 11201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.82 грн
10+132.56 грн
50+101.48 грн
100+85.83 грн
500+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP20N50E-GE3 sihp20n50e.pdf
SIHP20N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.67 грн
10+165.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD30N05-20L_GE3 sqd30n05-20l.pdf
SQD30N05-20L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N04-2M7-GE3 sqm100n04-2m7.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_GE3 sqj992ep.pdf
SQJ992EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_GE3 sqd50n04-5m6.pdf
SQD50N04-5m6_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si8410DB-T2-E1 si8410db.pdf
Si8410DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si8410DB-T2-E1 si8410db.pdf
Si8410DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-Micro Foot (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.57 грн
10+62.40 грн
100+48.58 грн
500+36.30 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912AEP-T1_GE3 sqj912aep.pdf
SQJ912AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620RCD-T1-GE3 sic620r.pdf
SIC620RCD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Technology: Power MOSFET
Current - Output / Channel: 60A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+152.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC620RCD-T1-GE3 sic620r.pdf
SIC620RCD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Technology: Power MOSFET
Current - Output / Channel: 60A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.45 грн
10+205.47 грн
25+188.85 грн
100+160.10 грн
250+151.93 грн
500+151.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2501DB-T2-GE1 dg2501.pdf
DG2501DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 200OHM 16WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 200Ohm
-3db Bandwidth: 550MHz
Supplier Device Package: 16-WCSP (1.44x1.44)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 100ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.9pF, 2.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2037DQ-T1-E3 dg2037.pdf
DG2037DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL SPST 8MSOP
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8805EDB-T2-E1 si8805edb.pdf
SI8805EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2037DQ-T1-E3 dg2037.pdf
DG2037DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL SPST 8MSOP
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA21N60EF-E3 siha21n60ef.pdf
SIHA21N60EF-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N60EF-GE3 sihb21n60ef.pdf
SIHB21N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+342.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
SIHG21N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+388.46 грн
25+216.03 грн
50+195.54 грн
100+167.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]