Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10948) > Сторінка 110 з 183
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SJM181BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
товар відсутній |
||||
| SJM181BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
товар відсутній |
||||
| SJM181BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
товар відсутній |
||||
| SJM181BXA | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
товар відсутній |
||||
| SJM181BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH DUAL SPST 14DIP |
товар відсутній |
||||
| SJM182BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM184BEA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM184BEC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM184BXA | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM184BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM185BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM187BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM187BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM187BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM187BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM187BXA | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM187BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM190BEA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM190BEC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM190BXA | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM190BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM191BXC | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM200BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM200BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM200BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM200BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM201BEA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM201BEAP1 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM201BEC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM300BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM300BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM300BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM300BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM301BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM301BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM301BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM301BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM302BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM302BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM304BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM304BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM304BIA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM304BIC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM306BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM306BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM307BCA01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
| SJM307BCC01 | Vishay Siliconix | Description: IC ANALOG SWITCH |
товар відсутній |
||||
 |
SQ2348ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||
 |
SQ3410EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||
| SQ3469EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6 |
товар відсутній |
||||
 |
SQ4401EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC |
товар відсутній |
|||
|
|
SQ4920EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
товар відсутній |
|||
|
|
SQ4946AEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC |
товар відсутній |
|||
|
|
SQ9945BEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC |
товар відсутній |
|||
 |
SQA410EJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6 |
товар відсутній |
|||
 |
SQD40N06-14L-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252 |
товар відсутній |
|||
| SQD50N03-3M1L-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252 |
товар відсутній |
||||
 |
SQD50N05-11L_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||
 |
SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| SQJ460EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 32A SO-8 |
товар відсутній |
| SQ2348ES-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
товар відсутній
| SQ3410EV-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
товар відсутній
| SQD50N03-3M1L-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
товар відсутній
| SQD50N05-11L_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товар відсутній
| SQJ422EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.53 грн |