Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11065) > Сторінка 110 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
U290-E3 Vishay Siliconix U290,U291.pdf Description: JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U291 Vishay Siliconix U290%2CU291.pdf Description: JFET N-CH 30V TO206AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-206AC (TO-52)
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 7 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 3 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U291-E3 Vishay Siliconix U290%2CU291.pdf Description: JFET N-CH 30V TO206AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-206AC (TO-52)
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 7 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 3 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U310-E3 Vishay Siliconix J%3BSST%3BU308%20Series.pdf Description: JFET N-CH 25V TO206AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-206AC (TO-52)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U430 Vishay Siliconix U430,U431.pdf Description: JFET 2N-CH 25V TO78-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U430-E3 Vishay Siliconix U430,U431.pdf Description: JFET 2N-CH 25V TO78-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U431 Vishay Siliconix U430,U431.pdf Description: JFET DUAL P-CH 25V TO-78
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U440 Vishay Siliconix U440.U441.pdf Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U440-E3 Vishay Siliconix U440.U441.pdf Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U441 Vishay Siliconix U440.U441.pdf Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U441-E3 Vishay Siliconix U440.U441.pdf Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP0300B-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B Vishay Siliconix VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B-2 Vishay Siliconix VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B-E3 VP0808B-E3 Vishay Siliconix VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP1008B Vishay Siliconix VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P Vishay Siliconix 70219.pdf Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P-2 Vishay Siliconix 70219.pdf Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P-E3 Vishay Siliconix 70219.pdf Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P-2 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P Vishay Siliconix 70214.pdf Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P-2 Vishay Siliconix 70214.pdf Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P-E3 Vishay Siliconix 70214.pdf Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ2001P Vishay Siliconix 70217.pdf Description: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Packaging: Tube
Configuration: 4 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ2001P-2 Vishay Siliconix 70217.pdf Description: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 14-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ3001P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 0.85A
Packaging: Tube
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V, 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32419DN-T1-GE4 SIP32419DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32429.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.30 грн
5000+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32468DB-T2-GE1 SIP32468DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32467.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32467DB-T2-GE1 SIP32467DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32467.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32419DN-T1-GE4 SIP32419DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32429.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.42 грн
10+132.58 грн
25+121.14 грн
100+101.84 грн
250+96.19 грн
500+92.78 грн
1000+88.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32468DB-T2-GE1 SIP32468DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32467.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32467DB-T2-GE1 SIP32467DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32467.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 SI3865DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Si3865DDV.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.5V ~ 12V
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 80984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.62 грн
6000+12.92 грн
9000+12.33 грн
15000+10.95 грн
21000+10.58 грн
30000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4403cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.59 грн
5000+19.33 грн
7500+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 Vishay Siliconix sud50p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.02 грн
4000+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50N10-21P-GE3 SUP50N10-21P-GE3 Vishay Siliconix sup50n1021p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12107DB SIP12107DB Vishay Siliconix 49994_pl0427.pdf Description: EVAL BOARD BUCK REG 5V 3A
Packaging: Box
Voltage - Input: 2.8V ~ 5.5V
Current - Output: 3A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiP12107
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12108DB SIP12108DB Vishay Siliconix sip12108.pdf Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 5A
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.8V
Voltage - Input: 2.8V ~ 5.5V
Current - Output: 5A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiP12108
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC413DB SIC413DB Vishay Siliconix sic413.pdf Description: EVAL BOARD BUCK REG 26V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC401DB SIC401DB Vishay Siliconix sic401abcd.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC401
Packaging: Box
Voltage - Input: 3V ~ 17V
Current - Output: 15A, 200mA
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: SiC401
Main Purpose: DC/DC, Step Down with LDO
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC402DB SIC402DB Vishay Siliconix 49994_pl0427.pdf Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC403DB SIC403DB Vishay Siliconix sic401.pdf Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 SI3865DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Si3865DDV.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.5V ~ 12V
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 84268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.28 грн
10+36.78 грн
100+23.79 грн
500+17.06 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-GE3 SUD06N10-225L-GE3 Vishay Siliconix to252aa.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA923AEDJ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.38 грн
6000+14.51 грн
9000+13.87 грн
15000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia446dj.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.75 грн
6000+16.64 грн
9000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia537edj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.98 грн
6000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.80 грн
6000+15.10 грн
9000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8851edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.46 грн
6000+16.38 грн
9000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3421dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.99 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA923AEDJ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 21563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.44 грн
10+40.62 грн
100+26.38 грн
500+19.01 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia446dj.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
на замовлення 9567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.40 грн
10+45.90 грн
100+29.92 грн
500+21.65 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia537edj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
10+39.01 грн
100+27.12 грн
500+19.87 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 10654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.69 грн
10+40.00 грн
100+27.39 грн
500+20.56 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8851edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
на замовлення 10618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.01 грн
10+45.29 грн
100+29.52 грн
500+21.34 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3421dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 8691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.52 грн
10+34.56 грн
100+22.62 грн
500+16.19 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282ADNP2-T1GE4 SIP4282ADNP2-T1GE4 Vishay Siliconix sip4282.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282ADNP3-T1GE4 SIP4282ADNP3-T1GE4 Vishay Siliconix sip4282.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Part Status: Active
на замовлення 6682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.97 грн
11+28.74 грн
25+25.78 грн
100+21.05 грн
250+19.56 грн
500+18.67 грн
1000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
U290-E3 U290,U291.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U291 U290%2CU291.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 30V TO206AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-206AC (TO-52)
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 7 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 3 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U291-E3 U290%2CU291.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 30V TO206AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-206AC (TO-52)
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 7 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 3 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U310-E3 J%3BSST%3BU308%20Series.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 25V TO206AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-206AC (TO-52)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U430 U430,U431.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V TO78-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U430-E3 U430,U431.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V TO78-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U431 U430,U431.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET DUAL P-CH 25V TO-78
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U440 U440.U441.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U440-E3 U440.U441.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U441 U440.U441.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
U441-E3 U440.U441.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET 2N-CH 25V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-71-6
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP0300B-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B-2 VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808B-E3 VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf
VP0808B-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VP1008B VP0808B,L,M;%20VP1008B,L,M.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P 70219.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P-2 70219.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1001P-E3 70219.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P-2
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1004P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P 70214.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P-2 70214.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ1006P-E3 70214.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ2001P 70217.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Packaging: Tube
Configuration: 4 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ2001P-2 70217.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 14-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VQ3001P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 0.85A
Packaging: Tube
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V, 150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32419DN-T1-GE4 sip32429.pdf
SIP32419DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+96.30 грн
5000+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32468DB-T2-GE1 sip32467.pdf
SIP32468DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32467DB-T2-GE1 sip32467.pdf
SIP32467DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32419DN-T1-GE4 sip32429.pdf
SIP32419DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Power Good, Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.42 грн
10+132.58 грн
25+121.14 грн
100+101.84 грн
250+96.19 грн
500+92.78 грн
1000+88.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32468DB-T2-GE1 sip32467.pdf
SIP32468DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32467DB-T2-GE1 sip32467.pdf
SIP32467DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
SI3865DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.5V ~ 12V
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 80984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.62 грн
6000+12.92 грн
9000+12.33 грн
15000+10.95 грн
21000+10.58 грн
30000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.59 грн
5000+19.33 грн
7500+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+75.02 грн
4000+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50N10-21P-GE3 sup50n1021p.pdf
SUP50N10-21P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12107DB 49994_pl0427.pdf
SIP12107DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD BUCK REG 5V 3A
Packaging: Box
Voltage - Input: 2.8V ~ 5.5V
Current - Output: 3A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiP12107
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12108DB sip12108.pdf
SIP12108DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 5A
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.8V
Voltage - Input: 2.8V ~ 5.5V
Current - Output: 5A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SiP12108
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC413DB sic413.pdf
SIC413DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD BUCK REG 26V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC401DB sic401abcd.pdf
SIC401DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC401
Packaging: Box
Voltage - Input: 3V ~ 17V
Current - Output: 15A, 200mA
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: SiC401
Main Purpose: DC/DC, Step Down with LDO
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC402DB 49994_pl0427.pdf
SIC402DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC403DB sic401.pdf
SIC403DB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD BUCK REG ADJ 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
SI3865DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.5V ~ 12V
Current - Output (Max): 2.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 84268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+36.78 грн
100+23.79 грн
500+17.06 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-GE3 to252aa.pdf
SUD06N10-225L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SiA923AEDJ.pdf
SIA923AEDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.38 грн
6000+14.51 грн
9000+13.87 грн
15000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 sia446dj.pdf
SIA446DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.75 грн
6000+16.64 грн
9000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 sia537edj.pdf
SIA537EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.98 грн
6000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.80 грн
6000+15.10 грн
9000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 si8851edb.pdf
SI8851EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.46 грн
6000+16.38 грн
9000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
SI3421DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.99 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SiA923AEDJ.pdf
SIA923AEDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 21563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.44 грн
10+40.62 грн
100+26.38 грн
500+19.01 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 sia446dj.pdf
SIA446DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
на замовлення 9567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.40 грн
10+45.90 грн
100+29.92 грн
500+21.65 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA537EDJ-T1-GE3 sia537edj.pdf
SIA537EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
10+39.01 грн
100+27.12 грн
500+19.87 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 10654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.69 грн
10+40.00 грн
100+27.39 грн
500+20.56 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 si8851edb.pdf
SI8851EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
на замовлення 10618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.01 грн
10+45.29 грн
100+29.52 грн
500+21.34 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
SI3421DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 8691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.52 грн
10+34.56 грн
100+22.62 грн
500+16.19 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282ADNP2-T1GE4 sip4282.pdf
SIP4282ADNP2-T1GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP4282ADNP3-T1GE4 sip4282.pdf
SIP4282ADNP3-T1GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 350mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Part Status: Active
на замовлення 6682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.97 грн
11+28.74 грн
25+25.78 грн
100+21.05 грн
250+19.56 грн
500+18.67 грн
1000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]