Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10949) > Сторінка 97 з 183

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 108 126 144 162 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SIP32454DB-T2-GE1 SIP32454DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32454.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.6 грн
10+ 43.31 грн
25+ 40.66 грн
100+ 31.13 грн
250+ 28.92 грн
500+ 24.62 грн
1000+ 19.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIP32455DB-T2-GE1 SIP32455DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32454.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товар відсутній
SIP32458DB-T2-GE1 SIP32458DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32458.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 23927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.02 грн
10+ 48.11 грн
25+ 45.16 грн
100+ 34.6 грн
250+ 32.14 грн
500+ 27.35 грн
1000+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIP32459DB-T2-GE1 SIP32459DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32458.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Part Status: Active
на замовлення 9634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.82 грн
10+ 68.77 грн
25+ 65.28 грн
100+ 50.33 грн
250+ 47.04 грн
500+ 41.57 грн
1000+ 32.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIP32461DB-T2-GE1 SIP32461DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32461.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.91 грн
10+ 33.7 грн
25+ 31.62 грн
100+ 24.22 грн
250+ 22.49 грн
500+ 19.15 грн
1000+ 15.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIP32451DB-T2-GE1 SIP32451DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32452.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 54mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.9V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товар відсутній
SIP32454DB-T2-GE1 SIP32454DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32454.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товар відсутній
SIP32455DB-T2-GE1 SIP32455DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32454.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товар відсутній
SIP32458DB-T2-GE1 SIP32458DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32458.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.94 грн
6000+ 19.67 грн
15000+ 18.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIP32459DB-T2-GE1 SIP32459DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32458.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.9 грн
6000+ 31.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIP32461DB-T2-GE1 SIP32461DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32461.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHP33N60E-GE3 SIHP33N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.71 грн
50+ 295.71 грн
100+ 253.47 грн
500+ 211.44 грн
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.27 грн
10+ 316.18 грн
100+ 255.77 грн
500+ 213.36 грн
1000+ 182.69 грн
2000+ 172.02 грн
SIS322DNT-T1-GE3 SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis322dnt.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товар відсутній
SIS322DNT-T1-GE3 SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis322dnt.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товар відсутній
SIS322DNT-T1-GE3 SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis322dnt.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товар відсутній
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8489edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
товар відсутній
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8489edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.22 грн
12+ 24.36 грн
100+ 16.9 грн
500+ 12.38 грн
1000+ 10.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002-T1-E3 2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix 70226.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.62 грн
10+ 33.22 грн
100+ 23.06 грн
500+ 16.9 грн
1000+ 13.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SI2307CDS-T1-E3 SI2307CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2307cds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 39529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.21 грн
10+ 28.07 грн
100+ 19.5 грн
500+ 14.29 грн
1000+ 11.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis435dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.89 грн
10+ 41.59 грн
100+ 28.8 грн
500+ 22.59 грн
1000+ 19.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI5936DU-T1-GE3 SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5936du.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.05 грн
10+ 35.34 грн
100+ 24.48 грн
500+ 19.2 грн
1000+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8810edb.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia437dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIA922EDJ-T1-GE3 SIA922EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia922edj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIA922EDJ-T1-GE3 SIA922EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia922edj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis435dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
товар відсутній
SI5936DU-T1-GE3 SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5936du.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8810edb.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
товар відсутній
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia437dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIA922EDJ-T1-GE3 SIA922EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia922edj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
товар відсутній
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2323dds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.35 грн
10+ 30.27 грн
100+ 21.02 грн
500+ 15.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2371eds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.65 грн
13+ 21.96 грн
100+ 13.69 грн
500+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2392DS-T1-GE3 SI2392DS-T1-GE3 Vishay Siliconix Si2392DS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товар відсутній
SI5415EDU-T1-GE3 SI5415EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5415edu.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товар відсутній
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5442du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
товар відсутній
SI7101DN-T1-GE3 SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7101dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 10903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.11 грн
10+ 62.25 грн
100+ 48.39 грн
500+ 38.49 грн
1000+ 31.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 46409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.02 грн
10+ 47.84 грн
100+ 33.13 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8816edb.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI8821EDB-T2-E1 SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8821edb.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
13+ 22.51 грн
100+ 13.51 грн
500+ 11.74 грн
1000+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIA439EDJ-T1-GE3 SIA439EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia439edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товар відсутній
SIA462DJ-T1-GE3 SIA462DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia462dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIA467EDJ-T1-GE3 SIA467EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia467edj.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товар відсутній
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia817edj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.07 грн
11+ 26.08 грн
100+ 18.13 грн
500+ 13.28 грн
1000+ 10.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIB441EDK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib441edk.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.51 грн
12+ 23.68 грн
100+ 16.47 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR664DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir664dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 22200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.7 грн
10+ 56.89 грн
100+ 44.28 грн
500+ 35.22 грн
1000+ 28.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir872adp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.88 грн
10+ 101.02 грн
100+ 81.22 грн
500+ 62.63 грн
1000+ 51.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis413dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 61627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.77 грн
10+ 31.16 грн
100+ 21.6 грн
500+ 16.94 грн
1000+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis443dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 72277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.78 грн
10+ 78.72 грн
100+ 61.26 грн
500+ 48.73 грн
1000+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
SISS23DN-T1-GE3 SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss23dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.3 грн
10+ 46.67 грн
100+ 32.28 грн
500+ 25.31 грн
1000+ 21.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
SISS27DN-T1-GE3 SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss27dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 25366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.74 грн
10+ 43.79 грн
100+ 30.33 грн
500+ 23.78 грн
1000+ 20.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIA439EDJ-T1-GE3 SIA439EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia439edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товар відсутній
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2323dds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товар відсутній
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2371eds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товар відсутній
SI2392DS-T1-GE3 SI2392DS-T1-GE3 Vishay Siliconix Si2392DS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товар відсутній
SI5415EDU-T1-GE3 SI5415EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5415edu.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товар відсутній
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5442du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
товар відсутній
SI7101DN-T1-GE3 SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7101dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.66 грн
6000+ 29.96 грн
9000+ 28.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.79 грн
6000+ 19.87 грн
9000+ 18.4 грн
30000+ 17.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIP32454DB-T2-GE1 sip32454.pdf
SIP32454DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.6 грн
10+ 43.31 грн
25+ 40.66 грн
100+ 31.13 грн
250+ 28.92 грн
500+ 24.62 грн
1000+ 19.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIP32455DB-T2-GE1 sip32454.pdf
SIP32455DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товар відсутній
SIP32458DB-T2-GE1 sip32458.pdf
SIP32458DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 23927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.02 грн
10+ 48.11 грн
25+ 45.16 грн
100+ 34.6 грн
250+ 32.14 грн
500+ 27.35 грн
1000+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIP32459DB-T2-GE1 sip32458.pdf
SIP32459DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Part Status: Active
на замовлення 9634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.82 грн
10+ 68.77 грн
25+ 65.28 грн
100+ 50.33 грн
250+ 47.04 грн
500+ 41.57 грн
1000+ 32.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIP32461DB-T2-GE1 sip32461.pdf
SIP32461DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.91 грн
10+ 33.7 грн
25+ 31.62 грн
100+ 24.22 грн
250+ 22.49 грн
500+ 19.15 грн
1000+ 15.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIP32451DB-T2-GE1 sip32452.pdf
SIP32451DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 54mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.9V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товар відсутній
SIP32454DB-T2-GE1 sip32454.pdf
SIP32454DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товар відсутній
SIP32455DB-T2-GE1 sip32454.pdf
SIP32455DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товар відсутній
SIP32458DB-T2-GE1 sip32458.pdf
SIP32458DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.94 грн
6000+ 19.67 грн
15000+ 18.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIP32459DB-T2-GE1 sip32458.pdf
SIP32459DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.9 грн
6000+ 31.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIP32461DB-T2-GE1 sip32461.pdf
SIP32461DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHP33N60E-GE3 sihp33n60e.pdf
SIHP33N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+387.71 грн
50+ 295.71 грн
100+ 253.47 грн
500+ 211.44 грн
SIHB33N60E-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.27 грн
10+ 316.18 грн
100+ 255.77 грн
500+ 213.36 грн
1000+ 182.69 грн
2000+ 172.02 грн
SIS322DNT-T1-GE3 sis322dnt.pdf
SIS322DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товар відсутній
SIS322DNT-T1-GE3 sis322dnt.pdf
SIS322DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товар відсутній
SIS322DNT-T1-GE3 sis322dnt.pdf
SIS322DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товар відсутній
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
SI8489EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
товар відсутній
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
SI8489EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.22 грн
12+ 24.36 грн
100+ 16.9 грн
500+ 12.38 грн
1000+ 10.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002-T1-E3 70226.pdf
2N7002-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.62 грн
10+ 33.22 грн
100+ 23.06 грн
500+ 16.9 грн
1000+ 13.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFRC20TRLPBF sihfrc20.pdf
IRFRC20TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SI2307CDS-T1-E3 si2307cds.pdf
SI2307CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 39529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.21 грн
10+ 28.07 грн
100+ 19.5 грн
500+ 14.29 грн
1000+ 11.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIS435DNT-T1-GE3 sis435dnt.pdf
SIS435DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.89 грн
10+ 41.59 грн
100+ 28.8 грн
500+ 22.59 грн
1000+ 19.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI5936DU-T1-GE3 si5936du.pdf
SI5936DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.05 грн
10+ 35.34 грн
100+ 24.48 грн
500+ 19.2 грн
1000+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI8810EDB-T2-E1 si8810edb.pdf
SI8810EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIA437DJ-T1-GE3 sia437dj.pdf
SIA437DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIA922EDJ-T1-GE3 sia922edj.pdf
SIA922EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIA922EDJ-T1-GE3 sia922edj.pdf
SIA922EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIS435DNT-T1-GE3 sis435dnt.pdf
SIS435DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
товар відсутній
SI5936DU-T1-GE3 si5936du.pdf
SI5936DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI8810EDB-T2-E1 si8810edb.pdf
SI8810EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
товар відсутній
SIA437DJ-T1-GE3 sia437dj.pdf
SIA437DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIA922EDJ-T1-GE3 sia922edj.pdf
SIA922EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
товар відсутній
SI2323DDS-T1-GE3 si2323dds.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.35 грн
10+ 30.27 грн
100+ 21.02 грн
500+ 15.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2371EDS-T1-GE3 si2371eds.pdf
SI2371EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.65 грн
13+ 21.96 грн
100+ 13.69 грн
500+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2392DS-T1-GE3 Si2392DS.pdf
SI2392DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товар відсутній
SI5415EDU-T1-GE3 si5415edu.pdf
SI5415EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товар відсутній
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
SI5442DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
товар відсутній
SI7101DN-T1-GE3 si7101dn.pdf
SI7101DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 10903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.11 грн
10+ 62.25 грн
100+ 48.39 грн
500+ 38.49 грн
1000+ 31.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 46409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.02 грн
10+ 47.84 грн
100+ 33.13 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
SI8816EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI8821EDB-T2-E1 si8821edb.pdf
SI8821EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.93 грн
13+ 22.51 грн
100+ 13.51 грн
500+ 11.74 грн
1000+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIA439EDJ-T1-GE3 sia439edj.pdf
SIA439EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товар відсутній
SIA462DJ-T1-GE3 sia462dj.pdf
SIA462DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIA467EDJ-T1-GE3 sia467edj.pdf
SIA467EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товар відсутній
SIA817EDJ-T1-GE3 sia817edj.pdf
SIA817EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.07 грн
11+ 26.08 грн
100+ 18.13 грн
500+ 13.28 грн
1000+ 10.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIB441EDK-T1-GE3 sib441edk.pdf
SIB441EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.51 грн
12+ 23.68 грн
100+ 16.47 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR664DP-T1-GE3 sir664dp.pdf
SIR664DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 22200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.7 грн
10+ 56.89 грн
100+ 44.28 грн
500+ 35.22 грн
1000+ 28.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR872ADP-T1-GE3 sir872adp.pdf
SIR872ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.88 грн
10+ 101.02 грн
100+ 81.22 грн
500+ 62.63 грн
1000+ 51.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 61627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.77 грн
10+ 31.16 грн
100+ 21.6 грн
500+ 16.94 грн
1000+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
SIS443DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 72277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.78 грн
10+ 78.72 грн
100+ 61.26 грн
500+ 48.73 грн
1000+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
SISS23DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.3 грн
10+ 46.67 грн
100+ 32.28 грн
500+ 25.31 грн
1000+ 21.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
SISS27DN-T1-GE3 siss27dn.pdf
SISS27DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 25366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.74 грн
10+ 43.79 грн
100+ 30.33 грн
500+ 23.78 грн
1000+ 20.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIA439EDJ-T1-GE3 sia439edj.pdf
SIA439EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товар відсутній
SI2323DDS-T1-GE3 si2323dds.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товар відсутній
SI2371EDS-T1-GE3 si2371eds.pdf
SI2371EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товар відсутній
SI2392DS-T1-GE3 Si2392DS.pdf
SI2392DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товар відсутній
SI5415EDU-T1-GE3 si5415edu.pdf
SI5415EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товар відсутній
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
SI5442DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
товар відсутній
SI7101DN-T1-GE3 si7101dn.pdf
SI7101DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+32.66 грн
6000+ 29.96 грн
9000+ 28.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.79 грн
6000+ 19.87 грн
9000+ 18.4 грн
30000+ 17.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 108 126 144 162 180 183  [ Наступна Сторінка >> ]