Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 97 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir876adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.67 грн
6000+44.84 грн
9000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 SQ2310ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2310es.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3 SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7415aen.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1m7L_GE3 SQM120N04-1m7L_GE3 Vishay Siliconix sqm120n0.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.51 грн
10+189.80 грн
100+134.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD42N03-3M9P-GE3 SUD42N03-3M9P-GE3 Vishay Siliconix SUD42N03-3m9P.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4202dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.83 грн
10+85.86 грн
100+57.86 грн
500+43.06 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4288dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.40 грн
10+79.81 грн
100+53.81 грн
500+40.04 грн
1000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3 SI4909DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4909dy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+69.07 грн
100+46.07 грн
500+33.97 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB410DK-T1-GE3 SIB410DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib410dk.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir876adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
на замовлення 21502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
10+106.96 грн
100+72.98 грн
500+54.84 грн
1000+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 SQ2310ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2310es.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3 SQ7415AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix sq7415aen.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8425db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8425db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.56 грн
10+38.05 грн
100+25.92 грн
500+20.21 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8483db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.27 грн
6000+12.36 грн
9000+11.94 грн
15000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8483db.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 16799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.06 грн
10+32.07 грн
100+22.97 грн
500+17.14 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32429DN-T1-GE4 SIP32429DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32429.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.83 грн
5000+73.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR646DP-T1-GE3 SIR646DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir646dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3 SIA459EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia459edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.35 грн
6000+10.38 грн
9000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7655adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.95 грн
6000+25.00 грн
9000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3 SI7315DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7315dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4038DY.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1865DDL-T1-GE3 SI1865DDL-T1-GE3 Vishay Siliconix Si1865DDL.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.1A
Voltage - Load: 1.8V ~ 12V
Rds On (Typ): 165mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32429DN-T1-GE4 SIP32429DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32429.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 16809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.95 грн
10+159.31 грн
100+111.18 грн
500+85.04 грн
1000+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR646DP-T1-GE3 SIR646DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir646dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3 SIA459EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia459edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 16938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
11+27.69 грн
100+19.27 грн
500+14.12 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7655adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 11712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.05 грн
10+64.68 грн
100+43.01 грн
500+31.63 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4038DY.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1865DDL-T1-GE3 SI1865DDL-T1-GE3 Vishay Siliconix Si1865DDL.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.1A
Voltage - Load: 1.8V ~ 12V
Rds On (Typ): 165mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.99 грн
16+19.21 грн
100+12.16 грн
500+8.51 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR646DP-T1-GE3 SIR646DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir646dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12108DMP-T1GE4 SIP12108DMP-T1GE4 Vishay Siliconix sip12108.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 5A 16MLP
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 2.8V
Voltage - Output (Max): 4.68V
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 200kHz ~ 4MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 5A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 16-MLP (3x3)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12108DMP-T1GE4 SIP12108DMP-T1GE4 Vishay Siliconix sip12108.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 5A 16MLP
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 2.8V
Voltage - Output (Max): 4.68V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 16-MLP (3x3)
Topology: Buck
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 5A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 200kHz ~ 4MHz
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.97 грн
10+109.84 грн
25+100.16 грн
100+83.98 грн
250+79.21 грн
500+76.33 грн
1000+72.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG309DY DG309DY Vishay Siliconix DG308A,DG309.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST/CMOS 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG401DY DG401DY Vishay Siliconix DG401,403,405_Rev2009.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX2 45OHM 16SOIC
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Charge Injection: 60pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4117A 2N4117A Vishay Siliconix 2N%2CPN%2CSST4117A%20Series.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4117A-2 2N4117A-2 Vishay Siliconix 2N%2CPN%2CSST4117A%20Series.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4117A-E3 2N4117A-E3 Vishay Siliconix 2N%2CPN%2CSST4117A%20Series.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4118A 2N4118A Vishay Siliconix 2N,PN,SST4117A Series.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4118A-2 2N4118A-2 Vishay Siliconix 2N,PN,SST4117A Series.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4118A-E3 2N4118A-E3 Vishay Siliconix 2N,PN,SST4117A Series.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4119A 2N4119A Vishay Siliconix 2N%2CPN%2CSST4117A%20Series.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4119A-2 2N4119A-2 Vishay Siliconix 2N,PN,SST4117A Series.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4119A-E3 2N4119A-E3 Vishay Siliconix 2N,PN,SST4117A Series.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4338 Vishay Siliconix 2N4338-4341.pdf Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4338-2 Vishay Siliconix 2N4338-4341.pdf Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4338-E3 Vishay Siliconix 2N4338-4341.pdf Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4339 Vishay Siliconix 2N4338-4341.pdf Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4339-2 Vishay Siliconix 2N4338-4341.pdf Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4339-E3 Vishay Siliconix 2N4338-4341.pdf Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4391-2 Vishay Siliconix 2N%2CPN%2CSST4391.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4391-E3 Vishay Siliconix 2N%2CPN%2CSST4391.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4392-2 Vishay Siliconix 2N%2CPN%2CSST4391.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4392-E3 Vishay Siliconix 2N%2CPN%2CSST4391.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4393-2 Vishay Siliconix 2N%2CPN%2CSST4391.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4393-E3 Vishay Siliconix 2N%2CPN%2CSST4391.pdf Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4416 2N4416 Vishay Siliconix 2N4416%2C2N4416A.SST4416.pdf description Description: JFET N-CH 30V TO206AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4416A-2 2N4416A-2 Vishay Siliconix 2N4416%2C2N4416A.SST4416.pdf Description: JFET N-CH 35V TO206AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4416A-E3 2N4416A-E3 Vishay Siliconix 2N4416%2C2N4416A.SST4416.pdf Description: JFET N-CH 35V TO206AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4416-E3 2N4416-E3 Vishay Siliconix 2N4416%2C2N4416A.SST4416.pdf Description: JFET N-CH 30V TO206AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4856JAN02 Vishay Siliconix Description: JFET N-CH N-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 sir876adp.pdf
SIR876ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+49.67 грн
6000+44.84 грн
9000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 sq2310es.pdf
SQ2310ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3 sq7415aen.pdf
SQ7415AEN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120N04-1m7L_GE3 sqm120n0.pdf
SQM120N04-1m7L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+298.51 грн
10+189.80 грн
100+134.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD42N03-3M9P-GE3 SUD42N03-3m9P.pdf
SUD42N03-3M9P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 si4202dy.pdf
SI4202DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.83 грн
10+85.86 грн
100+57.86 грн
500+43.06 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
SI4288DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+130.40 грн
10+79.81 грн
100+53.81 грн
500+40.04 грн
1000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4909DY-T1-GE3 si4909dy.pdf
SI4909DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.91 грн
10+69.07 грн
100+46.07 грн
500+33.97 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB410DK-T1-GE3 sib410dk.pdf
SIB410DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 sir876adp.pdf
SIR876ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
на замовлення 21502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.82 грн
10+106.96 грн
100+72.98 грн
500+54.84 грн
1000+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3 sq2310es.pdf
SQ2310ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3 sq7415aen.pdf
SQ7415AEN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
SI8425DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
SI8425DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.56 грн
10+38.05 грн
100+25.92 грн
500+20.21 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
SI8483DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.27 грн
6000+12.36 грн
9000+11.94 грн
15000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
SI8483DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
Package / Case: 6-UFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 16799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.06 грн
10+32.07 грн
100+22.97 грн
500+17.14 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32429DN-T1-GE4 sip32429.pdf
SIP32429DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+79.83 грн
5000+73.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR646DP-T1-GE3 sir646dp.pdf
SIR646DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3 sia459edj.pdf
SIA459EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.35 грн
6000+10.38 грн
9000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+27.95 грн
6000+25.00 грн
9000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3 si7315dn.pdf
SI7315DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY.pdf
SI4038DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1865DDL-T1-GE3 Si1865DDL.pdf
SI1865DDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.1A
Voltage - Load: 1.8V ~ 12V
Rds On (Typ): 165mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32429DN-T1-GE4 sip32429.pdf
SIP32429DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 56mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 16809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+252.95 грн
10+159.31 грн
100+111.18 грн
500+85.04 грн
1000+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR646DP-T1-GE3 sir646dp.pdf
SIR646DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA459EDJ-T1-GE3 sia459edj.pdf
SIA459EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 16938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.78 грн
11+27.69 грн
100+19.27 грн
500+14.12 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 11712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.05 грн
10+64.68 грн
100+43.01 грн
500+31.63 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY.pdf
SI4038DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1865DDL-T1-GE3 Si1865DDL.pdf
SI1865DDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.1A
Voltage - Load: 1.8V ~ 12V
Rds On (Typ): 165mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.99 грн
16+19.21 грн
100+12.16 грн
500+8.51 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR646DP-T1-GE3 sir646dp.pdf
SIR646DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12108DMP-T1GE4 sip12108.pdf
SIP12108DMP-T1GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 5A 16MLP
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 2.8V
Voltage - Output (Max): 4.68V
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 200kHz ~ 4MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 5A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 16-MLP (3x3)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+79.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12108DMP-T1GE4 sip12108.pdf
SIP12108DMP-T1GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 5A 16MLP
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 2.8V
Voltage - Output (Max): 4.68V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 16-MLP (3x3)
Topology: Buck
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 5A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 200kHz ~ 4MHz
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.97 грн
10+109.84 грн
25+100.16 грн
100+83.98 грн
250+79.21 грн
500+76.33 грн
1000+72.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG309DY DG308A,DG309.pdf
DG309DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST/CMOS 16SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG401DY DG401,403,405_Rev2009.pdf
DG401DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX2 45OHM 16SOIC
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Charge Injection: 60pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-SOIC
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4117A 2N%2CPN%2CSST4117A%20Series.pdf
2N4117A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4117A-2 2N%2CPN%2CSST4117A%20Series.pdf
2N4117A-2
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4117A-E3 2N%2CPN%2CSST4117A%20Series.pdf
2N4117A-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4118A 2N,PN,SST4117A Series.pdf
2N4118A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4118A-2 2N,PN,SST4117A Series.pdf
2N4118A-2
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4118A-E3 2N,PN,SST4117A Series.pdf
2N4118A-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4119A 2N%2CPN%2CSST4117A%20Series.pdf
2N4119A
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4119A-2 2N,PN,SST4117A Series.pdf
2N4119A-2
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4119A-E3 2N,PN,SST4117A Series.pdf
2N4119A-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AF
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4338 2N4338-4341.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4338-2 2N4338-4341.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4338-E3 2N4338-4341.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4339 2N4338-4341.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4339-2 2N4338-4341.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4339-E3 2N4338-4341.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 50V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500 µA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4391-2 2N%2CPN%2CSST4391.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4391-E3 2N%2CPN%2CSST4391.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4392-2 2N%2CPN%2CSST4391.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4392-E3 2N%2CPN%2CSST4391.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4393-2 2N%2CPN%2CSST4391.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4393-E3 2N%2CPN%2CSST4391.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 40V TO206AA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 1.8 W
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4416 description 2N4416%2C2N4416A.SST4416.pdf
2N4416
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 30V TO206AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4416A-2 2N4416%2C2N4416A.SST4416.pdf
2N4416A-2
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 35V TO206AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4416A-E3 2N4416%2C2N4416A.SST4416.pdf
2N4416A-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 35V TO206AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4416-E3 2N4416%2C2N4416A.SST4416.pdf
2N4416-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH 30V TO206AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-206AF (TO-72)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4856JAN02
Виробник: Vishay Siliconix
Description: JFET N-CH N-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]