Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11098) > Сторінка 92 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG32N50D-GE3 SIHG32N50D-GE3 Vishay Siliconix sihg32n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS36N50D-E3 SIHS36N50D-E3 Vishay Siliconix sihs36n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18DN-T1-GE3 SISA18DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA18DN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 SI8812DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8812db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
13+24.69 грн
100+16.80 грн
500+12.32 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18DN-T1-GE3 SISA18DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA18DN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 SI7623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7623dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.86 грн
10+95.07 грн
100+73.92 грн
500+58.80 грн
1000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333dds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 10335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.55 грн
12+27.92 грн
100+17.88 грн
500+12.72 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 31034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.01 грн
10+141.46 грн
100+97.54 грн
500+73.93 грн
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8817db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
на замовлення 11820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.46 грн
11+29.80 грн
100+19.53 грн
500+13.94 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR642DP-T1-GE3 SIR642DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir462dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4155 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8808db.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.55 грн
11+30.20 грн
100+19.89 грн
500+14.91 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir826adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.43 грн
10+154.99 грн
100+107.60 грн
500+81.99 грн
1000+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8802db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 24677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.55 грн
13+25.40 грн
100+13.92 грн
500+12.97 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1427ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.46 грн
13+25.56 грн
100+16.25 грн
500+11.48 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1922edh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.45 грн
11+30.59 грн
100+19.64 грн
500+13.97 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 SI8812DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8812db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18DN-T1-GE3 SISA18DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA18DN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 SI7623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7623dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333dds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
6000+9.50 грн
9000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8817db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.86 грн
6000+9.42 грн
9000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR642DP-T1-GE3 SIR642DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir462dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4155 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8808db.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir826adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1 SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8802db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.45 грн
6000+8.91 грн
9000+8.72 грн
15000+8.02 грн
21000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1427ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1922edh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.84 грн
6000+10.42 грн
9000+9.92 грн
15000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4286DY-T1-GE3 SI4286DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4286dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4286DY-T1-GE3 SI4286DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4286dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3 SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz300dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ728DT-T1-GE3 SIZ728DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz728dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3 SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz730dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3 SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz790dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz900dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ916DT-T1-GE3 SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz916dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22.7W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3 SIZ904DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz904dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3 SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz300dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.46 грн
10+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3 SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz730dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.14 грн
10+52.76 грн
100+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3 SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz790dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz900dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3 SIZ904DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz904dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz900dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3 SIZ704DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz704dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.86 грн
10+74.07 грн
100+49.58 грн
500+36.65 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG429DN DG429DN Vishay Siliconix 70063.pdf Description: IC MUX ANLG 8CH W/LATCH 20PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2336ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.29 грн
6000+10.25 грн
9000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640DP-T1-GE3 SIR640DP-T1-GE3 Vishay Siliconix powerpak.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir870dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5999ed.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia429dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.95 грн
6000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2318cds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2318cds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2336ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 10489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.03 грн
14+22.73 грн
100+19.82 грн
500+14.73 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir870dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.56 грн
10+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5999ed.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5999ed.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia429dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.43 грн
10+39.87 грн
100+25.87 грн
500+18.62 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW30N60E-GE3 SIHW30N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHW30N60E.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.62 грн
10+325.94 грн
100+237.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW33N60E-GE3 SIHW33N60E-GE3 Vishay Siliconix sihw33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW47N60E-GE3 SIHW47N60E-GE3 Vishay Siliconix vis-sihw47n60e-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.39 грн
30+373.04 грн
120+346.37 грн
510+310.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3 sihg32n50d.pdf
SIHG32N50D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS36N50D-E3 sihs36n50d.pdf
SIHS36N50D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18DN-T1-GE3 SISA18DN.pdf
SISA18DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 si8812db.pdf
SI8812DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.38 грн
13+24.69 грн
100+16.80 грн
500+12.32 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18DN-T1-GE3 SISA18DN.pdf
SISA18DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 si7623dn.pdf
SI7623DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.86 грн
10+95.07 грн
100+73.92 грн
500+58.80 грн
1000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 10335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.55 грн
12+27.92 грн
100+17.88 грн
500+12.72 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
SI7252DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 31034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.01 грн
10+141.46 грн
100+97.54 грн
500+73.93 грн
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1 si8817db.pdf
SI8817DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
на замовлення 11820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.46 грн
11+29.80 грн
100+19.53 грн
500+13.94 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR642DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
SIR642DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4155 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
SI8808DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.55 грн
11+30.20 грн
100+19.89 грн
500+14.91 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 sir826adp.pdf
SIR826ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.43 грн
10+154.99 грн
100+107.60 грн
500+81.99 грн
1000+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1 si8802db.pdf
SI8802DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 24677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.55 грн
13+25.40 грн
100+13.92 грн
500+12.97 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 si1427ed.pdf
SI1427EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.46 грн
13+25.56 грн
100+16.25 грн
500+11.48 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
SI1922EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.45 грн
11+30.59 грн
100+19.64 грн
500+13.97 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 si8812db.pdf
SI8812DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18DN-T1-GE3 SISA18DN.pdf
SISA18DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7623DN-T1-GE3 si7623dn.pdf
SI7623DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.79 грн
6000+9.50 грн
9000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
SI7252DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8817DB-T2-E1 si8817db.pdf
SI8817DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.86 грн
6000+9.42 грн
9000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR642DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
SIR642DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4155 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
SI8808DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 sir826adp.pdf
SIR826ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8802DB-T2-E1 si8802db.pdf
SI8802DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.45 грн
6000+8.91 грн
9000+8.72 грн
15000+8.02 грн
21000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3 si1427ed.pdf
SI1427EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1922EDH-T1-GE3 si1922edh.pdf
SI1922EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.84 грн
6000+10.42 грн
9000+9.92 грн
15000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4286DY-T1-GE3 si4286dy.pdf
SI4286DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4286DY-T1-GE3 si4286dy.pdf
SI4286DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3 siz300dt.pdf
SIZ300DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ728DT-T1-GE3 siz728dt.pdf
SIZ728DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3 siz730dt.pdf
SIZ730DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3 siz790dt.pdf
SIZ790DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 siz900dt.pdf
SIZ900DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ916DT-T1-GE3 siz916dt.pdf
SIZ916DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22.7W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3 siz904dt.pdf
SIZ904DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3 siz300dt.pdf
SIZ300DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.46 грн
10+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3 siz730dt.pdf
SIZ730DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.14 грн
10+52.76 грн
100+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3 siz790dt.pdf
SIZ790DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 siz900dt.pdf
SIZ900DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3 siz904dt.pdf
SIZ904DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 siz900dt.pdf
SIZ900DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3 siz704dt.pdf
SIZ704DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.86 грн
10+74.07 грн
100+49.58 грн
500+36.65 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG429DN 70063.pdf
DG429DN
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX ANLG 8CH W/LATCH 20PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
SI2336DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.29 грн
6000+10.25 грн
9000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640DP-T1-GE3 powerpak.pdf
SIR640DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 sir870dp.pdf
SIR870DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 si5999ed.pdf
SI5999EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 sia429dj.pdf
SIA429DJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.95 грн
6000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 si2318cds.pdf
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 si2318cds.pdf
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
SI2336DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 10489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.03 грн
14+22.73 грн
100+19.82 грн
500+14.73 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 sir870dp.pdf
SIR870DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.56 грн
10+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 si5999ed.pdf
SI5999EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 si5999ed.pdf
SI5999EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 sia429dj.pdf
SIA429DJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.43 грн
10+39.87 грн
100+25.87 грн
500+18.62 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW30N60E-GE3 SiHW30N60E.pdf
SIHW30N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.62 грн
10+325.94 грн
100+237.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3 sihg33n60e.pdf
SIHG33N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW33N60E-GE3 sihw33n60e.pdf
SIHW33N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW47N60E-GE3 vis-sihw47n60e-ge3.pdf
SIHW47N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+737.39 грн
30+373.04 грн
120+346.37 грн
510+310.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]