Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11118) > Сторінка 92 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 108 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ728DT-T1-GE3 SIZ728DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz728dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3 SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz730dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3 SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz790dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz900dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ916DT-T1-GE3 SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz916dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22.7W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3 SIZ904DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz904dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3 SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz300dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.61 грн
10+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3 SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz730dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.70 грн
10+54.01 грн
100+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3 SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz790dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz900dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3 SIZ904DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz904dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz900dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3 SIZ704DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz704dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.70 грн
10+75.82 грн
100+50.75 грн
500+37.51 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG429DN DG429DN Vishay Siliconix 70063.pdf Description: IC MUX ANLG 8CH W/LATCH 20PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2336ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.55 грн
6000+10.49 грн
9000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640DP-T1-GE3 SIR640DP-T1-GE3 Vishay Siliconix powerpak.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir870dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5999ed.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia429dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.28 грн
6000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2318cds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 11579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.79 грн
13+24.87 грн
100+15.89 грн
500+11.25 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2318cds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
6000+8.32 грн
9000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2336ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 10489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.76 грн
14+23.26 грн
100+20.28 грн
500+15.08 грн
1000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir870dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.60 грн
10+85.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5999ed.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5999ed.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia429dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.85 грн
10+40.81 грн
100+26.48 грн
500+19.06 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW30N60E-GE3 SIHW30N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHW30N60E.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.96 грн
10+359.13 грн
100+262.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW33N60E-GE3 SIHW33N60E-GE3 Vishay Siliconix sihw33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW47N60E-GE3 SIHW47N60E-GE3 Vishay Siliconix vis-sihw47n60e-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.74 грн
30+431.37 грн
120+366.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG9409DN-T1-E4 DG9409DN-T1-E4 Vishay Siliconix 71870.pdf Description: IC MUX ANA DUAL 8/4CH 16QFN
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9461DV-T1-E3 DG9461DV-T1-E3 Vishay Siliconix dg9461.pdf Description: IC SWITCH LV SPDT 6TSOP
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DY-T1-E3 SI4404DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4404dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4412ADY-T1-E3 Si4412ADY-T1-E3 Vishay Siliconix 71105.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-E3 SI1307DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1307dl.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-E3 SI1405DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1405dl.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3445ADV-T1-E3 SI3445ADV-T1-E3 Vishay Siliconix 72859.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDY-E3 DG201BDY-E3 Vishay Siliconix dg201b.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.43 грн
10+104.07 грн
50+89.56 грн
100+79.83 грн
250+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG202BDQ-T1-E3 DG202BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg201b.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 85OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 11489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.39 грн
10+133.44 грн
25+121.98 грн
100+102.64 грн
250+97.00 грн
500+93.60 грн
1000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG202BDY-T1-E3 DG202BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg201b.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.58 грн
10+139.80 грн
25+127.75 грн
100+107.39 грн
250+101.43 грн
500+97.85 грн
1000+93.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG308BDY-T1-E3 DG308BDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG308B%2CDG309B.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.7Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.92 грн
10+142.54 грн
25+130.29 грн
100+109.62 грн
250+103.59 грн
500+99.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LDY-T1-E3 DG419LDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG417-419L.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 20OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 20Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 6V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 43ns, 31ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9409DN-T1-E4 DG9409DN-T1-E4 Vishay Siliconix 71870.pdf Description: IC MUX ANA DUAL 8/4CH 16QFN
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIP21106DR-18-E3 SIP21106DR-18-E3 Vishay Siliconix sip21106.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7218DN-T1-E3 SI7218DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7218dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 Si9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.24 грн
10+48.13 грн
100+31.37 грн
500+22.69 грн
1000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9936BDY-T1-E3 SI9936BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9936bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9945bdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBF IRF530STRLPBF Vishay Siliconix sihf530s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.19 грн
10+110.02 грн
100+75.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.68 грн
10+108.33 грн
100+73.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBF IRFBC40STRLPBF Vishay Siliconix sihfbc40.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.31 грн
10+247.09 грн
100+176.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.77 грн
10+188.66 грн
100+145.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBF IRL540STRLPBF Vishay Siliconix sihl540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3 SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4100dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 28185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.94 грн
10+90.87 грн
100+61.11 грн
500+45.40 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3 SI4128DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4128dy-old.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.03 грн
10+42.50 грн
100+30.17 грн
500+21.82 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7228DN-T1-GE3 SI7228DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7228dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7336adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.62 грн
10+100.77 грн
100+71.75 грн
500+55.25 грн
1000+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3 Vishay Siliconix si7848bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 29237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.92 грн
10+126.44 грн
100+115.86 грн
500+102.66 грн
1000+95.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Si7860DP-T1-E3 Si7860DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71854.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7868ADP-T1-E3 SI7868ADP-T1-E3 Vishay Siliconix 73384.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ728DT-T1-GE3 siz728dt.pdf
SIZ728DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3 siz730dt.pdf
SIZ730DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3 siz790dt.pdf
SIZ790DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 siz900dt.pdf
SIZ900DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ916DT-T1-GE3 siz916dt.pdf
SIZ916DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22.7W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3 siz904dt.pdf
SIZ904DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3 siz300dt.pdf
SIZ300DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.61 грн
10+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3 siz730dt.pdf
SIZ730DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.70 грн
10+54.01 грн
100+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3 siz790dt.pdf
SIZ790DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 siz900dt.pdf
SIZ900DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3 siz904dt.pdf
SIZ904DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3 siz900dt.pdf
SIZ900DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3 siz704dt.pdf
SIZ704DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.70 грн
10+75.82 грн
100+50.75 грн
500+37.51 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG429DN 70063.pdf
DG429DN
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX ANLG 8CH W/LATCH 20PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
SI2336DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.55 грн
6000+10.49 грн
9000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640DP-T1-GE3 powerpak.pdf
SIR640DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 sir870dp.pdf
SIR870DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 si5999ed.pdf
SI5999EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 sia429dj.pdf
SIA429DJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.28 грн
6000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 si2318cds.pdf
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 11579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.79 грн
13+24.87 грн
100+15.89 грн
500+11.25 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 si2318cds.pdf
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.47 грн
6000+8.32 грн
9000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
SI2336DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 10489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.76 грн
14+23.26 грн
100+20.28 грн
500+15.08 грн
1000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 sir870dp.pdf
SIR870DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 50 V
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.60 грн
10+85.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 si5999ed.pdf
SI5999EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5999EDU-T1-GE3 si5999ed.pdf
SI5999EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 sia429dj.pdf
SIA429DJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.85 грн
10+40.81 грн
100+26.48 грн
500+19.06 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW30N60E-GE3 SiHW30N60E.pdf
SIHW30N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.96 грн
10+359.13 грн
100+262.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N60E-GE3 sihg33n60e.pdf
SIHG33N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW33N60E-GE3 sihw33n60e.pdf
SIHW33N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHW47N60E-GE3 vis-sihw47n60e-ge3.pdf
SIHW47N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.74 грн
30+431.37 грн
120+366.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG9409DN-T1-E4 71870.pdf
DG9409DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX ANA DUAL 8/4CH 16QFN
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9461DV-T1-E3 dg9461.pdf
DG9461DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH LV SPDT 6TSOP
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4404DY-T1-E3 si4404dy.pdf
SI4404DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4412ADY-T1-E3 71105.pdf
Si4412ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307DL-T1-E3 si1307dl.pdf
SI1307DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-E3 si1405dl.pdf
SI1405DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3445ADV-T1-E3 72859.pdf
SI3445ADV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG201BDY-E3 dg201b.pdf
DG201BDY-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.43 грн
10+104.07 грн
50+89.56 грн
100+79.83 грн
250+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG202BDQ-T1-E3 dg201b.pdf
DG202BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 85OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 11489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.39 грн
10+133.44 грн
25+121.98 грн
100+102.64 грн
250+97.00 грн
500+93.60 грн
1000+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG202BDY-T1-E3 dg201b.pdf
DG202BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.58 грн
10+139.80 грн
25+127.75 грн
100+107.39 грн
250+101.43 грн
500+97.85 грн
1000+93.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG308BDY-T1-E3 DG308B%2CDG309B.pdf
DG308BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.7Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.92 грн
10+142.54 грн
25+130.29 грн
100+109.62 грн
250+103.59 грн
500+99.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LDY-T1-E3 DG417-419L.pdf
DG419LDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 20OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 20Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 6V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 43ns, 31ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9409DN-T1-E4 71870.pdf
DG9409DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX ANA DUAL 8/4CH 16QFN
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIP21106DR-18-E3 sip21106.pdf
SIP21106DR-18-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG LINEAR 1.8V 150MA SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7218DN-T1-E3 si7218dn.pdf
SI7218DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
Si9933CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.24 грн
10+48.13 грн
100+31.37 грн
500+22.69 грн
1000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9936BDY-T1-E3 si9936bd.pdf
SI9936BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
SI9945BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBF sihf530s.pdf
IRF530STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.19 грн
10+110.02 грн
100+75.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.68 грн
10+108.33 грн
100+73.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.31 грн
10+247.09 грн
100+176.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.77 грн
10+188.66 грн
100+145.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBF sihl540s.pdf
IRL540STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3 si4100dy.pdf
SI4100DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 28185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.94 грн
10+90.87 грн
100+61.11 грн
500+45.40 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3 si4128dy-old.pdf
SI4128DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.03 грн
10+42.50 грн
100+30.17 грн
500+21.82 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7228DN-T1-GE3 si7228dn.pdf
SI7228DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
SI7336ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.62 грн
10+100.77 грн
100+71.75 грн
500+55.25 грн
1000+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-E3 si7848bdp.pdf
SI7848BDP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 29237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.92 грн
10+126.44 грн
100+115.86 грн
500+102.66 грн
1000+95.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Si7860DP-T1-E3 71854.pdf
Si7860DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7868ADP-T1-E3 73384.pdf
SI7868ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 108 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]