Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11163) > Сторінка 94 з 187

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 108 126 144 162 180 187  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8466edb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3 SIA449DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia449dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
на замовлення 61610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.91 грн
10+31.71 грн
100+20.49 грн
500+14.67 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1062x.pdf Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.48 грн
21+14.60 грн
100+9.18 грн
500+6.40 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia483dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 74626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.33 грн
10+30.95 грн
100+19.98 грн
500+14.29 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417AEDK-T1-GE3 SIB417AEDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib417aedk.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
на замовлення 8403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira18dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.23 грн
10+37.64 грн
100+26.50 грн
500+19.17 грн
1000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3 SI1480DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1480dh.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
10+31.64 грн
100+20.40 грн
500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417AEDK-T1-GE3 SIB417AEDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib417aedk.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
на замовлення 8403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa14dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.61 грн
6000+18.36 грн
9000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2365eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 SI8424CDB-T1-E1 Vishay Siliconix si8424cdb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011X-T1-GE3 SI1011X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1011x.pdf Description: MOSFET P-CH 12V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 SI8466EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8466edb.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3 SIA449DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia449dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.54 грн
6000+11.07 грн
9000+10.56 грн
15000+9.37 грн
21000+9.05 грн
30000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1062x.pdf Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia483dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.20 грн
6000+10.77 грн
9000+10.27 грн
15000+9.11 грн
21000+8.80 грн
30000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417AEDK-T1-GE3 SIB417AEDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib417aedk.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira18dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3 SI1480DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1480dh.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32451DB-T2-GE1 SIP32451DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32452.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Load Discharge
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 54mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.9V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32454DB-T2-GE1 SIP32454DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32454.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.02 грн
10+30.95 грн
25+27.77 грн
100+22.77 грн
250+21.20 грн
500+20.25 грн
1000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32455DB-T2-GE1 SIP32455DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32454.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.44 грн
11+29.89 грн
25+26.77 грн
100+21.96 грн
250+20.45 грн
500+19.53 грн
1000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32458DB-T2-GE1 SIP32458DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32458.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 15234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.17 грн
10+32.93 грн
25+29.51 грн
100+24.24 грн
250+22.60 грн
500+21.61 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32459DB-T2-GE1 SIP32459DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32458.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Part Status: Active
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.66 грн
10+50.42 грн
25+45.60 грн
100+37.75 грн
250+35.35 грн
500+33.90 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32461DB-T2-GE1 SIP32461DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32461.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.12 грн
13+23.77 грн
25+21.26 грн
100+17.35 грн
250+16.11 грн
500+15.36 грн
1000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32451DB-T2-GE1 SIP32451DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32452.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Load Discharge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 54mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.9V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32454DB-T2-GE1 SIP32454DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32454.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32455DB-T2-GE1 SIP32455DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32454.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32458DB-T2-GE1 SIP32458DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32458.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.88 грн
6000+20.55 грн
9000+20.28 грн
15000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32459DB-T2-GE1 SIP32459DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32458.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32461DB-T2-GE1 SIP32461DB-T2-GE1 Vishay Siliconix sip32461.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.21 грн
10+299.56 грн
100+217.60 грн
500+171.44 грн
1000+169.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3 SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis322dnt.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3 SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis322dnt.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3 SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis322dnt.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8489edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8489edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.44 грн
10+30.57 грн
100+21.07 грн
500+15.05 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3 2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix 70226.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.71 грн
10+40.91 грн
100+26.56 грн
500+19.13 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Vishay Siliconix sihfrc20.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3 SI2307CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2307cds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 10473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.39 грн
10+37.11 грн
100+24.09 грн
500+17.36 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis435dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.28 грн
10+33.99 грн
100+30.40 грн
500+22.96 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3 SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5936du.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.76 грн
10+47.99 грн
100+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8810edb.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.07 грн
13+24.18 грн
100+15.48 грн
500+10.97 грн
1000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia437dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3 SIA922EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia922edj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3 SIA922EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia922edj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis435dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3 SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5936du.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8810edb.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia437dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3 SIA922EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia922edj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2323dds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2371eds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3 SI2392DS-T1-GE3 Vishay Siliconix Si2392DS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415EDU-T1-GE3 SI5415EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5415edu.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5442du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 32607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.92 грн
10+40.91 грн
100+26.69 грн
500+19.30 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3 SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7101dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 4442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.62 грн
10+72.17 грн
100+53.54 грн
500+40.46 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 15358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.08 грн
10+52.25 грн
100+34.52 грн
500+25.24 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8816edb.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.81 грн
12+27.45 грн
100+13.89 грн
500+12.70 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8821edb.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 5231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.33 грн
12+27.07 грн
100+13.76 грн
500+11.62 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
SI8466EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3 sia449dj.pdf
SIA449DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
на замовлення 61610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.91 грн
10+31.71 грн
100+20.49 грн
500+14.67 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
SI1062X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.48 грн
21+14.60 грн
100+9.18 грн
500+6.40 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
SIA483DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 74626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.33 грн
10+30.95 грн
100+19.98 грн
500+14.29 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417AEDK-T1-GE3 sib417aedk.pdf
SIB417AEDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
на замовлення 8403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 sira18dp.pdf
SIRA18DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.23 грн
10+37.64 грн
100+26.50 грн
500+19.17 грн
1000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3 si1480dh.pdf
SI1480DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.60 грн
10+31.64 грн
100+20.40 грн
500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417AEDK-T1-GE3 sib417aedk.pdf
SIB417AEDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
на замовлення 8403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 sisa14dn.pdf
SISA14DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.61 грн
6000+18.36 грн
9000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424CDB-T1-E1 si8424cdb.pdf
SI8424CDB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011X-T1-GE3 si1011x.pdf
SI1011X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
SI8466EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA449DJ-T1-GE3 sia449dj.pdf
SIA449DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.54 грн
6000+11.07 грн
9000+10.56 грн
15000+9.37 грн
21000+9.05 грн
30000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
SI1062X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
SIA483DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.20 грн
6000+10.77 грн
9000+10.27 грн
15000+9.11 грн
21000+8.80 грн
30000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417AEDK-T1-GE3 sib417aedk.pdf
SIB417AEDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3 sira18dp.pdf
SIRA18DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1480DH-T1-GE3 si1480dh.pdf
SI1480DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32451DB-T2-GE1 sip32452.pdf
SIP32451DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Load Discharge
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 54mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.9V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32454DB-T2-GE1 sip32454.pdf
SIP32454DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.02 грн
10+30.95 грн
25+27.77 грн
100+22.77 грн
250+21.20 грн
500+20.25 грн
1000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32455DB-T2-GE1 sip32454.pdf
SIP32455DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.44 грн
11+29.89 грн
25+26.77 грн
100+21.96 грн
250+20.45 грн
500+19.53 грн
1000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32458DB-T2-GE1 sip32458.pdf
SIP32458DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 15234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.17 грн
10+32.93 грн
25+29.51 грн
100+24.24 грн
250+22.60 грн
500+21.61 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32459DB-T2-GE1 sip32458.pdf
SIP32459DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Part Status: Active
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.66 грн
10+50.42 грн
25+45.60 грн
100+37.75 грн
250+35.35 грн
500+33.90 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32461DB-T2-GE1 sip32461.pdf
SIP32461DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.12 грн
13+23.77 грн
25+21.26 грн
100+17.35 грн
250+16.11 грн
500+15.36 грн
1000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32451DB-T2-GE1 sip32452.pdf
SIP32451DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Load Discharge
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 54mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.9V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32454DB-T2-GE1 sip32454.pdf
SIP32454DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32455DB-T2-GE1 sip32454.pdf
SIP32455DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.8V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32458DB-T2-GE1 sip32458.pdf
SIP32458DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.88 грн
6000+20.55 грн
9000+20.28 грн
15000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32459DB-T2-GE1 sip32458.pdf
SIP32459DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6WLCSP
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 20mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.46x0.96)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32461DB-T2-GE1 sip32461.pdf
SIP32461DB-T2-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4WCSP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 50mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.76x0.76)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB33N60E-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.21 грн
10+299.56 грн
100+217.60 грн
500+171.44 грн
1000+169.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3 sis322dnt.pdf
SIS322DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3 sis322dnt.pdf
SIS322DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS322DNT-T1-GE3 sis322dnt.pdf
SIS322DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
SI8489EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
SI8489EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.06A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.44 грн
10+30.57 грн
100+21.07 грн
500+15.05 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-T1-E3 70226.pdf
2N7002-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.71 грн
10+40.91 грн
100+26.56 грн
500+19.13 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF sihfrc20.pdf
IRFRC20TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-E3 si2307cds.pdf
SI2307CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 10473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.39 грн
10+37.11 грн
100+24.09 грн
500+17.36 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 sis435dnt.pdf
SIS435DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.28 грн
10+33.99 грн
100+30.40 грн
500+22.96 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3 si5936du.pdf
SI5936DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.76 грн
10+47.99 грн
100+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 si8810edb.pdf
SI8810EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.07 грн
13+24.18 грн
100+15.48 грн
500+10.97 грн
1000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 sia437dj.pdf
SIA437DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3 sia922edj.pdf
SIA922EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3 sia922edj.pdf
SIA922EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS435DNT-T1-GE3 sis435dnt.pdf
SIS435DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5936DU-T1-GE3 si5936du.pdf
SI5936DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8810EDB-T2-E1 si8810edb.pdf
SI8810EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 sia437dj.pdf
SIA437DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3 sia922edj.pdf
SIA922EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 si2323dds.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3 si2371eds.pdf
SI2371EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3 Si2392DS.pdf
SI2392DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415EDU-T1-GE3 si5415edu.pdf
SI5415EDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
SI5442DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 32607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.92 грн
10+40.91 грн
100+26.69 грн
500+19.30 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7101DN-T1-GE3 si7101dn.pdf
SI7101DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 4442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.62 грн
10+72.17 грн
100+53.54 грн
500+40.46 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 15358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.08 грн
10+52.25 грн
100+34.52 грн
500+25.24 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
SI8816EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.81 грн
12+27.45 грн
100+13.89 грн
500+12.70 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 si8821edb.pdf
SI8821EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 5231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.33 грн
12+27.07 грн
100+13.76 грн
500+11.62 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 108 126 144 162 180 187  [ Наступна Сторінка >> ]