Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11840) > Сторінка 94 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.77 грн
9000+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8816edb.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8821edb.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3 SIA439EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia439edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3 SIA462DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia462dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.89 грн
6000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3 SIA467EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia467edj.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia817edj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3 SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib441edk.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.59 грн
6000+9.68 грн
9000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir664dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.35 грн
9000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir872adp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.33 грн
9000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis413dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 30800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.09 грн
9000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis443dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.47 грн
6000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss23dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.21 грн
6000+26.13 грн
9000+25.12 грн
15000+22.50 грн
21000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3 SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss27dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8806db.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8806db.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.80 грн
10+32.23 грн
100+20.71 грн
500+14.78 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4554dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3 SIRA36DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira36dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis427edn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.01 грн
9000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 SIR670DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir670dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis862dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia440dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3 SIA442DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA442DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3 SIA931DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia931dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3 SIA914ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia914adj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4062dy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.72 грн
5000+43.86 грн
7500+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.00 грн
9000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3474dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.59 грн
9000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 SIA527DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia527dj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3 SIJ462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij462dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ470DP-T1-GE3 SIJ470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij470dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3 SIS488DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis488dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.04 грн
9000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij478dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR644DP-T1-GE3 SIR644DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir644dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS439DNT-T1-GE3 SIS439DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis439dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415AEDU-T1-GE3 SI5415AEDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5415aedu.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3 SIRA36DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira36dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.28 грн
10+94.78 грн
100+64.13 грн
500+47.83 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis427edn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 28375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.91 грн
10+48.45 грн
50+35.81 грн
100+29.76 грн
500+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 SIR670DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir670dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis862dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.41 грн
100+51.83 грн
500+38.36 грн
1000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia440dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.80 грн
10+32.38 грн
50+23.68 грн
100+19.57 грн
500+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3 SIA442DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA442DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3 SIA931DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia931dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.04 грн
10+40.84 грн
50+29.99 грн
100+24.85 грн
500+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3 SIA914ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia914adj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 8352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4062dy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 10523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+103.92 грн
100+70.67 грн
500+52.97 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2369d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 108446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.55 грн
10+35.35 грн
50+25.90 грн
100+21.43 грн
500+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-GE3 SI3474DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3474dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.80 грн
10+32.38 грн
50+23.62 грн
100+19.50 грн
500+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 SIA527DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia527dj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.55 грн
10+35.20 грн
50+25.80 грн
100+21.36 грн
500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3 SIJ462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij462dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ470DP-T1-GE3 SIJ470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij470dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+89.06 грн
100+69.25 грн
500+55.08 грн
1000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3 SIS488DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis488dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
на замовлення 15197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
10+67.12 грн
50+50.16 грн
100+41.92 грн
500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij478dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR644DP-T1-GE3 SIR644DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir644dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS439DNT-T1-GE3 SIS439DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix sis439dnt.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415AEDU-T1-GE3 SI5415AEDU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5415aedu.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3 SIA442DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA442DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3 SIA914ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia914adj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 8352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG418BDJ DG418BDJ Vishay Siliconix dg417b.pdf Description: IC SWITCH SPST-NO X 1 25OHM 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441BDJ DG441BDJ Vishay Siliconix DG441B%2C442B.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG442BDJ DG442BDJ Vishay Siliconix 72625.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.77 грн
9000+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
SI8816EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 si8821edb.pdf
SI8821EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA439EDJ-T1-GE3 sia439edj.pdf
SIA439EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA462DJ-T1-GE3 sia462dj.pdf
SIA462DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.89 грн
6000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA467EDJ-T1-GE3 sia467edj.pdf
SIA467EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 sia817edj.pdf
SIA817EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB441EDK-T1-GE3 sib441edk.pdf
SIB441EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.59 грн
6000+9.68 грн
9000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 sir664dp.pdf
SIR664DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.35 грн
9000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 sir872adp.pdf
SIR872ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 75 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+54.33 грн
9000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 30800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.09 грн
9000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
SIS443DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+45.47 грн
6000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
SISS23DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.21 грн
6000+26.13 грн
9000+25.12 грн
15000+22.50 грн
21000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3 siss27dn.pdf
SISS27DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 si8806db.pdf
SI8806DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8806DB-T2-E1 si8806db.pdf
SI8806DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.80 грн
10+32.23 грн
100+20.71 грн
500+14.78 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 si4554dy.pdf
SI4554DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3 sira36dp.pdf
SIRA36DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 sis427edn.pdf
SIS427EDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.01 грн
9000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 sir670dp.pdf
SIR670DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3 SiA442DJ.pdf
SIA442DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3 sia931dj.pdf
SIA931DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3 sia914adj.pdf
SIA914ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 si4062dy.pdf
SI4062DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.72 грн
5000+43.86 грн
7500+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.00 грн
9000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-GE3 si3474dv.pdf
SI3474DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.59 грн
9000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 sia527dj.pdf
SIA527DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3 sij462dp.pdf
SIJ462DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ470DP-T1-GE3 sij470dp.pdf
SIJ470DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3 sis488dn.pdf
SIS488DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.04 грн
9000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR644DP-T1-GE3 sir644dp.pdf
SIR644DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS439DNT-T1-GE3 sis439dnt.pdf
SIS439DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415AEDU-T1-GE3 si5415aedu.pdf
SI5415AEDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3 sira36dp.pdf
SIRA36DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.28 грн
10+94.78 грн
100+64.13 грн
500+47.83 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS427EDN-T1-GE3 sis427edn.pdf
SIS427EDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V
на замовлення 28375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.91 грн
10+48.45 грн
50+35.81 грн
100+29.76 грн
500+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 sir670dp.pdf
SIR670DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
SIS862DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.59 грн
10+77.41 грн
100+51.83 грн
500+38.36 грн
1000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.80 грн
10+32.38 грн
50+23.68 грн
100+19.57 грн
500+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3 SiA442DJ.pdf
SIA442DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3 sia931dj.pdf
SIA931DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 3729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.04 грн
10+40.84 грн
50+29.99 грн
100+24.85 грн
500+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3 sia914adj.pdf
SIA914ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 8352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3 si4062dy.pdf
SI4062DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 10523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.52 грн
10+103.92 грн
100+70.67 грн
500+52.97 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 108446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.55 грн
10+35.35 грн
50+25.90 грн
100+21.43 грн
500+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3474DV-T1-GE3 si3474dv.pdf
SI3474DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.80 грн
10+32.38 грн
50+23.62 грн
100+19.50 грн
500+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 sia527dj.pdf
SIA527DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.55 грн
10+35.20 грн
50+25.80 грн
100+21.36 грн
500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462DP-T1-GE3 sij462dp.pdf
SIJ462DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ470DP-T1-GE3 sij470dp.pdf
SIJ470DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.14 грн
10+89.06 грн
100+69.25 грн
500+55.08 грн
1000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS488DN-T1-GE3 sis488dn.pdf
SIS488DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
на замовлення 15197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.76 грн
10+67.12 грн
50+50.16 грн
100+41.92 грн
500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR644DP-T1-GE3 sir644dp.pdf
SIR644DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS439DNT-T1-GE3 sis439dnt.pdf
SIS439DNT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5415AEDU-T1-GE3 si5415aedu.pdf
SI5415AEDU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA442DJ-T1-GE3 SiA442DJ.pdf
SIA442DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3 sia914adj.pdf
SIA914ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 8352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG418BDJ dg417b.pdf
DG418BDJ
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NO X 1 25OHM 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG441BDJ DG441B%2C442B.pdf
DG441BDJ
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 80OHM 16DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG442BDJ 72625.pdf
DG442BDJ
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]