Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4066) > Сторінка 47 з 68
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MBRT12030R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 30P/21 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT12035 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT12035R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT12040 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT12040R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT12045 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P32R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT12045R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P/32 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT12060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT12060R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT12080 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT12080R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT200100 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT200100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MBRT200100R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT200100R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT200150 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT200150 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT200150R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT200150R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Reverse |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20020 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT200200 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT200200 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT200200R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT200200R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Reverse |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20030 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20030 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20030R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20030R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWERVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20035 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20035 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20035R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20035R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MBRT20040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20045 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20045 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20045R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20045R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 45V 200A Schottky Recovery |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWEROperating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Part Status: Active |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MBRT20060R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20080 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT20080R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT20080R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT300100 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT300100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT300100R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
MBRT300100R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT300150 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT300150 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 150V 300A Forward |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MBRT300150R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MBRT12030R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 30P/21
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 30P/21
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT12035 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT12035R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT12040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT12040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT12045 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P32R
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P32R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT12045R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P/32
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P/32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT12060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT12060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT12080 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT12080R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7069.76 грн |
| 10+ | 5971.11 грн |
| 25+ | 5667.59 грн |
| 50+ | 5112.99 грн |
| MBRT200100R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200100R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200150 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Forward
Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200150 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200150R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200150R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Reverse
Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Reverse
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200200 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200200 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Forward
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200200R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT200200R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Reverse
Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Reverse
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20030 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20030 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20030R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20030R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20035 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20035 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20035R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20035R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7660.50 грн |
| 10+ | 6470.22 грн |
| 25+ | 6141.34 грн |
| MBRT20040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20045 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20045 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MBRT20045R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20045R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 45V 200A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 45V 200A Schottky Recovery
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MBRT20060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 29172.33 грн |
| MBRT20060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7660.50 грн |
| MBRT20060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7660.50 грн |
| 10+ | 6470.22 грн |
| 25+ | 6141.34 грн |
| 50+ | 5540.37 грн |
| MBRT20060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20080 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20080 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20080R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT20080R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT300100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT300100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT300100R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT300100R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT300150 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT300150 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 150V 300A Forward
Diode Modules 150V 300A Forward
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT300150R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 3 TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.




