Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1279) > Сторінка 15 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.90 грн
10+138.56 грн
100+95.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T Goford Semiconductor GC11N65T.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.49 грн
50+103.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GOFORD Semiconductor GC11N65T.pdf N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 0.36Ohm at 10V,VTH 2.5V to 4.0V, TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 78W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T Goford Semiconductor GC11N65T.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GC120N65QF Goford Semiconductor GC120N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 275 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+637.88 грн
30+359.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GOFORD Semiconductor GC120N65QF.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+322.04 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF Goford Semiconductor GC125N65FF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,25A,42W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.48 грн
10+173.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 42W
Gate charge: 52nC
Drain current: 25A
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.13 грн
10+129.05 грн
50+114.16 грн
200+105.89 грн
500+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65QF GC125N65QF Goford Semiconductor GC125N65QF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,27A,205W,TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.70 грн
10+210.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65TF GC125N65TF Goford Semiconductor GC125N65TF.pdf Description: MOSFET 650V 25A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F Goford Semiconductor GC180N65F.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.58 грн
10+137.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC180N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F Goford Semiconductor GC180N65F.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF Goford Semiconductor GC180N65MF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF Goford Semiconductor GC180N65MF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.18 грн
10+194.03 грн
100+136.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GOFORD SEMICONDUCTOR GC190N65FF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SJ-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GC190N65FF Goford Semiconductor GC190N65FF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,19A,35W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.58 грн
10+137.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65QF GC190N65QF Goford Semiconductor GC190N65QF.pdf Description: MOSFET 650V 19A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.97 грн
30+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 40W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GOFORD Semiconductor GC20N65F.pdf Small Package MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GC20N65F Goford Semiconductor GC20N65F.pdf Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1603 pF @ 100 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.42 грн
10+205.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD Goford Semiconductor GC20N65FD.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A 40W TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD Goford Semiconductor GC20N65FD.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A 40W TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 100 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.23 грн
10+200.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 40W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GOFORD Semiconductor GC20N65FD.pdf N-CH,650V,20A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 3.0V to 5.0V, TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.74 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M Goford Semiconductor GC20N65M.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180M(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M Goford Semiconductor GC20N65M.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M Goford Semiconductor GC20N65M.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180M(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.89 грн
10+176.68 грн
100+123.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GC20N65Q Goford Semiconductor GC20N65Q.pdf Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1724 pF @ 100 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GC20N65Q Goford Semiconductor GC20N65Q.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65QD GC20N65QD Goford Semiconductor GC20N65QD.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.95 грн
10+244.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65QD GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65QD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65T GC20N65T GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65T GC20N65T Goford Semiconductor GC20N65T.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC210N80FE GOFORD SEMICONDUCTOR GC210N80FE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC210N80FE GC210N80FE Goford Semiconductor GC210N80FE.pdf Description: MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 380 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.65 грн
10+215.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC280N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC280N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 33W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 33W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC280N65F GC280N65F Goford Semiconductor GC280N65F.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.46 грн
10+150.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC300N65F GC300N65F Goford Semiconductor GC300N65F.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,13A,33W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC300N65K GC300N65K Goford Semiconductor GC300N65K.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,13A,132W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC300N65K GC300N65K Goford Semiconductor GC300N65K.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,13A,132W,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 400 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.89 грн
10+79.52 грн
100+53.64 грн
500+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60D5E GC380N60D5E Goford Semiconductor GC380N60D5E.pdf Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,82W,8-DFN (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60D5E GC380N60D5E Goford Semiconductor GC380N60D5E.pdf Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,82W,8-DFN (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60FE GC380N60FE Goford Semiconductor GC380N60FE.pdf Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,31W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60FE GOFORD SEMICONDUCTOR GC380N60FE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 31W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60FE GC380N60FE Goford Semiconductor GC380N60FE.pdf Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,31W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.36 грн
10+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60KE GC380N60KE Goford Semiconductor GC380N60KE.pdf Description: MOSFET,N-CH,600V,9A,82W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60KE GC380N60KE Goford Semiconductor GC380N60KE.pdf Description: MOSFET,N-CH,600V,9A,82W,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.99 грн
10+81.16 грн
100+54.57 грн
500+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS65R060Q4A GS65R060Q4A Goford Semiconductor Description: SiC MOSFET N-CH 650V 42A TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+677.31 грн
50+543.34 грн
100+453.13 грн
500+390.86 грн
1000+339.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT007N04TL GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-GT007N04TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 345A; 159W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 345A
Power dissipation: 159W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT007N04TL GT007N04TL Goford Semiconductor GOFORD-GT007N04TL.pdf Description: N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7363 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT009N04D5 GT009N04D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT009N04D5.pdf Description: N40V,100A,RD<1.3M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6864 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT010N10TL GT010N10TL Goford Semiconductor GT010N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 370A 400W 1.35M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13166 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT010N10TL GT010N10TL Goford Semiconductor GT010N10TL.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,370A,400W,TOLL-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+118.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT010N10TL GT010N10TL Goford Semiconductor GT010N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 370A 400W 1.35M
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13166 pF @ 50 V
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.68 грн
10+250.17 грн
100+179.03 грн
500+151.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT010N10TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT010N10TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 370A; 400W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 370A
Power dissipation: 400W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.90 грн
10+138.56 грн
100+95.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
GC11N65T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.49 грн
50+103.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 0.36Ohm at 10V,VTH 2.5V to 4.0V, TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
GC11N65T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 78W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
GC11N65T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GC120N65QF.pdf
GC120N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 275 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+637.88 грн
30+359.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GC120N65QF.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+322.04 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF.pdf
GC125N65FF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,25A,42W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.48 грн
10+173.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF.pdf
GC125N65FF
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 42W
Gate charge: 52nC
Drain current: 25A
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.13 грн
10+129.05 грн
50+114.16 грн
200+105.89 грн
500+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65QF GC125N65QF.pdf
GC125N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,27A,205W,TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+331.70 грн
10+210.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65TF GC125N65TF.pdf
GC125N65TF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 650V 25A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F.pdf
GC180N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.58 грн
10+137.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F.pdf
GC180N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF.pdf
GC180N65MF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF.pdf
GC180N65MF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.18 грн
10+194.03 грн
100+136.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GC190N65FF.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SJ-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GC190N65FF.pdf
GC190N65FF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,19A,35W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.58 грн
10+137.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65QF GC190N65QF.pdf
GC190N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 650V 19A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.97 грн
30+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GC20N65F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 40W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GC20N65F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Small Package MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GC20N65F.pdf
GC20N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1603 pF @ 100 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.42 грн
10+205.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD.pdf
GC20N65FD
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 40W TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD.pdf
GC20N65FD
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 40W TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 100 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+316.23 грн
10+200.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 40W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,650V,20A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 3.0V to 5.0V, TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+113.74 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M.pdf
GC20N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180M(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M.pdf
GC20N65M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M.pdf
GC20N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+75.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M.pdf
GC20N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180M(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.89 грн
10+176.68 грн
100+123.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GC20N65Q.pdf
GC20N65Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1724 pF @ 100 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GC20N65Q.pdf
GC20N65Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GC20N65Q.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65QD GC20N65QD.pdf
GC20N65QD
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+381.95 грн
10+244.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65QD GC20N65QD.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65T GC20N65T.pdf
GC20N65T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65T GC20N65T.pdf
GC20N65T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC210N80FE GC210N80FE.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC210N80FE GC210N80FE.pdf
GC210N80FE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 380 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+338.65 грн
10+215.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC280N65F GC280N65F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 33W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 33W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC280N65F GC280N65F.pdf
GC280N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.46 грн
10+150.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC300N65F GC300N65F.pdf
GC300N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,13A,33W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC300N65K GC300N65K.pdf
GC300N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,13A,132W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC300N65K GC300N65K.pdf
GC300N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,13A,132W,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 400 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.89 грн
10+79.52 грн
100+53.64 грн
500+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60D5E GC380N60D5E.pdf
GC380N60D5E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,82W,8-DFN (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60D5E GC380N60D5E.pdf
GC380N60D5E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,82W,8-DFN (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60FE GC380N60FE.pdf
GC380N60FE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,31W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60FE GC380N60FE.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 31W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60FE GC380N60FE.pdf
GC380N60FE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,600V,11A,31W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.36 грн
10+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60KE GC380N60KE.pdf
GC380N60KE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,600V,9A,82W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC380N60KE GC380N60KE.pdf
GC380N60KE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,600V,9A,82W,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 300 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.99 грн
10+81.16 грн
100+54.57 грн
500+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS65R060Q4A
GS65R060Q4A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: SiC MOSFET N-CH 650V 42A TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+677.31 грн
50+543.34 грн
100+453.13 грн
500+390.86 грн
1000+339.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT007N04TL GOFORD-GT007N04TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 345A; 159W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 345A
Power dissipation: 159W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT007N04TL GOFORD-GT007N04TL.pdf
GT007N04TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7363 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT009N04D5 GOFORD-GT009N04D5.pdf
GT009N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,100A,RD<1.3M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6864 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT010N10TL GT010N10TL.pdf
GT010N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 370A 400W 1.35M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13166 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT010N10TL GT010N10TL.pdf
GT010N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,370A,400W,TOLL-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+118.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT010N10TL GT010N10TL.pdf
GT010N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 370A 400W 1.35M
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13166 pF @ 50 V
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+389.68 грн
10+250.17 грн
100+179.03 грн
500+151.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT010N10TL GT010N10TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 370A; 400W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 370A
Power dissipation: 400W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]