Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1303) > Сторінка 15 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GC060N65QF GOFORD Semiconductor GC060N65QF.pdf GC060N65QF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+229.78 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF Goford Semiconductor GC060N65QF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,50A,388W,TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+167.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC080N65QF GC080N65QF Goford Semiconductor GC080N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 380 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+776.76 грн
30+444.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC085N65FF GC085N65FF Goford Semiconductor GC085N65FF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,34A,58W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 400 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.26 грн
10+213.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC085N65QF GOFORD SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; 299W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 299W
Gate charge: 76nC
Drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5.pdf Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65D5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 78W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5.pdf Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GOFORD Semiconductor GC11N65D5.pdf N-CH 650V 11A 360mOhm/MAX at 10V DFN5x6-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GOFORD Semiconductor GC11N65F.pdf N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 360mOhm at 10V,VTH 2.5V to 4V ,TO-220F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.77 грн
15000+69.02 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 31.3W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31.3W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F Goford Semiconductor GC11N65F.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.71 грн
50+103.93 грн
100+87.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+116.39 грн
50+88.61 грн
100+74.76 грн
500+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GOFORD Semiconductor GC11N65K.pdf Small Package MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.10 грн
15000+56.39 грн
30000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 179W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 179W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 78W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.17 грн
10+140.09 грн
50+107.47 грн
100+90.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 78W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GOFORD Semiconductor GC11N65T.pdf N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 0.36Ohm at 10V,VTH 2.5V to 4.0V, TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T Goford Semiconductor GC11N65T.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T Goford Semiconductor GC11N65T.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.68 грн
10+136.31 грн
50+104.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GOFORD Semiconductor GC120N65QF.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+322.75 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GC120N65QF Goford Semiconductor GC120N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 275 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.08 грн
30+363.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 42W
Gate charge: 52nC
Drain current: 25A
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.15 грн
10+131.67 грн
50+115.73 грн
200+107.35 грн
500+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF Goford Semiconductor GC125N65FF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,25A,42W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.25 грн
10+175.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65QF GC125N65QF Goford Semiconductor GC125N65QF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,27A,205W,TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.26 грн
10+213.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65TF GC125N65TF Goford Semiconductor GC125N65TF.pdf Description: MOSFET 650V 25A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F Goford Semiconductor GC180N65F.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F Goford Semiconductor GC180N65F.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.60 грн
10+138.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC180N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF Goford Semiconductor GC180N65MF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF Goford Semiconductor GC180N65MF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.39 грн
10+196.70 грн
100+138.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GC190N65FF Goford Semiconductor GC190N65FF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,19A,35W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.60 грн
10+138.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GOFORD SEMICONDUCTOR GC190N65FF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SJ-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65QF GC190N65QF Goford Semiconductor GC190N65QF.pdf Description: MOSFET 650V 19A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.63 грн
30+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GC20N65F Goford Semiconductor GC20N65F.pdf Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1603 pF @ 100 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.07 грн
10+207.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GOFORD Semiconductor GC20N65F.pdf Small Package MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 40W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD Goford Semiconductor GC20N65FD.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A 40W TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 100 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.80 грн
10+203.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD Goford Semiconductor GC20N65FD.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A 40W TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+90.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GOFORD Semiconductor GC20N65FD.pdf N-CH,650V,20A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 3.0V to 5.0V, TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+114.00 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 40W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M Goford Semiconductor GC20N65M.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180M(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M Goford Semiconductor GC20N65M.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M Goford Semiconductor GC20N65M.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180M(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.96 грн
10+178.66 грн
50+138.31 грн
100+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GC20N65Q Goford Semiconductor GC20N65Q.pdf Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1724 pF @ 100 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GC20N65Q Goford Semiconductor GC20N65Q.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+114.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65QD GC20N65QD Goford Semiconductor GC20N65QD.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.42 грн
10+247.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65QD GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65QD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65T GC20N65T GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65T GC20N65T Goford Semiconductor GC20N65T.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+87.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC210N80FE GOFORD SEMICONDUCTOR GC210N80FE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC210N80FE GC210N80FE Goford Semiconductor GC210N80FE.pdf Description: MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 380 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.31 грн
10+218.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GC060N65QF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
900+229.78 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF.pdf
GC060N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,50A,388W,TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+167.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC080N65QF GC080N65QF.pdf
GC080N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 380 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+776.76 грн
30+444.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC085N65FF GC085N65FF.pdf
GC085N65FF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,34A,58W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 400 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+336.26 грн
10+213.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC085N65QF
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; 299W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 299W
Gate charge: 76nC
Drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
GC11N65D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
GC11N65D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 78W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
GC11N65D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 650V 11A 360mOhm/MAX at 10V DFN5x6-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 360mOhm at 10V,VTH 2.5V to 4V ,TO-220F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+74.77 грн
15000+69.02 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 31.3W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31.3W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F.pdf
GC11N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.12 грн
10+135.71 грн
50+103.93 грн
100+87.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.12 грн
10+116.39 грн
50+88.61 грн
100+74.76 грн
500+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Small Package MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+61.10 грн
15000+56.39 грн
30000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 179W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 179W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 78W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+55.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.17 грн
10+140.09 грн
50+107.47 грн
100+90.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
GC11N65T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 78W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 0.36Ohm at 10V,VTH 2.5V to 4.0V, TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
GC11N65T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
GC11N65T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.68 грн
10+136.31 грн
50+104.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GC120N65QF.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+322.75 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GC120N65QF.pdf
GC120N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 275 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+645.08 грн
30+363.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF.pdf
GC125N65FF
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 42W
Gate charge: 52nC
Drain current: 25A
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.15 грн
10+131.67 грн
50+115.73 грн
200+107.35 грн
500+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF.pdf
GC125N65FF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,25A,42W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.25 грн
10+175.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65QF GC125N65QF.pdf
GC125N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,27A,205W,TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+336.26 грн
10+213.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65TF GC125N65TF.pdf
GC125N65TF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 650V 25A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F.pdf
GC180N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F.pdf
GC180N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.60 грн
10+138.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF.pdf
GC180N65MF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF.pdf
GC180N65MF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+310.39 грн
10+196.70 грн
100+138.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GC190N65FF.pdf
GC190N65FF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,19A,35W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.60 грн
10+138.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GC190N65FF.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SJ-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65QF GC190N65QF.pdf
GC190N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 650V 19A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.63 грн
30+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GC20N65F.pdf
GC20N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1603 pF @ 100 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.07 грн
10+207.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GC20N65F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Small Package MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+89.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65F GC20N65F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 40W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD.pdf
GC20N65FD
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 40W TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 100 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.80 грн
10+203.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD.pdf
GC20N65FD
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 40W TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+90.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,650V,20A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 3.0V to 5.0V, TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+114.00 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65FD GC20N65FD.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 40W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M.pdf
GC20N65M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M.pdf
GC20N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180M(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M.pdf
GC20N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65M GC20N65M.pdf
GC20N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 151W 180M(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 400 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.96 грн
10+178.66 грн
50+138.31 грн
100+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GC20N65Q.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GC20N65Q.pdf
GC20N65Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1724 pF @ 100 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65Q GC20N65Q.pdf
GC20N65Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+114.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65QD GC20N65QD.pdf
GC20N65QD
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+386.42 грн
10+247.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65QD GC20N65QD.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65T GC20N65T.pdf
GC20N65T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20N65T GC20N65T.pdf
GC20N65T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+87.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC210N80FE GC210N80FE.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC210N80FE GC210N80FE.pdf
GC210N80FE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 380 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+343.31 грн
10+218.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]