Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1057) > Сторінка 15 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT040N04TI GT040N04TI Goford Semiconductor GT040N04TI.pdf Description: N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 20 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.10 грн
50+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10M GT040N10M Goford Semiconductor GT040N10M.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,140A,200W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10T GT040N10T Goford Semiconductor GT040N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W 4.5m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD Semiconductor GOFORD-GT042P06T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+96.46 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GT042P06T Goford Semiconductor GOFORD-GT042P06T.pdf Description: MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9151 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GT042P06T Goford Semiconductor GOFORD-GT042P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 160A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD Semiconductor GOFORD-GT042P06T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+96.46 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5 Goford Semiconductor GT045N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A 180W 5.0m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5 Goford Semiconductor GT045N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5 Goford Semiconductor GT045N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
на замовлення 4517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.97 грн
10+125.42 грн
100+86.07 грн
500+64.97 грн
1000+59.89 грн
2000+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M Goford Semiconductor GT045N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M Goford Semiconductor GT045N10M.pdf Description: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M Goford Semiconductor GT045N10M.pdf Description: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.49 грн
10+123.92 грн
100+84.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10T GT045N10T Goford Semiconductor GT045N10T.pdf Description: N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10T GT045N10T Goford Semiconductor GT045N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A 180W 4.5m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6094 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT048N10T GT048N10T Goford Semiconductor GT048N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A 150W 4.8M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.87 грн
10+101.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06D5 GT055N06D5 Goford Semiconductor GT055N06D5.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W DFN5*6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06D5 GT055N06D5 Goford Semiconductor GT055N06D5.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W DFN5*6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.08 грн
10+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06K GT055N06K Goford Semiconductor GT055N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.96 грн
10+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06K GT055N06K Goford Semiconductor GT055N06K.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,90A,78W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06K GT055N06K Goford Semiconductor GT055N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06M GT055N06M Goford Semiconductor GT055N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.81 грн
10+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06M GT055N06M Goford Semiconductor GT055N06M.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,90A,78W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06M GT055N06M Goford Semiconductor GT055N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06T GT055N06T Goford Semiconductor GT055N06T.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,90A,78W,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06T GT055N06T Goford Semiconductor GT055N06T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.22 грн
10+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D3 GT060N04D3 Goford Semiconductor GT060N04D3.pdf Description: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D3 GT060N04D3 Goford Semiconductor GT060N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D3 GOFORD Semiconductor GT060N04D3.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D3 GT060N04D3 Goford Semiconductor GT060N04D3.pdf Description: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
на замовлення 8415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.66 грн
10+46.44 грн
100+30.38 грн
500+22.03 грн
1000+19.94 грн
2000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D5 GOFORD Semiconductor GT060N04D5.pdf N-CH,40V,62A,RD(max) Less Than 6.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.5mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.3V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D5 GT060N04D5 Goford Semiconductor GT060N04D5.pdf Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D5 GT060N04D5 Goford Semiconductor GT060N04D5.pdf Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.19 грн
10+44.61 грн
100+29.12 грн
500+21.08 грн
1000+19.07 грн
2000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D52 GT060N04D52 Goford Semiconductor GOFORD-G07P04S.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04K GT060N04K Goford Semiconductor GT060N04K.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 62A 70W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1279 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04K GT060N04K Goford Semiconductor GT060N04K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04K GT060N04K Goford Semiconductor GT060N04K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.91 грн
10+51.20 грн
100+33.67 грн
500+24.52 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04T GOFORD Semiconductor GT060N04T.pdf N-CH,40V,60A,RD(max) Less Than 6mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.5mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.3V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
504+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 504
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04T GT060N04T Goford Semiconductor GT060N04T.pdf Description: MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.22 грн
50+46.39 грн
100+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N10T GOFORD Semiconductor GT060N10T.pdf GT060N10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N10T GT060N10T Goford Semiconductor GT060N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5365 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N10T GT060N10T Goford Semiconductor GT060N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5365 pF @ 50 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.92 грн
10+104.63 грн
100+74.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GT065P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT065P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ -30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GT065P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT065P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GT065P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT065P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.76 грн
10+90.65 грн
100+72.17 грн
500+57.31 грн
1000+48.62 грн
2000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T Goford Semiconductor GT065P06T.pdf Description: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GOFORD Semiconductor GT065P06T.pdf P-CH,-60V,-82A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -4.5V,VTH-1V to -2.5V ,TO-220
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+59.14 грн
15000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T Goford Semiconductor GT065P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 82A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.46 грн
8000+47.25 грн
16000+45.71 грн
30000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M Goford Semiconductor GT070N15M.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M Goford Semiconductor GT070N15M.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W 5.8m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M Goford Semiconductor GT070N15M.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+317.38 грн
10+212.03 грн
100+155.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15T GT070N15T Goford Semiconductor GT070N15T.pdf Description: MOSFET N-CH 150V140A 320W TO-22
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5864 pF @ 75 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.62 грн
10+207.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N08D5 GT080N08D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT080N08D5.pdf Description: N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K.pdf Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K.pdf Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.47 грн
10+105.58 грн
100+71.61 грн
500+53.56 грн
1000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10KI GT080N10KI Goford Semiconductor GOFORD-GT080N10KI.pdf Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2394 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M.pdf Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M.pdf Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.36 грн
10+112.25 грн
100+76.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04TI GT040N04TI.pdf
GT040N04TI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 20 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.10 грн
50+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10M GT040N10M.pdf
GT040N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,140A,200W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10T GT040N10T.pdf
GT040N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W 4.5m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD-GT042P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+96.46 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD-GT042P06T.pdf
GT042P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9151 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD-GT042P06T.pdf
GT042P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 160A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD-GT042P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+96.46 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5.pdf
GT045N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 180W 5.0m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5.pdf
GT045N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5.pdf
GT045N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
на замовлення 4517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.97 грн
10+125.42 грн
100+86.07 грн
500+64.97 грн
1000+59.89 грн
2000+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M.pdf
GT045N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M.pdf
GT045N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M.pdf
GT045N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.49 грн
10+123.92 грн
100+84.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10T GT045N10T.pdf
GT045N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10T GT045N10T.pdf
GT045N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 180W 4.5m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6094 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT048N10T GT048N10T.pdf
GT048N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 110A 150W 4.8M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.87 грн
10+101.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06D5 GT055N06D5.pdf
GT055N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W DFN5*6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06D5 GT055N06D5.pdf
GT055N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W DFN5*6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.08 грн
10+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06K GT055N06K.pdf
GT055N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.96 грн
10+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06K GT055N06K.pdf
GT055N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,90A,78W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06K GT055N06K.pdf
GT055N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06M GT055N06M.pdf
GT055N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.81 грн
10+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06M GT055N06M.pdf
GT055N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,90A,78W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06M GT055N06M.pdf
GT055N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06T GT055N06T.pdf
GT055N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,90A,78W,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT055N06T GT055N06T.pdf
GT055N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 78W TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.22 грн
10+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D3 GT060N04D3.pdf
GT060N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D3 GT060N04D3.pdf
GT060N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 40A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D3 GT060N04D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D3 GT060N04D3.pdf
GT060N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
на замовлення 8415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.66 грн
10+46.44 грн
100+30.38 грн
500+22.03 грн
1000+19.94 грн
2000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D5 GT060N04D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,62A,RD(max) Less Than 6.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.5mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.3V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D5 GT060N04D5.pdf
GT060N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D5 GT060N04D5.pdf
GT060N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.19 грн
10+44.61 грн
100+29.12 грн
500+21.08 грн
1000+19.07 грн
2000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04D52 GOFORD-G07P04S.pdf
GT060N04D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04K GT060N04K.pdf
GT060N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 62A 70W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1279 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04K GT060N04K.pdf
GT060N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04K GT060N04K.pdf
GT060N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.91 грн
10+51.20 грн
100+33.67 грн
500+24.52 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04T GT060N04T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,60A,RD(max) Less Than 6mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.5mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.3V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
504+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 504
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N04T GT060N04T.pdf
GT060N04T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.22 грн
50+46.39 грн
100+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N10T GT060N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT060N10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N10T GT060N10T.pdf
GT060N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5365 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N10T GT060N10T.pdf
GT060N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5365 pF @ 50 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.92 грн
10+104.63 грн
100+74.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GOFORD-GT065P06D5.pdf
GT065P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ -30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GOFORD-GT065P06D5.pdf
GT065P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GOFORD-GT065P06D5.pdf
GT065P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.76 грн
10+90.65 грн
100+72.17 грн
500+57.31 грн
1000+48.62 грн
2000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
GT065P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-82A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -4.5V,VTH-1V to -2.5V ,TO-220
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+59.14 грн
15000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
GT065P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 82A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+51.46 грн
8000+47.25 грн
16000+45.71 грн
30000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M.pdf
GT070N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M.pdf
GT070N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W 5.8m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+117.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M.pdf
GT070N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.38 грн
10+212.03 грн
100+155.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15T GT070N15T.pdf
GT070N15T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V140A 320W TO-22
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5864 pF @ 75 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.62 грн
10+207.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N08D5 GOFORD-GT080N08D5.pdf
GT080N08D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K.pdf
GT080N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K.pdf
GT080N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K.pdf
GT080N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.47 грн
10+105.58 грн
100+71.61 грн
500+53.56 грн
1000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10KI GOFORD-GT080N10KI.pdf
GT080N10KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2394 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M.pdf
GT080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M.pdf
GT080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M.pdf
GT080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.36 грн
10+112.25 грн
100+76.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]