Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1143) > Сторінка 13 з 20

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G86N06K G86N06K Goford Semiconductor GOFORD-G86N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.66 грн
10+73.65 грн
100+57.43 грн
500+44.52 грн
1000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K G86N06K Goford Semiconductor GOFORD-G86N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K G86N06K Goford Semiconductor GOFORD-G86N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T G900N10T Goford Semiconductor G900N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A 55W 90M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 50 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.00 грн
10+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T GOFORD Semiconductor G900N10T.pdf G900N10T
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5.pdf Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5.pdf Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.61 грн
10+101.29 грн
100+69.26 грн
500+52.14 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 GOFORD Semiconductor G900P15D5.pdf P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K Goford Semiconductor G900P15K.pdf Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.26 грн
10+93.34 грн
100+63.29 грн
500+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K Goford Semiconductor G900P15K.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K Goford Semiconductor G900P15K.pdf Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M Goford Semiconductor G900P15M.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ -10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ -75 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M Goford Semiconductor G900P15M.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M GOFORD Semiconductor G900P15M.pdf P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M Goford Semiconductor G900P15M.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.04 грн
10+111.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T GOFORD Semiconductor G900P15T.pdf P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T G900P15T Goford Semiconductor G900P15T.pdf Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 75 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K Goford Semiconductor G90P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K Goford Semiconductor G90P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.68 грн
10+41.47 грн
100+27.13 грн
500+19.65 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S Goford Semiconductor G9435S.pdf Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S Goford Semiconductor G9435S.pdf Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.87 грн
17+18.13 грн
100+11.47 грн
500+8.06 грн
1000+7.18 грн
2000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GC030N65QF GC030N65QF Goford Semiconductor GC030N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.56 грн
30+442.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF Goford Semiconductor GC041N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+473.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF Goford Semiconductor GC041N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GOFORD Semiconductor GC041N65QF.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+552.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GOFORD SEMICONDUCTOR GC060N65QF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 388W
Technology: SJ-MOSFET
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF Goford Semiconductor GC060N65QF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,50A,388W,TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+161.85 грн
Мінімальне замовлення: 900
В кошику  од. на суму  грн.
GC080N65QF GC080N65QF Goford Semiconductor GC080N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 380 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.94 грн
30+411.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC085N65QF GOFORD SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; 299W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Power dissipation: 299W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5.pdf Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.99 грн
10+116.15 грн
100+80.06 грн
500+61.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GOFORD Semiconductor GC11N65D5.pdf N-CH 650V 11A 360mOhm/MAX at 10V DFN5x6-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5.pdf Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 31.3W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31.3W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GOFORD Semiconductor GC11N65F.pdf N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 360mOhm at 10V,VTH 2.5V to 4V ,TO-220F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+67.92 грн
15000+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F Goford Semiconductor GC11N65F.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F Goford Semiconductor GC11N65F.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.74 грн
50+97.64 грн
100+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GOFORD Semiconductor GC11N65K.pdf Small Package MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.50 грн
15000+51.22 грн
30000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.87 грн
10+107.09 грн
100+73.45 грн
500+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.05 грн
10+128.86 грн
100+89.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T Goford Semiconductor GC11N65T.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T Goford Semiconductor GC11N65T.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.65 грн
50+96.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GOFORD Semiconductor GC11N65T.pdf N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 0.36Ohm at 10V,VTH 2.5V to 4.0V, TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GC120N65QF Goford Semiconductor GC120N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 275 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.95 грн
30+340.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GOFORD Semiconductor GC120N65QF.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+293.19 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GOFORD SEMICONDUCTOR GC125N65FF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 42W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF Goford Semiconductor GC125N65FF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,25A,42W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF Goford Semiconductor GC125N65FF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,25A,42W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.97 грн
10+173.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65QF GC125N65QF Goford Semiconductor GC125N65QF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,27A,205W,TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.53 грн
10+211.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65D8 GC180N65D8 Goford Semiconductor GC180N65D8.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,151W,DFN8*8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC180N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F Goford Semiconductor GC180N65F.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF Goford Semiconductor GC180N65MF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF Goford Semiconductor GC180N65MF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.84 грн
10+194.33 грн
100+137.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GC190N65FF Goford Semiconductor GC190N65FF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,19A,35W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GC190N65FF Goford Semiconductor GC190N65FF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,19A,35W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.63 грн
10+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65QF GC190N65QF Goford Semiconductor GC190N65QF.pdf Description: MOSFET 650V 19A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.46 грн
30+150.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K GOFORD-G86N06K.pdf
G86N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.66 грн
10+73.65 грн
100+57.43 грн
500+44.52 грн
1000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K GOFORD-G86N06K.pdf
G86N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K GOFORD-G86N06K.pdf
G86N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T G900N10T.pdf
G900N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 22A 55W 90M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 50 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.00 грн
10+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T G900N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G900N10T
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
G900P15D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
G900P15D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.61 грн
10+101.29 грн
100+69.26 грн
500+52.14 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K.pdf
G900P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.26 грн
10+93.34 грн
100+63.29 грн
500+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K.pdf
G900P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K.pdf
G900P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
G900P15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ -10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ -75 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
G900P15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
G900P15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.04 грн
10+111.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T G900P15T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
230+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T G900P15T.pdf
G900P15T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 75 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K.pdf
G90P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K.pdf
G90P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.68 грн
10+41.47 грн
100+27.13 грн
500+19.65 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S.pdf
G9435S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S.pdf
G9435S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.87 грн
17+18.13 грн
100+11.47 грн
500+8.06 грн
1000+7.18 грн
2000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GC030N65QF GC030N65QF.pdf
GC030N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+765.56 грн
30+442.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF.pdf
GC041N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+473.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF.pdf
GC041N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+552.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 388W
Technology: SJ-MOSFET
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF.pdf
GC060N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,50A,388W,TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
900+161.85 грн
Мінімальне замовлення: 900
В кошику  од. на суму  грн.
GC080N65QF GC080N65QF.pdf
GC080N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 380 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+716.94 грн
30+411.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC085N65QF
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; 299W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Power dissipation: 299W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
GC11N65D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.99 грн
10+116.15 грн
100+80.06 грн
500+61.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 650V 11A 360mOhm/MAX at 10V DFN5x6-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
GC11N65D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
GC11N65D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 31.3W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31.3W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 360mOhm at 10V,VTH 2.5V to 4V ,TO-220F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+67.92 грн
15000+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F.pdf
GC11N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F.pdf
GC11N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.74 грн
50+97.64 грн
100+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Small Package MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.50 грн
15000+51.22 грн
30000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.87 грн
10+107.09 грн
100+73.45 грн
500+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.05 грн
10+128.86 грн
100+89.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
GC11N65T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
GC11N65T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.65 грн
50+96.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65T GC11N65T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 0.36Ohm at 10V,VTH 2.5V to 4.0V, TO-220
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GC120N65QF.pdf
GC120N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 275 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+601.95 грн
30+340.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC120N65QF GC120N65QF.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+293.19 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 42W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 42W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF.pdf
GC125N65FF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,25A,42W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65FF GC125N65FF.pdf
GC125N65FF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,25A,42W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.97 грн
10+173.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC125N65QF GC125N65QF.pdf
GC125N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,27A,205W,TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.53 грн
10+211.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65D8 GC180N65D8.pdf
GC180N65D8
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,151W,DFN8*8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65F GC180N65F.pdf
GC180N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF.pdf
GC180N65MF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC180N65MF GC180N65MF.pdf
GC180N65MF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1728 pF @ 100 V
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.84 грн
10+194.33 грн
100+137.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GC190N65FF.pdf
GC190N65FF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,19A,35W,TO-220F
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65FF GC190N65FF.pdf
GC190N65FF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,19A,35W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.63 грн
10+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC190N65QF GC190N65QF.pdf
GC190N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 650V 19A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.46 грн
30+150.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]