Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (830) > Сторінка 13 з 14

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
GT080N10T GT080N10T Goford Semiconductor GOFORD-GT080N10T.pdf Description: N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2257 pF @ 50 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.87 грн
10+ 84.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10T GT080N10T Goford Semiconductor GOFORD-GT080N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT080N10TI GT080N10TI Goford Semiconductor Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2328 pF @ 50 V
товар відсутній
GT088N06T GT088N06T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=526 Description: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 30 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.16 грн
10+ 60.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT090N06D52 GOFORD Semiconductor GOFORD-GT090N06D52.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06D52 GT090N06D52 Goford Semiconductor GOFORD-GT090N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.28 грн
15000+ 25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06D52 GT090N06D52 Goford Semiconductor GOFORD-GT090N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товар відсутній
GT090N06D52 GT090N06D52 Goford Semiconductor GOFORD-GT090N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.02 грн
10+ 62.3 грн
100+ 48.49 грн
500+ 38.57 грн
1000+ 31.42 грн
2000+ 29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT090N06K GT090N06K Goford Semiconductor GOFORD-GT090N06K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.08 грн
10+ 48.93 грн
100+ 33.89 грн
500+ 26.58 грн
1000+ 22.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT090N06K GT090N06K Goford Semiconductor GOFORD-GT090N06K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
товар відсутній
GT090N06S GT090N06S Goford Semiconductor GOFORD-GT090N06S.pdf Description: N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
товар відсутній
GT095N04D3 GT095N04D3 Goford Semiconductor GOFORD-GT095N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.9 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N04D3 GT095N04D3 Goford Semiconductor GOFORD-GT095N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.06 грн
13+ 22.9 грн
100+ 15.91 грн
500+ 11.66 грн
1000+ 9.47 грн
2000+ 8.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
GT095N04D5 GT095N04D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT095N04D5.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N04D5 GT095N04D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT095N04D5.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.62 грн
10+ 33.07 грн
100+ 22.98 грн
500+ 16.84 грн
1000+ 13.68 грн
2000+ 12.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
GT095N10D5 GT095N10D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT095N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
на замовлення 14841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.33 грн
10+ 58.88 грн
100+ 45.81 грн
500+ 36.44 грн
1000+ 29.68 грн
2000+ 27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10D5 GT095N10D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT095N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.45 грн
10000+ 27.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5 GT095N10D5 Goford Semiconductor 4822_SOLDING%20PROFILE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.36 грн
15000+ 19.91 грн
30000+ 17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5 GOFORD Semiconductor GOFORD-GT095N10D5.pdf 4822_SOLDING%20PROFILE.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10K GT095N10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=532 Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT095N10K GT095N10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=532 Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.24 грн
10+ 70.12 грн
100+ 54.67 грн
500+ 42.38 грн
1000+ 33.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10S GT095N10S Goford Semiconductor GOFORD-GT095N10S.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.47 грн
16000+ 18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
GT1003A Goford Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT1003A GOFORD Semiconductor High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.63 грн
15000+ 4.31 грн
30000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GT1003A GOFORD Semiconductor High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.35 грн
15000+ 4.01 грн
30000+ 3.61 грн
50000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GT1003D GOFORD Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
15000+ 3.75 грн
30000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GT1003D Goford Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT1003D GOFORD Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3125+3.83 грн
15000+ 3.53 грн
30000+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3125
GT100N04D3 GT100N04D3 Goford Semiconductor GOFORD-GT100N04D3.pdf Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.32 грн
13+ 22.33 грн
100+ 15.52 грн
500+ 11.37 грн
1000+ 9.24 грн
2000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
GT100N04D3 GOFORD Semiconductor GOFORD-GT100N04D3.pdf N-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT100N04D3 GT100N04D3 Goford Semiconductor GOFORD-GT100N04D3.pdf Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
товар відсутній
GT100N12D5 GT100N12D5 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=588 Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT100N12D5 GT100N12D5 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=588 Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.68 грн
10+ 100.98 грн
100+ 81.16 грн
500+ 62.57 грн
1000+ 51.85 грн
2000+ 48.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT100N12K GT100N12K Goford Semiconductor GOFORD-GT100N12K.pdf Description: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
товар відсутній
GT100N12K GT100N12K Goford Semiconductor GOFORD-GT100N12K.pdf Description: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT100N12M GOFORD Semiconductor GOFORD-GT100N12M.pdf N-CH,120V,70A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V, VTH2.5V to 3.5V, TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT100N12M GT100N12M Goford Semiconductor GOFORD-GT100N12M.pdf Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
товар відсутній
GT100N12M GT100N12M Goford Semiconductor GOFORD-GT100N12M.pdf Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.51 грн
10+ 89.32 грн
100+ 71.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT100N12T GT100N12T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=622 Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.61 грн
10+ 84.49 грн
100+ 67.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT100N12T GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=622 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
GT105N10F GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=593 N-CH,100V,33A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220F
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 380
GT105N10F GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=593 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
GT105N10F GT105N10F Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=593 Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.53 грн
10+ 81.57 грн
100+ 63.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT105N10K GT105N10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=686 Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT105N10K GT105N10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=686 Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.64 грн
10+ 56.11 грн
100+ 43.64 грн
500+ 34.71 грн
1000+ 28.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT105N10K GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=686 N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.77 грн
15000+ 23.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT105N10T GT105N10T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=600 Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.18 грн
10+ 86.83 грн
100+ 67.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT105N10T GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=600 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
GT10N10 GOFORD Semiconductor GOFORD-GT10N10.pdf High Power And Current Handing Capability MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT10N10 GT10N10 Goford Semiconductor GOFORD-GT10N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.13 грн
15000+ 8.12 грн
30000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT10N10 GOFORD Semiconductor GOFORD-GT10N10.pdf N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.53 грн
15000+ 9.73 грн
30000+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT10N10 GT10N10 Goford Semiconductor GOFORD-GT10N10.pdf Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товар відсутній
GT10N10 GT10N10 Goford Semiconductor GOFORD-GT10N10.pdf Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.49 грн
11+ 26.95 грн
100+ 18.75 грн
500+ 13.74 грн
1000+ 11.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
GT110N06D3 GT110N06D3 Goford Semiconductor GOFORD-GT110N06D3.pdf Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.83 грн
10+ 36.27 грн
100+ 25.11 грн
500+ 19.69 грн
1000+ 16.76 грн
2000+ 14.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
GT110N06D3 GT110N06D3 Goford Semiconductor GOFORD-GT110N06D3.pdf Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
товар відсутній
GT110N06D3 GOFORD Semiconductor GOFORD-GT110N06D3.pdf N-CH,60V,35A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN3x3-8L
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.63 грн
15000+ 16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT110N06D5 GT110N06D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT110N06D5.pdf Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT110N06D5 GOFORD Semiconductor GOFORD-GT110N06D5.pdf N-CH,60V,45A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN5x6-8L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 603
GT110N06D5 GT110N06D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT110N06D5.pdf Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 9996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.56 грн
10+ 50.85 грн
100+ 35.18 грн
500+ 27.59 грн
1000+ 23.48 грн
2000+ 20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT110N06S GOFORD Semiconductor GOFORD-GT110N06S.pdf N-CH 60V 14A 11mOhmMAX at 10V, 14mOhmMAX at 4.5V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.15 грн
16000+ 15.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
GT080N10T GOFORD-GT080N10T.pdf
GT080N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2257 pF @ 50 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.87 грн
10+ 84.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10T GOFORD-GT080N10T.pdf
GT080N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT080N10TI
GT080N10TI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2328 pF @ 50 V
товар відсутній
GT088N06T products-detail.php?ProId=526
GT088N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 30 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.16 грн
10+ 60.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT090N06D52 GOFORD-GT090N06D52.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06D52 GOFORD-GT090N06D52.pdf
GT090N06D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+28.28 грн
15000+ 25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06D52 GOFORD-GT090N06D52.pdf
GT090N06D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товар відсутній
GT090N06D52 GOFORD-GT090N06D52.pdf
GT090N06D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.02 грн
10+ 62.3 грн
100+ 48.49 грн
500+ 38.57 грн
1000+ 31.42 грн
2000+ 29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT090N06K GOFORD-GT090N06K.pdf
GT090N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.08 грн
10+ 48.93 грн
100+ 33.89 грн
500+ 26.58 грн
1000+ 22.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT090N06K GOFORD-GT090N06K.pdf
GT090N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
товар відсутній
GT090N06S GOFORD-GT090N06S.pdf
GT090N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
товар відсутній
GT095N04D3 GOFORD-GT095N04D3.pdf
GT095N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+8.9 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N04D3 GOFORD-GT095N04D3.pdf
GT095N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.06 грн
13+ 22.9 грн
100+ 15.91 грн
500+ 11.66 грн
1000+ 9.47 грн
2000+ 8.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
GT095N04D5 GOFORD-GT095N04D5.pdf
GT095N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N04D5 GOFORD-GT095N04D5.pdf
GT095N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.62 грн
10+ 33.07 грн
100+ 22.98 грн
500+ 16.84 грн
1000+ 13.68 грн
2000+ 12.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
GT095N10D5 GOFORD-GT095N10D5.pdf
GT095N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
на замовлення 14841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.33 грн
10+ 58.88 грн
100+ 45.81 грн
500+ 36.44 грн
1000+ 29.68 грн
2000+ 27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10D5 GOFORD-GT095N10D5.pdf
GT095N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+29.45 грн
10000+ 27.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5 4822_SOLDING%20PROFILE.pdf
GT095N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 55A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+22.36 грн
15000+ 19.91 грн
30000+ 17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5 GOFORD-GT095N10D5.pdf 4822_SOLDING%20PROFILE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10K products-detail.php?ProId=532
GT095N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT095N10K products-detail.php?ProId=532
GT095N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.24 грн
10+ 70.12 грн
100+ 54.67 грн
500+ 42.38 грн
1000+ 33.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10S GOFORD-GT095N10S.pdf
GT095N10S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+20.47 грн
16000+ 18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
GT1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT1003A
Виробник: GOFORD Semiconductor
High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.63 грн
15000+ 4.31 грн
30000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GT1003A
Виробник: GOFORD Semiconductor
High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.35 грн
15000+ 4.01 грн
30000+ 3.61 грн
50000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GT1003D
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.07 грн
15000+ 3.75 грн
30000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GT1003D
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT1003D
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3125+3.83 грн
15000+ 3.53 грн
30000+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3125
GT100N04D3 GOFORD-GT100N04D3.pdf
GT100N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.32 грн
13+ 22.33 грн
100+ 15.52 грн
500+ 11.37 грн
1000+ 9.24 грн
2000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
GT100N04D3 GOFORD-GT100N04D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT100N04D3 GOFORD-GT100N04D3.pdf
GT100N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
товар відсутній
GT100N12D5 products-detail.php?ProId=588
GT100N12D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT100N12D5 products-detail.php?ProId=588
GT100N12D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.68 грн
10+ 100.98 грн
100+ 81.16 грн
500+ 62.57 грн
1000+ 51.85 грн
2000+ 48.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT100N12K GOFORD-GT100N12K.pdf
GT100N12K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
товар відсутній
GT100N12K GOFORD-GT100N12K.pdf
GT100N12K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT100N12M GOFORD-GT100N12M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,120V,70A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V, VTH2.5V to 3.5V, TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+48.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT100N12M GOFORD-GT100N12M.pdf
GT100N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
товар відсутній
GT100N12M GOFORD-GT100N12M.pdf
GT100N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.51 грн
10+ 89.32 грн
100+ 71.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT100N12T products-detail.php?ProId=622
GT100N12T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.61 грн
10+ 84.49 грн
100+ 67.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT100N12T products-detail.php?ProId=622
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+40.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
GT105N10F products-detail.php?ProId=593
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,33A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220F
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
380+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 380
GT105N10F products-detail.php?ProId=593
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
GT105N10F products-detail.php?ProId=593
GT105N10F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.53 грн
10+ 81.57 грн
100+ 63.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT105N10K products-detail.php?ProId=686
GT105N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT105N10K products-detail.php?ProId=686
GT105N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.64 грн
10+ 56.11 грн
100+ 43.64 грн
500+ 34.71 грн
1000+ 28.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT105N10K products-detail.php?ProId=686
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.77 грн
15000+ 23.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT105N10T products-detail.php?ProId=600
GT105N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.18 грн
10+ 86.83 грн
100+ 67.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT105N10T products-detail.php?ProId=600
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
GT10N10 GOFORD-GT10N10.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
High Power And Current Handing Capability MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT10N10 GOFORD-GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+9.13 грн
15000+ 8.12 грн
30000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT10N10 GOFORD-GT10N10.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.53 грн
15000+ 9.73 грн
30000+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT10N10 GOFORD-GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товар відсутній
GT10N10 GOFORD-GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.49 грн
11+ 26.95 грн
100+ 18.75 грн
500+ 13.74 грн
1000+ 11.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
GT110N06D3 GOFORD-GT110N06D3.pdf
GT110N06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.83 грн
10+ 36.27 грн
100+ 25.11 грн
500+ 19.69 грн
1000+ 16.76 грн
2000+ 14.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
GT110N06D3 GOFORD-GT110N06D3.pdf
GT110N06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
товар відсутній
GT110N06D3 GOFORD-GT110N06D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,35A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN3x3-8L
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+17.63 грн
15000+ 16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT110N06D5 GOFORD-GT110N06D5.pdf
GT110N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT110N06D5 GOFORD-GT110N06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,45A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN5x6-8L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
603+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 603
GT110N06D5 GOFORD-GT110N06D5.pdf
GT110N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 9996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.56 грн
10+ 50.85 грн
100+ 35.18 грн
500+ 27.59 грн
1000+ 23.48 грн
2000+ 20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT110N06S GOFORD-GT110N06S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 14A 11mOhmMAX at 10V, 14mOhmMAX at 4.5V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.15 грн
16000+ 15.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]