Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149435) > Сторінка 1278 з 2491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1283 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.59 грн
10+53.96 грн
25+46.74 грн
75+39.85 грн
150+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 609 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.93 грн
10+41.59 грн
25+37.20 грн
75+33.95 грн
150+31.88 грн
375+29.23 грн
525+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.51 грн
10+31.07 грн
25+28.14 грн
50+26.87 грн
100+25.68 грн
500+22.73 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.97 грн
50+31.27 грн
100+28.64 грн
250+26.57 грн
500+24.90 грн
1000+23.13 грн
1250+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.99 грн
10+46.19 грн
100+41.23 грн
250+39.36 грн
500+35.33 грн
800+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.98 грн
10+61.93 грн
25+51.86 грн
50+46.74 грн
100+42.22 грн
250+36.90 грн
500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46ns.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.10 грн
4+95.04 грн
10+75.77 грн
50+68.88 грн
250+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.24 грн
10+57.43 грн
25+48.42 грн
50+43.59 грн
100+39.26 грн
250+34.25 грн
500+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.35 грн
10+51.50 грн
50+47.14 грн
100+42.71 грн
250+40.15 грн
500+35.72 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 200W
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.98 грн
5+150.22 грн
10+135.80 грн
15+129.90 грн
25+123.99 грн
50+115.14 грн
100+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.01 грн
10+177.81 грн
50+135.80 грн
100+122.02 грн
250+107.26 грн
500+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.51 грн
10+90.95 грн
50+75.77 грн
100+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+120.59 грн
25+105.30 грн
50+95.45 грн
100+84.63 грн
250+72.82 грн
500+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irl40sc228-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+343.36 грн
5+266.72 грн
10+228.30 грн
25+195.83 грн
50+178.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.41 грн
10+87.07 грн
50+68.20 грн
100+61.50 грн
250+53.04 грн
500+46.64 грн
800+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 44mΩ
Gate charge: 49.3nC
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.34 грн
10+74.29 грн
25+63.57 грн
50+58.26 грн
100+53.34 грн
250+47.43 грн
500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 654 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+120.59 грн
25+105.30 грн
50+97.42 грн
100+87.58 грн
250+73.81 грн
500+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577 IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.55 грн
62+19.09 грн
169+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 IRL6372TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.62 грн
38+31.10 грн
100+30.45 грн
104+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8 IRL7472L1TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.69 грн
7+191.89 грн
17+181.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 91nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.57 грн
4+99.13 грн
10+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.52 грн
10+193.86 грн
20+170.24 грн
50+144.66 грн
100+127.93 грн
200+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+79.10 грн
50+48.32 грн
100+42.22 грн
200+38.08 грн
250+37.30 грн
500+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.22 грн
10+55.08 грн
50+45.86 грн
100+42.91 грн
250+38.97 грн
500+36.12 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58259AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8748pbf.pdf?ci_sign=2d8572277f7342dea88e1d211ba84d481801601d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 15nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+104.92 грн
5+79.71 грн
10+67.02 грн
25+55.70 грн
50+48.61 грн
100+42.71 грн
500+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs2242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356639e1c25a7 IRLHS2242TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.75 грн
50+17.88 грн
79+14.86 грн
216+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.72 грн
61+19.29 грн
167+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AD7F1FDCDF1A303005056AB0C4F&compId=irll014npbf.pdf?ci_sign=1d1f9f334532dd3711cbf8c73e9f89d36ccd8d49 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.45 грн
11+28.61 грн
100+21.26 грн
250+18.99 грн
500+17.42 грн
1000+15.94 грн
2500+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.87 грн
8+40.67 грн
10+35.62 грн
25+31.20 грн
50+28.24 грн
100+25.59 грн
500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 IRLL024ZTRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.03 грн
32+37.10 грн
87+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db IRLL2705TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.25 грн
57+20.57 грн
157+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.73 грн
14+22.07 грн
18+17.32 грн
22+13.97 грн
100+9.25 грн
200+8.36 грн
500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0040pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.97 грн
14+23.20 грн
50+15.55 грн
100+13.28 грн
500+9.35 грн
1000+8.27 грн
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+39.21 грн
12+26.16 грн
15+20.86 грн
50+14.47 грн
100+12.69 грн
500+10.43 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0100pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7654 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.97 грн
14+23.30 грн
50+16.83 грн
100+14.86 грн
500+11.12 грн
1000+9.74 грн
3000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.49 грн
16+20.03 грн
19+16.34 грн
22+13.58 грн
100+8.90 грн
500+6.49 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825EEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2060pbf.pdf?ci_sign=8f6b20a635982558b5faa81751781baa759c75d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.73 грн
15+20.74 грн
50+13.68 грн
100+11.61 грн
500+8.07 грн
1000+6.89 грн
3000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2244pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+20.14 грн
20+15.74 грн
22+13.68 грн
100+10.14 грн
500+8.27 грн
1000+7.58 грн
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582603F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2803.pdf?ci_sign=068837b0a7fb98cbe47bd8f4ee1d75009a4dd519 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+20.14 грн
20+15.94 грн
22+13.58 грн
100+8.94 грн
250+7.68 грн
500+6.90 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.49 грн
18+17.99 грн
50+13.28 грн
100+11.81 грн
500+9.05 грн
1000+8.07 грн
3000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.55 грн
16+19.83 грн
50+13.97 грн
100+12.20 грн
250+10.33 грн
500+9.05 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.85 грн
15+20.44 грн
20+16.24 грн
50+12.50 грн
100+10.43 грн
500+7.18 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C073DE4D1F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6246pbf.pdf?ci_sign=081a27482ca02397f5d07cd5b22cc57d56db8087 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.49 грн
16+19.31 грн
50+14.47 грн
100+13.19 грн
200+11.91 грн
500+10.53 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.67 грн
17+19.11 грн
50+12.20 грн
100+10.33 грн
250+8.46 грн
500+7.58 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.61 грн
16+19.21 грн
50+12.85 грн
100+11.00 грн
500+7.99 грн
1000+7.10 грн
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13625 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.73 грн
16+20.23 грн
50+13.38 грн
100+11.42 грн
500+8.17 грн
1000+7.18 грн
3000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.55 грн
17+19.11 грн
50+12.89 грн
100+11.12 грн
500+8.27 грн
1000+7.38 грн
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9303pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.49 грн
18+17.27 грн
50+11.12 грн
100+9.35 грн
200+7.97 грн
500+6.69 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.87 грн
10+34.13 грн
50+26.57 грн
100+24.31 грн
500+19.98 грн
1000+18.50 грн
2000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+62.53 грн
10+52.63 грн
50+42.22 грн
100+38.67 грн
250+34.64 грн
500+31.88 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.94 грн
10+52.22 грн
50+38.18 грн
100+33.75 грн
500+25.59 грн
1000+22.73 грн
2000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+89.62 грн
20+74.59 грн
50+61.70 грн
100+54.12 грн
500+41.72 грн
1000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.66 грн
10+61.83 грн
20+53.53 грн
50+46.45 грн
100+41.82 грн
500+33.75 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.98 грн
10+78.69 грн
25+64.95 грн
50+57.08 грн
100+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.51 грн
10+37.81 грн
25+33.95 грн
50+32.08 грн
100+30.21 грн
500+26.47 грн
1000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.75 грн
10+102.09 грн
25+85.81 грн
50+74.99 грн
100+65.34 грн
250+56.19 грн
500+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.97 грн
10+107.30 грн
50+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.59 грн
10+53.96 грн
25+46.74 грн
75+39.85 грн
150+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 609 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.93 грн
10+41.59 грн
25+37.20 грн
75+33.95 грн
150+31.88 грн
375+29.23 грн
525+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description irfz24n.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.51 грн
10+31.07 грн
25+28.14 грн
50+26.87 грн
100+25.68 грн
500+22.73 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.97 грн
50+31.27 грн
100+28.64 грн
250+26.57 грн
500+24.90 грн
1000+23.13 грн
1250+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.99 грн
10+46.19 грн
100+41.23 грн
250+39.36 грн
500+35.33 грн
800+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.98 грн
10+61.93 грн
25+51.86 грн
50+46.74 грн
100+42.22 грн
250+36.90 грн
500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF description irfz46ns.pdf
IRFZ46NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.10 грн
4+95.04 грн
10+75.77 грн
50+68.88 грн
250+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF description irfz46n.pdf
IRFZ46NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.24 грн
10+57.43 грн
25+48.42 грн
50+43.59 грн
100+39.26 грн
250+34.25 грн
500+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.35 грн
10+51.50 грн
50+47.14 грн
100+42.71 грн
250+40.15 грн
500+35.72 грн
1000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251
IRL1004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 200W
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.98 грн
5+150.22 грн
10+135.80 грн
15+129.90 грн
25+123.99 грн
50+115.14 грн
100+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF irl1404zpbf.pdf
IRL1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.01 грн
10+177.81 грн
50+135.80 грн
100+122.02 грн
250+107.26 грн
500+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.51 грн
10+90.95 грн
50+75.77 грн
100+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+120.59 грн
25+105.30 грн
50+95.45 грн
100+84.63 грн
250+72.82 грн
500+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 infineon-irl40sc228-ds-en.pdf
IRL40SC228
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.36 грн
5+266.72 грн
10+228.30 грн
25+195.83 грн
50+178.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.41 грн
10+87.07 грн
50+68.20 грн
100+61.50 грн
250+53.04 грн
500+46.64 грн
800+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF irl540n.pdf
IRL540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 44mΩ
Gate charge: 49.3nC
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.34 грн
10+74.29 грн
25+63.57 грн
50+58.26 грн
100+53.34 грн
250+47.43 грн
500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf
IRL540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 654 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+120.59 грн
25+105.30 грн
50+97.42 грн
100+87.58 грн
250+73.81 грн
500+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.55 грн
62+19.09 грн
169+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.62 грн
38+31.10 грн
100+30.45 грн
104+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbF Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL7472L1TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.69 грн
7+191.89 грн
17+181.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 91nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.57 грн
4+99.13 грн
10+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.52 грн
10+193.86 грн
20+170.24 грн
50+144.66 грн
100+127.93 грн
200+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+79.10 грн
50+48.32 грн
100+42.22 грн
200+38.08 грн
250+37.30 грн
500+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.22 грн
10+55.08 грн
50+45.86 грн
100+42.91 грн
250+38.97 грн
500+36.12 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58259AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8748pbf.pdf?ci_sign=2d8572277f7342dea88e1d211ba84d481801601d
IRLB8748PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 15nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.92 грн
5+79.71 грн
10+67.02 грн
25+55.70 грн
50+48.61 грн
100+42.71 грн
500+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF irlhs2242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356639e1c25a7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS2242TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.75 грн
50+17.88 грн
79+14.86 грн
216+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.72 грн
61+19.29 грн
167+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AD7F1FDCDF1A303005056AB0C4F&compId=irll014npbf.pdf?ci_sign=1d1f9f334532dd3711cbf8c73e9f89d36ccd8d49
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.45 грн
11+28.61 грн
100+21.26 грн
250+18.99 грн
500+17.42 грн
1000+15.94 грн
2500+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.87 грн
8+40.67 грн
10+35.62 грн
25+31.20 грн
50+28.24 грн
100+25.59 грн
500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLL024ZTRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.03 грн
32+37.10 грн
87+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLL2705TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.25 грн
57+20.57 грн
157+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.73 грн
14+22.07 грн
18+17.32 грн
22+13.97 грн
100+9.25 грн
200+8.36 грн
500+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF irlml0040pbf.pdf
IRLML0040TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.97 грн
14+23.20 грн
50+15.55 грн
100+13.28 грн
500+9.35 грн
1000+8.27 грн
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF irlml0060pbf.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.21 грн
12+26.16 грн
15+20.86 грн
50+14.47 грн
100+12.69 грн
500+10.43 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF irlml0100pbf.pdf
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7654 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.97 грн
14+23.30 грн
50+16.83 грн
100+14.86 грн
500+11.12 грн
1000+9.74 грн
3000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF irlml2030pbf.pdf
IRLML2030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.49 грн
16+20.03 грн
19+16.34 грн
22+13.58 грн
100+8.90 грн
500+6.49 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825EEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2060pbf.pdf?ci_sign=8f6b20a635982558b5faa81751781baa759c75d9
IRLML2060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.73 грн
15+20.74 грн
50+13.68 грн
100+11.61 грн
500+8.07 грн
1000+6.89 грн
3000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF irlml2244pbf.pdf
IRLML2244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.14 грн
20+15.74 грн
22+13.68 грн
100+10.14 грн
500+8.27 грн
1000+7.58 грн
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582603F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2803.pdf?ci_sign=068837b0a7fb98cbe47bd8f4ee1d75009a4dd519
IRLML2803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.14 грн
20+15.94 грн
22+13.58 грн
100+8.94 грн
250+7.68 грн
500+6.90 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.49 грн
18+17.99 грн
50+13.28 грн
100+11.81 грн
500+9.05 грн
1000+8.07 грн
3000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
16+19.83 грн
50+13.97 грн
100+12.20 грн
250+10.33 грн
500+9.05 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF irlml6244pbf.pdf
IRLML6244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.85 грн
15+20.44 грн
20+16.24 грн
50+12.50 грн
100+10.43 грн
500+7.18 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C073DE4D1F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6246pbf.pdf?ci_sign=081a27482ca02397f5d07cd5b22cc57d56db8087
IRLML6246TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
IRLML6344TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.49 грн
16+19.31 грн
50+14.47 грн
100+13.19 грн
200+11.91 грн
500+10.53 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e
IRLML6346TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.67 грн
17+19.11 грн
50+12.20 грн
100+10.33 грн
250+8.46 грн
500+7.58 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.61 грн
16+19.21 грн
50+12.85 грн
100+11.00 грн
500+7.99 грн
1000+7.10 грн
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13625 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.73 грн
16+20.23 грн
50+13.38 грн
100+11.42 грн
500+8.17 грн
1000+7.18 грн
3000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
17+19.11 грн
50+12.89 грн
100+11.12 грн
500+8.27 грн
1000+7.38 грн
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF irlml9303pbf.pdf
IRLML9303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.49 грн
18+17.27 грн
50+11.12 грн
100+9.35 грн
200+7.97 грн
500+6.69 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.87 грн
10+34.13 грн
50+26.57 грн
100+24.31 грн
500+19.98 грн
1000+18.50 грн
2000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.53 грн
10+52.63 грн
50+42.22 грн
100+38.67 грн
250+34.64 грн
500+31.88 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf
IRLR2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.94 грн
10+52.22 грн
50+38.18 грн
100+33.75 грн
500+25.59 грн
1000+22.73 грн
2000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+89.62 грн
20+74.59 грн
50+61.70 грн
100+54.12 грн
500+41.72 грн
1000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.66 грн
10+61.83 грн
20+53.53 грн
50+46.45 грн
100+41.82 грн
500+33.75 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF irlr3110zpbf.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.98 грн
10+78.69 грн
25+64.95 грн
50+57.08 грн
100+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.51 грн
10+37.81 грн
25+33.95 грн
50+32.08 грн
100+30.21 грн
500+26.47 грн
1000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.75 грн
10+102.09 грн
25+85.81 грн
50+74.99 грн
100+65.34 грн
250+56.19 грн
500+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.97 грн
10+107.30 грн
50+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1283 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]