Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148855) > Сторінка 1278 з 2481
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB3206GPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 332 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3207PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3207ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 178 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3306PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 160A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3307ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3607PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 56nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFB3806PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB3806PBF THT N channel transistors |
на замовлення 301 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB38N20DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB38N20DPBF THT N channel transistors |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB4019PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB4019PBF THT N channel transistors |
на замовлення 682 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFB4020PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.1Ω Gate charge: 18nC Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 672 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 209 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4115PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 74A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 356 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFB4127PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB4127PBF THT N channel transistors |
на замовлення 472 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB4227PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB4227PBF THT N channel transistors |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB4227PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB4227PBFXKMA1 THT N channel transistors |
на замовлення 125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFB4228PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFB4229PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB4229PBF THT N channel transistors |
на замовлення 172 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 7mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 170nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 330W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 166 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 6mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 0.12µC Technology: HEXFET® Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4332PbF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 514 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFB4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB4510PBF THT N channel transistors |
на замовлення 219 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB4610PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB4610PBF THT N channel transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB4615PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB4615PBF THT N channel transistors |
на замовлення 108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB4620PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB4620PBF THT N channel transistors |
на замовлення 302 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFB52N15DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFB5615PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB5615PBF THT N channel transistors |
на замовлення 276 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB5620PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB5620PBF THT N channel transistors |
на замовлення 58 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFB7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 409A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 173 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 250A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 709 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7440PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 208A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 703 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB7446PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 123A Power dissipation: 99W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFB7530PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB7530PBF THT N channel transistors |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB7534PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB7534PBF THT N channel transistors |
на замовлення 710 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFB7537PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 173A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFB7540PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB7540PBF THT N channel transistors |
на замовлення 149 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFB7545PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7546PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB7546PBF THT N channel transistors |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFB7730PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFB7730PBF THT N channel transistors |
на замовлення 72 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFH4234TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFH4234TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 1516 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFH7440TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 3169 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFH9310TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFH9310TRPBF SMD P channel transistors |
на замовлення 3430 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors |
на замовлення 825 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFI1310NPBF THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFI3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFI4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFI4321PBF THT N channel transistors |
на замовлення 62 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFI4410ZPBF THT N channel transistors |
на замовлення 993 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFI530NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFI530NPBF THT N channel transistors |
на замовлення 252 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFIZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFIZ44NPBF THT N channel transistors |
на замовлення 99 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFL4105TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 3.7A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 5.8A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.4nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4646 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP054NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 98A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 751 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP1405PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 310W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP140NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 27A Power dissipation: 94W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP150NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Power dissipation: 160W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 110nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 789 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 123nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IRFB3206GPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.04 грн |
| 10+ | 85.22 грн |
| 100+ | 63.28 грн |
| 250+ | 57.35 грн |
| 500+ | 53.39 грн |
| 1000+ | 49.44 грн |
| IRFB3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.82 грн |
| 10+ | 122.19 грн |
| 30+ | 104.81 грн |
| 50+ | 97.89 грн |
| 100+ | 90.97 грн |
| 250+ | 78.11 грн |
| 500+ | 69.21 грн |
| IRFB3207PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.81 грн |
| IRFB3207ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.11 грн |
| 10+ | 140.67 грн |
| 20+ | 116.67 грн |
| 50+ | 101.84 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.21 грн |
| 10+ | 133.48 грн |
| 25+ | 102.83 грн |
| 50+ | 86.02 грн |
| 100+ | 73.17 грн |
| 200+ | 61.30 грн |
| 500+ | 58.34 грн |
| IRFB3307ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.77 грн |
| 10+ | 141.39 грн |
| 20+ | 127.55 грн |
| 50+ | 111.73 грн |
| 100+ | 101.84 грн |
| 200+ | 92.94 грн |
| IRFB3607PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.33 грн |
| 5+ | 70.03 грн |
| 10+ | 58.83 грн |
| 50+ | 46.18 грн |
| 100+ | 42.71 грн |
| 250+ | 41.92 грн |
| IRFB3806PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB3806PBF THT N channel transistors
IRFB3806PBF THT N channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.17 грн |
| 26+ | 46.18 грн |
| 70+ | 43.60 грн |
| IRFB38N20DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB38N20DPBF THT N channel transistors
IRFB38N20DPBF THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.61 грн |
| 12+ | 102.83 грн |
| 32+ | 96.90 грн |
| IRFB4019PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB4019PBF THT N channel transistors
IRFB4019PBF THT N channel transistors
на замовлення 682 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.37 грн |
| 24+ | 49.44 грн |
| 66+ | 46.47 грн |
| IRFB4020PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 672 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.36 грн |
| 5+ | 96.52 грн |
| 10+ | 70.20 грн |
| 50+ | 69.21 грн |
| IRFB4110PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.58 грн |
| 10+ | 97.55 грн |
| 25+ | 86.02 грн |
| 50+ | 83.06 грн |
| IRFB4115PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.93 грн |
| 10+ | 176.00 грн |
| IRFB4127PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB4127PBF THT N channel transistors
IRFB4127PBF THT N channel transistors
на замовлення 472 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.19 грн |
| 12+ | 102.83 грн |
| 32+ | 97.89 грн |
| 200+ | 97.55 грн |
| IRFB4227PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB4227PBF THT N channel transistors
IRFB4227PBF THT N channel transistors
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.22 грн |
| 16+ | 77.12 грн |
| 42+ | 73.17 грн |
| IRFB4227PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB4227PBFXKMA1 THT N channel transistors
IRFB4227PBFXKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.00 грн |
| 15+ | 80.09 грн |
| 41+ | 76.13 грн |
| IRFB4228PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 234.26 грн |
| 10+ | 162.23 грн |
| 50+ | 145.35 грн |
| 100+ | 141.39 грн |
| 500+ | 139.42 грн |
| IRFB4229PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB4229PBF THT N channel transistors
IRFB4229PBF THT N channel transistors
на замовлення 172 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.37 грн |
| 11+ | 115.69 грн |
| 28+ | 108.76 грн |
| IRFB4310PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.60 грн |
| 10+ | 162.23 грн |
| 25+ | 133.48 грн |
| 50+ | 108.76 грн |
| 100+ | 106.79 грн |
| IRFB4310ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.55 грн |
| 10+ | 156.07 грн |
| 50+ | 123.60 грн |
| IRFB4321PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.47 грн |
| 10+ | 190.98 грн |
| 25+ | 150.29 грн |
| 50+ | 134.47 грн |
| 100+ | 129.53 грн |
| IRFB4332PbF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 319.45 грн |
| 10+ | 164.29 грн |
| 25+ | 148.31 грн |
| IRFB4410PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.06 грн |
| 10+ | 117.05 грн |
| 50+ | 91.96 грн |
| 100+ | 84.04 грн |
| 250+ | 76.13 грн |
| 500+ | 73.17 грн |
| IRFB4410ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 514 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.79 грн |
| 3+ | 141.70 грн |
| 10+ | 101.84 грн |
| 20+ | 88.99 грн |
| 50+ | 75.15 грн |
| 100+ | 68.22 грн |
| 200+ | 61.30 грн |
| IRFB4510PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB4510PBF THT N channel transistors
IRFB4510PBF THT N channel transistors
на замовлення 219 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.04 грн |
| 22+ | 54.28 грн |
| 60+ | 51.32 грн |
| IRFB4610PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB4610PBF THT N channel transistors
IRFB4610PBF THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.55 грн |
| 14+ | 88.00 грн |
| 37+ | 83.06 грн |
| IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB4615PBF THT N channel transistors
IRFB4615PBF THT N channel transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.86 грн |
| 19+ | 62.29 грн |
| 52+ | 59.33 грн |
| IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB4620PBF THT N channel transistors
IRFB4620PBF THT N channel transistors
на замовлення 302 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 212.96 грн |
| 7+ | 169.08 грн |
| 20+ | 160.18 грн |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.53 грн |
| 5+ | 134.51 грн |
| 10+ | 126.56 грн |
| 25+ | 118.65 грн |
| 50+ | 112.72 грн |
| 100+ | 106.79 грн |
| 250+ | 99.87 грн |
| IRFB5615PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB5615PBF THT N channel transistors
IRFB5615PBF THT N channel transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.46 грн |
| 17+ | 72.18 грн |
| 45+ | 68.22 грн |
| IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB5620PBF THT N channel transistors
IRFB5620PBF THT N channel transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.10 грн |
| 14+ | 88.00 грн |
| 37+ | 83.06 грн |
| IRFB7430PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 173 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.42 грн |
| 3+ | 187.90 грн |
| 10+ | 131.51 грн |
| 50+ | 123.60 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.59 грн |
| 10+ | 80.60 грн |
| 50+ | 67.53 грн |
| 100+ | 63.48 грн |
| 250+ | 57.94 грн |
| 500+ | 54.38 грн |
| IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 5+ | 64.69 грн |
| 50+ | 54.38 грн |
| IRFB7446PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.42 грн |
| 50+ | 35.53 грн |
| 1000+ | 32.23 грн |
| IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7530PBF THT N channel transistors
IRFB7530PBF THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 294.96 грн |
| 10+ | 128.54 грн |
| 25+ | 121.62 грн |
| IRFB7534PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7534PBF THT N channel transistors
IRFB7534PBF THT N channel transistors
на замовлення 710 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 212.96 грн |
| 10+ | 82.14 грн |
| 15+ | 82.07 грн |
| 40+ | 78.11 грн |
| IRFB7537PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.70 грн |
| 5+ | 127.32 грн |
| 10+ | 101.84 грн |
| 25+ | 81.08 грн |
| 50+ | 69.21 грн |
| 100+ | 67.24 грн |
| IRFB7540PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7540PBF THT N channel transistors
IRFB7540PBF THT N channel transistors
на замовлення 149 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.01 грн |
| 23+ | 51.42 грн |
| 63+ | 49.44 грн |
| IRFB7545PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB7546PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7546PBF THT N channel transistors
IRFB7546PBF THT N channel transistors
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.61 грн |
| 21+ | 58.34 грн |
| 56+ | 55.37 грн |
| IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7730PBF THT N channel transistors
IRFB7730PBF THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 203.38 грн |
| 9+ | 135.46 грн |
| 24+ | 128.54 грн |
| IRFH4234TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH4234TRPBF SMD N channel transistors
IRFH4234TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.47 грн |
| 140+ | 21.85 грн |
| IRFH7440TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7440TRPBF SMD N channel transistors
IRFH7440TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.08 грн |
| 14+ | 84.04 грн |
| 39+ | 79.10 грн |
| IRFH9310TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH9310TRPBF SMD P channel transistors
IRFH9310TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.46 грн |
| 15+ | 81.08 грн |
| 40+ | 77.12 грн |
| IRFHM9331TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors
IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.37 грн |
| 55+ | 21.56 грн |
| 150+ | 20.37 грн |
| IRFI1310NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFI1310NPBF THT N channel transistors
IRFI1310NPBF THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.64 грн |
| 10+ | 118.08 грн |
| 11+ | 111.73 грн |
| 29+ | 105.80 грн |
| IRFI3205PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.87 грн |
| 10+ | 156.07 грн |
| 25+ | 136.45 грн |
| IRFI4321PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFI4321PBF THT N channel transistors
IRFI4321PBF THT N channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.18 грн |
| 20+ | 159.19 грн |
| IRFI4410ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFI4410ZPBF THT N channel transistors
IRFI4410ZPBF THT N channel transistors
на замовлення 993 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.73 грн |
| 8+ | 159.19 грн |
| 21+ | 151.28 грн |
| 250+ | 150.94 грн |
| IRFI530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFI530NPBF THT N channel transistors
IRFI530NPBF THT N channel transistors
на замовлення 252 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.25 грн |
| 20+ | 59.72 грн |
| 54+ | 56.46 грн |
| IRFIZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFIZ44NPBF THT N channel transistors
IRFIZ44NPBF THT N channel transistors
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.78 грн |
| 23+ | 51.61 грн |
| 63+ | 48.75 грн |
| IRFL4105TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.63 грн |
| 10+ | 44.97 грн |
| 50+ | 32.63 грн |
| 100+ | 28.77 грн |
| 200+ | 26.60 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.30 грн |
| 19+ | 17.04 грн |
| 21+ | 14.34 грн |
| 100+ | 9.10 грн |
| 500+ | 7.02 грн |
| 1000+ | 6.43 грн |
| 3000+ | 6.23 грн |
| IRFP054NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 231.07 грн |
| 10+ | 188.93 грн |
| 25+ | 152.27 грн |
| 50+ | 130.52 грн |
| 100+ | 116.67 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 751 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.41 грн |
| 5+ | 162.23 грн |
| 10+ | 139.42 грн |
| 15+ | 126.56 грн |
| 25+ | 110.74 грн |
| 50+ | 90.97 грн |
| 100+ | 80.09 грн |
| IRFP1405PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.59 грн |
| 5+ | 200.22 грн |
| IRFP140NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.44 грн |
| 10+ | 113.97 грн |
| 25+ | 100.85 грн |
| 50+ | 94.92 грн |
| 100+ | 88.99 грн |
| 250+ | 81.08 грн |
| 400+ | 76.13 грн |
| IRFP150NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.27 грн |
| 10+ | 116.03 грн |
| 25+ | 102.83 грн |
| 50+ | 96.90 грн |
| 100+ | 89.98 грн |
| 250+ | 82.07 грн |
| 400+ | 77.12 грн |
| IRFP250MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.35 грн |
| 10+ | 137.59 грн |
| 25+ | 105.80 грн |
| 50+ | 90.97 грн |
| 100+ | 84.04 грн |








