Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149396) > Сторінка 1280 з 2490
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPA06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | SPA06N80C3 THT N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
SPA07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPA11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPA15N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPA17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 42W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPA20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 34.5W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPB17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPB20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 771 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SPB80P06PGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SPD09P06PLGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPD09P06PLGBTMA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SPD15P10PLGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPD15P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2149 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SPD18P06PGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPD18P06PGBTMA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2384 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SPD30P06PGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPD30P06PGBTMA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
SPD50N03S207GBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 136W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5 Case: PG-TO252-5 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -50A Drain-source voltage: -30V On-state resistance: 7mΩ Power dissipation: 150W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPP04N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SPP06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPP06N80C3 THT N channel transistors |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
SPP07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPP08N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPP11N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPP11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPP15P10PLHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A Power dissipation: 128W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SPP17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SPP18P06PHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPP18P06PHXKSA1 THT P channel transistors |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
SPP20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPP20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPP20N65C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPP21N50C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 560V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SPP80P06PHXKSA1 THT P channel transistors |
на замовлення 122 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
SPW11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPW20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPW32N50C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 560V Drain current: 32A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 170nC Power dissipation: 284W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPW35N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.9A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 173 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
T560N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA Type of thyristor: hockey-puck Max. off-state voltage: 1.6kV Max. load current: 809A Load current: 559A Gate current: 200mA Case: BG-T4814K0-1 Mounting: Press-Pack Kind of package: in-tray Max. forward impulse current: 8kA Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT) кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TLD1120ELXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LED driversDescription: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; LED driver Output current: 0.36A Case: PG-SSOP-14-EP Mounting: SMD Number of channels: 1 Integrated circuit features: linear dimming; PWM Operating voltage: 5.5...40V DC Technology: Litix™ Protection: overheating OTP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TLE4207GXUMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLE4207G Motor and PWM drivers |
на замовлення 2414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TLE42502GHTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLE4250-2G LDO adjustable voltage regulators |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TLE4266GHTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLE4266G LDO fixed voltage regulators |
на замовлення 2877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TLE4268GXUMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLE4268G LDO fixed voltage regulators |
на замовлення 299 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
TLE42712GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO fixed voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.55A; TO263-7; SMD Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: 0.55A Output voltage: 5V Voltage drop: 0.35V Input voltage: 6...40V Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear Operating temperature: -40...150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TLE42754DATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLE42754D LDO fixed voltage regulators |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TLE42764GVATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLE42764GV LDO adjustable voltage regulators |
на замовлення 888 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TLE42764GV50ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLE42764GV50ATMA1 LDO fixed voltage regulators |
на замовлення 992 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TLE4675GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLE4675G LDO fixed voltage regulators |
на замовлення 997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
TLE4906KHTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT Type of sensor: Hall Kind of sensor: unipolar Case: SC59 Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT Supply voltage: 2.7...18V DC Operating temperature: -40...150°C Mounting: SMT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TLE4945L | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT Type of sensor: Hall Kind of sensor: bipolar Case: P-SSO-3-2 Range of detectable magnetic field: -10...10mT Supply voltage: 3.8...24V DC Operating temperature: -40...150°C Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TLE49462KHTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT Type of sensor: Hall Kind of sensor: latch Case: SC59 Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT Supply voltage: 2.7...18V DC Operating temperature: -40...150°C Mounting: SMT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TLE7258SJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLE7258SJXUMA1 Interfaces others - integrated circuits |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TLE7259-3GE | INFINEON TECHNOLOGIES | TLE72593GE ETHERNET interfaces -integrated circuits |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
TLF50251EL | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - DC/DC circuitsDescription: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14 Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: DC/DC converter Input voltage: 4.75...45V DC Output voltage: 5V DC Output current: 0.5A Case: SSOP14 Mounting: SMD Frequency: 2.2MHz Topology: buck Number of channels: 1 Operating temperature: -40...150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TLF80511TFV50ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLF80511TFV50 LDO fixed voltage regulators |
на замовлення 151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TLS820F0ELV33XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TLS820F0ELV33 LDO fixed voltage regulators |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
TLV4906KFTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Hall SensorsDescription: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 4.7÷13.9mT; Usup: 2.7÷18VDC Type of sensor: Hall Kind of sensor: unipolar Case: SC59 Range of detectable magnetic field: 4.7...13.9mT Supply voltage: 2.7...18V DC Operating temperature: -40...85°C Output configuration: analogue voltage Operation mode: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 717 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TT210N12KOF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Thyristor modulesDescription: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw Type of semiconductor module: thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 210A Case: BG-PB50-1 Max. forward voltage: 1.65V Max. forward impulse current: 6.6kA Gate current: 150mA Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TT250N18KOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TT250N18KOF Thyristor modules |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TT251N16KOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TT251N16KOF Thyristor modules |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TT425N16KOFHPSA3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
TT425N16KOF Thyristor modules |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TZ430N22KOF | INFINEON TECHNOLOGIES | TZ430N22KOF Thyristor modules |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| SPA06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPA06N80C3 THT N channel transistors
SPA06N80C3 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.91 грн |
| 11+ | 115.14 грн |
| 28+ | 108.25 грн |
| SPA07N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.53 грн |
| 10+ | 101.17 грн |
| 25+ | 74.79 грн |
| 50+ | 62.00 грн |
| SPA11N80C3 | ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.73 грн |
| 10+ | 188.03 грн |
| 25+ | 162.37 грн |
| 50+ | 148.59 грн |
| 100+ | 135.80 грн |
| 250+ | 133.83 грн |
| SPA15N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.42 грн |
| SPA17N80C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 323.23 грн |
| 10+ | 249.35 грн |
| 50+ | 209.61 грн |
| 100+ | 206.65 грн |
| SPA20N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 392.11 грн |
| 10+ | 293.29 грн |
| 25+ | 240.11 грн |
| SPB17N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 462.06 грн |
| 5+ | 393.44 грн |
| 25+ | 340.49 грн |
| 100+ | 322.77 грн |
| SPB20N60C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.39 грн |
| 5+ | 262.63 грн |
| 25+ | 227.32 грн |
| 100+ | 215.51 грн |
| SPB80P06PGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 375.16 грн |
| 6+ | 220.43 грн |
| 15+ | 208.62 грн |
| 100+ | 208.47 грн |
| SPD09P06PLGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD09P06PLGBTMA1 SMD P channel transistors
SPD09P06PLGBTMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.94 грн |
| 24+ | 48.71 грн |
| 66+ | 46.05 грн |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD15P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
SPD15P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.29 грн |
| 12+ | 100.38 грн |
| 33+ | 94.47 грн |
| SPD18P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD18P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
SPD18P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.16 грн |
| 18+ | 67.90 грн |
| 48+ | 64.95 грн |
| SPD30P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD30P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
SPD30P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.38 грн |
| 16+ | 75.77 грн |
| 43+ | 71.84 грн |
| SPD50N03S207GBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.23 грн |
| 25+ | 44.09 грн |
| 100+ | 42.51 грн |
| 500+ | 41.43 грн |
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Case: PG-TO252-5
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Case: PG-TO252-5
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.12 грн |
| 10+ | 151.24 грн |
| 100+ | 104.31 грн |
| 500+ | 82.66 грн |
| 1000+ | 74.79 грн |
| 2500+ | 73.81 грн |
| SPP04N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.78 грн |
| 10+ | 112.18 грн |
| 50+ | 106.28 грн |
| SPP06N80C3 | ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPP06N80C3 THT N channel transistors
SPP06N80C3 THT N channel transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.33 грн |
| 8+ | 147.61 грн |
| 22+ | 139.74 грн |
| SPP07N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.48 грн |
| 5+ | 67.45 грн |
| 10+ | 59.04 грн |
| 50+ | 55.11 грн |
| SPP08N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 231.03 грн |
| 3+ | 196.21 грн |
| 10+ | 170.24 грн |
| 50+ | 160.40 грн |
| SPP11N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.38 грн |
| 10+ | 132.85 грн |
| 25+ | 98.41 грн |
| 50+ | 74.79 грн |
| 100+ | 72.82 грн |
| SPP11N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.54 грн |
| 10+ | 146.13 грн |
| 50+ | 123.01 грн |
| 100+ | 115.14 грн |
| 250+ | 104.31 грн |
| 1000+ | 102.34 грн |
| SPP15P10PLHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SPP17N80C3 | ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 172.74 грн |
| 10+ | 149.20 грн |
| 50+ | 126.94 грн |
| 100+ | 114.15 грн |
| 500+ | 108.25 грн |
| SPP18P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPP18P06PHXKSA1 THT P channel transistors
SPP18P06PHXKSA1 THT P channel transistors
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.82 грн |
| 19+ | 62.00 грн |
| 52+ | 59.04 грн |
| SPP20N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.44 грн |
| 10+ | 132.85 грн |
| SPP20N60S5 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 322.17 грн |
| 3+ | 277.96 грн |
| 10+ | 239.13 грн |
| 50+ | 214.53 грн |
| 250+ | 202.72 грн |
| SPP20N65C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 524.58 грн |
| 3+ | 455.78 грн |
| 10+ | 387.72 грн |
| 50+ | 348.36 грн |
| SPP21N50C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.24 грн |
| 3+ | 235.04 грн |
| 10+ | 198.78 грн |
| 50+ | 179.10 грн |
| SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPP80P06PHXKSA1 THT P channel transistors
SPP80P06PHXKSA1 THT P channel transistors
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 307.33 грн |
| 7+ | 180.08 грн |
| 18+ | 170.24 грн |
| SPW11N80C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.32 грн |
| 10+ | 207.45 грн |
| 30+ | 165.32 грн |
| 120+ | 161.39 грн |
| SPW17N80C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 326.41 грн |
| 3+ | 287.16 грн |
| 10+ | 235.19 грн |
| 30+ | 215.51 грн |
| SPW20N60S5 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.65 грн |
| 5+ | 348.47 грн |
| 30+ | 296.20 грн |
| 120+ | 266.68 грн |
| SPW32N50C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Power dissipation: 284W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Power dissipation: 284W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 521.41 грн |
| 10+ | 452.71 грн |
| 30+ | 403.47 грн |
| SPW35N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 545.78 грн |
| SPW47N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 951.67 грн |
| 10+ | 886.00 грн |
| 30+ | 812.84 грн |
| 120+ | 730.18 грн |
| 240+ | 691.80 грн |
| T560N16TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 809A
Load current: 559A
Gate current: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 8kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 809A
Load current: 559A
Gate current: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. forward impulse current: 8kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11058.67 грн |
| TLD1120ELXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Output current: 0.36A
Case: PG-SSOP-14-EP
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 5.5...40V DC
Technology: Litix™
Protection: overheating OTP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 360mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Output current: 0.36A
Case: PG-SSOP-14-EP
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Operating voltage: 5.5...40V DC
Technology: Litix™
Protection: overheating OTP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.12 грн |
| 6+ | 58.66 грн |
| 10+ | 50.88 грн |
| 25+ | 48.12 грн |
| TLE4207GXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE4207G Motor and PWM drivers
TLE4207G Motor and PWM drivers
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.23 грн |
| 13+ | 90.53 грн |
| 36+ | 85.61 грн |
| TLE42502GHTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE4250-2G LDO adjustable voltage regulators
TLE4250-2G LDO adjustable voltage regulators
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.12 грн |
| 31+ | 38.38 грн |
| 83+ | 36.41 грн |
| TLE4266GHTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE4266G LDO fixed voltage regulators
TLE4266G LDO fixed voltage regulators
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.20 грн |
| 12+ | 104.31 грн |
| 31+ | 98.41 грн |
| TLE4268GXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE4268G LDO fixed voltage regulators
TLE4268G LDO fixed voltage regulators
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.38 грн |
| 15+ | 81.68 грн |
| 40+ | 77.74 грн |
| TLE42712GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.55A; TO263-7; SMD
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.55A
Output voltage: 5V
Voltage drop: 0.35V
Input voltage: 6...40V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Operating temperature: -40...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.55A; TO263-7; SMD
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.55A
Output voltage: 5V
Voltage drop: 0.35V
Input voltage: 6...40V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Operating temperature: -40...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.49 грн |
| 10+ | 157.38 грн |
| 25+ | 145.64 грн |
| TLE42754DATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE42754D LDO fixed voltage regulators
TLE42754D LDO fixed voltage regulators
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.31 грн |
| 13+ | 91.52 грн |
| 35+ | 86.60 грн |
| TLE42764GVATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE42764GV LDO adjustable voltage regulators
TLE42764GV LDO adjustable voltage regulators
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.92 грн |
| 11+ | 108.25 грн |
| 30+ | 102.34 грн |
| TLE42764GV50ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE42764GV50ATMA1 LDO fixed voltage regulators
TLE42764GV50ATMA1 LDO fixed voltage regulators
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.08 грн |
| 10+ | 122.02 грн |
| 27+ | 115.14 грн |
| TLE4675GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE4675G LDO fixed voltage regulators
TLE4675G LDO fixed voltage regulators
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.46 грн |
| 8+ | 149.58 грн |
| 22+ | 140.72 грн |
| TLE4906KHTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.99 грн |
| 7+ | 45.99 грн |
| 10+ | 42.02 грн |
| 50+ | 40.84 грн |
| TLE4945L |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.05 грн |
| 10+ | 111.39 грн |
| 25+ | 67.90 грн |
| TLE49462KHTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.02 грн |
| 10+ | 62.85 грн |
| 100+ | 42.91 грн |
| 1000+ | 34.25 грн |
| TLE7258SJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE7258SJXUMA1 Interfaces others - integrated circuits
TLE7258SJXUMA1 Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.83 грн |
| 27+ | 44.68 грн |
| 72+ | 42.22 грн |
| TLE7259-3GE |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLE72593GE ETHERNET interfaces -integrated circuits
TLE72593GE ETHERNET interfaces -integrated circuits
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.04 грн |
| 18+ | 64.95 грн |
| 50+ | 61.01 грн |
| TLF50251EL |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 158.97 грн |
| TLF80511TFV50ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLF80511TFV50 LDO fixed voltage regulators
TLF80511TFV50 LDO fixed voltage regulators
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.29 грн |
| 17+ | 68.88 грн |
| 47+ | 64.95 грн |
| TLS820F0ELV33XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TLS820F0ELV33 LDO fixed voltage regulators
TLS820F0ELV33 LDO fixed voltage regulators
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.34 грн |
| 16+ | 75.77 грн |
| 43+ | 71.84 грн |
| TLV4906KFTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 4.7÷13.9mT; Usup: 2.7÷18VDC
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 4.7...13.9mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...85°C
Output configuration: analogue voltage
Operation mode: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 4.7÷13.9mT; Usup: 2.7÷18VDC
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 4.7...13.9mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...85°C
Output configuration: analogue voltage
Operation mode: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 25+ | 24.73 грн |
| TT210N12KOF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 210A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 210A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11636.25 грн |
| TT250N18KOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TT250N18KOF Thyristor modules
TT250N18KOF Thyristor modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 17910.07 грн |
| TT251N16KOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TT251N16KOF Thyristor modules
TT251N16KOF Thyristor modules
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18376.52 грн |
| TT425N16KOFHPSA3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TT425N16KOF Thyristor modules
TT425N16KOF Thyristor modules
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 27632.68 грн |
| TZ430N22KOF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TZ430N22KOF Thyristor modules
TZ430N22KOF Thyristor modules
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10663.38 грн |




















