Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149887) > Сторінка 1280 з 2499
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPL60R075CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Gate charge: 67nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A On-state resistance: 0.149Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 189W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPL60R085P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL60R104C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL60R105P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPL60R125P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 111W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 36nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPL60R180P6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22.4A Power dissipation: 176W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPL60R185CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A On-state resistance: 0.346Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPL60R199CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPL60R1K5C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26.6W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPL60R210P6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL60R285P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL60R299CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL60R2K1C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL60R365P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPL60R385CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A On-state resistance: 0.385Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPL60R650P6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL65R070C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPL65R099C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21A Power dissipation: 128W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPL65R130C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPL65R165CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.3A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 195W кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPL65R190E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPL65R195C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A On-state resistance: 0.195Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPL65R1K5C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IPL65R210CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL65R230C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL65R310E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL65R340CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL65R420E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL65R460CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPL65R660E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPN50R800CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2903 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IPN50R950CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2806 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.2A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8.4A Case: PG-SOT223 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 26A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPN70R1K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.7A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 15.2nC Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPN70R1K5CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.4A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.5nC Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.5A Power dissipation: 6.5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 6.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IPN80R2K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPN80R3K3P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPN80R750P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPN80R900P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IPN95R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPN95R2K0P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPP015N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IPP019N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPP020N06NAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IPP020N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IPP023N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IPP023N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IPP023N10N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IPL60R075CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R085P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R085P7 SMD N channel transistors
IPL60R085P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R104C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R104C7 SMD N channel transistors
IPL60R104C7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R105P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R105P7 SMD N channel transistors
IPL60R105P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R125P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R180P6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R185CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.346Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.346Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R199CPAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors
IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R1K5C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R210P6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R210P6AUMA1 SMD N channel transistors
IPL60R210P6AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R285P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R285P7 SMD N channel transistors
IPL60R285P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R299CPAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R299CPAUMA1 SMD N channel transistors
IPL60R299CPAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R2K1C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R365P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R365P7 SMD N channel transistors
IPL60R365P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R385CPAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.385Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.385Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R650P6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R650P6SATMA1 SMD N channel transistors
IPL60R650P6SATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R070C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R070C7AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R070C7AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R099C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R130C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R165CFDAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.3A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.3A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R190E6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R190E6AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R190E6AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R195C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 95.27 грн |
10+ | 73.39 грн |
15+ | 72.47 грн |
41+ | 68.80 грн |
100+ | 66.05 грн |
IPL65R210CFDAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R210CFDAUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R210CFDAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R230C7AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R230C7AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R310E6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R310E6AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R310E6AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R340CFDAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R340CFDAUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R340CFDAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R420E6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R420E6AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R420E6AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R460CFDAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R460CFDAUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R460CFDAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R660E6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R660E6AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R660E6AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN50R2K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R2K0CE SMD N channel transistors
IPN50R2K0CE SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN50R800CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 53.35 грн |
7+ | 40.96 грн |
25+ | 36.33 грн |
IPN50R950CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R950CE SMD N channel transistors
IPN50R950CE SMD N channel transistors
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.27 грн |
50+ | 21.65 грн |
137+ | 20.46 грн |
IPN60R1K5CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8.4A
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8.4A
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN60R2K1CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R2K1CE SMD N channel transistors
IPN60R2K1CE SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN60R360P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN60R3K4CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN60R600P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R600P7S SMD N channel transistors
IPN60R600P7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN70R1K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN70R1K5CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN70R360P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN70R360P7S SMD N channel transistors
IPN70R360P7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN70R900P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.75 грн |
10+ | 64.21 грн |
33+ | 32.84 грн |
91+ | 31.01 грн |
3000+ | 30.27 грн |
IPN80R2K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R2K4P7 SMD N channel transistors
IPN80R2K4P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R3K3P7 SMD N channel transistors
IPN80R3K3P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.07 грн |
29+ | 37.43 грн |
79+ | 35.41 грн |
IPN80R600P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R600P7 SMD N channel transistors
IPN80R600P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R750P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R750P7 SMD N channel transistors
IPN80R750P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R900P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN95R3K7P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP015N04NGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 350.72 грн |
5+ | 259.13 грн |
12+ | 235.77 грн |
500+ | 227.51 грн |
IPP019N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP020N06NAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP020N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 480.15 грн |
3+ | 417.27 грн |
4+ | 308.24 грн |
10+ | 290.81 грн |
250+ | 287.14 грн |
IPP023N04NGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors
IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023N08N5AKSA1 THT N channel transistors
IPP023N08N5AKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP023N10N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.