Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148893) > Сторінка 1280 з 2482
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU3910PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Case: IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Gate charge: 29.3nC On-state resistance: 0.115Ω Power dissipation: 52W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFU4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFU4510PBF THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFU5305PBF THT P channel transistors |
на замовлення 954 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Gate charge: 12.7nC On-state resistance: 0.175Ω Power dissipation: 38W Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK Kind of channel: enhancement Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 533 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ46NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 53A Power dissipation: 120W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 94W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 798 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRL1004PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRL1004PBF THT N channel transistors |
на замовлення 84 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRL1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB Kind of package: tube Technology: HEXFET® Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Gate charge: 75nC On-state resistance: 3.1mΩ Power dissipation: 230W Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 790A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK Kind of package: reel Technology: HEXFET® Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 75nC On-state resistance: 3.1mΩ Power dissipation: 230W Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 790A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 440 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL3705NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate-source voltage: ±16V Gate charge: 65.3nC On-state resistance: 10mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL40SC228 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 557A Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3695 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 49.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3791 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2214 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRL6342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 1666 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRL6372TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRL6372TRPBF Multi channel transistors |
на замовлення 2684 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRL7472L1TRPbF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRL7472L1TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 443 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 123 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 403 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLB8314PBF THT N channel transistors |
на замовлення 399 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLB8743PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1463 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLB8748PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 92A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 676 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLHS2242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.2A Power dissipation: 2.1W Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLHS6376TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLL024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4.4A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 65mΩ Gate charge: 10.4nC Gate-source voltage: ±16V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1189 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLL024ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement On-state resistance: 60mΩ Gate charge: 11nC Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLL2705TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 3.8A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5617 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19274 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0040TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22468 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34449 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0100TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6633 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1171 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3185 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2502TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12306 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML2803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9855 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML5103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML5203TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15494 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6344TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20820 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6346TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.9nC On-state resistance: 80mΩ Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 17A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 415 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML6401TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12075 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML9301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14914 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLML9303TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3351 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR120NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13325 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLR2705TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLR2705TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 4160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLR2905TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR2905ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1287 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLR3110ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLR3110ZTRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLR3410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLR3410TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 4759 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLR3636TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 99A Power dissipation: 143W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR3705ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 526 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLR6225TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLR6225TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 140W Drain current: 161A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 987 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1579 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLR8743TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLS3036TRL7PP SMD N channel transistors |
на замовлення 319 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IRFU3910PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.79 грн |
| 150+ | 40.66 грн |
| 525+ | 38.36 грн |
| IRFU4510PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU4510PBF THT N channel transistors
IRFU4510PBF THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.19 грн |
| 16+ | 75.15 грн |
| 44+ | 71.19 грн |
| IRFU5305PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU5305PBF THT P channel transistors
IRFU5305PBF THT P channel transistors
на замовлення 954 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 10+ | 64.69 грн |
| 27+ | 43.51 грн |
| 74+ | 41.53 грн |
| IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 533 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.18 грн |
| 10+ | 41.79 грн |
| 25+ | 37.38 грн |
| 75+ | 34.11 грн |
| 150+ | 32.04 грн |
| 375+ | 29.37 грн |
| 525+ | 28.28 грн |
| IRFZ34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.41 грн |
| 10+ | 51.65 грн |
| 50+ | 46.97 грн |
| 100+ | 45.38 грн |
| 250+ | 43.41 грн |
| 500+ | 41.23 грн |
| 800+ | 38.76 грн |
| IRFZ46NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.61 грн |
| 4+ | 95.49 грн |
| 10+ | 76.13 грн |
| 50+ | 69.21 грн |
| 250+ | 65.26 грн |
| IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 798 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.98 грн |
| 50+ | 36.76 грн |
| 1000+ | 30.26 грн |
| IRL1004PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL1004PBF THT N channel transistors
IRL1004PBF THT N channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.32 грн |
| 14+ | 86.02 грн |
| 38+ | 81.08 грн |
| IRL1404ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.55 грн |
| 10+ | 184.82 грн |
| 50+ | 146.34 грн |
| 100+ | 131.51 грн |
| 250+ | 112.72 грн |
| 500+ | 103.82 грн |
| IRL1404ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.39 грн |
| 5+ | 101.65 грн |
| 10+ | 91.96 грн |
| 50+ | 79.10 грн |
| 100+ | 74.16 грн |
| 250+ | 73.17 грн |
| IRL3705NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.43 грн |
| 10+ | 121.98 грн |
| 25+ | 106.98 грн |
| 50+ | 96.60 грн |
| 100+ | 85.23 грн |
| 250+ | 72.18 грн |
| 500+ | 63.48 грн |
| IRL40SC228 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 342.87 грн |
| 5+ | 266.97 грн |
| 10+ | 228.40 грн |
| 25+ | 195.78 грн |
| 50+ | 178.97 грн |
| IRL530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.56 грн |
| 10+ | 93.75 грн |
| 50+ | 67.93 грн |
| 100+ | 58.44 грн |
| 250+ | 46.08 грн |
| 500+ | 36.68 грн |
| IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3791 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.39 грн |
| 10+ | 65.51 грн |
| 25+ | 57.74 грн |
| 50+ | 53.89 грн |
| 100+ | 50.13 грн |
| 250+ | 45.38 грн |
| 500+ | 41.92 грн |
| IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.11 грн |
| 10+ | 117.05 грн |
| 50+ | 92.94 грн |
| 100+ | 84.04 грн |
| 250+ | 73.17 грн |
| 500+ | 65.26 грн |
| 800+ | 59.33 грн |
| IRL6342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.79 грн |
| 62+ | 19.18 грн |
| 169+ | 18.09 грн |
| IRL6372TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.91 грн |
| 38+ | 31.15 грн |
| 100+ | 30.60 грн |
| 104+ | 29.47 грн |
| IRL7472L1TRPbF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL7472L1TRPBF SMD N channel transistors
IRL7472L1TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 322.64 грн |
| 7+ | 192.81 грн |
| 17+ | 182.92 грн |
| IRLB3036PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.33 грн |
| IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.03 грн |
| 10+ | 94.92 грн |
| IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.75 грн |
| 10+ | 194.79 грн |
| 20+ | 171.06 грн |
| 50+ | 145.35 грн |
| 100+ | 128.54 грн |
| 200+ | 123.60 грн |
| IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.07 грн |
| 10+ | 71.16 грн |
| 50+ | 46.67 грн |
| 100+ | 39.85 грн |
| 250+ | 34.90 грн |
| IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLB8314PBF THT N channel transistors
IRLB8314PBF THT N channel transistors
на замовлення 399 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.42 грн |
| 31+ | 37.97 грн |
| 85+ | 35.89 грн |
| IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.02 грн |
| 50+ | 55.24 грн |
| IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 676 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.42 грн |
| 5+ | 77.83 грн |
| 10+ | 62.69 грн |
| 25+ | 49.14 грн |
| 50+ | 41.63 грн |
| 100+ | 36.19 грн |
| 250+ | 32.13 грн |
| IRLHS2242TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.01 грн |
| 18+ | 17.35 грн |
| 50+ | 13.94 грн |
| 100+ | 13.64 грн |
| IRLHS6376TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.70 грн |
| 61+ | 19.28 грн |
| 167+ | 18.29 грн |
| 2000+ | 18.17 грн |
| IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 65mΩ
Gate charge: 10.4nC
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 65mΩ
Gate charge: 10.4nC
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.89 грн |
| 10+ | 42.61 грн |
| 50+ | 31.05 грн |
| 100+ | 27.78 грн |
| 500+ | 21.36 грн |
| 1000+ | 18.59 грн |
| 2500+ | 15.62 грн |
| IRLL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.40 грн |
| 50+ | 35.22 грн |
| IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.41 грн |
| 10+ | 44.77 грн |
| 25+ | 32.63 грн |
| 50+ | 26.80 грн |
| 100+ | 22.84 грн |
| 200+ | 20.37 грн |
| 500+ | 19.28 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.75 грн |
| 15+ | 21.05 грн |
| 20+ | 17.40 грн |
| 100+ | 11.77 грн |
| 200+ | 9.89 грн |
| 500+ | 8.11 грн |
| 1000+ | 7.02 грн |
| IRLML0040TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22468 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.14 грн |
| 14+ | 22.59 грн |
| 100+ | 12.36 грн |
| 500+ | 8.61 грн |
| 1000+ | 7.57 грн |
| 3000+ | 6.18 грн |
| 6000+ | 5.57 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34449 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.53 грн |
| 12+ | 27.31 грн |
| 50+ | 18.79 грн |
| 100+ | 16.31 грн |
| 500+ | 11.67 грн |
| 1000+ | 9.99 грн |
| 3000+ | 7.91 грн |
| IRLML0100TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.33 грн |
| 13+ | 25.36 грн |
| 100+ | 14.14 грн |
| 500+ | 10.28 грн |
| 1000+ | 9.10 грн |
| 3000+ | 7.81 грн |
| 6000+ | 7.71 грн |
| IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6633 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.82 грн |
| 15+ | 21.77 грн |
| 17+ | 17.70 грн |
| 100+ | 9.75 грн |
| 500+ | 6.85 грн |
| 1000+ | 6.05 грн |
| 3000+ | 5.13 грн |
| IRLML2060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.82 грн |
| 17+ | 19.20 грн |
| 100+ | 10.78 грн |
| 500+ | 7.51 грн |
| 1000+ | 6.53 грн |
| 3000+ | 6.23 грн |
| IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.36 грн |
| 17+ | 18.48 грн |
| 100+ | 11.47 грн |
| 500+ | 8.01 грн |
| 1000+ | 6.92 грн |
| 3000+ | 5.64 грн |
| 6000+ | 5.44 грн |
| IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12306 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.14 грн |
| 13+ | 25.57 грн |
| 50+ | 17.01 грн |
| 100+ | 14.44 грн |
| 250+ | 11.67 грн |
| 500+ | 9.99 грн |
| 1000+ | 8.70 грн |
| IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9855 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.56 грн |
| 17+ | 18.69 грн |
| 19+ | 16.31 грн |
| 50+ | 12.66 грн |
| 100+ | 11.17 грн |
| 250+ | 9.20 грн |
| 500+ | 7.71 грн |
| IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.82 грн |
| 15+ | 20.74 грн |
| 100+ | 11.07 грн |
| 500+ | 7.42 грн |
| 1000+ | 6.33 грн |
| 3000+ | 6.23 грн |
| IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15494 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.69 грн |
| 17+ | 19.20 грн |
| 50+ | 13.84 грн |
| 100+ | 12.16 грн |
| 250+ | 10.28 грн |
| 500+ | 9.10 грн |
| 1000+ | 7.81 грн |
| IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.56 грн |
| 16+ | 20.33 грн |
| 50+ | 15.62 грн |
| 100+ | 13.94 грн |
| 200+ | 12.16 грн |
| 500+ | 9.89 грн |
| 1000+ | 8.31 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 415 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.01 грн |
| 15+ | 21.56 грн |
| 50+ | 14.53 грн |
| 100+ | 12.46 грн |
| 500+ | 8.80 грн |
| 1000+ | 7.61 грн |
| 3000+ | 6.82 грн |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12075 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.94 грн |
| 16+ | 19.92 грн |
| 50+ | 13.39 грн |
| 100+ | 11.50 грн |
| 500+ | 8.23 грн |
| 1000+ | 7.17 грн |
| 3000+ | 5.84 грн |
| IRLML9301TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14914 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.82 грн |
| 16+ | 19.51 грн |
| 100+ | 11.47 грн |
| 500+ | 8.21 грн |
| 1000+ | 7.02 грн |
| 3000+ | 5.64 грн |
| IRLML9303TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.62 грн |
| 19+ | 16.22 грн |
| 50+ | 10.28 грн |
| 100+ | 8.70 грн |
| 200+ | 7.42 грн |
| 250+ | 7.02 грн |
| 500+ | 6.13 грн |
| IRLR024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.11 грн |
| 10+ | 35.01 грн |
| 50+ | 27.19 грн |
| 100+ | 24.82 грн |
| 500+ | 20.47 грн |
| 1000+ | 18.89 грн |
| 2000+ | 17.50 грн |
| IRLR120NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.82 грн |
| 10+ | 52.88 грн |
| 50+ | 42.42 грн |
| 100+ | 38.86 грн |
| 250+ | 34.80 грн |
| 500+ | 32.04 грн |
| 1000+ | 29.47 грн |
| IRLR2705TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLR2705TRPBF SMD N channel transistors
IRLR2705TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.49 грн |
| 60+ | 19.78 грн |
| 163+ | 18.69 грн |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.23 грн |
| 5+ | 101.65 грн |
| 10+ | 83.35 грн |
| 20+ | 70.30 грн |
| 50+ | 56.85 грн |
| 100+ | 49.54 грн |
| 500+ | 39.25 грн |
| IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.22 грн |
| 10+ | 72.49 грн |
| 50+ | 51.22 грн |
| 100+ | 45.19 грн |
| 500+ | 34.51 грн |
| 1000+ | 30.85 грн |
| 2000+ | 30.26 грн |
| IRLR3110ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLR3110ZTRPBF SMD N channel transistors
IRLR3110ZTRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.04 грн |
| 21+ | 57.05 грн |
| 57+ | 53.89 грн |
| IRLR3410TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLR3410TRPBF SMD N channel transistors
IRLR3410TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.88 грн |
| 53+ | 22.25 грн |
| 145+ | 21.06 грн |
| IRLR3636TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.33 грн |
| 10+ | 102.58 грн |
| 25+ | 86.22 грн |
| 50+ | 75.34 грн |
| 100+ | 65.65 грн |
| 250+ | 56.46 грн |
| 500+ | 52.21 грн |
| IRLR3705ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 526 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.72 грн |
| 10+ | 107.81 грн |
| 50+ | 78.11 грн |
| IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLR6225TRPBF SMD N channel transistors
IRLR6225TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.14 грн |
| 28+ | 42.12 грн |
| 77+ | 39.75 грн |
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 140W
Drain current: 161A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 140W
Drain current: 161A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 987 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.63 грн |
| IRLR8726TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.07 грн |
| 11+ | 28.44 грн |
| 50+ | 24.22 грн |
| 100+ | 22.84 грн |
| 250+ | 20.86 грн |
| 500+ | 19.48 грн |
| 1000+ | 18.59 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLR8743TRPBF SMD N channel transistors
IRLR8743TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLS3036TRL7PP SMD N channel transistors
IRLS3036TRL7PP SMD N channel transistors
на замовлення 319 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.04 грн |
| 6+ | 217.53 грн |
| 15+ | 205.66 грн |













