Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148897) > Сторінка 1277 з 2482

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1488 1736 1984 2232 2480 2482  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.24 грн
10+122.19 грн
25+81.08 грн
50+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 937 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+198.06 грн
10+123.22 грн
50+94.92 грн
100+86.02 грн
200+78.11 грн
250+76.13 грн
500+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+192.73 грн
5+129.38 грн
10+115.69 грн
50+96.90 грн
100+88.99 грн
200+82.07 грн
250+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 IRSDS11470-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 IRF2907ZPBF THT N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+379.08 грн
7+170.07 грн
19+160.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+182.08 грн
10+117.26 грн
50+86.71 грн
100+75.84 грн
250+61.40 грн
500+50.43 грн
800+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+128.84 грн
10+101.65 грн
50+83.06 грн
100+76.13 грн
250+68.22 грн
500+60.31 грн
800+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+149.08 грн
10+103.71 грн
50+87.01 грн
100+82.07 грн
250+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 582 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+163.98 грн
10+93.03 грн
50+76.73 грн
100+71.19 грн
250+64.17 грн
500+58.53 грн
750+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+199.12 грн
10+125.88 грн
50+93.83 грн
100+82.36 грн
250+67.14 грн
500+55.87 грн
800+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+157.59 грн
10+96.83 грн
20+80.78 грн
50+67.63 грн
100+59.82 грн
200+53.79 грн
500+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+259.82 грн
10+166.34 грн
50+143.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+253.43 грн
10+145.80 грн
25+126.56 грн
50+117.66 грн
100+109.75 грн
250+97.89 грн
500+90.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+278.98 грн
5+214.60 грн
10+189.84 грн
25+170.07 грн
50+156.22 грн
100+141.39 грн
125+138.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES IRF40R207.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+58.57 грн
10+45.38 грн
50+36.68 грн
100+33.82 грн
250+30.06 грн
500+27.39 грн
1000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3193d1979 description IRF4104PBF THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+154.40 грн
17+70.20 грн
46+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+185.28 грн
50+92.41 грн
100+73.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+252.36 грн
10+168.39 грн
50+131.51 грн
100+118.65 грн
250+100.85 грн
500+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+46.85 грн
10+33.47 грн
25+29.07 грн
50+27.19 грн
100+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 759 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+175.70 грн
10+135.54 грн
25+118.65 грн
50+108.76 грн
100+100.85 грн
500+83.06 грн
1000+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+261.95 грн
5+179.69 грн
10+150.29 грн
25+136.45 грн
50+133.48 грн
100+129.53 грн
200+126.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: -31A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+113.94 грн
10+95.70 грн
25+74.36 грн
50+55.67 грн
100+39.06 грн
500+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.24 грн
10+110.69 грн
50+77.82 грн
100+68.03 грн
500+50.62 грн
800+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 17A
Gate charge: 24.7nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 79W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+55.37 грн
10+43.02 грн
25+37.77 грн
50+34.90 грн
100+32.23 грн
500+26.60 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+116.07 грн
10+78.04 грн
100+53.29 грн
250+44.79 грн
500+38.17 грн
800+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4111 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+91.57 грн
10+50.93 грн
50+46.18 грн
100+44.10 грн
200+40.04 грн
250+38.76 грн
500+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 819 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+51.11 грн
50+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac IRF5801TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+48.66 грн
75+15.72 грн
205+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2 IRF5802TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+40.78 грн
75+15.72 грн
206+14.83 грн
1000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 IRF5803TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+48.56 грн
99+11.96 грн
270+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.99 грн
10+44.56 грн
25+37.57 грн
50+35.10 грн
100+33.22 грн
500+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+105.42 грн
10+58.22 грн
50+47.66 грн
100+44.20 грн
250+39.65 грн
500+36.29 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.19 грн
5+65.51 грн
10+52.31 грн
20+41.92 грн
50+31.54 грн
100+26.40 грн
200+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.19 грн
10+51.55 грн
100+33.42 грн
500+26.00 грн
1000+23.53 грн
2000+21.36 грн
4000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+52.18 грн
10+36.25 грн
25+29.17 грн
50+25.51 грн
100+22.54 грн
250+19.68 грн
500+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f15e771ae2 description IRF7205TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+55.05 грн
50+23.73 грн
136+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.55 грн
10+74.96 грн
50+51.22 грн
100+44.40 грн
500+33.02 грн
1000+29.56 грн
2000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+92.64 грн
10+56.27 грн
100+38.56 грн
200+34.31 грн
500+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.99 грн
10+55.75 грн
100+35.89 грн
250+30.85 грн
500+27.88 грн
1000+25.21 грн
2000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 description IRF7316TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+129.06 грн
36+32.53 грн
99+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+170.37 грн
10+116.03 грн
25+94.92 грн
50+84.04 грн
100+76.13 грн
250+68.22 грн
500+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.55 грн
10+66.64 грн
100+43.70 грн
250+37.87 грн
500+34.11 грн
1000+30.85 грн
2000+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6019 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+132.04 грн
10+84.61 грн
25+68.82 грн
100+52.50 грн
250+43.11 грн
500+36.78 грн
1000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7343-datasheet-en.pdf description IRF7343TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+136.51 грн
42+28.18 грн
115+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b IRF7351TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.21 грн
26+45.58 грн
71+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+78.80 грн
10+66.84 грн
100+50.43 грн
500+40.04 грн
1000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 description IRF7413ZTRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 329 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+89.98 грн
52+22.54 грн
143+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4081 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+104.35 грн
10+59.14 грн
25+42.52 грн
100+30.36 грн
250+26.80 грн
500+25.51 грн
4000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc IRF7425TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 832 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+118.20 грн
19+63.28 грн
51+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.93 грн
10+59.55 грн
25+53.20 грн
100+48.25 грн
250+47.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 description IRF7842TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+140.56 грн
20+61.30 грн
53+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 IRF7853TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+139.60 грн
27+44.69 грн
73+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.00 грн
5+100.63 грн
10+89.98 грн
50+76.13 грн
100+71.19 грн
500+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IRF8714TRPBFXTMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+76.88 грн
63+18.69 грн
172+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d IRF8734TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+88.27 грн
36+33.12 грн
98+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+130.97 грн
10+95.59 грн
50+68.52 грн
100+59.72 грн
250+49.24 грн
500+42.42 грн
1000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561125fc1d9b IRF9321TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+103.39 грн
43+27.78 грн
116+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF9389TRPBF.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+58.57 грн
10+41.07 грн
50+27.49 грн
100+23.43 грн
250+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.19 грн
10+52.88 грн
25+46.87 грн
50+43.90 грн
100+41.03 грн
250+37.47 грн
500+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.24 грн
10+122.19 грн
25+81.08 грн
50+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 937 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.06 грн
10+123.22 грн
50+94.92 грн
100+86.02 грн
200+78.11 грн
250+76.13 грн
500+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807z.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.73 грн
5+129.38 грн
10+115.69 грн
50+96.90 грн
100+88.99 грн
200+82.07 грн
250+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 IRSDS11470-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF2907ZPBF THT N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.08 грн
7+170.07 грн
19+160.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.08 грн
10+117.26 грн
50+86.71 грн
100+75.84 грн
250+61.40 грн
500+50.43 грн
800+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.84 грн
10+101.65 грн
50+83.06 грн
100+76.13 грн
250+68.22 грн
500+60.31 грн
800+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.08 грн
10+103.71 грн
50+87.01 грн
100+82.07 грн
250+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 582 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.98 грн
10+93.03 грн
50+76.73 грн
100+71.19 грн
250+64.17 грн
500+58.53 грн
750+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.12 грн
10+125.88 грн
50+93.83 грн
100+82.36 грн
250+67.14 грн
500+55.87 грн
800+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.59 грн
10+96.83 грн
20+80.78 грн
50+67.63 грн
100+59.82 грн
200+53.79 грн
500+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF irf3805.pdf
IRF3805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.82 грн
10+166.34 грн
50+143.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.43 грн
10+145.80 грн
25+126.56 грн
50+117.66 грн
100+109.75 грн
250+97.89 грн
500+90.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.98 грн
5+214.60 грн
10+189.84 грн
25+170.07 грн
50+156.22 грн
100+141.39 грн
125+138.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207.pdf
IRF40R207
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.57 грн
10+45.38 грн
50+36.68 грн
100+33.82 грн
250+30.06 грн
500+27.39 грн
1000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description irf4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3193d1979
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF4104PBF THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.40 грн
17+70.20 грн
46+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905.pdf
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.28 грн
50+92.41 грн
100+73.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.36 грн
10+168.39 грн
50+131.51 грн
100+118.65 грн
250+100.85 грн
500+98.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.85 грн
10+33.47 грн
25+29.07 грн
50+27.19 грн
100+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 759 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.70 грн
10+135.54 грн
25+118.65 грн
50+108.76 грн
100+100.85 грн
500+83.06 грн
1000+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.95 грн
5+179.69 грн
10+150.29 грн
25+136.45 грн
50+133.48 грн
100+129.53 грн
200+126.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: -31A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.94 грн
10+95.70 грн
25+74.36 грн
50+55.67 грн
100+39.06 грн
500+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.24 грн
10+110.69 грн
50+77.82 грн
100+68.03 грн
500+50.62 грн
800+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 17A
Gate charge: 24.7nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 79W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.37 грн
10+43.02 грн
25+37.77 грн
50+34.90 грн
100+32.23 грн
500+26.60 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.07 грн
10+78.04 грн
100+53.29 грн
250+44.79 грн
500+38.17 грн
800+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4111 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.57 грн
10+50.93 грн
50+46.18 грн
100+44.10 грн
200+40.04 грн
250+38.76 грн
500+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 819 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.11 грн
50+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF5801TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.66 грн
75+15.72 грн
205+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF5802TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.78 грн
75+15.72 грн
206+14.83 грн
1000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF5803TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.56 грн
99+11.96 грн
270+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.99 грн
10+44.56 грн
25+37.57 грн
50+35.10 грн
100+33.22 грн
500+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.42 грн
10+58.22 грн
50+47.66 грн
100+44.20 грн
250+39.65 грн
500+36.29 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.19 грн
5+65.51 грн
10+52.31 грн
20+41.92 грн
50+31.54 грн
100+26.40 грн
200+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.19 грн
10+51.55 грн
100+33.42 грн
500+26.00 грн
1000+23.53 грн
2000+21.36 грн
4000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.18 грн
10+36.25 грн
25+29.17 грн
50+25.51 грн
100+22.54 грн
250+19.68 грн
500+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF description irf7205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f15e771ae2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7205TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.05 грн
50+23.73 грн
136+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.55 грн
10+74.96 грн
50+51.22 грн
100+44.40 грн
500+33.02 грн
1000+29.56 грн
2000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.64 грн
10+56.27 грн
100+38.56 грн
200+34.31 грн
500+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.99 грн
10+55.75 грн
100+35.89 грн
250+30.85 грн
500+27.88 грн
1000+25.21 грн
2000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7316TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.06 грн
36+32.53 грн
99+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.37 грн
10+116.03 грн
25+94.92 грн
50+84.04 грн
100+76.13 грн
250+68.22 грн
500+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.55 грн
10+66.64 грн
100+43.70 грн
250+37.87 грн
500+34.11 грн
1000+30.85 грн
2000+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6019 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.04 грн
10+84.61 грн
25+68.82 грн
100+52.50 грн
250+43.11 грн
500+36.78 грн
1000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description infineon-irf7343-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7343TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.51 грн
42+28.18 грн
115+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7351TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.21 грн
26+45.58 грн
71+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF irf7410pbf.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.80 грн
10+66.84 грн
100+50.43 грн
500+40.04 грн
1000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7413ZTRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 329 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.98 грн
52+22.54 грн
143+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF irf7416qpbf.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4081 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.35 грн
10+59.14 грн
25+42.52 грн
100+30.36 грн
250+26.80 грн
500+25.51 грн
4000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7425TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 832 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.20 грн
19+63.28 грн
51+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.93 грн
10+59.55 грн
25+53.20 грн
100+48.25 грн
250+47.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7842TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.56 грн
20+61.30 грн
53+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7853TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.60 грн
27+44.69 грн
73+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.00 грн
5+100.63 грн
10+89.98 грн
50+76.13 грн
100+71.19 грн
500+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8714TRPBFXTMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.88 грн
63+18.69 грн
172+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8734TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.27 грн
36+33.12 грн
98+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF irf9310pbf.pdf
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.97 грн
10+95.59 грн
50+68.52 грн
100+59.72 грн
250+49.24 грн
500+42.42 грн
1000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF irf9321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561125fc1d9b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9321TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.39 грн
43+27.78 грн
116+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF.pdf
IRF9389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.57 грн
10+41.07 грн
50+27.49 грн
100+23.43 грн
250+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.19 грн
10+52.88 грн
25+46.87 грн
50+43.90 грн
100+41.03 грн
250+37.47 грн
500+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1488 1736 1984 2232 2480 2482  [ Наступна Сторінка >> ]