Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149887) > Сторінка 1277 з 2499

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPC50N04S5L-5R5 INFINEON TECHNOLOGIES IPC50N04S5L5R5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5-4R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5L-4R2 INFINEON TECHNOLOGIES IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90N04S5-3R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90N04S5L-3R3 INFINEON TECHNOLOGIES IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.84 грн
5+140.04 грн
50+130.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.92 грн
5+78.12 грн
20+56.67 грн
53+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAAC938B42011C&compId=IPD031N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=956ec9d4fd9e72f0920c828b3865ef21092a25df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.01 грн
9+126.71 грн
25+115.59 грн
500+111.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 951 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.51 грн
10+127.66 грн
12+89.90 грн
33+85.32 грн
500+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD038N06N3_Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043132679fb0113346bdc4505a3&fileId=db3a304317a7483601181bf8dae11675 IPD038N06N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.75 грн
10+62.88 грн
36+30.27 грн
98+28.62 грн
2500+28.07 грн
5000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425 IPD042P03L3GATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.77 грн
10+65.92 грн
27+39.91 грн
74+37.70 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698E669ECC2211C&compId=IPD053N06N-DTE.pdf?ci_sign=c387f26976ad22f24751fba530dfc2fd71aed62d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.07 грн
10+50.02 грн
29+37.98 грн
78+35.87 грн
100+35.78 грн
500+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFBF776EAAA745&compId=IPD068P03L3GATMA1.pdf?ci_sign=2440192ca958ac957a27cfd56d61e46ba5123ab7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: -70A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
10+35.25 грн
42+25.87 грн
115+24.49 грн
500+23.58 грн
2500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPD082N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.81 грн
10+59.35 грн
35+31.56 грн
95+29.82 грн
500+29.54 грн
1000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d IPD110N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c IPD12CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.31 грн
14+81.65 грн
37+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.98 грн
8+39.44 грн
25+33.48 грн
38+28.99 грн
103+27.43 грн
500+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP26CN10N-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b420244aa IPD25CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD26N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351ff5b22&ack=t IPD26N06S2L35ATMA2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA431C5A27B2143&compId=IPD30N03S4L09.pdf?ci_sign=438adb46aa105baf766359ee5aef619066f5ec53 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N08S2_22-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426dcc93adb&ack=t IPD30N08S222 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t IPD30N08S2L21ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N10S3L_34-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956&ack=t IPD30N10S3L34ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 IPD33CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.74 грн
10+63.64 грн
34+31.56 грн
94+29.82 грн
1000+28.81 грн
2500+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
Pulsed drain current: 140A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45 IPD50N04S408ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t IPD50N04S4L08ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.90 грн
5+58.68 грн
21+51.92 грн
25+50.64 грн
57+49.08 грн
100+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: PG-TO252-3-11
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 38A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t IPD50P03P4L11ATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t IPD50P04P413ATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50R399CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b19cbfae82d36 IPD50R399CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50R399CP.pdf IPD50R399CPBTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAD4E4CB169820&compId=IPD50R500CE.pdf?ci_sign=1c280a951ac6d41a472b96add4a573d6c135a84d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50R520CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed1dc7e86130d IPD50R520CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50R520CP.pdf IPD50R520CPBTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064 IPD50R950CEATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N25S3430ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD5N25S3_430-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b9379d03b0148 IPD5N25S3430ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b IPD600N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7 IPD60R170CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7255599D874A&compId=IPD60R170CFD7.pdf?ci_sign=87050184a9d4b4583b02a8c4dcb529f39bd56eee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 76W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef IPD60R1K0PFD7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744 IPD60R1K5PFD7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a IPD60R210PFD7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7 IPD60R280CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280CFD7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 51W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.24 грн
10+119.08 грн
12+92.66 грн
32+87.15 грн
50+85.32 грн
75+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7S IPD60R280P7S INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22702a14674d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R2K0C6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee012a0dfc6b8b064f IPD60R2K0C6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 IPD60R2K0PFD7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L-5R5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC50N04S5L5R5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5-4R6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC70N04S54R6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5L-4R2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC70N04S5L4R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90N04S5-3R6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC90N04S53R6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC90N04S5L-3R3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPC90N04S5L3R3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd
IPD025N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.84 грн
5+140.04 грн
50+130.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b
IPD031N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
5+78.12 грн
20+56.67 грн
53+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAAC938B42011C&compId=IPD031N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=956ec9d4fd9e72f0920c828b3865ef21092a25df
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.01 грн
9+126.71 грн
25+115.59 грн
500+111.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 951 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.51 грн
10+127.66 грн
12+89.90 грн
33+85.32 грн
500+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1 IPD038N06N3_Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043132679fb0113346bdc4505a3&fileId=db3a304317a7483601181bf8dae11675
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD038N06N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.75 грн
10+62.88 грн
36+30.27 грн
98+28.62 грн
2500+28.07 грн
5000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD042P03L3GATMA1 Infineon-IPD042P03L3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d90c8c6e60425
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD042P03L3GATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+100.77 грн
10+65.92 грн
27+39.91 грн
74+37.70 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698E669ECC2211C&compId=IPD053N06N-DTE.pdf?ci_sign=c387f26976ad22f24751fba530dfc2fd71aed62d
IPD053N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.07 грн
10+50.02 грн
29+37.98 грн
78+35.87 грн
100+35.78 грн
500+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFBF776EAAA745&compId=IPD068P03L3GATMA1.pdf?ci_sign=2440192ca958ac957a27cfd56d61e46ba5123ab7
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: -70A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
10+35.25 грн
42+25.87 грн
115+24.49 грн
500+23.58 грн
2500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD082N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.81 грн
10+59.35 грн
35+31.56 грн
95+29.82 грн
500+29.54 грн
1000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD110N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD12CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.31 грн
14+81.65 грн
37+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2
IPD135N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.98 грн
8+39.44 грн
25+33.48 грн
38+28.99 грн
103+27.43 грн
500+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; Idm: 200A; 150W
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGATMA1 Infineon-IPP26CN10N-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b420244aa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD25CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2 Infineon-IPD26N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351ff5b22&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD26N06S2L35ATMA2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA431C5A27B2143&compId=IPD30N03S4L09.pdf?ci_sign=438adb46aa105baf766359ee5aef619066f5ec53
IPD30N03S4L09ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 Infineon-IPD30N08S2_22-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426dcc93adb&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD30N08S222 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD30N08S2L21ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon-IPD30N10S3L_34-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD30N10S3L34ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD33CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.74 грн
10+63.64 грн
34+31.56 грн
94+29.82 грн
1000+28.81 грн
2500+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T
Pulsed drain current: 140A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S408ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50N04S408ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50N04S4L08ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.90 грн
5+58.68 грн
21+51.92 грн
25+50.64 грн
57+49.08 грн
100+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: PG-TO252-3-11
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 38A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50P03P4L11ATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1 Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50P04P413ATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPATMA1 Infineon-IPD50R399CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b19cbfae82d36
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50R399CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R399CPBTMA1 IPD50R399CP.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50R399CPBTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R500CEAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAD4E4CB169820&compId=IPD50R500CE.pdf?ci_sign=1c280a951ac6d41a472b96add4a573d6c135a84d
IPD50R500CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPATMA1 Infineon-IPD50R520CP-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed1dc7e86130d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50R520CPATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPBTMA1 IPD50R520CP.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50R520CPBTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R950CEATMA1 Infineon-IPU50R950CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50R950CEATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N25S3430ATMA1 Infineon-IPD5N25S3_430-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b9379d03b0148
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD5N25S3430ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD600N25N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7255599D874A&compId=IPD60R170CFD7.pdf?ci_sign=87050184a9d4b4583b02a8c4dcb529f39bd56eee
IPD60R170CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 76W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed6256d5839ef
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R1K0PFD7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R1K5PFD7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R210PFD7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280CFD7 IPD60R280CFD7.pdf
IPD60R280CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 51W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7.pdf
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.24 грн
10+119.08 грн
12+92.66 грн
32+87.15 грн
50+85.32 грн
75+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7S IPD60R280P7S.pdf
IPD60R280P7S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 18nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22702a14674d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0C6ATMA1 Infineon-IPD60R2K0C6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee012a0dfc6b8b064f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R2K0C6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R2K0PFD7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]