Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148602) > Сторінка 1279 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1283 1284 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Case: PLCC44
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 1.2kV
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1016.09 грн
2+678.03 грн
5+617.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IR2233PBF MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IR2233SPBF MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c97bb216dc IRSDS09266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IR2301PBF MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2301-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.77 грн
10+109.82 грн
18+63.45 грн
47+59.77 грн
2500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Turn-on time: 750ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+385.24 грн
5+255.93 грн
13+232.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302STRPBF IR2302STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Turn-on time: 750ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Number of channels: 2
Turn-on time: 220ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -130...60mA
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.64 грн
5+121.28 грн
12+93.80 грн
32+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2308SPBF IR2308SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2308.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Turn-on time: 220ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38163MTRPBFAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR38163M%20IR38165M%20IR38363M%20IR38365M%20Datasheet-DS-v03_20-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcf81f1526e4c IR38163MTRPBF Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38165MTRPBFAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR38163M%20IR38165M%20IR38363M%20IR38365M%20Datasheet-DS-v03_20-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcf81f1526e4c IR38165MTRPBF Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38263MTRPBFAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IR38263M.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 5.3÷16VDC; Uout: 0.5÷14VDC; PQFN5X7
Operating temperature: -40...125°C
Case: PQFN5X7
DC supply current: 50mA
Supply voltage: 4.5...5.5V
Frequency: 0.15...1.5MHz
Output voltage: 0.5...14V DC
Output current: 30A
Type of integrated circuit: PMIC
Interface: PMBus; PVID
Number of channels: 1
Input voltage: 5.3...16V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: POL converter
Topology: buck
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38265MTRPBFAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR38265M-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcf8202606e55 IR38265MTRPBF Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38363MTRPBFAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR38163M%20IR38165M%20IR38363M%20IR38365M%20Datasheet-DS-v03_20-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcf81f1526e4c IR38363MTRPBF Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38365MTRPBFAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR38163M%20IR38165M%20IR38363M%20IR38365M%20Datasheet-DS-v03_20-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcf81f1526e4c IR38365MTRPBF Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4311MTRPBF IR4311MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4311MTRPBF.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 35W; Ch: 1; Amp.class: D; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Amplifier class: D
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 1
Output power: 35W
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4312MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d IR4312MTRPBF RTV - audio integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+234.71 грн
9+131.79 грн
24+119.55 грн
500+117.71 грн
1000+115.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+148.55 грн
10+128.92 грн
12+94.72 грн
32+90.12 грн
2500+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+289.18 грн
8+155.66 грн
21+141.62 грн
2000+136.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.47 грн
10+92.63 грн
15+74.49 грн
41+70.81 грн
1000+69.89 грн
2000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.87 грн
10+83.08 грн
23+46.90 грн
64+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.43 грн
10+107.91 грн
19+58.85 грн
51+56.10 грн
3200+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.63 грн
10+101.42 грн
27+40.74 грн
73+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.86 грн
10+96.45 грн
18+62.53 грн
48+58.85 грн
1000+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 description IRF1018EPBF THT N channel transistors
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.16 грн
30+37.06 грн
80+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.63 грн
10+98.84 грн
20+55.45 грн
55+52.42 грн
800+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+185.19 грн
10+134.65 грн
14+81.84 грн
37+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF IRF1324PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1324pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Drain current: 353A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 24V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.52 грн
9+138.47 грн
23+126.91 грн
100+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 IRF135B203 INFINEON TECHNOLOGIES irf135b203.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 512A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.64 грн
9+134.65 грн
24+123.23 грн
1000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 INFINEON TECHNOLOGIES irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1 IRF135S203 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+293.14 грн
10+212.96 грн
12+97.48 грн
31+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.06 грн
10+144.20 грн
13+88.28 грн
34+83.68 грн
500+80.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.80 грн
10+154.71 грн
15+73.57 грн
41+68.97 грн
1600+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.48 грн
10+99.32 грн
19+57.02 грн
52+53.34 грн
5000+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+181.23 грн
10+127.97 грн
13+88.28 грн
34+83.68 грн
250+80.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.93 грн
10+104.09 грн
15+73.57 грн
41+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.08 грн
14+80.22 грн
39+72.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.69 грн
10+172.85 грн
13+87.36 грн
34+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 INFINEON TECHNOLOGIES irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4 IRF200B211 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF200P222-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b3e42ba4a0744 IRF200P222 THT N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+842.78 грн
2+549.00 грн
6+519.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223 IRF200P223 INFINEON TECHNOLOGIES IRF200P223.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 71A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 71A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 102nC
Technology: StrongIRFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+496.16 грн
4+358.11 грн
9+326.46 грн
50+313.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2204pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Power dissipation: 330W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.25 грн
11+109.82 грн
29+100.24 грн
1000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224 IRF250P224 INFINEON TECHNOLOGIES IRF250P224.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 68A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 400 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225 IRF250P225 INFINEON TECHNOLOGIES IRF250P225.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 49A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: StrongIRFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+535.77 грн
3+408.73 грн
8+372.44 грн
25+358.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de76f818e3 description IRF2804LPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.65 грн
10+197.68 грн
11+107.59 грн
28+102.08 грн
1000+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irf2804s-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRPBF IRF2804STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.36 грн
10+83.68 грн
15+72.65 грн
42+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF IRF2805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.29 грн
10+133.70 грн
17+64.37 грн
46+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2133JPBF.pdf
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Case: PLCC44
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 1.2kV
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.09 грн
2+678.03 грн
5+617.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233PBF description IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2233PBF MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233SPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2233SPBF MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301PBF ir2301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c97bb216dc IRSDS09266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2301PBF MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301-DTE.pdf
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.77 грн
10+109.82 грн
18+63.45 грн
47+59.77 грн
2500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF.pdf
IR2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Turn-on time: 750ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.24 грн
5+255.93 грн
13+232.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302STRPBF IR2302SPBF.pdf
IR2302STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Turn-on time: 750ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF ir2304.pdf
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Number of channels: 2
Turn-on time: 220ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -130...60mA
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.64 грн
5+121.28 грн
12+93.80 грн
32+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2308SPBF ir2308.pdf
IR2308SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Turn-on time: 220ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38163MTRPBFAUMA1 Infineon-IR38163M%20IR38165M%20IR38363M%20IR38365M%20Datasheet-DS-v03_20-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcf81f1526e4c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR38163MTRPBF Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38165MTRPBFAUMA1 Infineon-IR38163M%20IR38165M%20IR38363M%20IR38365M%20Datasheet-DS-v03_20-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcf81f1526e4c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR38165MTRPBF Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38263MTRPBFAUMA1 IR38263M.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 5.3÷16VDC; Uout: 0.5÷14VDC; PQFN5X7
Operating temperature: -40...125°C
Case: PQFN5X7
DC supply current: 50mA
Supply voltage: 4.5...5.5V
Frequency: 0.15...1.5MHz
Output voltage: 0.5...14V DC
Output current: 30A
Type of integrated circuit: PMIC
Interface: PMBus; PVID
Number of channels: 1
Input voltage: 5.3...16V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: POL converter
Topology: buck
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38265MTRPBFAUMA1 Infineon-IR38265M-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcf8202606e55
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR38265MTRPBF Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38363MTRPBFAUMA1 Infineon-IR38163M%20IR38165M%20IR38363M%20IR38365M%20Datasheet-DS-v03_20-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcf81f1526e4c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR38363MTRPBF Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR38365MTRPBFAUMA1 Infineon-IR38163M%20IR38165M%20IR38363M%20IR38365M%20Datasheet-DS-v03_20-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcf81f1526e4c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR38365MTRPBF Voltage regulators - DC/DC circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4311MTRPBF IR4311MTRPBF.pdf
IR4311MTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 35W; Ch: 1; Amp.class: D; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Amplifier class: D
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 1
Output power: 35W
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4312MTRPBF ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR4312MTRPBF RTV - audio integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description IR4427PBF.pdf
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.71 грн
9+131.79 грн
24+119.55 грн
500+117.71 грн
1000+115.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427PBF.pdf
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+148.55 грн
10+128.92 грн
12+94.72 грн
32+90.12 грн
2500+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.18 грн
8+155.66 грн
21+141.62 грн
2000+136.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202.pdf
IRF100B202
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.47 грн
10+92.63 грн
15+74.49 грн
41+70.81 грн
1000+69.89 грн
2000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100x201.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.87 грн
10+83.08 грн
23+46.90 грн
64+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.43 грн
10+107.91 грн
19+58.85 грн
51+56.10 грн
3200+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.63 грн
10+101.42 грн
27+40.74 грн
73+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF description irf1010n.pdf
IRF1010NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.86 грн
10+96.45 грн
18+62.53 грн
48+58.85 грн
1000+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF irf1010nspbf.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF1018EPBF THT N channel transistors
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.16 грн
30+37.06 грн
80+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.63 грн
10+98.84 грн
20+55.45 грн
55+52.42 грн
800+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104.pdf
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.19 грн
10+134.65 грн
14+81.84 грн
37+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF irf1310n.pdf
IRF1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF irf1324pbf.pdf
IRF1324PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Drain current: 353A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 24V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.52 грн
9+138.47 грн
23+126.91 грн
100+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 irf135b203.pdf
IRF135B203
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 91A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 512A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.64 грн
9+134.65 грн
24+123.23 грн
1000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF135S203 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.14 грн
10+212.96 грн
12+97.48 грн
31+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.06 грн
10+144.20 грн
13+88.28 грн
34+83.68 грн
500+80.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.80 грн
10+154.71 грн
15+73.57 грн
41+68.97 грн
1600+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+155.48 грн
10+99.32 грн
19+57.02 грн
52+53.34 грн
5000+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.23 грн
10+127.97 грн
13+88.28 грн
34+83.68 грн
250+80.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.93 грн
10+104.09 грн
15+73.57 грн
41+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF irf1405spbf.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF irf1405zpbf.pdf
IRF1405ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.08 грн
14+80.22 грн
39+72.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.69 грн
10+172.85 грн
13+87.36 грн
34+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF200B211 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 Infineon-IRF200P222-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b3e42ba4a0744
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF200P222 THT N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+842.78 грн
2+549.00 грн
6+519.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223 IRF200P223.pdf
IRF200P223
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 71A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 71A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 102nC
Technology: StrongIRFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+496.16 грн
4+358.11 грн
9+326.46 грн
50+313.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description irf2204pbf.pdf
IRF2204PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Power dissipation: 330W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.25 грн
11+109.82 грн
29+100.24 грн
1000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224 IRF250P224.pdf
IRF250P224
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 68A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 68A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 400 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225 IRF250P225.pdf
IRF250P225
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 49A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: StrongIRFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.77 грн
3+408.73 грн
8+372.44 грн
25+358.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LPBF description irf2804pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355de76f818e3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF2804LPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF irf2804pbf.pdf
IRF2804PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.65 грн
10+197.68 грн
11+107.59 грн
28+102.08 грн
1000+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP irf2804s-7ppbf.pdf
IRF2804STRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF.pdf
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRPBF IRF2804STRRPBF.pdf
IRF2804STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description irf2805.pdf
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+98.36 грн
10+83.68 грн
15+72.65 грн
42+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805STRLPBF irf2805spbf.pdf
IRF2805STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.29 грн
10+133.70 грн
17+64.37 грн
46+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1283 1284 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]