Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148855) > Сторінка 1279 з 2481
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP250NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 123nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 191 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFP3006PBF THT N channel transistors |
на замовлення 67 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP3077PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247AC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 203 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP3415PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFP3415PBF THT N channel transistors |
на замовлення 70 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP3703PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 209nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP3710PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFP3710PBF THT N channel transistors |
на замовлення 111 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP4137PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFP4137PBF THT N channel transistors |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP4229PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFP4229PBF THT N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFP4321PBF THT N channel transistors |
на замовлення 68 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP4568PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 5.9mΩ Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 151nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 517W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP4768PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A Pulsed drain current: 370A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFP7430PBF THT N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP7530PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFP7530PBF THT N channel transistors |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP7537PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 172A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 172A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP90N20DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFP90N20DPBF THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP9140NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -21A Power dissipation: 120W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.117Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 64.7nC Technology: HEXFET® Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 560 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8003 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR1205TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK Kind of package: reel Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 37A Power dissipation: 107W Drain-source voltage: 55V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR120NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4232 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR220NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3710ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1561 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3910TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4104TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 119A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1099 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR4620TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 24A Power dissipation: 144W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR5305TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR5305TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7292 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFR5410TRPBF SMD P channel transistors |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFR5505TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -18A Power dissipation: 57W Case: DPAK On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR6215TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR7546TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 71A Power dissipation: 99W Case: DPAK On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1277 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Kind of package: reel Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5769 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9120NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.5A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 313 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS3306TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Pulsed drain current: 620A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 376 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFS4127TRLPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 766 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFS4321TRLPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 276 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFS7437TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 610 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFS7530TRL7PP SMD N channel transistors |
на замовлення 431 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFS7730TRLPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 517 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFS7734TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFS7734TRLPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 732 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFSL4010PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFSL4010PBF THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFSL7437PBF THT N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFTS8342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.2A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFTS9342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFTS9342TRPBF SMD P channel transistors |
на замовлення 6930 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU120NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFU120NPBF THT N channel transistors |
на замовлення 2652 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFU3910PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Case: IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Gate charge: 29.3nC On-state resistance: 0.115Ω Power dissipation: 52W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFU4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFU4510PBF THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFU5305PBF THT P channel transistors |
на замовлення 954 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Gate charge: 12.7nC On-state resistance: 0.175Ω Power dissipation: 38W Gate-source voltage: ±20V Case: IPAK Kind of channel: enhancement Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 533 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ46NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 53A Power dissipation: 120W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 94W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 798 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.55 грн |
| 10+ | 140.67 грн |
| 25+ | 122.61 грн |
| 50+ | 113.71 грн |
| 100+ | 105.80 грн |
| 400+ | 90.97 грн |
| 500+ | 89.98 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.27 грн |
| 5+ | 158.13 грн |
| 10+ | 140.40 грн |
| 25+ | 125.57 грн |
| 50+ | 114.70 грн |
| 100+ | 104.81 грн |
| 250+ | 95.91 грн |
| IRFP260NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 318.38 грн |
| 10+ | 192.01 грн |
| 25+ | 168.09 грн |
| 50+ | 156.22 грн |
| 100+ | 143.37 грн |
| 250+ | 130.52 грн |
| 400+ | 123.60 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 317.32 грн |
| 25+ | 211.52 грн |
| 100+ | 191.82 грн |
| 500+ | 185.89 грн |
| IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP3006PBF THT N channel transistors
IRFP3006PBF THT N channel transistors
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 416.35 грн |
| 5+ | 244.22 грн |
| 14+ | 231.37 грн |
| IRFP3077PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.10 грн |
| 3+ | 214.60 грн |
| 10+ | 182.92 грн |
| 25+ | 170.07 грн |
| 100+ | 159.19 грн |
| 400+ | 153.26 грн |
| IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.27 грн |
| 10+ | 205.36 грн |
| 25+ | 161.17 грн |
| 50+ | 138.43 грн |
| 100+ | 125.57 грн |
| 125+ | 122.61 грн |
| IRFP3415PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP3415PBF THT N channel transistors
IRFP3415PBF THT N channel transistors
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.30 грн |
| 9+ | 134.47 грн |
| 24+ | 126.56 грн |
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 363.10 грн |
| 10+ | 245.40 грн |
| 25+ | 196.76 грн |
| IRFP3710PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP3710PBF THT N channel transistors
IRFP3710PBF THT N channel transistors
на замовлення 111 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.94 грн |
| 7+ | 176.99 грн |
| 19+ | 167.10 грн |
| IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 314.12 грн |
| 10+ | 235.14 грн |
| 25+ | 187.87 грн |
| 100+ | 142.38 грн |
| 250+ | 124.58 грн |
| 400+ | 123.60 грн |
| IRFP4137PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4137PBF THT N channel transistors
IRFP4137PBF THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 424.86 грн |
| 5+ | 260.05 грн |
| 13+ | 246.20 грн |
| IRFP4229PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4229PBF THT N channel transistors
IRFP4229PBF THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 212.96 грн |
| 8+ | 156.22 грн |
| 21+ | 147.33 грн |
| IRFP4321PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4321PBF THT N channel transistors
IRFP4321PBF THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.59 грн |
| 7+ | 178.97 грн |
| 18+ | 169.08 грн |
| IRFP4368PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 387.60 грн |
| 25+ | 334.73 грн |
| 50+ | 302.56 грн |
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 547.32 грн |
| 10+ | 371.70 грн |
| 25+ | 282.79 грн |
| 50+ | 232.36 грн |
| 100+ | 213.57 грн |
| IRFP4568PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 517W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 517W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 388.66 грн |
| 25+ | 322.41 грн |
| 50+ | 272.90 грн |
| 100+ | 232.36 грн |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 405.70 грн |
| 3+ | 335.76 грн |
| 10+ | 247.19 грн |
| 25+ | 201.71 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 362.04 грн |
| 10+ | 260.81 грн |
| 25+ | 228.40 грн |
| 100+ | 200.72 грн |
| IRFP7430PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP7430PBF THT N channel transistors
IRFP7430PBF THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.78 грн |
| 9+ | 142.38 грн |
| 23+ | 134.47 грн |
| IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP7530PBF THT N channel transistors
IRFP7530PBF THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 333.29 грн |
| 7+ | 176.99 грн |
| 19+ | 167.10 грн |
| IRFP7537PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 172A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 172A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 172A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 172A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.45 грн |
| 3+ | 146.83 грн |
| 10+ | 106.79 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP90N20DPBF THT N channel transistors
IRFP90N20DPBF THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 457.87 грн |
| 6+ | 229.39 грн |
| 15+ | 216.54 грн |
| IRFP9140NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.71 грн |
| 10+ | 118.08 грн |
| 25+ | 104.81 грн |
| 50+ | 97.89 грн |
| 100+ | 90.97 грн |
| 125+ | 88.00 грн |
| 250+ | 81.08 грн |
| IRFR024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8003 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.01 грн |
| 50+ | 28.67 грн |
| 100+ | 27.39 грн |
| 250+ | 26.10 грн |
| 500+ | 24.92 грн |
| 1000+ | 23.33 грн |
| IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.79 грн |
| 10+ | 34.09 грн |
| 20+ | 30.95 грн |
| 50+ | 28.28 грн |
| 100+ | 26.40 грн |
| 200+ | 24.32 грн |
| 500+ | 22.25 грн |
| IRFR120NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.70 грн |
| 10+ | 47.85 грн |
| 100+ | 36.68 грн |
| 250+ | 33.32 грн |
| 500+ | 30.85 грн |
| 1000+ | 28.48 грн |
| 2000+ | 26.00 грн |
| IRFR220NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.51 грн |
| 5+ | 70.03 грн |
| 10+ | 59.13 грн |
| 50+ | 42.62 грн |
| 100+ | 37.28 грн |
| 500+ | 27.98 грн |
| 1000+ | 25.21 грн |
| IRFR3710ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.95 грн |
| 5+ | 118.49 грн |
| 10+ | 102.04 грн |
| 25+ | 87.01 грн |
| 50+ | 77.12 грн |
| 100+ | 68.82 грн |
| 250+ | 59.92 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.35 грн |
| 10+ | 76.80 грн |
| 50+ | 55.37 грн |
| 100+ | 48.84 грн |
| 250+ | 41.92 грн |
| 500+ | 37.77 грн |
| 1000+ | 34.31 грн |
| IRFR3910TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.34 грн |
| 50+ | 45.59 грн |
| 100+ | 41.53 грн |
| 125+ | 40.74 грн |
| 250+ | 38.36 грн |
| 500+ | 37.38 грн |
| IRFR4104TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 10+ | 66.74 грн |
| IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.86 грн |
| 10+ | 132.46 грн |
| 25+ | 106.79 грн |
| 50+ | 93.93 грн |
| 100+ | 83.06 грн |
| 250+ | 72.18 грн |
| 500+ | 65.26 грн |
| IRFR5305TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.03 грн |
| 10+ | 70.95 грн |
| 20+ | 59.62 грн |
| 100+ | 43.70 грн |
| 200+ | 38.96 грн |
| 250+ | 37.77 грн |
| 500+ | 34.41 грн |
| IRFR5305TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 10+ | 62.12 грн |
| 25+ | 53.10 грн |
| 100+ | 43.11 грн |
| 500+ | 31.94 грн |
| 1000+ | 27.49 грн |
| IRFR5410TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR5410TRPBF SMD P channel transistors
IRFR5410TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.58 грн |
| 27+ | 44.79 грн |
| 72+ | 42.32 грн |
| IRFR5505TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.07 грн |
| 10+ | 59.96 грн |
| 25+ | 53.20 грн |
| 100+ | 46.97 грн |
| 250+ | 42.91 грн |
| 500+ | 39.95 грн |
| 1000+ | 36.78 грн |
| IRFR6215TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.39 грн |
| 10+ | 93.85 грн |
| 25+ | 77.91 грн |
| 100+ | 61.30 грн |
| 250+ | 52.80 грн |
| 500+ | 47.66 грн |
| 1000+ | 43.51 грн |
| IRFR7546TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
Power dissipation: 99W
Case: DPAK
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 71A
Power dissipation: 99W
Case: DPAK
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 10+ | 63.66 грн |
| 100+ | 41.33 грн |
| 250+ | 35.69 грн |
| 500+ | 32.04 грн |
| 1000+ | 30.26 грн |
| IRFR9024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.90 грн |
| 10+ | 57.81 грн |
| 100+ | 39.06 грн |
| 200+ | 34.21 грн |
| 500+ | 27.78 грн |
| 1000+ | 22.94 грн |
| 2000+ | 22.64 грн |
| IRFR9120NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.87 грн |
| 10+ | 71.16 грн |
| 50+ | 50.03 грн |
| 100+ | 44.30 грн |
| 200+ | 39.65 грн |
| 250+ | 38.36 грн |
| 500+ | 34.90 грн |
| IRFS3306TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 376 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.39 грн |
| 10+ | 167.10 грн |
| 20+ | 154.25 грн |
| 50+ | 135.46 грн |
| 100+ | 122.61 грн |
| 200+ | 113.71 грн |
| IRFS4127TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS4127TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS4127TRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 766 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 331.16 грн |
| 9+ | 135.46 грн |
| 24+ | 128.54 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS4321TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS4321TRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 349.26 грн |
| 10+ | 125.57 грн |
| 26+ | 118.65 грн |
| IRFS7437TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 610 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.53 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7530TRL7PP SMD N channel transistors
IRFS7530TRL7PP SMD N channel transistors
на замовлення 431 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 350.33 грн |
| 8+ | 159.19 грн |
| 21+ | 150.29 грн |
| IRFS7730TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7730TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS7730TRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 517 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 363.10 грн |
| 9+ | 132.49 грн |
| 25+ | 124.58 грн |
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7734TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS7734TRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 732 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.33 грн |
| 15+ | 82.07 грн |
| 40+ | 77.12 грн |
| IRFSL4010PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL4010PBF THT N channel transistors
IRFSL4010PBF THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 418.48 грн |
| 8+ | 163.15 грн |
| 20+ | 154.25 грн |
| IRFSL7437PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFSL7437PBF THT N channel transistors
IRFSL7437PBF THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.03 грн |
| 14+ | 84.04 грн |
| 39+ | 79.10 грн |
| IRFTS8342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.94 грн |
| 13+ | 24.44 грн |
| 15+ | 20.67 грн |
| 100+ | 13.94 грн |
| 250+ | 12.26 грн |
| 500+ | 11.27 грн |
| 1000+ | 10.88 грн |
| IRFTS9342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFTS9342TRPBF SMD P channel transistors
IRFTS9342TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.80 грн |
| 101+ | 11.67 грн |
| 277+ | 11.07 грн |
| IRFU120NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU120NPBF THT N channel transistors
IRFU120NPBF THT N channel transistors
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.95 грн |
| 29+ | 40.74 грн |
| 75+ | 39.12 грн |
| 80+ | 38.46 грн |
| IRFU3910PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.79 грн |
| 150+ | 40.66 грн |
| 525+ | 38.36 грн |
| IRFU4510PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU4510PBF THT N channel transistors
IRFU4510PBF THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.19 грн |
| 16+ | 75.15 грн |
| 44+ | 71.19 грн |
| IRFU5305PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU5305PBF THT P channel transistors
IRFU5305PBF THT P channel transistors
на замовлення 954 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 10+ | 64.69 грн |
| 27+ | 43.51 грн |
| 74+ | 41.53 грн |
| IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Gate charge: 12.7nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 533 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.18 грн |
| 10+ | 41.79 грн |
| 25+ | 37.38 грн |
| 75+ | 34.11 грн |
| 150+ | 32.04 грн |
| 375+ | 29.37 грн |
| 525+ | 28.28 грн |
| IRFZ34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.41 грн |
| 10+ | 51.65 грн |
| 50+ | 46.97 грн |
| 100+ | 45.38 грн |
| 250+ | 43.41 грн |
| 500+ | 41.23 грн |
| 800+ | 38.76 грн |
| IRFZ46NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.61 грн |
| 4+ | 95.49 грн |
| 10+ | 76.13 грн |
| 50+ | 69.21 грн |
| 250+ | 65.26 грн |
| IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 798 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.98 грн |
| 50+ | 36.76 грн |
| 1000+ | 30.26 грн |















