Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149391) > Сторінка 1279 з 2490
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR7843TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 140W Drain current: 161A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 987 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1579 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLS3036TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Case: D2PAK-7 Mounting: SMD On-state resistance: 1.9mΩ Drain current: 210A Pulsed drain current: 1kA Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 380W Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±16V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLTS2242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.9A Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLTS6342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.3A Power dissipation: 2W Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1228 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLZ34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 16.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: tube Gate-source voltage: ±16V Gate charge: 32nC On-state resistance: 22mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS20752LTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6 Case: SOT23-6 Turn-on time: 225ns Turn-off time: 255ns Number of channels: 1 Supply voltage: 10...18V DC Voltage class: 200V Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Type of integrated circuit: driver Kind of package: reel; tape Topology: single transistor Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -240...160mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2092STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: RTV - audio integrated circuitsDescription: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16 Type of integrated circuit: audio amplifier Frequency: 800kHz Mounting: SMD Supply voltage: 10...18V DC Number of channels: 1 Amplifier class: D Case: SO16 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS20957STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: RTV - audio integrated circuitsDescription: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16 Type of integrated circuit: audio amplifier Mounting: SMD Supply voltage: 10...15V DC Number of channels: 1 Amplifier class: D Case: SO16 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1024 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2101SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 185ns Turn-on time: 230ns Power: 625mW Part status: Not recommended for new designs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2104SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 185ns Turn-on time: 750ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS21064PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP14 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 235ns Turn-on time: 320ns Power: 1.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2108SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 235ns Turn-on time: 320ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS21094PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP14 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 235ns Turn-on time: 850ns Power: 1.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2110SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16 Case: SO16 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -2...2A Turn-off time: 137ns Turn-on time: 155ns Number of channels: 2 Power: 1.25W Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 500V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS21531DSTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Kind of package: reel; tape Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Output current: -260...180mA Turn-off time: 50ns Turn-on time: 0.12µs Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10.1...16.8V DC Voltage class: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1695 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2153DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Kind of package: tube Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality Case: DIP8 Type of integrated circuit: driver Mounting: THT Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Output current: -260...180mA Turn-off time: 50ns Turn-on time: 0.12µs Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10.1...16.8V DC Voltage class: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2153DSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Kind of package: tube Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Output current: -260...180mA Turn-off time: 50ns Turn-on time: 0.12µs Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10.1...16.8V DC Voltage class: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS21844STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO14 Output current: -2.3...1.9A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 290ns Turn-on time: 720ns Power: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2416 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2184STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -2.3...1.9A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 290ns Turn-on time: 720ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS21867STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 188ns Turn-on time: 192ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1613 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2186STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 188ns Turn-on time: 192ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2304SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 185ns Turn-on time: 220ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS2453DSTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; H-bridge; SO14; -260÷180mA; 1W; Ch: 4; 10÷16.6VDC; 600V Type of integrated circuit: driver Topology: H-bridge Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side Case: SO14 Output current: -260...180mA Power: 1W Number of channels: 4 Supply voltage: 10...16.6V DC Mounting: SMD Operating temperature: -25...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 0.12µs Turn-off time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS25401PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LED driversDescription: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W Operating temperature: -25...125°C Output current: -700...500mA Turn-off time: 180ns Turn-on time: 320ns Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 8...16.6V DC Voltage class: 200V Topology: buck Case: DIP8 Type of integrated circuit: driver Mounting: THT Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRS44273LTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Case: SOT23-5 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Output current: -1.5...1.5A Turn-on time: 50ns Turn-off time: 50ns Power: 0.25W Number of channels: 1 Supply voltage: 9.2...20V DC Topology: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1433 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ISP452 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 0.16Ω Supply voltage: 5...34V DC Technology: Industrial PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ISP742RI | INFINEON TECHNOLOGIES |
ISP742RI Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1384 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ISP752R | INFINEON TECHNOLOGIES | ISP752R Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ISP752T | INFINEON TECHNOLOGIES | ISP752T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ISP772T | INFINEON TECHNOLOGIES |
ISP772T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ITS4140N | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.2A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT223-4 Supply voltage: 4.9...60V DC Technology: Industrial PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3358 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ITS4141NHUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT223 On-state resistance: 0.2Ω Kind of package: reel; tape Operating temperature: -30...85°C Supply voltage: 12...45V DC Technology: Industrial PROFET Power dissipation: 1.4W Kind of output: N-Channel Turn-off time: 0.1ms Turn-on time: 150µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 861 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ITS4142N | INFINEON TECHNOLOGIES | ITS4142N Power switches - integrated circuits |
на замовлення 3201 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ITS428L2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 5.8A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: TO252-5 On-state resistance: 50mΩ Supply voltage: 4.75...43V DC Technology: Industrial PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ITS5215L | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 3.7A Number of channels: 2 Mounting: SMD Case: BSOP12 On-state resistance: 70mΩ Supply voltage: 5.5...40V DC Technology: Industrial PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ITS711L1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.7A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.7A Number of channels: 4 Mounting: SMD Case: DSO20 Supply voltage: 5...34V DC Technology: Industrial PROFET Output voltage: 2...4V Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ITS716G | INFINEON TECHNOLOGIES | ITS716G Power switches - integrated circuits |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KP236-PS2GO-KIT | INFINEON TECHNOLOGIES | KP236-PS2GO-KIT Development kits - others |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PVDZ172NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A Case: DIP8 On-state resistance: 0.25Ω Release time: 0.5ms Operate time: 2ms Control current: 5...25mA Max. operating current: 1.5A Control voltage: 1.2V DC Relay variant: MOSFET Manufacturer series: PVDZ172NPbF Mounting: THT Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Operating temperature: -40...85°C Switched voltage: 0...60V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PVG612 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control current: 5...25mA Max. operating current: 2.4A Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC Manufacturer series: PVG612 Relay variant: MOSFET On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Case: DIP6 Operate time: 2ms Release time: 0.5ms Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PVG612ASPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control current: 5...25mA Max. operating current: 4A Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC Manufacturer series: PVG612 Relay variant: MOSFET On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMT Case: DIP6 Operate time: 3.5ms Release time: 0.5ms Operating temperature: -40...85°C Control voltage: 1.2V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PVG612S | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612 Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Control current: 5...25mA Max. operating current: 2.4A Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC Manufacturer series: PVG612 Relay variant: MOSFET On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMT Case: DIP6 Operate time: 2ms Release time: 0.5ms Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 436 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PVI5013RSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
PVI5013RSPBF Optocouplers - others |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PVT422SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA Type of relay: solid state Contacts configuration: DPST-NO Control voltage: 1.2V DC Control current: 2...25mA Max. operating current: 350mA Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC Manufacturer series: PVT422PbF Relay variant: MOSFET On-state resistance: 35Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operate time: 2ms Release time: 0.5ms Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S25FL128SAGNFV001 | INFINEON TECHNOLOGIES |
S25FL128SAGNFV001 Serial FLASH memories - integrated circ. |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SI4435DYTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.4A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SMBD914E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SMBD914E6327HTSA1 SMD universal diodes |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMBT3904SH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363 Type of transistor: NPN Case: SOT363 Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMBT3906E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23 Case: SOT23 Type of transistor: PNP Mounting: SMD Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.33W Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SMBTA06UPNE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SMBTA06UPNE6327 Complementary transistors |
на замовлення 685 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SMBTA42E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 70MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SMBTA92E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
SMBTA92E6327 PNP SMD transistors |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SN7002NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SN7002NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23 Power dissipation: 0.36W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain current: 0.16A On-state resistance: 5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SN7002WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2027 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 140W
Drain current: 161A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 140W
Drain current: 161A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.35 грн |
| IRLR8726TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.91 грн |
| 11+ | 28.31 грн |
| 50+ | 24.11 грн |
| 100+ | 22.73 грн |
| 250+ | 20.76 грн |
| 500+ | 19.39 грн |
| 1000+ | 18.50 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 77.36 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 380W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 380W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.49 грн |
| 10+ | 204.38 грн |
| IRLTS2242TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 10+ | 31.58 грн |
| 50+ | 20.86 грн |
| 100+ | 17.71 грн |
| 500+ | 12.60 грн |
| 1000+ | 11.22 грн |
| 3000+ | 9.74 грн |
| IRLTS6342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.37 грн |
| 18+ | 17.47 грн |
| 25+ | 14.86 грн |
| 50+ | 13.38 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 500+ | 10.23 грн |
| 1000+ | 9.55 грн |
| IRLU024NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 11+ | 30.04 грн |
| 25+ | 27.06 грн |
| IRLZ34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.42 грн |
| 10+ | 60.19 грн |
| 25+ | 51.27 грн |
| 50+ | 46.55 грн |
| 100+ | 42.02 грн |
| 250+ | 36.90 грн |
| 500+ | 33.46 грн |
| IRLZ44NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.62 грн |
| 10+ | 50.28 грн |
| 25+ | 46.15 грн |
| 50+ | 44.58 грн |
| 100+ | 43.00 грн |
| 500+ | 39.36 грн |
| 1000+ | 37.79 грн |
| IRS20752LTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Case: SOT23-6
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Case: SOT23-6
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 10+ | 55.18 грн |
| 25+ | 49.60 грн |
| 100+ | 46.94 грн |
| 250+ | 42.51 грн |
| 500+ | 39.85 грн |
| 1000+ | 39.36 грн |
| IRS2092STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.54 грн |
| 10+ | 199.27 грн |
| 25+ | 175.16 грн |
| 50+ | 165.32 грн |
| 100+ | 162.37 грн |
| IRS20957STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 250.11 грн |
| 10+ | 188.03 грн |
| 25+ | 173.20 грн |
| IRS2101SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
Part status: Not recommended for new designs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 230ns
Power: 625mW
Part status: Not recommended for new designs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.78 грн |
| 5+ | 72.56 грн |
| 10+ | 56.09 грн |
| 95+ | 52.16 грн |
| IRS2104SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.23 грн |
| 5+ | 116.50 грн |
| 25+ | 98.41 грн |
| 95+ | 89.55 грн |
| IRS21064PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 355.02 грн |
| 3+ | 302.49 грн |
| 10+ | 252.91 грн |
| 25+ | 249.95 грн |
| IRS2108SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.32 грн |
| IRS21094PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 850ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 850ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.61 грн |
| 10+ | 111.20 грн |
| 25+ | 105.30 грн |
| IRS2110SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 155ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 155ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 323.23 грн |
| 10+ | 265.70 грн |
| 45+ | 221.42 грн |
| 225+ | 220.43 грн |
| IRS21531DSTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.44 грн |
| 10+ | 67.45 грн |
| 25+ | 60.03 грн |
| IRS2153DPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.87 грн |
| 10+ | 193.14 грн |
| IRS2153DSPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -260...180mA
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.82 грн |
| 5+ | 143.07 грн |
| 10+ | 135.80 грн |
| IRS21844STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 290ns
Turn-on time: 720ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 290ns
Turn-on time: 720ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.07 грн |
| 10+ | 124.67 грн |
| 25+ | 116.12 грн |
| 100+ | 112.18 грн |
| IRS2184STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 290ns
Turn-on time: 720ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 290ns
Turn-on time: 720ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.77 грн |
| 10+ | 97.08 грн |
| 25+ | 88.57 грн |
| IRS21867STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.67 грн |
| IRS2186STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 188ns
Turn-on time: 192ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.26 грн |
| 10+ | 129.78 грн |
| 50+ | 110.22 грн |
| 100+ | 105.30 грн |
| 250+ | 99.39 грн |
| 1000+ | 98.41 грн |
| IRS2304SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.36 грн |
| 5+ | 142.05 грн |
| 10+ | 105.30 грн |
| 95+ | 104.31 грн |
| IRS2453DSTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; SO14; -260÷180mA; 1W; Ch: 4; 10÷16.6VDC; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -260...180mA
Power: 1W
Number of channels: 4
Supply voltage: 10...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; SO14; -260÷180mA; 1W; Ch: 4; 10÷16.6VDC; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -260...180mA
Power: 1W
Number of channels: 4
Supply voltage: 10...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.41 грн |
| 10+ | 92.99 грн |
| 25+ | 87.58 грн |
| IRS25401PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Operating temperature: -25...125°C
Output current: -700...500mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 8...16.6V DC
Voltage class: 200V
Topology: buck
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; high-/low-side,LED driver; DIP8; -700÷500mA; 1W
Operating temperature: -25...125°C
Output current: -700...500mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 8...16.6V DC
Voltage class: 200V
Topology: buck
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: high-/low-side; LED driver
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.97 грн |
| 10+ | 81.68 грн |
| IRS44273LTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Output current: -1.5...1.5A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
Power: 0.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9.2...20V DC
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Output current: -1.5...1.5A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
Power: 0.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9.2...20V DC
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.47 грн |
| 7+ | 49.05 грн |
| 10+ | 43.10 грн |
| ISP452 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 158.97 грн |
| ISP742RI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ISP742RI Power switches - integrated circuits
ISP742RI Power switches - integrated circuits
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.85 грн |
| 12+ | 101.36 грн |
| 32+ | 95.45 грн |
| ISP752R |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ISP752R Power switches - integrated circuits
ISP752R Power switches - integrated circuits
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.86 грн |
| 10+ | 128.91 грн |
| 25+ | 121.04 грн |
| ISP752T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ISP752T Power switches - integrated circuits
ISP752T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.27 грн |
| 11+ | 116.12 грн |
| 28+ | 109.23 грн |
| ISP772T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ISP772T Power switches - integrated circuits
ISP772T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.26 грн |
| 12+ | 100.38 грн |
| 33+ | 94.47 грн |
| ITS4140N |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.93 грн |
| 10+ | 107.30 грн |
| 25+ | 90.53 грн |
| 100+ | 82.66 грн |
| 500+ | 77.74 грн |
| ITS4141NHUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -30...85°C
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.4W
Kind of output: N-Channel
Turn-off time: 0.1ms
Turn-on time: 150µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -30...85°C
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.4W
Kind of output: N-Channel
Turn-off time: 0.1ms
Turn-on time: 150µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.65 грн |
| 10+ | 96.06 грн |
| 25+ | 84.63 грн |
| 50+ | 83.65 грн |
| ITS4142N |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ITS4142N Power switches - integrated circuits
ITS4142N Power switches - integrated circuits
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 287.20 грн |
| 12+ | 103.33 грн |
| 32+ | 97.42 грн |
| ITS428L2ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 4.75...43V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 4.75...43V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.88 грн |
| 10+ | 138.98 грн |
| 25+ | 121.04 грн |
| 100+ | 113.17 грн |
| ITS5215L |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 210.89 грн |
| 3+ | 183.95 грн |
| 10+ | 149.58 грн |
| 25+ | 141.71 грн |
| ITS711L1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.7A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: DSO20
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Output voltage: 2...4V
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.7A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: DSO20
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Output voltage: 2...4V
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 530.94 грн |
| 10+ | 379.13 грн |
| 50+ | 313.92 грн |
| 100+ | 293.25 грн |
| 250+ | 266.68 грн |
| 500+ | 246.02 грн |
| ITS716G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ITS716G Power switches - integrated circuits
ITS716G Power switches - integrated circuits
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 507.63 грн |
| 6+ | 231.26 грн |
| 14+ | 218.46 грн |
| KP236-PS2GO-KIT |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
KP236-PS2GO-KIT Development kits - others
KP236-PS2GO-KIT Development kits - others
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2836.09 грн |
| 2+ | 2681.59 грн |
| PVDZ172NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Case: DIP8
On-state resistance: 0.25Ω
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 1.5A
Control voltage: 1.2V DC
Relay variant: MOSFET
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Switched voltage: 0...60V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Case: DIP8
On-state resistance: 0.25Ω
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 1.5A
Control voltage: 1.2V DC
Relay variant: MOSFET
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Mounting: THT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Operating temperature: -40...85°C
Switched voltage: 0...60V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 847.81 грн |
| 10+ | 755.20 грн |
| 25+ | 695.74 грн |
| 50+ | 670.15 грн |
| 100+ | 648.50 грн |
| 250+ | 644.57 грн |
| PVG612 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 637.98 грн |
| 3+ | 548.77 грн |
| 5+ | 481.21 грн |
| 10+ | 431.02 грн |
| PVG612ASPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 3.5ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
Control voltage: 1.2V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 3.5ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
Control voltage: 1.2V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1726.36 грн |
| 5+ | 1478.72 грн |
| 25+ | 1245.83 грн |
| 100+ | 1068.70 грн |
| PVG612S | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 598.77 грн |
| 5+ | 533.44 грн |
| 10+ | 492.03 грн |
| PVI5013RSPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
PVI5013RSPBF Optocouplers - others
PVI5013RSPBF Optocouplers - others
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 440.86 грн |
| 7+ | 180.08 грн |
| 18+ | 170.24 грн |
| PVT422SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 688.85 грн |
| 25+ | 616.22 грн |
| 50+ | 581.59 грн |
| S25FL128SAGNFV001 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
S25FL128SAGNFV001 Serial FLASH memories - integrated circ.
S25FL128SAGNFV001 Serial FLASH memories - integrated circ.
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.37 грн |
| 8+ | 147.61 грн |
| 22+ | 139.74 грн |
| SI4435DYTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.60 грн |
| 10+ | 55.90 грн |
| 50+ | 39.07 грн |
| 100+ | 34.34 грн |
| 250+ | 29.42 грн |
| 500+ | 27.06 грн |
| SMBD914E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SMBD914E6327HTSA1 SMD universal diodes
SMBD914E6327HTSA1 SMD universal diodes
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 158.97 грн |
| 336+ | 3.47 грн |
| 924+ | 3.29 грн |
| SMBT2222AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.66 грн |
| 29+ | 10.63 грн |
| 33+ | 9.05 грн |
| 50+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.30 грн |
| 500+ | 3.77 грн |
| 1000+ | 3.60 грн |
| SMBT3904SH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 52+ | 6.19 грн |
| 100+ | 5.27 грн |
| 250+ | 4.57 грн |
| 1000+ | 4.32 грн |
| SMBT3906E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.78 грн |
| 38+ | 8.18 грн |
| 50+ | 6.42 грн |
| 100+ | 5.82 грн |
| 250+ | 5.04 грн |
| 500+ | 4.44 грн |
| 1000+ | 3.93 грн |
| SMBTA06UPNE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SMBTA06UPNE6327 Complementary transistors
SMBTA06UPNE6327 Complementary transistors
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.93 грн |
| 121+ | 9.64 грн |
| 332+ | 9.15 грн |
| SMBTA42E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.43 грн |
| 17+ | 18.19 грн |
| 50+ | 11.51 грн |
| 100+ | 9.53 грн |
| 500+ | 6.49 грн |
| 1000+ | 5.72 грн |
| 3000+ | 5.06 грн |
| SMBTA92E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SMBTA92E6327 PNP SMD transistors
SMBTA92E6327 PNP SMD transistors
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.48 грн |
| 201+ | 5.83 грн |
| 552+ | 5.51 грн |
| SN7002NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.08 грн |
| 25+ | 12.67 грн |
| 50+ | 8.42 грн |
| 100+ | 7.15 грн |
| 500+ | 5.01 грн |
| 1000+ | 4.35 грн |
| 3000+ | 3.52 грн |
| SN7002NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Power dissipation: 0.36W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Power dissipation: 0.36W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.96 грн |
| 27+ | 11.65 грн |
| 50+ | 6.61 грн |
| 100+ | 5.19 грн |
| 250+ | 3.92 грн |
| 500+ | 3.59 грн |
| SN7002WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.90 грн |
| 30+ | 10.42 грн |
| 50+ | 7.01 грн |
| 100+ | 6.01 грн |
| 500+ | 4.34 грн |
| 1000+ | 4.27 грн |
































