Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149718) > Сторінка 1865 з 2496
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TLS208D1EJV33XUMA1 | Infineon Technologies |
LDO Regulator Pos 3.3V 0.8A Automotive AEC-Q100 8-Pin DSO EP T/R |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 18862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857CWH6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BC857CB5000 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BAV70E6433HTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Switching Si 85V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BAS2103WE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Diode Switching Si 250V 0.25A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC857SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC817UPNE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R |
на замовлення 363000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC847BE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC847BE6433HTMA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRGP4066DPBF | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies |
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies |
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trench and Field Stop IGBT Module |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2400RB12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
High Reliability IGBT Modules IC |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TLS208D1EJV33XUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
LDO Regulator Pos 3.3V 0.8A Automotive AEC-Q100 8-Pin DSO EP T/R
LDO Regulator Pos 3.3V 0.8A Automotive AEC-Q100 8-Pin DSO EP T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 68+ | 181.93 грн |
| 92+ | 135.00 грн |
| 103+ | 120.19 грн |
| 500+ | 101.61 грн |
| 1000+ | 83.79 грн |
| 2000+ | 70.56 грн |
| IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 18862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 233+ | 53.18 грн |
| 236+ | 52.36 грн |
| 299+ | 41.32 грн |
| 500+ | 34.69 грн |
| 1000+ | 31.31 грн |
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 52+ | 240.37 грн |
| 67+ | 186.04 грн |
| 100+ | 138.30 грн |
| 200+ | 118.28 грн |
| 500+ | 107.31 грн |
| BC857CWH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15152+ | 2.04 грн |
| 100000+ | 1.71 грн |
| BC857CB5000 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15152+ | 2.04 грн |
| 100000+ | 1.71 грн |
| BAV70E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Switching Si 85V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Diode Switching Si 85V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12821+ | 2.41 грн |
| BAS2103WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Switching Si 250V 0.25A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
Diode Switching Si 250V 0.25A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7937+ | 3.89 грн |
| 10000+ | 3.47 грн |
| BC857SH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6037+ | 5.11 грн |
| BC817UPNE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3547+ | 8.71 грн |
| 10000+ | 7.76 грн |
| BC847BE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13044+ | 2.37 грн |
| BC847BE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13044+ | 2.37 грн |
| IRGP4066DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 691.49 грн |
| 100+ | 656.50 грн |
| FF2MR12KM1HPHPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 34774.52 грн |
| FF2MR12KM1HPHPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 37670.57 грн |
| FF200R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 8465.79 грн |
| FF200R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 10006.00 грн |
| 100+ | 9505.90 грн |
| FF200R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9170.86 грн |
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 6085.92 грн |
| 10+ | 5938.56 грн |
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6520.63 грн |
| 10+ | 6362.75 грн |
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF2MR12KM1HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 69639.43 грн |
| FF2MR12KM1HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 85663.84 грн |
| FF225R12ME4PBPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 9362.91 грн |
| 100+ | 8894.68 грн |
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 6176.47 грн |
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 8356.47 грн |
| FF200R33KF2CNOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 107496.75 грн |
| FF200R12KT3EHOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 10006.00 грн |
| 100+ | 9505.90 грн |
| FF2400RB12IP7BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 95486.26 грн |
| 25+ | 92621.52 грн |
| FF2400RB12IP7BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF200R12KE4PHOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 7574.47 грн |
| FF225R12MS4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 12628.96 грн |
| 25+ | 12250.20 грн |
| 100+ | 11871.53 грн |
| FF225R17ME3BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trench and Field Stop IGBT Module
Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 14864.93 грн |
| FF2400RB12IP7PBPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 92921.99 грн |
| 25+ | 90134.64 грн |
| 100+ | 87346.46 грн |
| FF225R17ME7B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 11753.24 грн |
| 100+ | 11165.64 грн |
| 500+ | 10578.12 грн |
| FF225R17ME4PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
High Reliability IGBT Modules IC
High Reliability IGBT Modules IC
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 10809.60 грн |
| FF225R12ME3BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 12370.64 грн |
| 25+ | 11999.13 грн |
| 100+ | 11628.69 грн |
| FF200R06KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 8044.72 грн |
| 100+ | 7642.38 грн |
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 909.92 грн |
| 25+ | 867.91 грн |
| 50+ | 832.98 грн |
| 100+ | 774.92 грн |
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 677.08 грн |
| 100+ | 643.12 грн |
| 500+ | 609.17 грн |
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 418.74 грн |
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 927.25 грн |
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 868.48 грн |
| 100+ | 825.26 грн |
| 500+ | 782.04 грн |
| 1000+ | 711.44 грн |
| 10000+ | 620.16 грн |
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 701.80 грн |
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 405.94 грн |
| 12000+ | 372.74 грн |
| 18000+ | 348.64 грн |
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 441.18 грн |
| 10+ | 305.26 грн |
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R060M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 384.43 грн |
| 39+ | 324.42 грн |
| 42+ | 300.80 грн |
| 100+ | 270.92 грн |
| 250+ | 247.84 грн |
| 500+ | 234.96 грн |
| 1000+ | 232.00 грн |
| IMBG65R060M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R060M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 411.89 грн |
| 10+ | 347.60 грн |
| 25+ | 322.28 грн |
| 100+ | 290.28 грн |
| 250+ | 265.54 грн |
| 500+ | 251.75 грн |
| 1000+ | 248.57 грн |
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 730.10 грн |
| 25+ | 725.82 грн |
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 786.92 грн |
| 10+ | 782.25 грн |
| 25+ | 777.66 грн |
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG120R034M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 624.70 грн |
| IMBG40R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 973.76 грн |
| 25+ | 964.13 грн |
| IMBG40R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG40R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1053.64 грн |
| 10+ | 1043.32 грн |
| 25+ | 1033.00 грн |
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 579.78 грн |
| 24+ | 521.91 грн |
| 25+ | 510.88 грн |
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 621.19 грн |
| 10+ | 559.19 грн |
| 25+ | 547.37 грн |





























