Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148583) > Сторінка 187 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE62513GXUMA1 TLE62513GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE6251-3G-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d4625996c0c30159a766edfc77b5 Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Receiver Hysteresis: 100 mV
Duplex: Half
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7181EMXUMA1 TLE7181EMXUMA1 Infineon Technologies TLE7181EM_Rev1.2_3-14-19.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 7V ~ 34V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 55 V
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-4
Rise / Fall Time (Typ): 250ns, 200ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 4
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+148.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7182EMXUMA1 TLE7182EMXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7182EM-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730116144c5d101c30&fileId=db3a30432f5008fe012f5442920c3996&ack=t Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 7V ~ 34V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 55 V
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-4
Rise / Fall Time (Typ): 250ns, 200ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 4
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+148.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE73682EXUMA1 TLE73682EXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7368-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163918026f01cf Description: IC PS SYSTEM MULTI VOLT PGDSO-36
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7368-3E TLE7368-3E Infineon Technologies Infineon-TLE7368-DS-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d271b041d1 Description: IC REG AUTO APPL 3OUT DSO-36
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 5V, 3.3V/2.6V, 1.3V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Voltage - Input: 4.5V ~ 45V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Applications: Power Supply, Automotive Applications
Supplier Device Package: PG-DSO-36
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8108EMXUMA1 TLE8108EMXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE8108EM-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433004641301302bf77ce863a2 Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:2 24SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 800mOhm
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:2
Supplier Device Package: PG-SSOP-24
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+131.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE83862ELXUMA1 TLE83862ELXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE8386-2EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d2803541d8 Description: IC REG CTRLR BOOST 14-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 700kHz
Topology: Boost
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 45V
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-EP
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Enable, Frequency Control, Soft Start
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 93%
Clock Sync: Yes
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8386ELXUMA1 TLE8386ELXUMA1 Infineon Technologies TLE8386-DS1.0.pdf?folderId=db3a30431400ef68011421b54e2e0564&fileId=db3a30432d081e66012d137b2a7c6bf6 Description: IC REG CTRLR BOOST 14-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 2N7002DW_Rev2.2_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431a5c32f2011ad94ed41363f2 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.79 грн
6000+4.05 грн
9000+3.66 грн
15000+3.14 грн
21000+3.13 грн
30000+2.84 грн
75000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BB565H7912XTSA1 BB565H7912XTSA1 Infineon Technologies bb545series_bb565series.pdf Description: DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-80
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2.2pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Supplier Device Package: SCD-80
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 11.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB689H7912XTSA1 BB689H7912XTSA1 Infineon Technologies bb669_bb689series.pdf Description: DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-80
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Supplier Device Package: SCD-80
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 23.2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K16WH6327XTSA1 BC817K16WH6327XTSA1 Infineon Technologies bc817Kseries_bc818Kseries.pdf?folderId=db3a304314dca389011545f4eb561884&fileId=db3a304314dca38901154636aab91919 Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF5030WH6327XTSA1 BF5030WH6327XTSA1 Infineon Technologies BF5030_Series.pdf Description: FET RF 8V 800MHZ SOT343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 24dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP420_Rev2013.pdf Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.52 грн
6000+13.60 грн
9000+13.41 грн
15000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FH6327XTSA1 BFP740FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP740F-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389694c94eaa Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.32 грн
6000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP740FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638969e2f4ead Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB ~ 31dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BGA231L7E6327XTSA1 BGA231L7E6327XTSA1 Infineon Technologies BGA231L7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d Description: IC RF AMP GPS 1575.42MHZ TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA713L7E6327XTSA1 BGA713L7E6327XTSA1 Infineon Technologies BGA713L7.pdf Description: IC AMP UMTS 728MHZ-768MHZ TSLP7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 915N7 E6327 BGA 915N7 E6327 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IC RF AMP GPS 1575.42MHZ TSNP7-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1575.42MHz
RF Type: GPS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 15.5dB
Current - Supply: 4.4mA
Noise Figure: 0.7dB
P1dB: -5dBm
Test Frequency: 1575.42MHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGM1032N7E6327XUSA1 BGM1032N7E6327XUSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MODULE GPS FRONT-END TSNP-7-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: GPS Front End
Frequency: 1575.42MHz
RF Type: GPS
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGM1033N7E6327XUSA1 BGM1033N7E6327XUSA1 Infineon Technologies BGM1033N7.pdf Description: MODULE GPS FRONT-END TSNP-7-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: GPS Front End
Frequency: 1575.42MHz
RF Type: GPS
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-10
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LX BSB012NE2LX Infineon Technologies BSB012NE2LX.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1 BSB013NE2LXIXUMA1 Infineon Technologies BSB013NE2LXI_Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e398416012e47a158802577 Description: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 Infineon Technologies BSB028N06NN3_Rev+1.4.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838 Description: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3GXUMA1 Infineon Technologies BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4 Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+125.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459 Description: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies BSB280N15NZ3+G+Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b0b544c3852 Description: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d Description: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC010NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb3d176a3f1b Description: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 Infineon Technologies BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1 Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca6b7736b2f40 Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1 BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies BSC018NE2LSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b8abf971c2 Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851 Description: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.07 грн
10000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1 BSC052N03LSATMA1 Infineon Technologies BSC052N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc1084350363 Description: MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies BSC084P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c84ef6ec327c Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
6000+4.97 грн
9000+4.08 грн
15000+3.66 грн
21000+3.48 грн
30000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 25760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.87 грн
6000+5.49 грн
9000+5.36 грн
15000+4.69 грн
21000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.89 грн
6000+6.01 грн
9000+5.69 грн
15000+5.00 грн
21000+4.80 грн
30000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
6000+5.16 грн
9000+4.88 грн
15000+4.29 грн
21000+4.11 грн
30000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CL6327HTSA1 BSL308CL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL308C_Rev+2+0.pdf?folderId=db3a30431add1d95011aed428f2d0285&fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6906XTSA1 BSS126H6906XTSA1 Infineon Technologies BSS126_Rev2.0_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.67 грн
6000+16.59 грн
9000+15.88 грн
15000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies BSS131_V2.5+G.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013104bf65993eeb Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
6000+4.61 грн
9000+4.18 грн
15000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.10 грн
6000+8.88 грн
9000+8.44 грн
15000+7.47 грн
21000+7.24 грн
30000+6.94 грн
75000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
6000+7.42 грн
9000+6.73 грн
15000+6.32 грн
21000+6.13 грн
30000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062 Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.26 грн
6000+5.46 грн
9000+5.16 грн
15000+4.54 грн
21000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
6000+4.18 грн
9000+3.53 грн
15000+3.28 грн
21000+3.27 грн
30000+3.12 грн
75000+2.97 грн
150000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.63 грн
6000+5.84 грн
9000+5.05 грн
15000+4.53 грн
21000+4.32 грн
30000+4.07 грн
75000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.06 грн
6000+5.08 грн
9000+4.33 грн
15000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 243490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.01 грн
6000+6.21 грн
9000+5.72 грн
15000+4.98 грн
21000+4.97 грн
30000+4.60 грн
75000+4.27 грн
150000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.44 грн
6000+4.60 грн
9000+4.10 грн
15000+3.65 грн
21000+3.45 грн
30000+3.32 грн
75000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.47 грн
6000+5.42 грн
9000+4.68 грн
15000+4.25 грн
21000+4.11 грн
30000+3.97 грн
75000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 521025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
6000+2.81 грн
9000+2.74 грн
15000+2.46 грн
21000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.60 грн
6000+3.99 грн
9000+3.76 грн
15000+3.29 грн
30000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62513GXUMA1 Infineon-TLE6251-3G-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d4625996c0c30159a766edfc77b5
TLE62513GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 DSO-14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Receiver Hysteresis: 100 mV
Duplex: Half
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7181EMXUMA1 TLE7181EM_Rev1.2_3-14-19.pdf
TLE7181EMXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 7V ~ 34V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 55 V
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-4
Rise / Fall Time (Typ): 250ns, 200ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 4
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+148.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7182EMXUMA1 Infineon-TLE7182EM-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730116144c5d101c30&fileId=db3a30432f5008fe012f5442920c3996&ack=t
TLE7182EMXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 7V ~ 34V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 55 V
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-4
Rise / Fall Time (Typ): 250ns, 200ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 4
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+148.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE73682EXUMA1 Infineon-TLE7368-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163918026f01cf
TLE73682EXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PS SYSTEM MULTI VOLT PGDSO-36
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7368-3E Infineon-TLE7368-DS-v02_21-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d271b041d1
TLE7368-3E
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG AUTO APPL 3OUT DSO-36
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 5V, 3.3V/2.6V, 1.3V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Voltage - Input: 4.5V ~ 45V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Applications: Power Supply, Automotive Applications
Supplier Device Package: PG-DSO-36
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8108EMXUMA1 Infineon-TLE8108EM-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433004641301302bf77ce863a2
TLE8108EMXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:2 24SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 800mOhm
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:2
Supplier Device Package: PG-SSOP-24
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+131.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE83862ELXUMA1 Infineon-TLE8386-2EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d2803541d8
TLE83862ELXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR BOOST 14-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 700kHz
Topology: Boost
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 45V
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-EP
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Enable, Frequency Control, Soft Start
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 93%
Clock Sync: Yes
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8386ELXUMA1 TLE8386-DS1.0.pdf?folderId=db3a30431400ef68011421b54e2e0564&fileId=db3a30432d081e66012d137b2a7c6bf6
TLE8386ELXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR BOOST 14-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DW_Rev2.2_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431a5c32f2011ad94ed41363f2
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.79 грн
6000+4.05 грн
9000+3.66 грн
15000+3.14 грн
21000+3.13 грн
30000+2.84 грн
75000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BB565H7912XTSA1 bb545series_bb565series.pdf
BB565H7912XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-80
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2.2pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Supplier Device Package: SCD-80
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 11.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB689H7912XTSA1 bb669_bb689series.pdf
BB689H7912XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-80
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Supplier Device Package: SCD-80
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 23.2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K16WH6327XTSA1 bc817Kseries_bc818Kseries.pdf?folderId=db3a304314dca389011545f4eb561884&fileId=db3a304314dca38901154636aab91919
BC817K16WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF5030WH6327XTSA1 BF5030_Series.pdf
BF5030WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF 8V 800MHZ SOT343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 24dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 3 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420_Rev2013.pdf
BFP420H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.52 грн
6000+13.60 грн
9000+13.41 грн
15000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650FH6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFP650FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FH6327XTSA1 Infineon-BFP740F-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389694c94eaa
BFP740FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27.5dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.32 грн
6000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP740FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638969e2f4ead
BFP740FESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB ~ 31dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BGA231L7E6327XTSA1 BGA231L7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d
BGA231L7E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP GPS 1575.42MHZ TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA713L7E6327XTSA1 BGA713L7.pdf
BGA713L7E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP UMTS 728MHZ-768MHZ TSLP7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 915N7 E6327 Part_Number_Guide_Web.pdf
BGA 915N7 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP GPS 1575.42MHZ TSNP7-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1575.42MHz
RF Type: GPS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 15.5dB
Current - Supply: 4.4mA
Noise Figure: 0.7dB
P1dB: -5dBm
Test Frequency: 1575.42MHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGM1032N7E6327XUSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BGM1032N7E6327XUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE GPS FRONT-END TSNP-7-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: GPS Front End
Frequency: 1575.42MHz
RF Type: GPS
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGM1033N7E6327XUSA1 BGM1033N7.pdf
BGM1033N7E6327XUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE GPS FRONT-END TSNP-7-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: GPS Front End
Frequency: 1575.42MHz
RF Type: GPS
Supplier Device Package: PG-TSNP-7-10
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012NE2LX BSB012NE2LX.pdf
BSB012NE2LX
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1 BSB013NE2LXI_Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e398416012e47a158802577
BSB013NE2LXIXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3_Rev+1.4.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838
BSB028N06NN3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4
BSB044N08NN3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+125.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459
BSB056N10NN3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
BSB165N15NZ3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3+G+Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b0b544c3852
BSB280N15NZ3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d
BSC009NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb3d176a3f1b
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de
BSC010NE2LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1
BSC014NE2LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca6b7736b2f40
BSC018NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1 BSC018NE2LSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b8abf971c2
BSC018NE2LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b
BSC024NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851
BSC032NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
BSC050NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.07 грн
10000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1 BSC052N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc1084350363
BSC052N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3+Rev2+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b89750012824712c6c6f2f
BSC070N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c84ef6ec327c
BSC084P03NS3EGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.55 грн
6000+4.97 грн
9000+4.08 грн
15000+3.66 грн
21000+3.48 грн
30000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 25760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.87 грн
6000+5.49 грн
9000+5.36 грн
15000+4.69 грн
21000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0
BSD235NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.89 грн
6000+6.01 грн
9000+5.69 грн
15000+5.00 грн
21000+4.80 грн
30000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.93 грн
6000+5.16 грн
9000+4.88 грн
15000+4.29 грн
21000+4.11 грн
30000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CL6327HTSA1 BSL308C_Rev+2+0.pdf?folderId=db3a30431add1d95011aed428f2d0285&fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193
BSL308CL6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6906XTSA1 BSS126_Rev2.0_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601310483af163eba
BSS126H6906XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.67 грн
6000+16.59 грн
9000+15.88 грн
15000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131_V2.5+G.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013104bf65993eeb
BSS131H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.09 грн
6000+4.61 грн
9000+4.18 грн
15000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.10 грн
6000+8.88 грн
9000+8.44 грн
15000+7.47 грн
21000+7.24 грн
30000+6.94 грн
75000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.28 грн
6000+7.42 грн
9000+6.73 грн
15000+6.32 грн
21000+6.13 грн
30000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.26 грн
6000+5.46 грн
9000+5.16 грн
15000+4.54 грн
21000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.72 грн
6000+4.18 грн
9000+3.53 грн
15000+3.28 грн
21000+3.27 грн
30000+3.12 грн
75000+2.97 грн
150000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.63 грн
6000+5.84 грн
9000+5.05 грн
15000+4.53 грн
21000+4.32 грн
30000+4.07 грн
75000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.06 грн
6000+5.08 грн
9000+4.33 грн
15000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073
BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 243490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.01 грн
6000+6.21 грн
9000+5.72 грн
15000+4.98 грн
21000+4.97 грн
30000+4.60 грн
75000+4.27 грн
150000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
BSS314PEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.44 грн
6000+4.60 грн
9000+4.10 грн
15000+3.65 грн
21000+3.45 грн
30000+3.32 грн
75000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
BSS315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.47 грн
6000+5.42 грн
9000+4.68 грн
15000+4.25 грн
21000+4.11 грн
30000+3.97 грн
75000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16
BSS316NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 521025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.99 грн
6000+2.81 грн
9000+2.74 грн
15000+2.46 грн
21000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.60 грн
6000+3.99 грн
9000+3.76 грн
15000+3.29 грн
30000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]